interconnection fabricationとは 意味・読み方・使い方

INTERCONNECTION SUPPORTED FUEL CELL ASSEMBLY, PREFORM AND METHOD OF FABRICATION例文帳に追加

相互接続部支持燃料電池アセンブリ、プレフォーム及び製造方法 - 特許庁

FABRICATION OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP FOR ULTRA-LOW ELECTROSTATIC CAPACITANCE INTERCONNECTION例文帳に追加

超低静電容量配線のためのエアギャップを備える半導体装置の製造 - 特許庁

In the fabrication process of semiconductor device having a multilayer interconnection layer, hydrogenation heat treatment is performed at least after formation of an insulation layer 107 covering a first interconnection layer 106 and an insulation layer 113 covering a last interconnection layer 112.例文帳に追加

多層配線層を有する半導体装置の製造工程において、少なくとも第一配線層１０６を覆う絶縁層１０７の形成後及び最終配線層１１２を覆う絶縁層１１３の形成後に水素化熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device in which alteration of pattern in node interconnection or increase in the number of fabrication steps is prevented when a capacitor is added to an SRAM while enhancing the reliability of node interconnection.例文帳に追加

ＳＲＡＭにキャパシタを付設した際のノード配線におけるパターン変更や製造工程数の増加を防止する一方で、ノード配線での信頼性を高めた半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device having a capacitor which can be formed through a process shared with an interconnection while reducing the area of memory cell, and a method of fabrication.例文帳に追加

メモリセル面積の縮小が可能であり、配線と共有化されたプロセスで形成できるキャパシタを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a high density semiconductor device, and a method of fabrication, by forming plugs and an interconnection readily for a fine pattern when conductive plugs buried in contact holes and an interconnection are formed simultaneously.例文帳に追加

本発明は、コンタクトホールに埋め込んだ導電性プラグと溝を利用した配線を同時に形成する際に、微細なパターンに対して容易にプラグと配線を形成することが可能となり、その結果、高密度な半導体デバイスを作製することができる半導体装置および半導体装置製造方法を得る。 - 特許庁

Since the split capacity electrodes 24 and 25 are connected with adjacent diffusion layers 14 and 15 through a first interconnection layer directly above the capacity electrodes, charges generated in the fabrication process subsequent to the process for forming the first interconnection layer can be discharged to the diffusion layer and a capacitive oxidation layer can also be protected against breakdown.例文帳に追加

また、２分割された容量電極２４、２５を隣接する拡散層１４、１５に、容量電極すぐ上の第１配線層で接続する構成とするので、第１配線層形成工程以降の製造工程で発生するチャージを拡散層に放電することができ、容量酸化膜の破壊を防ぐことも可能となる。 - 特許庁