「interdiffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a thermoelectric element capable of preventing, when it forms metal junction with an electrode material, interdiffusion of chemical elements between its thermoelectric material and the electrode material.例文帳に追加

電極材料と金属接合した際に熱電材料と電極材料との間での元素の相互拡散を防止しうる熱電素子を提供する。 - 特許庁

To provide an inductor which can prevent interdiffusion from occurring between a conductor and a magnetic film and keep its figure of merit Q high, without decreasing the self-resonance frequency.例文帳に追加

導体と磁性体膜の相互拡散を防止でき、自己共振周波数を低下させずに、性能係数Ｑ値を高く保持できるインダクタを提供する。 - 特許庁

A heat treatment is carried out to replace the amorphous silicon layer 4x and metal catalyst layer 8 with each other through interdiffusion between the amorphous silicon layer 4x and metal catalyst layer 8.例文帳に追加

そして、熱処理を行い、非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを相互拡散させ、非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。 - 特許庁

The complex magnetic material comprises ferrite-coated magnetic metal particles having boundary layers formed by atomic interdiffusion along the boundaries between the magnetic metal particles and the ferrite coating.例文帳に追加

金属磁性粒子とフェライト被膜の境界に原子の相互拡散により形成された界面層を有するフェライト被覆金属磁性粒子からなる複合磁性材料。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device in which the interdiffusion of a p-type dopant and an iron atom is reduced and to provide a method of manufacturing this optical semiconductor device.例文帳に追加

ｐ型ドーパントおよび鉄原子の相互拡散が低減される光半導体デバイス、およびこの光半導体デバイスを製造する方法を提供することとしている。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element including a buried layer formed stably and having high resistance while suppressing interdiffusion with Zn contained in a mesa stripe structure; and to provide a method for manufacturing the semiconductor optical element.例文帳に追加

メサストライプ構造に含まれるＺｎとの相互拡散を抑制しつつ、安定的に形成される高抵抗な埋め込み層を備える半導体光素子、及び、その製造方法の提供。 - 特許庁

To restrain the interdiffusion of dopant in gate electrodes near the border of an n-channel MISFET and a p-channel MISFET which adopt polycide-dual gate structure.例文帳に追加

ポリサイド−デュアルゲート構造を採用するｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴとｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴの境界付近におけるゲート電極中の不純物の相互拡散を抑制する。 - 特許庁

To disclose a method for decreasing the diffusion of dopant atoms in the active region of optoelectronic devices as well as the interdiffusion of different types of dopant atoms among adjacent doped regions.例文帳に追加

光電装置の活性領域におけるドーパント原子の拡散と、隣接するドープ領域間の異なる形式のドーパント原子の相互拡散とを減少する方法を開示する。 - 特許庁

Therefore, even if a high temperature heat treatment is applied to have it stably exist at an interface with zirconia, interdiffusion with the electrolyte 2 hardly occurs, and a non-conductive phase such as of pyrochroite is not generated.例文帳に追加

したがって、ジルコニアとの界面に安定に存在させるために高温の熱処理を行っても、電解質２との間で相互拡散が殆ど生じず、パイロクロアなどの不導体相などが生成されない。 - 特許庁

Since interdiffusion occurs between the sealing material 4 and the coating layer 5b, they can be connected easily by resistance welding, thereby the sealing lead wire 3 is improved in connection strength.例文帳に追加

封着材４と被覆層５ｂとの間で相互拡散が発生するので、抵抗溶接によって容易に接続することが可能で接続強度を向上させた封着用リード線３を提供できる。 - 特許庁

This method limits the amount of Si available for interdiffusion, thereby allowing the Ge layer to be annealed without causing substantial dilution of the Ge layer by the underlying Si.例文帳に追加

この方法は、相互拡散に利用可能なＳｉの量を制限し、それによって、下のＳｉによるＧｅ層の実質的な希釈を起こすことなく、Ｇｅ層をアニールすることができるようになる。 - 特許庁

The process of the interdiffusion is monitored in real time by an optical measurement device, and the light-emitting diode (LED) having the smooth steps with organic bonding has higher luminous efficiency and a lower operation voltage.例文帳に追加

相互拡散のプロセスは光学測定装置でリアル・タイムモニターし、滑らかな段階がある有機接合を備えた発光ダイオード（ＬＥＤ）が、より高い発光効率およびより低い操作電圧を持つ。 - 特許庁

Thereby, the hetero structure of the nano scale of the metal oxide, especially crystalline metal oxide can be formed with high productivity while suppressing damage on the crystalline structure, generation of oxygen defect, and characteristic deterioration caused by interdiffusion.例文帳に追加

これにより、金属酸化物、特に、結晶性金属酸化物のナノスケールのヘテロ構造を、結晶構造の損傷と酸素欠陥の生成、及び相互拡散による特性劣化を抑制しつつ、生産性高く形成できる。 - 特許庁

To provide a cobalt powder effective for a sputtering target which restrains pollutants caused by interdiffusion of substances constituting thin films and does not cause particles or abnormal discharge phenomenon, or the like, and to provide a method for producing the cobalt powder.例文帳に追加

薄膜を構成する物質の相互拡散に起因する汚染物質の抑制及びパーティクルや異常放電現象が生じないスパッタリングターゲット等に有効であるコバルト粉末とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Since the material of the second metallic layer has a high melting point, the layer works as a barrier against the interdiffusion between the first and the second metallic layers, and the deterioration of the gate characteristic caused by a high-temperature operation can be suppressed.例文帳に追加

第２金属層の材料は高融点であるため第１金属層金属と第３金属層金属の相互拡散に対するバリヤとして働き、高温動作によるゲート特性劣化が抑制される。 - 特許庁

Similarly, the reaction plate for use in an apparatus for manufacturing a hydrogen by using a plate-formed reforming catalyst-cum-supporter material, is also provided between this and the hydrogen-permeable membrane with a barrier layer for preventing the interdiffusion between the supporter component and the hydrogen-permeable membrane.例文帳に追加

同じく、平板状改質触媒兼支持体を用いた水素製造装置用反応板についても、水素透過膜との間に支持体成分と水素透過膜との相互拡散を防止するためのバリア層を設ける。 - 特許庁

According to the structure, the interdiffusion of Ga and As in the p-type GaAs layer 1 and Au in the metallic layer 5 is prevented while the fluctuation of the resistivity of the ohmic electrode 6 can be suppressed at a small value under the high-temperature and high-humid environment.例文帳に追加

上記構造とすることにより、ｐ型GaAs層１のGa、Asと、金属層５のAuの相互拡散を防止するとともに、高温・高湿環境下において、オーミック電極６の抵抗率の変動を小さく抑えることができる。 - 特許庁

To provide such a reaction cylinder and a reaction plate each for use in an apparatus for manufacturing a hydrogen as is capable of solving that deterioration of a hydrogen permeability performance in a hydrogen permeable membrane which is caused by the interdiffusion of the components between a modified catalyst-cum-supporter material and the hydrogen-permeable membrane.例文帳に追加

改質触媒兼支持体と水素透過膜との間の成分の相互拡散に起因する水素透過膜の水素透過性能の劣化の問題を解決してなる水素製造装置用反応筒及び反応板を得る。 - 特許庁

To provide a technique which further improves thermal stability of a magnetoresistive element, by preventing interdiffusion among conductors (for example, vias and interconnects) for electrically connecting the magnetoresistive element to other element and layers constituting the magnetoresistive element.例文帳に追加

磁気抵抗素子を他の素子に電気的に接続する導体（例えば，ビア及び配線）と，磁気抵抗素子を構成する層との間の相互拡散を防止することにより，磁気抵抗素子の熱的安定性を，一層に向上する技術を提供する。 - 特許庁

In a process before isolation of the gate electrodes 10n, 10p by patterning gate electrode material, thermal treatment of high temperature of at least 700°C is made not to perform, so that the interdiffusion of dopant in a process before gate electrode formation is prevented.例文帳に追加

また、ゲート電極材料をパターニングしてゲート電極１０ｎ、１０ｐを分離する以前の工程では、７００℃以上の高温の熱処理を行わないようにすることで、ゲート電極形成前の工程における不純物の相互拡散を防止する。 - 特許庁

Also, the single chip electronic component of composite functions is manufactured by a simple process, interdiffusion between different kinds of substances constituting the magnetic body and the dielectric is prevented, and the durability and electrical characteristics of a product are secured.例文帳に追加

また、複合機能の単一チップ電子部品を簡単な工程で製造することができ、磁性体及び誘電体を構成する異種物質間での相互拡散を防止して、製品の耐久性及び電気的特性を確保することができる。 - 特許庁

Moreover, the supplied metal effectively forms, by the interdiffusion and reaction between a constituent present in the vicinity of the surface of the magnetic material and itself, a new alloy phase or intermetallic compound phase and can contribute to further improvement in the magnetic properties and the rust preventive effect.例文帳に追加

さらに、供給金属は磁性材料の表面近傍に存在する構成成分との相互拡散および反応により新たな合金相または金属間化合物相を効果的に生成し、更なる磁気特性ならびに防錆効果の向上に寄与する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a composite electronic component by which damage such as cracking and delamination is hardly caused even if a plurality of ceramics have differences in coefficient of thermal expansion and baking shrinkage, and an interdiffusion between the plurality of ceramics can sufficiently be suppressed.例文帳に追加

複数のセラミックスの間に熱膨張率や焼成収縮率の差があってもクラック、デラミネーション等の損傷が発生しにくく複数のセラミックスの間の相互拡散を十分に抑制することができる複合電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a chip laminated LC filter having a structure in which the filter is formed by laminating a dielectric ceramic layer and a magnetic material ceramic layer via an intermediate layer, the interdiffusion of impurities in the ceramic layer is suppressed, the characteristics of the filter is hardly varied and the reliability of the filter is high.例文帳に追加

誘電体セラミック層と磁性体セラミック層とを中間層を介して積層したチップ積層ＬＣフィルタにおいて、各セラミック層の相互拡散を抑制し、特性変動が少なく信頼性の高いチップ積層ＬＣフィルタを提供すること。 - 特許庁

A plurality of bumps 21 provided on the chip 10 are bonded to a plurality of conductor sections 32, 33 and 35 on the substrate 30 through interdiffusion of atoms in a solid phase, of the respective metals forming them, without involving melting of the respective metals forming them.例文帳に追加

チップ１０に設けられた複数のバンプ２１と実装基板３０の複数の導体部３２，３３，３５とは、それらを構成する各金属の溶融を伴わずに、それらを構成する各金属の原子の固相状態における相互拡散によって接合されている。 - 特許庁

On an element isolation region 101, that is, under a silicide formation preventing film 106, a nonreactive n-type polycrystalline silicon film 103A remains as a conductive diffusion preventing region which prevents an interdiffusion between the NiSi film 110A and the Ni_3Si film 110B.例文帳に追加

素子分離領域１０１上つまりシリサイド化防止膜１０６の下には、未反応のＮ型多結晶シリコン膜１０３Ａが、ＮｉＳｉ膜１１０ＡとＮｉ_3 Ｓｉ膜１１０Ｂとの間の相互拡散を防止する導電性拡散防止領域として残存する。 - 特許庁

Since conduction type of the gate electrode 10n of the n-channel MISFET and conduction type of the gate electrode 10p of the p-channel MISFET are different from each other, isolation is performed in order to prevent the interdiffusion of dopant, and both are connected electrically through metal wiring formed in a later process.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極１０ｎとｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極１０ｐは、互いの導電型が異なることから、不純物の相互拡散を防ぐために分離し、後の工程で形成する金属配線を介して両者を電気的に接続する。 - 特許庁

A metal bump layer including a solder layer 100 used for metal joining and electric connection and a Cu layer 30 due to interdiffusion with the solder layer 100 is deposited on an electrode 2 and a Cu bump 4 provided on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

金属接合による接合および電気的接続に使用される半田層１００と、半田層１００との相互拡散により金属間化合物を形成するためのＣｕ層３０と、を備えるメタルバンプ層が、半導体基板１に設けられた、電極２およびＣｕバンプ４に堆積されている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device having a dual gate electrode structure in which lowering in conductivity of a gate electrode is suppressed by suppressing interdiffusion of impurities in the gate electrode between an N channel region and a P channel region and a low resistance gate electrode capable of suppressing lowering in the operating speed of a device can be formed.例文帳に追加

デュアルゲート電極構造を有する半導体装置において、Ｎチャネル領域とＰチャネル領域との間のゲート電極中不純物の相互拡散を抑えることによって、ゲート電極の導電率低下を抑制し、デバイスの動作速度の低下を抑える低抵抗ゲート電極を形成する。 - 特許庁

This method of the present invention uses a plurality of InAlAs and/or InGaAlAs layers 115 and 131, and prevents the direct contact between a clad layer 116 and an active layer 114, and between a current rejection layer 132 and the active layer 114 for inhibiting the interdiffusion of dopant atoms in semi-insulating buried ridge structure.例文帳に追加

複数のＩｎＡｌＡｓ及び／又はＩｎＧａＡｌＡｓ層１１５．１３１を用い、グラッド層１１６と記活性層１１４との間と、電流阻止層１３２と活性層１１４との間の直接接触を防ぎ、ドーパント原子の相互拡散を抑制する半絶縁埋設リッジ構造を開示する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a highly reliable semiconductor element which is excellent in continuous operation property and electrical characteristics at a high temperature by preventing lowering of bonding strength between an SiC substrate and a metallic silicide layer and between a metallic silicide layer and a bonding metal layer due to interdiffusion in high temperature operation.例文帳に追加

高温動作の際の相互拡散によるＳｉＣ基板と金属シリサイド層との間及び金属シリサイド層とボンディングメタル層との間の接着強度の低下を防止し、高温下での連続動作性及び電気的特性に優れた信頼性の高い半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The interface fusion layer has a glass transition temperature lower than the adjoining organic layers, and by fusing the interface fusion layer and annealing it at a temperature higher than the glass transition temperature Tg, organic bonding having smooth steps is formed by smooth interdiffusion and being mixed with the adjoining layers.例文帳に追加

界面（インタフェース）の融合層がそのグラス転移温度が隣接する有機層より低く、界面（インタフェース）融合層を融合させ、そのグラス転移温度Ｔｇより高い温度で焼きなましすることにより、隣接層との滑らかな相互拡散および混合により滑らかな段階がある有機接合を形成する。 - 特許庁

Then, the semiconductor single crystal 11 and the amorphous semiconductor 12 are subjected to heat-treatment, and solid interdiffusion is performed between the semiconductor single crystal 11 and the amorphous semiconductor 12 to form an unstrained semiconductor mixed single crystal 13 having a lattice constant (c) midway between the lattice constants (a) and (b).例文帳に追加

次いで、半導体単結晶１１及びアモルファス半導体１２に対して加熱処理を施し、半導体単結晶１１及びアモルファス半導体１２同士を固相相互拡散により混晶化して、前記格子定数ａ及び前記格子定数ｂの中間の格子定数ｃを有する無歪みの半導体混晶単結晶１３を形成する。 - 特許庁

When the crystallized silicon layer is formed, a metal catalyst layer 8 and a first amorphous silicon layer 4x are formed on a substrate body 10d and heat-treated to replace the first amorphous silicon layer 4x and metal catalyst layer 8 with each other through interdiffusion between the first amorphous silicon layer 4x and metal catalyst layer 8.例文帳に追加

結晶化シリコン層を形成するにあたって、基板本体１０ｄ上に金属触媒層８および第１非結晶シリコン層４ｘを形成した後、熱処理を行ない、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８との間での相互拡散により、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。 - 特許庁

To provide a reliable semiconductor light emitting element which can suppress an increase in the contact resistance of a p-side electrode and can more effectively prevent reduction of a luminous efficiency with good luminous and electrical characteristics, by preventing interdiffusion of two or more different p type impurities when a p type contact layer is made up of two or more laminated layers doped with the two or more different p type impurities respectively.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層が、互いに積層された、２種類以上の互いに異なるｐ型不純物がそれぞれドープされた２層以上の層からなる場合に、これらのｐ型不純物の相互拡散を防止することによって、ｐ側電極のコンタクト抵抗の上昇を抑制することができるとともに、発光効率の低下をより効果的に防止することができ、発光特性および電気的特性が良好で、かつ、信頼性の高い半導体発光素子を提供する。 - 特許庁