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ion sputteredの意味・使い方・読み方 | Weblio英和辞書
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ion sputteredとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「ion sputtered」の意味

ion sputtered

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「ion sputtered」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 26



例文

The sensitivity is raised especially to metal in a tendency to be sputtered as the positive ion.例文帳に追加

感度は、正イオンとしてスパッタリングされる傾向にある特に金属に対して高められる。 - 特許庁

The sensitivity of a secondary ion mass spectrometer (SIMS) is increased by using steam in order to raise yield of a positive secondary ion to be sputtered by a primary convergence ion beam.例文帳に追加

二次イオン質量分析計(SIMS)の感度は、一次集束イオンビームによってスパッタリングされる正の二次イオンの収量を高めるために水蒸気を使用することで増加される。 - 特許庁

Most of particles (b), sputtered from the nonmagnetic material 2b by this ion collision are deposited on an inner surface I of an anode 7.例文帳に追加

このイオン衝突によりスパッタされた非磁性体2bの粒子bの殆どは、アノード7の内面I上に堆積する。 - 特許庁

The film deposition apparatus has an ion beam irradiating unit, a target 105 containing a film forming substance to be sputtered, and a holding unit 112 for holding a substrate 106 on which the sputtered film forming substance is deposited.例文帳に追加

成膜装置は、イオンビーム照射手段と、スパッタリングされる成膜物質を含むターゲット105と、スパッタリングされた成膜物質が析出する基板106を保持する保持手段112を有する。 - 特許庁

The etching of an optical member OW by the ion GI of reaction gas progresses with sputtered particles SP as a mask, and innumerable cone-shaped projections CP are formed corresponding to the positions of the sputtered particles SP.例文帳に追加

スパッタ粒子SPがマスクとなって反応ガスのイオンGIによる光学部材OWのエッチングが進行し、スパッタ粒子SPの位置に対応してコーン状の突起CPが無数に形成される。 - 特許庁

Even if the graphite 32a is sputtered by the ion beam, since the injector flag Faraday cut 32 is arranged in an upstream of the beam scanner 36 and the ion beam is shielded by the injector flag Faraday cut 32, sputtered graphite particles do not deposit on a surrounding member of the injector flag Faraday cut 32.例文帳に追加

このとき、イオンビームでグラファイト32aがスパッタされても、インジェクタフラグファラデーカップ32がビームスキャナ36の上流側に配置されており、インジェクタフラグファラデーカップ32でイオンビームが遮断されているので、スパッタされたグラファイト粒子がインジェクタフラグファラデーカップ32の周辺部材に付着することはない。 - 特許庁

例文

In the ion beam sputtering apparatus for depositing an insulating thin film on a substrate by irradiating a target with ion beams from an ion gun, a conductive target 31 is arranged at the position where a part of the ion beams are emitted, and a conductive film is deposited on a grid 22 of the ion gun 13 by particles sputtered out from the conductive target 31.例文帳に追加

イオンガンよりイオンビームをターゲットに照射して絶縁性の薄膜を基板上に成膜するイオンビームスパッタ装置において、イオンビームの一部が照射される位置に導電材ターゲット31を配置し、その導電材ターゲット31よりスパッタアウトされた粒子によってイオンガン13のグリッド22に導電膜が堆積される構成とする。 - 特許庁

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「ion sputtered」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 26



例文

To provide a structure of an ion beam current measuring apparatus, where the area of a part to be sputtered is reduced by changing the shape of flag Faraday, or the area of the part to be sputtered can be reduced by changing the shape of a carbon plate or the like which is used as a cover.例文帳に追加

フラグファラデー形状を変更し、スパッタされる部分の面積を小さくする、またはカバーとして用いるカーボン板などの形状を変更し、スパッタされる部分の面積を小さくすることができるイオンビーム電流計測装置の構造を提供する。 - 特許庁

The ion beam sputtering system performs deposition on a substrate 14 by the particles jumped out of a target 21 by irradiating the target 21 with the ion beam 17, in which the shape of the sputtered surface 21a of the target 21 is formed as a recessed surface shape.例文帳に追加

ターゲット21にイオンビーム17を照射し、ターゲット21から飛び出した粒子によって基板14上に成膜を行うイオンビームスパッタ装置において、ターゲット21のスパッタリングされる表面21aの形状を凹面形状とする。 - 特許庁

At that time, since the sputtered particles (b) are not magnetized, they are deposited uniformly on the anode 7, without being affected by a magnetic field E formed in the ion chamber 3.例文帳に追加

その際、スパッタ粒子bは磁性を有していないので、スパッタ粒子bはイオン化室3に形成された磁場Eの影響を受けることなくアノード7上に一様に堆積する。 - 特許庁

To provide a sample preparation method for a microsampling operation using a focused ion beam, which prevents substances sputtered by and which prevents sample processing from adhering to a sample surface.例文帳に追加

集束イオンビームを用いたマイクロサンプリングにおいて、試料加工の妨げとなる、スパッタリングされた物質の試料表面への付着を防止する試料の作製方法を提供する。 - 特許庁

In an apparatus for manufacturing the diffraction grating, an ion source 4 of applying ion beams, a target material 2 irradiated with ions so as to be sputtered, and a substrate 1 on which atoms driven away from the target material 2 are deposited are installed, and a mask 3 is arranged between the target material 2 and the substrate 1.例文帳に追加

イオンビームを照射するイオン源4とイオンが照射されてスパッタリングされるターゲット材2とターゲット材2から叩き出された原子が堆積する基板1が設置され、ターゲット材2と基板1の間にはマスク3が配設されている。 - 特許庁

Since the scattering plate 11 in the ion trap 9 has a corrugated plate shape, the incident angle of a part of the ions made incident on the scattering plate 11 is made shallow, and the scattering plate 11 is made hard to be sputtered.例文帳に追加

イオントラップ9の散乱板11は波板状となっているので、散乱板11に入射するイオンの一部はその入射角が浅くなり、散乱板11はスパッタされにくくなる。 - 特許庁

The composite target materials are successively sputtered by using a common ion gun 2 so that vitreous films with the refractive index varying stepwise can be successively deposited on the surface of a substrate 3 with high accuracy.例文帳に追加

共通のイオンガン2で、前記複合ターゲット材料毎に順にスパッタすることで、基板3の表面に、屈折率が段階的に変化するガラス質の膜を高精度な膜厚で順次積層できる。 - 特許庁

例文

To prevent generation of gas molecules and sputter particles generated by impact of other gas ions except sputtered metal ions on the inner wall of a wave guide in an ion accelerator equipped with a sputter type ion source and a mass separation mechanism to reduce the mixing of impurities on the downstream side.例文帳に追加

スパッタ型イオン源と質量分離機構を備えたイオン加速器において、スパッタさせた金属イオン以外のガスイオンがウェーブガイドの内壁に衝突することにより発生するガス分子やスパッタ粒子の発生を抑制して下流側での不純物の混人を低滅できるようにする。 - 特許庁

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