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ion sputtering deviceとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 イオンスパッタ装置
「ion sputtering device」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 20件
ION BEAM SPUTTERING FILM FORMING DEVICE例文帳に追加
イオンビームスパッタ成膜装置 - 特許庁
To prevent re-diffusion into a chamber due to sputtering of an ion bombardment surface of an ion recovering device and/or deposited substances on the ion bombardment surface.例文帳に追加
イオン回収装置のイオン衝突面および／またはイオン衝突面に堆積した物質のスパッタリングによるチャンバ内への再拡散を防止する。 - 特許庁
To provide an ion generation thick-film substrate which can improve efficiency of resistance to sputtering against ion collisions, and an electronic printing device using the same.例文帳に追加
イオン衝突に対する耐スパッタ性能を改善できるイオン発生厚膜基板とこれを用いた電子式印刷装置を提供すること。 - 特許庁
To provide an extreme ultraviolet light optical source device capable of preventing re-diffusion due to sputtering of ion collision surfaces of an ion collection device and/or a substance accumulated on the ion collision surface.例文帳に追加
イオン回収装置のイオン衝突面および／またはイオン衝突面に堆積した物質のスパッタリングによる再拡散を防止することができる極端紫外光光源装置を提供する。 - 特許庁
A size of the milling ion source is made small, and therefore miniaturization of the sputtering device is realized by improving space efficiency.例文帳に追加
ミリング用イオン源のサイズを小さくできるので、スペース効率を向上させてスパッタリング装置を小型化できる。 - 特許庁
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「ion sputtering device」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 20件
A mass-separating ion irradiation device 1a is composed of an argon-ion sputtering ion source 2, pullout electrodes 3, an electromagnet 4 for mass separation, an accelerator 5, a scanning electrode 6 and a base plate 7.例文帳に追加
質量分離型のイオン照射装置１ａは、アルゴンイオンによるスパッタ式のイオン源２、引き出し電極３、質量分離用電磁石４、加速管５、走査電極６、基板７から構成される。 - 特許庁
To provide an ion source for an ion implantation device for containing a solid material source for sputtering and minimizing influence of the change of this material source.例文帳に追加
スパッタ用ソリッド材料源を包含し、さらに、この材料源の変更による影響を最小限にするためのイオン注入装置用のイオン源を提供すること。 - 特許庁
METHOD AND DEVICE FOR SPUTTERING SUPERCONDUCTING THIN FILM OF NIOBIUM ON QUARTER-WAVE RESONANT CAVITY MADE OF COPPER FOR HEAVY ION ACCELERATION例文帳に追加
重イオン加速用銅製１／４波長共振空洞にニオビウムの超伝導薄膜をスパッタリングするための方法および装置 - 特許庁
To minimize the sputtering by ions of a filament and to provide an ion beam device capable of extending filament life.例文帳に追加
フィラメントのイオンによるスパッタリングを最小限にして、フィラメントの寿命を延ばすことができるイオンビーム装置を提供すること。 - 特許庁
The process device 1 is a vacuum device, such as a vapor deposition device, a molecular beam epitaxial device or an ion beam sputtering device, or a thin-film growth device, such as an organic-metal gas-phase growth device or a liquid phase epitaxial device, or a surface treatment device, etc.例文帳に追加
プロセス装置１は、蒸着装置、分子ビームエピタキシャル装置、イオンビームスパッタ装置等の真空装置や、有機金属気相成長装置、液相エピタキシャル装置等の薄膜成長装置、表面加工装置等である。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD FOR SOLID ELECTROLYTE THIN FILM, PARALLEL FLAT-PLATE TYPE MAGNETRON SPUTTERING DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR THIN-FILM SOLID LITHIUM ION SECONDARY BATTERY例文帳に追加
固体電解質薄膜の製造方法、平行平板型マグネトロンスパッタ装置、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法 - 特許庁
The sputtering device 100 includes: a substrate holder 400; a target holding member 220; a power supply (not shown) for generating the plasma 700; and an ion irradiation part 300.例文帳に追加
このスパッタ装置１００は、基板ホルダ４００、ターゲット保持部材２２０、プラズマ７００を発生させる電源（不図示）、イオン照射部３００と、を備える。 - 特許庁
The parallel flat plate type magnetron sputtering device having a specific sticking prevention plate is provided to perform the manufacturing method for a solid electrolyte thin film, and the thin film solid lithium ion secondary battery having the solid electrolyte thin film obtained by the magnetron sputtering device is manufactured.例文帳に追加
この固体電解質薄膜の製造方法を実施するための、特定の防着板を備えた平行平板型マグネトロンスパッタ装置、及びこの装置を用いて得られた固体電解質薄膜を備えた薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する。 - 特許庁
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