ion beam processとは 意味・読み方・使い方

To provide a composite surface processing device that serves as an ion implantation device using an ion beam and also as a plasma doping device at the same time, and carries out a low-energy ion doping process using an ion beam with high accuracy and high efficiency.例文帳に追加

イオンビームを用いたイオン注入装置とプラズマドーピング装置とを兼ね備えた複合型の表面処理装置において、イオンビームを用いて低エネルギーのイオンドーピング処理を高精度かつ効率良く行う。 - 特許庁

This ion beam processing apparatus comprises an ion source 1 having a pulling-out electrode 20 for generating a plasma 50 and pulling out an ion beam from the plasma 50, and a processing room 7 for applying an ion beam process to the substrate 40 by irradiating the ion beam pulled out by the pulling-out electrode 20 to the substrate 40 sustaining the substrate 40.例文帳に追加

イオンビーム処理装置は、プラズマ５０を生成して、プラズマ５０からイオンビームを引出す引出し電極２０を有するイオン源１と、基板４０を保持し、引出し電極２０によって引出されたイオンビームを基板４０に照射して、基板４０に対してイオンビーム処理を行う処理室７とを備えている。 - 特許庁

A process for forming the intermediate film, the lower electrode or the piezoelectric film is provided with a process for forming a first layer by an ion beam assist method, and a process for forming a second layer by stopping an ion beam assist and succeeding deposition.例文帳に追加

前記中間膜、下部電極又は圧電体膜を形成する工程は、イオンビームアシスト法で第１層を形成する工程と、イオンビームアシストを止めて堆積を継続して第２層を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁

When the ion implantation process is started, the ion beam current measuring part 4 is disconnected from the direct current generator 6 by the operation of the exchange unit 7, and connected to the platen 2 to start ion implantation process.例文帳に追加

イオン注入処理開始時に、切り替えユニット７が動作し、イオンビーム電流計測部４は直流電流発生器６と接続を遮断し、プラテン２と接続され、イオン注入処理が開始される。 - 特許庁

Another process includes using low energy beams for ion beam lithography to make the nanopores.例文帳に追加

別のプロセスは、ナノ孔を作るためイオンビームリソグラフィーのための低エネルギーイオンビームを使用する工程を備える。 - 特許庁

In a method for processing a solid surface to make it even by using a gas cluster ion beam, at least during part of a period of a gas cluster ion beam radiation process, a radiation angle made by the normal line of a solid surface and the gas cluster ion beam is made larger than 70°, and the gas cluster ion beam is focused using a lens mechanism without separating the monomer ion, thus radiating it.例文帳に追加

ガスクラスターイオンビームを用い、固体表面を平坦に加工する方法において、ガスクラスターイオンビームの照射過程の少なくとも一部の期間において固体表面の法線とガスクラスターイオンビームとがなす照射角度を７０度より大きくし、かつモノマーイオンを分離せずにガスクラスターイオンビームをレンズ機構によってフォーカスさせて照射する。 - 特許庁

When depositing carbon by ion beam deposition, it is often not possible for space reasons or practical for cost reasons to utilize two or more ion sources as the number of process chambers is limited.例文帳に追加

イオン源は、原材料の複数のゾーンを蒸着し、複数のゾーンのうちの少なくとも２つのゾーンの厚みを異なるようにする。 - 特許庁

To provide a method for easily manufacturing a nano-gap electrode by a new lithographic process using a converged ion beam.例文帳に追加

集束イオンビームを用いた新たなリソグラフプロセスによりナノギャップ電極を容易に製造する方法を提供する。 - 特許庁