「ion beam process」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In an ion implantation process of irradiating a plurality of wafers with the ion beam while rotating a wafer disk where the plurality of wafers are loaded, the beam current of the ion beam is measured to determine whether the beam current has periodic variation.例文帳に追加

複数のウェーハを装填したウェーハディスクを回転させながら、該複数のウェーハにイオンビームを照射するイオン注入工程において、イオンビームのビーム電流が測定され、ビーム電流に周期変動が存在するかが判定される。 - 特許庁

A large number of small holes a diameter of which is about 0.1-10 μm are formed, for example, by laser beam process and convergent ion beam process on the mesh member 2.例文帳に追加

メッシュ部材２には、径が０．１〜１０μｍ程度の微小孔、を例えばレーザービーム加工、集束イオンビーム加工によって、多数形成しておく。 - 特許庁

To provide a composite surface processing device that serves as an ion implantation device using an ion beam and also as a plasma doping device at the same time, and carries out a low-energy ion doping process using an ion beam with high accuracy and high efficiency.例文帳に追加

イオンビームを用いたイオン注入装置とプラズマドーピング装置とを兼ね備えた複合型の表面処理装置において、イオンビームを用いて低エネルギーのイオンドーピング処理を高精度かつ効率良く行う。 - 特許庁

This ion beam processing apparatus comprises an ion source 1 having a pulling-out electrode 20 for generating a plasma 50 and pulling out an ion beam from the plasma 50, and a processing room 7 for applying an ion beam process to the substrate 40 by irradiating the ion beam pulled out by the pulling-out electrode 20 to the substrate 40 sustaining the substrate 40.例文帳に追加

イオンビーム処理装置は、プラズマ５０を生成して、プラズマ５０からイオンビームを引出す引出し電極２０を有するイオン源１と、基板４０を保持し、引出し電極２０によって引出されたイオンビームを基板４０に照射して、基板４０に対してイオンビーム処理を行う処理室７とを備えている。 - 特許庁

A process for forming the intermediate film, the lower electrode or the piezoelectric film is provided with a process for forming a first layer by an ion beam assist method, and a process for forming a second layer by stopping an ion beam assist and succeeding deposition.例文帳に追加

前記中間膜、下部電極又は圧電体膜を形成する工程は、イオンビームアシスト法で第１層を形成する工程と、イオンビームアシストを止めて堆積を継続して第２層を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁

When the ion implantation process is started, the ion beam current measuring part 4 is disconnected from the direct current generator 6 by the operation of the exchange unit 7, and connected to the platen 2 to start ion implantation process.例文帳に追加

イオン注入処理開始時に、切り替えユニット７が動作し、イオンビーム電流計測部４は直流電流発生器６と接続を遮断し、プラテン２と接続され、イオン注入処理が開始される。 - 特許庁

Another process includes using low energy beams for ion beam lithography to make the nanopores.例文帳に追加

別のプロセスは、ナノ孔を作るためイオンビームリソグラフィーのための低エネルギーイオンビームを使用する工程を備える。 - 特許庁

In a method for processing a solid surface to make it even by using a gas cluster ion beam, at least during part of a period of a gas cluster ion beam radiation process, a radiation angle made by the normal line of a solid surface and the gas cluster ion beam is made larger than 70°, and the gas cluster ion beam is focused using a lens mechanism without separating the monomer ion, thus radiating it.例文帳に追加

ガスクラスターイオンビームを用い、固体表面を平坦に加工する方法において、ガスクラスターイオンビームの照射過程の少なくとも一部の期間において固体表面の法線とガスクラスターイオンビームとがなす照射角度を７０度より大きくし、かつモノマーイオンを分離せずにガスクラスターイオンビームをレンズ機構によってフォーカスさせて照射する。 - 特許庁

When depositing carbon by ion beam deposition, it is often not possible for space reasons or practical for cost reasons to utilize two or more ion sources as the number of process chambers is limited.例文帳に追加

イオン源は、原材料の複数のゾーンを蒸着し、複数のゾーンのうちの少なくとも２つのゾーンの厚みを異なるようにする。 - 特許庁

To provide a method for easily manufacturing a nano-gap electrode by a new lithographic process using a converged ion beam.例文帳に追加

集束イオンビームを用いた新たなリソグラフプロセスによりナノギャップ電極を容易に製造する方法を提供する。 - 特許庁

When the amount of noise is within a specified range, the ion implantation process is started (S4), and normal measurement of an ion beam current using the Faraday cage is carried out (S5).例文帳に追加

ノイズ量が規格範囲内であればイオン注入処理が開始され（Ｓ４）、ファラデーを利用した通常のイオンビーム電流の測定が行われる（Ｓ５）。 - 特許庁

In an ion beam processing method for irradiating gas cluster ion beams to process works, the processing is performed by stepwise or continuously decreasing a value of an acceleration voltage which accelerates the gas cluster ion beams.例文帳に追加

ガスクラスターイオンビームを照射してワークを加工するイオンビーム加工方法であって、ガスクラスターイオンビームを加速する加速電圧の値を段階的に又は連続的に減少させながら加工を行う。 - 特許庁

An accelerated voltage is generated between an ion source and a sample P, and ion beam B released from the ion source are focused and irradiated on a given processing position P3 to process the surface of the sample P.例文帳に追加

イオン源と試料Ｐとの間に加速電圧を生じさせ、イオン源から放出されるイオンビームＢを集束し所定の加工位置Ｐ３に照射させて、試料Ｐの表面を加工する。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process of forming a second insulation film on the wiring layer formed on the first insulation film after the defect is irradiated with the converged ion beam when irradiation of the converged ion beam is selected in the selection process.例文帳に追加

そして、選択工程において集束イオンビームを照射すると選択された場合には、欠陥に集束イオンビームを照射した後、第１の絶縁膜上に形成された配線層上に第２の絶縁膜を形成する工程を有する。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process of forming a second insulation film on the wiring layer formed on the first insulation film without irradiating the defect with the converged ion beam when the irradiation of the converged ion beam is not selected in the selection process.例文帳に追加

また、選択工程において集束イオンビームを照射しないと選択された場合には、欠陥に集束イオンビームを照射せずに第１の絶縁膜上に形成された配線層上に第２の絶縁膜を形成する工程を有する。 - 特許庁

In this impurity ion implanting process, the impurity ions are implanted into the semiconductor wafer, as a pulse-like ion beam 1 intermittently repeating on and off.例文帳に追加

この不純物イオン注入工程において、不純物イオンを断続的にオン及びオフを繰り返すパルス状のイオンビーム１として半導体ウェーハに注入する。 - 特許庁

The ion implantation method of implanting ion by irradiating ion beams IB on a semiconductor substrate W through a deflector consists of a process of slanting a beam irradiation face 14a of the deflector 14 against the semiconductor substrate in a stationary state, and a process of irradiating the ion beams IB from the slanted beam irradiation face 14a and implanting ion into the semiconductor substrate W.例文帳に追加

イオンビームＩＢを偏向器１４を介して半導体基板Ｗに照射しイオンを注入するイオン注入方法において、静止させた半導体基板Ｗに対して偏向器１４のビーム出射面１４ａを傾斜させる工程と、傾斜させたビーム出射面１４ａからイオンビームＩＢを照射し、半導体基板Ｗへイオンを注入する工程とを有する。 - 特許庁

To provide an ion implantation apparatus which may reduce shift of ion implantation quantity without calculating the beam neutralization (beam ionization) even when ion species, beam current, implantation energy, and resist material, etc., are different by ion implanting under a pressure within a chamber of more than 1×10-4 Torr so as to prevent shift of ion implantation amount in ion implantation process during manufacture of semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程におけるイオン注入において、注入量のシフトを防ぐためにチャンバ内の圧力を１×１０^−４Ｔｏｒｒ以上の状態にしてイオン注入することにより、イオン種、ビーム電流、注入エネルギー、レジスト材料などが異なる場合でも、ビーム中性化（又はイオン化）の計算を行うことなく、イオン注入量のシフトを少なく抑えたイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

The third stage is performed by a wet etching process, and the fourth stage is performed by laser beam work or reactive ion etching.例文帳に追加

第３段階は湿式蝕刻工程によりなされ、第４の段階はレーザービーム加工または反応性イオン蝕刻によりなされる。 - 特許庁

To form a narrower slit than a conventional one by a focused ion beam process (FIB) and to suppress change of quality at a beam irradiation part, without using a mask pattern or the like.例文帳に追加

マスクパターン等を用いることなく、集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工で従来よりも幅が狭い間隙を形成するとともに、ビーム照射部位の改質を抑制する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a stencil mask for ion implantation, having thermal resistance and durability which improves the fault, where a membrane is bent as a result of generation of heat, caused by a collision of an ion beam and improves the ion implantation accuracy, in an ion implantation process which uses the stencil mask for ion implantation.例文帳に追加

イオン注入用ステンシルマスクを用いたイオン注入工程において、イオンビームの衝突による発熱に起因してメンブレンが撓むという欠点を改善し、イオン注入精度を向上させた耐熱性及び耐久性を有するイオン注入用ステンシルマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

The ion implanting apparatus 10 comprises a process chamber 12 for arranging a semiconductor wafer 100, a beam line part 14 having a source portion 24, an ion beam selecting portion 26 and a post stage accelerating portion 28 and irradiating an ion beam IB to the semiconductor wafer 100, and H2 gas supplying part 18 for supplying H2 gas to the post stage accelerating portion 28 of the beam line part 14.例文帳に追加

イオン注入装置１０は、半導体ウェハ１００を配置するプロセスチャンバ１２と、ソース部２４とイオンビーム選別部２６と後段加速部２８とからなり半導体ウェハ１００にイオンビームＩＢを照射するビームライン部１４と、ビームライン部１４の後段加速部２８にＨ_2ガスを供給するＨ_2ガス供給部１８とを備えている。 - 特許庁

To provide an ion implantation simulation device for computing an ion concentration distribution accurately at a high speed by incorporating a beam dispersion phenomenon of an ion implantation process imparting an important affection to characteristics of an advanced semiconductor device.例文帳に追加

先端半導体デバイスの特性に重要な影響を与えるイオン注入工程のビーム分散現象を取り入れてイオン濃度分布を高速、かつ精度良く計算するイオン注入シミュレーション装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a stencil mask which reduces flexure of a membrane resulting from ion beam heat generation, and has excellent heat resistance, durability, and ion implantation accuracy, in an ion implantation process.例文帳に追加

イオン注入工程において、イオンビーム発熱に起因したメンブレンのたわみを低減し、優れた耐熱性や耐久性およびイオン注入精度を有するステンシルマスクの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To carry out in short time and efficiently replacement of the shading material M of the mask in the etching process of the sample S by ion beam irradiation.例文帳に追加

イオンビーム照射による試料Ｓのエッチング加工において、マスクとなる遮蔽材Ｍの交換を短時間で効率良く行う。 - 特許庁

Preferably, the manufacturing method further includes a process S103 for removing an ion layer injected into the silicon substrate in the slit portion formed in the etching mask material by the focused ion beam.例文帳に追加

好ましくは、電子部品の製造方法は、集束イオンビームでエッチングマスク材に形成したスリット部分のシリコン基板に注入されたイオン層を除去する工程Ｓ１０３をさらに備える。 - 特許庁

When the sample S is put under etching process, an ion beam is irradiated, in a state of the shielding material M being intercalated near the processing surface SA.例文帳に追加

試料Ｓのエッチング加工時には、遮蔽材Ｍが加工面ＳＡの近傍に介在された状態でイオンビームが照射されて行われる。 - 特許庁

To provide a gas cluster ion beam apparatus which can easily prevent abnormal discharge without significantly changing process conditions and a chamber structure.例文帳に追加

プロセス条件やチャンバー構造を大きく変更することなく異常放電を容易に防止することができるガスクラスターイオンビーム装置を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the plate glass 1 comprises a process for melting glass raw materials, a process for shaping the plate by drawing downward, and a process for treating the translucent surface 2 by a plasma irradiation, a laser beam irradiation, and/or an ion beam irradiation.例文帳に追加

また本発明の板ガラス１の製造方法は、ガラス原料溶融工程、下方に延伸成形する板成形工程、透光面２にプラズマ照射、レーザー照射、イオンビーム照射の１以上を行う該透光面２の表面処理工程よりなる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a stencile mask for ion implantation, having excellent heat resistance, durability and ion implantation accuracy by reducing a critical defect of a stencile mask for ion implantation such as deformation of a membrane due to heat generated from an ion beam in an ion implantation process using the stensile mask for ion implantation to be executed in manufacture of semiconductor devices.例文帳に追加

半導体デバイス作製において行われる、イオン注入用ステンシルマスクを用いたイオン注入工程において、イオンビーム発熱に起因したメンブレンのたわみという、イオン注入用ステンシルマスクの致命的欠陥を低減し、優れた耐熱性や耐久性およびイオン注入精度を有するイオン注入用ステンシルマスクの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To reduce a process cost by minimizing an quantity of eliminated materials while securing a recording property when a groove is formed at a gap part of a magnetic head having wide width by a convergence ion beam process.例文帳に追加

幅の広い磁気ヘッドのギャップ部に収束イオンビーム加工により溝を形成する際に、記録特性を確保しつつ、材料を除去する量を最小化し、加工コストの低減を図る。 - 特許庁

To solve a problem wherein an inclined pattern is formed due to absorption of the light by the photoresist resin at the wavelength used for the light source in a lithographic process using KrF or ArF laser, VUV rays, EUV rays, electron beams, ion beams or the like as the light source.例文帳に追加

ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＶＵＶ、ＥＵＶ、電子線（E-beam）及びイオンビーム（ion beam）等の光源を利用したリソグラフィー工程時に、フォトレジスト樹脂が光源に用いられる波長の光を吸収して傾斜したパターンを形成することを解決する。 - 特許庁

An oxide film is formed by electron beam type ion plating or sputtering in 1-10 μm thickness on a nitride film formed by cathode arc type ion plating and a silicon oxide film of ≤5 μm thickness is further formed by a sol-gel process on the oxide film.例文帳に追加

また、カソードアーク式イオンプレーティング法で形成した窒化膜上に、酸化膜を１〜１０μｍ形成し、更にその上にゾル・ゲル法で５μｍ以下の酸化珪素膜を形成した膜構造。 - 特許庁

To provide a method of implantation into a substrate using ion beam, by which different portions in a substrate receive different doses according to different recipes during an implantation process in ion implantation.例文帳に追加

イオン注入において、基板の異なる部分が、注入プロセス中に異なるレシピに従って異なる線量を受けることを可能にする、イオンビームを使用して基板に注入する方法を提供する。 - 特許庁

After that, the blank 5 is sharpened by the focused ion beam (FIB) process, and a sharp edge (cutting blade edge) 9 with an atomically sharp edge cutting blade is produced.例文帳に追加

その後、ブランク５を集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工により尖鋭にして原子的に鋭利な切刃端を持つ新しいシャープエッジ（切刃端）９を生成する。 - 特許庁

A method for manufacturing a sheet like material includes a process of vulcanizing an unvulcanized rubber sheet obtained by coating a reinforcing element with an unvulcanized rubber composition by irradiating an ion beam.例文帳に追加

補強素子に対し未加硫ゴム組成物をゴム引きした未加硫ゴムシートに、イオンビームを照射することで加硫させる、シート状物質の製造方法。 - 特許庁

In the processes of forming the ferroelectric film or piezoelectric body film, the precursor is irradiated with an ion beam at least once after the degreasing process.例文帳に追加

強誘電体膜又は圧電体膜を形成する工程において、前記脱脂後の少なくとも一回、前記前駆体にイオンビームを照射する。 - 特許庁

The process of forming the lower electrode 4 includes a process of forming a first metal layer by an ion beam sputtering method or a DC sputtering method, and a process of depositing a second metal layer on the first metal layer by an electrolytic plating method.例文帳に追加

下部電極４を形成する工程は、イオンビームスパッタ法またはＤＣスパッタ法によって第１金属層を形成する工程と、第１金属層の上に電解めっき法によって第２金属層を析出させる工程と、を含む。 - 特許庁

To execute ion beam machining by allowing a reference object to be always recognized in process of the machining to carry out accurate drift correction even when a minute hole or a minute pattern is used as the reference object in correcting the drift of an irradiation position of an ion beam using the reference object.例文帳に追加

参照対象を用いてイオンビームの照射位置のドリフトを補正する際に、参照対象として微細穴や微細パターンを用いた場合でも、加工途中で参照対象を常に認識できるようにし、高精度のドリフト補正をし、イオンビーム加工を行なう。 - 特許庁

In the ion implantation apparatus which is used in the impurity introducing process executed between the film forming process and activating annealing process, ion current density distribution, movement of substrate or beam progressing angle are controlled so that the substrate has the desired impurity density distribution on the basis of the control data to which the data of the film forming process and activating annealing process are added.例文帳に追加

成膜工程と活性化アニール工程の間で行われる不純物導入工程で使用されるイオン注入機において、前記成膜工程のデータと前記活性化アニール工程のデータを加えた制御用データに基づいて、前記基板が所望の不純物密度分布を持つように、イオン電流密度分布及び基板の移動、又は、ビーム進行角を制御する。 - 特許庁

By enabling the irradiation of different type ion beams generated by first and second ion sources 11, 12, a process irradiating a silicon wafer 10 with a polyatomic molecule ion beam for removing a surface oxide film and a process irradiating the silicon wafer 10 with an ion beam of the implanted ions for implanting ions are continuously carried out to the silicon wafer 10 attached to a platen in a chamber 18 without breaking a vacuum atmosphere during them.例文帳に追加

第１および第２のイオン源１１・１２で生成される、異なる種類のイオンビームの照射を可能とすることで、多原子分子のイオンビームをシリコンウェーハ１０に照射して表面の酸化膜を除去する工程と、注入イオンのイオンビームをシリコンウェーハ１０に照射してイオンを注入する工程とを、チャンバ１８内のプラテンに装着されたシリコンウェーハ１０に対し、その間の真空雰囲気を破ること無く連続して行う。 - 特許庁

To provide a processing method of needle-like samples for atom probes and a focused ion beam apparatus capable of suppressing contamination of the vicinity of the vertex of the tip of a needle-like sample, when a focused ion beam is irradiated to process the needle-like sample and suppressing reductions in the mechanical strength of the needle-like sample.例文帳に追加

集束イオンビームを照射して加工する時に針状試料の先端の頂点周辺の汚染を抑えるとともに、針状試料の機械的な強度の低下を抑えたアトムプローブ用針状試料の加工方法及び集束イオンビーム装置を提供する。 - 特許庁

In this process, the substrate S is tilted against the ion beam while the injection energy by the accelerator 16 is maintained to change the infiltration depth of ions in accordance with the tilt.例文帳に追加

その際、加速器での注入エネルギーを保持した状態で、イオンビームに対して基板Ｓを傾け、当該傾きに応じてイオンの浸透深さを変化させる。 - 特許庁

Both the high refractive index layer and low refractive index layer in each mutual stacked body composing the antireflection films 15, 16 are formed by an ion beam assisted deposition process.例文帳に追加

反射防止膜１５，１６を構成する交互積層体の高屈折率層及び低屈折率層のいずれもがイオンアシスト蒸着法により形成されている。 - 特許庁

The minute sample processing observation device includes a focused ion beam optical system 31 and an electron beam optical system 41 in an identical vacuum device, and a probe 72 that separates a minute sample containing a desired area of the wafer 21 by a charged particle beam type molding process and takes out the separated minute sample.例文帳に追加

同一真空装置に集束イオンビーム光学系３１と電子ビーム光学系４１を備え、ウェーハ２１の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブ７２を備えた。 - 特許庁