ion beam techniqueとは 意味・読み方・使い方

To provide a technique capable of measuring the ratio of ion kinds included in an ion beam.例文帳に追加

イオンビーム中に含まれるイオン種の割合を測定できる技術を提供する。 - 特許庁

This device uses ion beam machining, a conveying technique for the sample piece and a fixing technique for the sample piece on a sample piece holder.例文帳に追加

イオンビーム加工と、試料片の搬送技術さらには試料片の試料片ホルダへの固定技術を用いる。 - 特許庁

This forming method includes forming the carbonaceous film made from fullerene on a substrate by a cluster ion beam technique or a molecular beam epitaxy technique, by using fullerene as the raw material.例文帳に追加

フラーレンを原料とし、クラスタイオンビーム法または分子線エピタキシー法により、基板上にフラーレンから成る炭素質皮膜を形成する。 - 特許庁

The conductive film is formed by adhering and stacking the metal micro-thread array unit in a prescribed thickness in a vacuum environment by the use of surface processing and a mechanical healing technique, and the conductive film is cut into required dimensions by the use of an energy beam, such as laser beam, ion beam and plasma beam.例文帳に追加

真空環境下で表面処理と機械治癒技術により、金属マイクロ線アレイユニットを所定厚さに接着、堆積し、導電膜を形成し、レーザー、イオンビーム或いはプラズマ等のエネルギービームで該導電膜を必要なサイズに裁断する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam device for processing and observing a sample by irradiating the sample with both an ion beam and an electron beam, which includes a common detector for both the ion beam and the electron beam, and in which the detector can be provided at a suitable position in accordance with details of processing on the sample and an observation technique.例文帳に追加

イオンビームと電子ビームの両方を試料へ照射して、試料の加工と観察を行う荷電粒子線装置において、イオンビームと電子ビームの両方に対して共通の検出器を有し、試料の加工内容や観察手法に応じて適した位置に検出器を設けることができる荷電粒子線装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which can be used for forming a multilayer film having no mutual diffusion or a mutual reaction in an interface between films formed from two different materials through an ion beam sputtering or magnetron sputtering technique.例文帳に追加

イオンビームスパッタやマグネトロンスパッタ法で形成された、異なる２種類の膜材料界面で相互拡散や相互反応のない多層膜が形成可能なスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

A needle-like exclusive probe is formed in the tip of the extraction electrode for the SAP by a CVD microworking technique using a converged ion beam or the like, in order to enhance precision as the probe for the STM.例文帳に追加

ＳＡＰの引出電極の先端はＳＴＭの探針としての精度を向上させるために集束イオンビームを用いたＣＶＤ微細加工技術等により針状の専用プローブを形成する。 - 特許庁