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ion beam lithographyとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 イオンビームリソグラフィー; 集束イオンビームリソグラフィー
「ion beam lithography」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
To provide an improved mask used for ion beam and/or projection electron beam lithography.例文帳に追加
イオン・ビームおよび／または投影電子ビーム・リソグラフィに使用する改良されたマスクを提供する。 - 特許庁
2-LENS OPTICAL SYSTEM SCANNING TYPE ABERRATION CORRECTED FOCUSED ION BEAM DEVICE, 3-LENS OPTICAL SYSTEM SCANNING TYPE ABERRATION CORRECTED FOCUSED ION BEAM DEVICE, AND 2-LENS OPTICAL SYSTEM PROJECTION TYPE ABERRATION CORRECTED ION LITHOGRAPHY DEVICE AS WELL AS 3-LENS OPTICAL SYSTEM PROJECTION TYPE ABERRATION CORRECTED ION LITHOGRAPHY DEVICE例文帳に追加
２レンズ光学系走査型収差補正集束イオンビーム装置及び３レンズ光学系走査型収差補正集束イオンビーム装置及び２レンズ光学系投影型収差補正イオン・リソグラフィー装置並びに３レンズ光学系投影型収差補正イオン・リソグラフィー装置 - 特許庁
Another process includes using low energy beams for ion beam lithography to make the nanopores.例文帳に追加
別のプロセスは、ナノ孔を作るためイオンビームリソグラフィーのための低エネルギーイオンビームを使用する工程を備える。 - 特許庁
To provide a method for producing an intrinsic Josephson tunnel device which produces the intrinsic Josephson tunnel device without necessitating high grade and complicated technologies such as ion injection, ion beam etching, and lithography.例文帳に追加
イオン注入やイオンビームエッチングおよびリソグラフィーなど高度で複雑な技術を要することなく、固有ジョセフソントンネルデバイスを作製する固有ジョセフソントンネルデバイスの簡易作製法を提供する。 - 特許庁
To provide 2-lens and 3-lens optical system scanning type aberration corrected focused ion beam device and 2-lens and 3-lens optical projection type aberration corrected ion lithography device.例文帳に追加
本発明は２レンズ，３レンズ光学系走査型収差補正集束イオンビーム装置及び２レンズ，３レンズ光学投影型収差補正集束イオン・リソグラフィー装置を提供することを目的としている。 - 特許庁
MACHINING METHOD OF Si SEMICONDUCTOR FINE STRUCTURE DUE TO ION BEAM IMPLANTATION LITHOGRAPHY OF INORGANIC MULTILAYER RESIST AND INTEGRATED CIRCUIT, DEVICE, AND MICROMACHINE COMPONENT THEREBY例文帳に追加
無機多層レジストのイオンビーム注入リソグラフィーによるＳｉ半導体微細構造体の加工方法及びその方法による集積回路、デバイス及びマイクロマシーンコンポーネント - 特許庁
To enable an ultra-fine element structure to be manufactured by a lithography method and an ion etching method by manufacturing an electron beam aligner with a linear high density electron beam source or an X-ray aligner with a linear high brightness X-ray source.例文帳に追加
線状高密度電子線源を有する電子線露光装置、あるいは、線状高輝度Ｘ線源を有するＸ線露光装置を作製することにより、超微細な素子構造を、リソグラフィ法およびイオンエッチング法により作製可能とすること。 - 特許庁
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「ion beam lithography」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
To provide a transfer mask data correction system to obtain a transfer mask suitable to eliminate the troubles caused by the physical phenomenon which follows the etching or ion implantation and the electron beam lithography when manufacturing a mask pattern.例文帳に追加
エッチングやイオン注入等に伴う物理現象に起因した不都合、および、マスクパターンを製作する際の電子線描画に伴う物理現象に起因した不都合を解消に適した転写用マスクを得るための転写用マスクデータ補正装置を提供する。 - 特許庁
The microstructure regarding a junction part of a tunnel magneto-resistance film 12 is formed by a lithography process using focused ion beam(FIB) drawing to prevent the problems of deterioration in shape caused by reflected electrons and electrostatic breakdown due to charging-up.例文帳に追加
トンネル磁気抵抗膜１２の接合部に関わる微細構造を集束イオンビーム（ＦＩＢ）描画を用いたリソグラフィプロセスにより形成することにより、反射電子による形状の劣化や、チャージアップによる静電破壊という問題を防ぐことが可能となる。 - 特許庁
This manufacturing method includes a process S101 for forming an etching mask material by a lithography process on a silicon substrate, a process S102 for forming a slit in the etching mask material by cutting the etching mask material formed on the silicon substrate by focused ion beam and a process S104 for forming a groove in a slit portion formed in the etching mask material by etching.例文帳に追加
電子部品の製造方法は、シリコン基板上にリソグラフィ工程によってエッチングマスク材を形成する工程Ｓ１０１と、シリコン基板上に形成されたエッチングマスク材を集束イオンビームで切断してエッチングマスク材にスリットを形成する工程Ｓ１０２と、エッチングによってエッチングマスク材に形成されたスリット部分に溝を形成する工程Ｓ１０４とを含む。 - 特許庁
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