ion distribution functionとは 意味・読み方・使い方

A concentration distribution generation method and a process simulator perform a defect amount calculation procedure to calculate a defect amount Q_I per unit area of defects introduced to a semiconductor substrate by ion implantation and a defect position calculation procedure to calculate a position d_I to position by condensing a defect concentration distribution in an ion implantation concentration distribution by the ion implantation with a computer and treat the defect concentration distribution like a delta function.例文帳に追加

上記課題は、コンピュータが、イオン注入によって半導体基板に導入される欠陥の単位面積当たりの欠陥量Ｑ_Ｉを算出する欠陥量算出手順と、前記イオン注入によるイオン注入濃度分布において欠陥濃度分布を凝集させて位置付ける位置ｄ_Ｉを算出する欠陥位置算出手順とを実行し、前記欠陥濃度分布をデルタ関数的に扱うことにより達成される。 - 特許庁

To enhance convergency of a primary ion, and to reduce a work function on a sample surface to enhance a secondary ionization rate further, as to a method and an instrument for measuring a depth-directional element distribution.例文帳に追加

深さ方向元素分布測定方法及び深さ方向元素分布測定装置に関し、一次イオンの収束性を高めるともに、試料表面の仕事関数を低下させて負の二次イオン化率をさらに高める。 - 特許庁

The n-type drain region 19 can be formed by As ion implantation and its impurity concentration distribution can be accurately controlled to suppress the variations in the saturation characteristic of the photodiode, improving the overflow drain function.例文帳に追加

Ｎ型ドレイン領域１９はＡｓイオン注入で形成しその不純物濃度分布を高精度に制御できるので、フォトダイオードの飽和特性のばらつきを抑え、オーバーフロードレイン機能の向上を図れる。 - 特許庁

An ion injection simulation method includes: calculating a reinjection dose injected into a structure formed on a substrate and reinjected from a side face of the structure to the substrate; and calculating concentration distribution of impurities injected into the substrate from a distribution function and reinjection conditions of the reinjection dose.例文帳に追加

基体上に形成された構造体に注入され、構造体の側面から基体に再注入される再注入ドーズを算出し、分布関数と再注入ドーズの再注入条件とから、基体に注入される不純物の濃度分布を算出するイオン注入のシミュレーションを行う。 - 特許庁

The method for analyzing the depth direction element distribution of a sample consists of a process subjecting the surface of a sample to precise cross-sectional processing by converged ion beam 2', a process for measuring fine particles 3 generated from the cross section 17 obtained by the precise cross-sectional processing and a process for processing the measured value as a function of the depth direction scanning position of the converged ion beam.例文帳に追加

収束イオンビーム（２’）により試料表面を精密断面加工する工程と、前記精密断面加工により得られた断面（１７）から発生する微粒子（３）を測定する工程と、前記測定によって得た値を前記収束イオンビームの深さ方向走査位置の関数として処理する工程と、を具備することを特徴とする、試料の深さ方向元素分布分析を行う方法。 - 特許庁

Two-dimensional distribution previously specified for energy imparted depending on a distance from a primary ion injection point in a region where it exceeds the desorption energy of sample molecules is used as a blurring function for restoring an image to reduce the image blur of the mass spectrometry microscopic image which is formed by two-dimensionally displaying signal intensity with respect to each mass/charge ratio from an obtained two-dimensional mass spectrum.例文帳に追加

得られた二次元の質量スペクトルから質量/電荷比ごとに信号強度を二次元表示した質量分析顕微鏡像の像ボケを、一次イオンの入射点からの距離に応じた付与エネルギーについて試料分子の脱離エネルギーを超える領域で予め規定した二次元分布をボケ関数として用いて、画像復元により像ボケを低減する。 - 特許庁