ion doseとは 意味・読み方・使い方

DEVICE AND METHOD FOR INSPECTING DOSE UNIFORMITY IN ION IMPLANTATION例文帳に追加

イオン注入におけるドーズ均一性検査装置およびドーズ均一性検査方法 - 特許庁

To rapidly detect that a dose amount, an ion mass, an ion speed, etc., are deviated from a set condition.例文帳に追加

トーズ量、イオン質量、イオン速度等が設定条件からズレたことを迅速に検出できるようにする。 - 特許庁

To enhance in-plane uniformity of a dose in ion implantation using a ribbon beam.例文帳に追加

リボンビームを用いたイオン注入において、ドーズ量の面内均一性を高める。 - 特許庁

In ion implantation, argon ions of a dose amount of 5E+14 atoms/cm^2 and 5E+17 atoms/cm^2 are implanted.例文帳に追加

イオン注入では、ドーズ量が５Ｅ＋１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上５Ｅ＋１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下のアルゴンイオンを注入する。 - 特許庁

The marginal dose DL of resist used as a mask in the ion implantation is calculated.例文帳に追加

イオン注入においてマスクとして用いるレジストの限界ドーズ量ＤＬを算出する。 - 特許庁

A dose Faraday 1 is installed outside a path of an ion beam 6 applied toward a wafer 4 of an ion irradiation object, and measures a beam current of the ion beam 6 during ion implantation treatment into the wafer 4.例文帳に追加

ドーズファラデー1は、イオン照射対象物のウェハ4に照射するイオンビーム6の軌道外に設けられ、ウェハ4へのイオン注入処理中のイオンビーム6のビーム電流を測定する。 - 特許庁

To control variations in a dose and an implantation depth of ion implantation resulting from a mismatch between an ion beam shape and a scan pitch.例文帳に追加

イオンビーム形状とスキャンピッチとのミスマッチに起因するイオン注入のドーズ量及び注入深さ等のバラツキを抑制する。 - 特許庁

HYDROGEN ION IMPLANT DOSE MEASURING METHOD OF SILICON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SUBSTRATE FOR STANDARD SAMPLE例文帳に追加

シリコン半導体基板の水素イオン注入量測定方法及び標準試料用基板 - 特許庁