ion distributionsとは 意味・読み方・使い方

To provide an ion implanting method or the like in which various dosage distributions in a face of a substrate are formed.例文帳に追加

基板の面内に様々なドーズ量分布を形成することができるイオン注入方法等を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the ion beam irradiation device includes beam current density distribution adjustment mechanisms 70a, 70b for respectively adjusting beam current density distributions in the vicinity of an end of ion beams 54a, 54b.例文帳に追加

更に、イオンビーム５４ａ、５４ｂの一端付近のビーム電流密度分布をそれぞれ調整するビーム電流密度分布調整機構７０ａ、７０ｂを備えている。 - 特許庁

To form a plurality of impurity regions simultaneously at desired densities and in desired distributions by reducing the number of stopping parameters of an ion implantation species as for a through film for ion implantation.例文帳に追加

イオン注入のスルー膜についてイオン注入種のストッピングパラメータ数を出来るだけ減少させ、所望の濃度および分布形状にて複数の不純物領域を同時形成する。 - 特許庁

When obtaining the ion distribution diffused from the ion generation device into the room of a simulation target, distributions of the air velocity and air pressure inside the room are calculated by use of the Navier-Stokes equation by the laminar flow model with a previously stored air velocity distribution inside the 1 m BOX as the initial condition, and the ion distribution is calculated from the obtained distributions.例文帳に追加

シミュレーション対象の部屋にイオン発生装置から拡散されるイオン分布を求めるに際し、予め記憶しておいた１ｍＢＯＸ内の風速分布を初期条件として、室内の風速及び風圧の分布を層流モデルによりナビエストークスの方程式を用いて算出し、求めた分布からイオン分布を算出する。 - 特許庁

Current density distributions of a scanning direction (X direction) of an ion beam 2 at two Z coordinate positions Zf and Zb are measured by multi-point faradays 20, 30, and the current density distributions of the scanning direction of the beam 2 at an arbitrary Z position disposed in a material 4 to be treated are obtained by an interpolating method using the distributions.例文帳に追加

二つのＺ座標位置Ｚ_f およびＺ_b におけるイオンビーム２の走査方向（Ｘ方向）の電流密度分布を多点ファラデー２０、３０でそれぞれ測定し、その電流密度分布を用いて内挿法によって、被処理物４内に位置する任意のＺ座標位置におけるイオンビーム２の走査方向の電流密度分布を求める。 - 特許庁

Then, the uneven dosage distributions are formed inside the face of the substrate by changing at least one of a scanning speed of the ion beam 4 and a driving speed of the substrate 2 in a territory where the ion beam 4 enters the substrate 2.例文帳に追加

そして、イオンビーム４の走査速度および基板２の駆動速度の少なくとも一方を、イオンビーム４が基板２に入射する領域内で変化させることによって、基板２の面内において一様でないドーズ量分布を形成する。 - 特許庁

To provide a charge monitoring device capable of realizing pseudo charged objects having various charge distributions, and capable of evaluating performance of an ion generating device relating to static elimination of various charged objects which the ion generating device has as objects to be destaticized.例文帳に追加

種々様々の電荷分布を有する擬似的な帯電物を実現でき、イオン生成装置の除電対象とする種々様々の帯電物の除電に関する該イオン生成装置の性能評価を可能とする帯電モニタ装置を提供する。 - 特許庁