ion energy analyzerとは 意味・読み方・使い方

To provide an ion beam analyzer capable of reducing the noise resulting from low energy ions scattered in an analyzing tube in a case that a magnetic field type energy analyzer is used in a general ion beam analyzing device such as a high resolution RBS device.例文帳に追加

高分解能ＲＢＳ装置等のイオンビーム分析機器一般において、磁場型のエネルギー分析器を使用する場合に、分析管内で散乱した低エネルギーイオンに由来するノイズを低減することが可能なイオンビーム分析装置を提供する。 - 特許庁

In this ion beam/charged-particle beam irradiator provided with a post-stage energy analyzer, a post-stage energy analyzer comprises a deflecting electrode 24 and a deflection magnet 22 which are used by switching.例文帳に追加

後段エネルギー分析装置を備えるイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置において、後段エネルギー分析装置を、偏向電極２４及び偏向磁石２２により構成し、これらを切り換えて使用できるようにする。 - 特許庁

To provide a magnetic field deflecting energy analyzer and an ion scattering spectroscope, which reduces a noise level of energy spectrum with a simple mechanism to analyze constituent elements of an analyzing sample with high resolution.例文帳に追加

磁場偏向型エネルギー分析器及びイオン散乱分光装置に関し、簡単な機構によりエネルギースペクトルのノイズレベルを低減して、高分解能で分析試料の構成元素を分析する。 - 特許庁

A sample is arranged in front of the cylindrical mirror electron energy analyzer to detect electrons from the sample, and ions from the sample are detected by the time-of-flight type ion mass analyzer.例文帳に追加

前記円筒鏡電子エネルギー分析器の前方に試料を設置し、前記試料からの電子を検出し、前記飛行時間型イオン質量分析器で前記試料からのイオンを検出する。 - 特許庁

In the invention, beam plasma is enhanced in the dipole field of the mass analyzer for low-energy ion beams, without introducing plasma generated outside.例文帳に追加

また、本発明は、外部で発生されたプラズマを導入せずに低エネルギーのイオンビームのために質量分析器の双極子磁界内でビームプラズマの高揚を行う。 - 特許庁

PARALLEL MAGNETIC FIELD TYPE RUTHERFORD BACK SCATTERING ANALYZER, ENERGY SPECTRUM MEASURING METHOD FOR SCATTERED ION USING IT AND CRYSTAL AXIS DETECTING METHOD FOR SAMPLE USING IT例文帳に追加

平行磁場型ラザフォード後方散乱分析装置，それを用いた散乱イオンのエネルギースペクトル測定方法，それを用いた試料の結晶軸検出方法 - 特許庁

A method for measuring the ion implantion amount comprises the steps of selecting specific ion species by an ion beam from an ion source 1 by a mass analyzer 2, accelerating the beam by an accelerator 3 to become a prescribed implanting energy state, so as to arrive at a surface of a semiconductor base 11 in an end station 6, and thus ion implanting in the semiconductor base.例文帳に追加

イオンソース部１からのイオンビームが質量分析部２で特定のイオン種が選択され、そのイオンビームが加速部３で加速されて所定の注入エネルギーとなされた状態で、エンドステーション部６内の半導体基体１１の面上に到達することで、半導体基体へのイオン注入が行われる。 - 特許庁

The method is also constituted so that the pressure is measured by applying a potential capable of detecting only ions generated from the ion source to the cylindrical electrode of the energy analyzer in order to remove the influence by ions generated outside the ion source.例文帳に追加

また、イオン源外部で生成されたイオンの影響を取り除くために、エネルギーアナライザーの円筒形電極にイオン源で生成されたイオンのみ検出できる電位を印加して圧力測定を行うように構成される。 - 特許庁