ion energy distributionとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of generating an ion implantation distribution and a simulation thereof which can accurately reproduce actual ion implantation distribution, over a range extending from an energy level of as low as 1 keV, to an energy level of as high as several MeVs.例文帳に追加

イオン注入分布発生方法及びシミュレータに関し、１ｋｅＶ程度の低エネルギー領域から数ＭｅＶの高エネルギー領域に渡って、実際のイオン注入分布を精度良く再現する。 - 特許庁

The system is provided with at least two ion flux sensors 331, 332 combined into one system for measuring an ion energy distribution function.例文帳に追加

イオンエネルギー分布関数を測定するために１つのシステムに組合わせた少なくとも２つのイオンフラックスセンサー３３１、３３２を具備する。 - 特許庁

The ion detector counts the incident recoil ions in every energy level to display the distribution of counted values hereinbefore with respect to the energy as energy spectra to a monitor.例文帳に追加

このイオン検出器３４は、エネルギーの大きさ毎に入射した反跳イオンを計数し、エネルギーに対する計数値の分布をエネルギースペクトルとして図示しないモニタに表示させる。 - 特許庁

Since the formation of an ion sheath in the wafer outer circumferential part can be controlled, it is possible to control the ion energy injected into a wafer 9 and the distribution of ion amount on a wafer surface, and as a result, distribution on a surface of etching treatment of the wafer 9 can be corrected.例文帳に追加

ウェハ外周部におけるイオンシースの形成を制御することができるため、ウェハに入射するイオンエネルギーおよびイオン量のウェハ面内分布を制御することができ、その結果ウェハのエッチング処理の面内分布を補正することができる。 - 特許庁

To provide a spectroscopic method and apparatus for an ion energy, capable of measuring a concentration distribution of an intended light element sensitively and precisely in the depth direction of an object to be measured, with a low incident ion energy of 1 MeV or less by using an incident ion heavier than He.例文帳に追加

Ｈｅよりも重い入射イオンを用いて、１ＭｅＶ以下の低い入射イオンエネルギーで、軽元素を対象として被測定物深さ方向の濃度分布を、高感度かつ高精度で計測できるイオンエネルギーの分光方法と装置を提供することである。 - 特許庁

A standard sample having a known In or Ga concentration distribution is prepared according to the irradiation angle and irradiation energy of the oxygen ion 3.例文帳に追加

酸素イオン３の照射角及び照射エネルギーにより、既知のＩｎ又はＧａ濃度分布を有する標準試料が作製される。 - 特許庁

To irradiate an ion beam having sufficiently uniform current density distribution against a semiconductor substrate even when energy reduction of the ion beam is advanced.例文帳に追加

イオンビームの低エネルギー化が進んだ場合においても、半導体基板に対して十分に均一な電流密度分布を有するイオンビームを照射することを主たる目的としている。 - 特許庁

About a process by a particle seed such as ion having a strong anisotropic for an entering, an ion angle energy distribution function (IAEDF) which is respectively the function of an angle θ and an energy E, and an etching yield energy component which is the coefficient of an action with respect to the surface, are numerically integrated to generate the weighted etching yield ion angle distribution function (EYIADF) in advance.例文帳に追加

入射に関する異方性の強いイオンなどの粒子種によるプロセスに関して、それぞれ角度θおよびエネルギーＥの関数であるイオン角度エネルギー分布関数（ＩＡＥＤＦ）と、表面との作用の係数としてのエッチング・イールドのエネルギー成分とを数値積分して、エッチング・イールドの重み付けのついたイオン角度分布関数（ＥＹＩＡＤＦ）をあらかじめ作成する。 - 特許庁