ion holeとは 意味・読み方・使い方

The hole or the hole structure has a structure where a cross section area of the gaseous ion introduction side is larger than a cross section area on the ion lead-out side.例文帳に追加

ここでの穴又は穴構造は、気体状のイオンが導入される側の断面積が導出される側の断面積よりも大きい構造を有する。 - 特許庁

The ion squirt hole 3b is provided with plate-like gratings 5 mounted at an angle not to obstruct the ion currents, some gratings 5b are bent to guide the ion currents to the squirt hole 3b and the ion current arrival side is made knife-edge not to obstruct the ion currents.例文帳に追加

さらに、噴出し口３ｂにはイオン流を妨げない角度に板状の格子５を設け、一部の格子５ｂは、彎曲させてイオン流を噴出し口３ｂに導くようにし、かつ、イオン流到来側をナイフエッジとしてイオン流を妨げないようにした。 - 特許庁

The ion beam extraction electrode 20 has a screen grid 21 having a plurality of screen ion extraction holes 7a, an acceleration grid 8 having an accelerated ion extraction hole 8a, and a deceleration grid 9 having a decelerated ion extraction hole 9a.例文帳に追加

イオンビーム抽出電極２０は、複数のスクリーンイオン抽出孔７ａを有するスクリーングリッド２１と、加速イオン抽出孔８ａを有する加速グリッド８と、減速イオン抽出孔９ａを有する減速グリッド９とを有している。 - 特許庁

A negative ion generator 2 is connected to circulate hot water, to be blown out as negative ion hot water from an injection hole.例文帳に追加

マイナスイオン発生装置２を連結して温水を循環させて、噴出し穴からマイナスイオン湯となって吹き出る。 - 特許庁

More specifically, TFSI or FSI is used as the ion liquid (negative ion species) when injecting the hole into the semiconductor layer.例文帳に追加

具体的には、半導体層に正孔を注入する際イオン液体（陰イオン種）としてＴＦＳＩやＦＳＩを用いる。 - 特許庁

The ion supply nozzle 58 is provided with a slit 59 at its blowoff hole.例文帳に追加

イオン供給ノズル５８は、その吹き出し口にスリット５９が設けられている。 - 特許庁

At the time of a normal analysis, an ion flow is stopped by the ion optical system 14 so that it may pass an ion introduction hole 24 and an ion lead-out hole 25, and the flight time is measured using the flight tube 34 interior space, as well as ion trap interior space and the space in the second detection part 31 as a free flight region.例文帳に追加

通常分析の際には、イオン導入穴２４及びイオン導出穴２５を通過するようにイオン光学系１４でイオン流を絞り、フライトチューブ３４内空間のほかイオントラップ内空間や第２検出部３１内の空間も自由飛行領域として飛行時間を計測する。 - 特許庁

Thereby, the hole position in the prior ion implantation can be caused to coincide with the impurity position in the subsequent ion implantation, and the impurity position in the prior ion implantation can be caused to coincide with the hole position in the prior ion implantation.例文帳に追加

これにより、先のイオン注入における空孔位置と後のイオン注入における不純物の位置とを一致させ、先のイオン注入における不純物の位置と先のイオン注入における空孔の位置とを一致させることができる。 - 特許庁