「ion hole」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A through hole for the negative ion corresponding to the discharge electrode 100 for negative ion generation and a through hole for positive ion corresponding to the discharge electrode 200 for positive ion generation are formed at the induction electrode 300.例文帳に追加

誘導電極３００には、負イオン発生用の放電電極１００に対応する負イオン用貫通孔と正イオン発生用の放電電極２００とに対応する正イオン用貫通孔とが設けられる。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING CONTACT HOLE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING REACTIVE ION ETCHING例文帳に追加

反応性イオンエッチングを用いた半導体素子のコンタクトホール形成方法 - 特許庁

The hole or the hole structure has a structure where a cross section area of the gaseous ion introduction side is larger than a cross section area on the ion lead-out side.例文帳に追加

ここでの穴又は穴構造は、気体状のイオンが導入される側の断面積が導出される側の断面積よりも大きい構造を有する。 - 特許庁

The ion squirt hole 3b is provided with plate-like gratings 5 mounted at an angle not to obstruct the ion currents, some gratings 5b are bent to guide the ion currents to the squirt hole 3b and the ion current arrival side is made knife-edge not to obstruct the ion currents.例文帳に追加

さらに、噴出し口３ｂにはイオン流を妨げない角度に板状の格子５を設け、一部の格子５ｂは、彎曲させてイオン流を噴出し口３ｂに導くようにし、かつ、イオン流到来側をナイフエッジとしてイオン流を妨げないようにした。 - 特許庁

The ion beam extraction electrode 20 has a screen grid 21 having a plurality of screen ion extraction holes 7a, an acceleration grid 8 having an accelerated ion extraction hole 8a, and a deceleration grid 9 having a decelerated ion extraction hole 9a.例文帳に追加

イオンビーム抽出電極２０は、複数のスクリーンイオン抽出孔７ａを有するスクリーングリッド２１と、加速イオン抽出孔８ａを有する加速グリッド８と、減速イオン抽出孔９ａを有する減速グリッド９とを有している。 - 特許庁

A negative ion generator 2 is connected to circulate hot water, to be blown out as negative ion hot water from an injection hole.例文帳に追加

マイナスイオン発生装置２を連結して温水を循環させて、噴出し穴からマイナスイオン湯となって吹き出る。 - 特許庁

More specifically, TFSI or FSI is used as the ion liquid (negative ion species) when injecting the hole into the semiconductor layer.例文帳に追加

具体的には、半導体層に正孔を注入する際イオン液体（陰イオン種）としてＴＦＳＩやＦＳＩを用いる。 - 特許庁

The ion supply nozzle 58 is provided with a slit 59 at its blowoff hole.例文帳に追加

イオン供給ノズル５８は、その吹き出し口にスリット５９が設けられている。 - 特許庁

At the time of a normal analysis, an ion flow is stopped by the ion optical system 14 so that it may pass an ion introduction hole 24 and an ion lead-out hole 25, and the flight time is measured using the flight tube 34 interior space, as well as ion trap interior space and the space in the second detection part 31 as a free flight region.例文帳に追加

通常分析の際には、イオン導入穴２４及びイオン導出穴２５を通過するようにイオン光学系１４でイオン流を絞り、フライトチューブ３４内空間のほかイオントラップ内空間や第２検出部３１内の空間も自由飛行領域として飛行時間を計測する。 - 特許庁

Thereby, the hole position in the prior ion implantation can be caused to coincide with the impurity position in the subsequent ion implantation, and the impurity position in the prior ion implantation can be caused to coincide with the hole position in the prior ion implantation.例文帳に追加

これにより、先のイオン注入における空孔位置と後のイオン注入における不純物の位置とを一致させ、先のイオン注入における不純物の位置と先のイオン注入における空孔の位置とを一致させることができる。 - 特許庁

The hole is formed by groove processing utilizing a dicer and etching by an ion beam.例文帳に追加

穴は、ダイサーを利用した溝加工やイオンビームによるエッチングによって形成する。 - 特許庁

An ion air blowout hole 82 is also arranged in a central part of the recessed part 73 for blowing the ion air toward the board main surface 120.例文帳に追加

また、凹部７３の中心部には、基板主面１２０に向けてイオンエアを吹き付けるためのイオンエア吹出穴８２が設けられる。 - 特許庁

To form a conductive layer for setting etching species of an ion free at the time of making a through hole on a substrate by reactive ion etching.例文帳に追加

反応性イオンエッチングにより基板に貫通孔を開ける際、イオン等のエッチング種を逃がすための導電層を形成する。 - 特許庁

The ions generated by the ion generating electrode 11 pass through the ion passage hole 25 with diffusion and released into the vehicle room.例文帳に追加

イオン発生電極１１で発生したイオンは、拡散によりイオン通過孔２５を通り抜けて、車室内へ放出される。 - 特許庁

To provide a method for forming a contact hole of a semiconductor element using a reactive ion etching.例文帳に追加

反応性イオンエッチングを用いた半導体素子のコンタクトホール形成方法を提供する。 - 特許庁

Ions 5 generated in an ion generating area 17 are emitted into an ion accelerating area 16 through a penetrating hole of the second porous anode 3.例文帳に追加

イオン生成領域１７で発生したイオン５は、多孔第２陽極３の貫通孔からイオン加速領域１６内に放出される。 - 特許庁

A dust cup 122 is formed with an ion introduction hole 123 for introducing the suction air containing ions and circulating in an ion introduction passage 128 to the dust cup 122 through the introduction hole 121.例文帳に追加

ダストカップ１２２には、導入口１２１を介してイオン導入路１２８を流通するイオンを含む吸気をダストカップ１２２に導入させるイオン導入口１２３が形成されている。 - 特許庁

A fine ion passage hole 7 being provided at the probe 6 is located on the center of the opening of the fixed stage 4, and the diameter of the ion passage hole 7 is small, namely equal to or less than 10 micron.例文帳に追加

この探針６に設けられた微細なイオン通過孔７は、前記固定ステージ４の開孔中心上に位置しており、イオン通過孔７の直径は１０ミクロン以下と小さい。 - 特許庁

To provide a heat responding steam trap in which a metal ion adhered to a valve hole can be removed without forming an orifice hole having a small open area on the downstream side of the valve hole.例文帳に追加

弁孔の下流側に開口面積の小さなオリフィス孔を形成せずに弁孔に付着する金属イオンを取除くことのできる熱応動式スチームトラップを提供する。 - 特許庁

Among evaporated atomic elements, positively ionized ones are detected by an ion detector 14 after being drawn through ion passing hole 6 of a leading electrode 5.例文帳に追加

電界蒸発した原子のうち、正イオン化したものは、引出電極５のイオン通過孔６を通ってイオン検出器１４で検出される。 - 特許庁

The process is, for example, a reverse sputtering process for physically etching the opening edge of the via hole by ion bombardment.例文帳に追加

例えばイオン衝撃でビアホール開口縁部を物理的にエッチングする逆スパッタ工程である。 - 特許庁

Consequently, a via hole surrounded by a deep ion implantation region 9 can be formed.例文帳に追加

その結果、深いイオン注入領域９で取り囲まれたバイアホールを形成することができる。 - 特許庁

The collector is disposed at the bottom of the curved surface of the reflector and faces the ion educing hole.例文帳に追加

前記コレクタは反射極の曲面構成の底部に設置され、かつイオン引出し穴に向ける。 - 特許庁

This ion beam machining/observation device makes the hole in the sample surface or forms the deposition film in the hole of the surface of the sample.例文帳に追加

本発明は、試料表面に穴をあけ又は試料表面の穴にデポジション膜を形成するイオンビーム加工・観察装置に関する。 - 特許庁

Ions within the second plasma chamber 12a are drawn out outside by a drawing-out electrode 20a via an ion drawing-out hole 14a, to be emitted as ion beams.例文帳に追加

第二のプラズマ室１２ａ内のイオンは引出電極２０ａによりイオン引出孔１４ａを通して外部に引き出され、イオンビームとして放出される。 - 特許庁

To provide an ion exchange membrane electrolytic cell which is not damaged by the electrolyte infiltrating from a counter electrode side through a hole formed in an ion exchange membrane.例文帳に追加

イオン交換膜に生じた穴から対極側から浸入した電解液によって損傷を受けないイオン交換膜電解槽を提供する。 - 特許庁

A sheet-side water passage hole 5 of the ion exchange sheet 3 and a cathode-side water passage hole 6 of the cathode-side electrode plate 4 are provided to communicate with each other.例文帳に追加

イオン交換シート３のシート側通水孔５と、陰極側電極板４の陰極側通水孔６とは、連通させて設ける。 - 特許庁

A mass spectroscope, in which a hole or a hole structure which leads gaseous ions to a pore is attached to the ion introduction port side of the pore, is proposed.例文帳に追加

気体状のイオンを細孔に導く穴又は穴構造を、細孔のイオン導入口側に取り付けた質量分析装置を提案する。 - 特許庁

A focusing ion beam is irradiated to a top part of the second stage projection 13, and a through hole is opened.例文帳に追加

そして、その第２段突起１３の頂部に集束イオンビームを照射して貫通穴を開ける。 - 特許庁

The ion beam machining/observation device is provided with a measuring instrument measuring depth of the hole of the surface of the sample or the height of the deposition film formed in the hole.例文帳に追加

イオンビーム加工・観察装置には、試料表面の穴の深さ又は穴に形成されたデポジション膜の高さを計測する計測器が設けられている。 - 特許庁

Force for deflecting in a positive and a negative direction is canceled out to an ion in which the residence time is long in the deflection electric field 60, and the ion exits an emission hole 8 through the orbit that does not greatly deviate from the ion optical axis C.例文帳に追加

一方、偏向電場６０での滞在時間が長いイオンに対しては正方向と負方向とに偏向させる力が相殺され、イオン光軸Ｃから大きく外れない軌道を通って出射穴８から出る。 - 特許庁

To achieve both increasing conductance at rough vacuuming and reducing a diameter of an ion draw-out electrode hole from a view point of making ionic current large in a gas field ionization ion source.例文帳に追加

ガス電界電離イオン源において，真空粗引き時のコンダクタンス増大化とイオンの大電流化の観点からの引き出し電極穴の小径化とを両立する。 - 特許庁

Since the thermoelectron passing hole H is extended in the y-axis direction, the ion is least cut by the ion draw-out slit A, and is efficiently drawn out of the ionization chamber IC.例文帳に追加

このとき、熱電子通過孔Ｈはｙ軸方向に延びているので、イオンはイオン引出スリットＡでほとんどカットされなく、効率よくイオン化室ＩＣから引き出される。 - 特許庁

To provide an ion brush, capable of setting an ion squirt hole large, having good efficiency of squirting, proper shape of appearance and convenient for use.例文帳に追加

イオン噴出し口を大きく設定でき、噴出しの効率も良好であり、しかも外観形状も妥当なものであって、使い勝手のよいイオンブラシを提供する。 - 特許庁

Lastly, the pre-coding layer and the filled layer are used as a mask to implant coding ion, thus the ion is implanted into a code region through the pre-coding hole.例文帳に追加

最後に、プリコーディング層および充填層をマスクとして使用してコーディングイオンの打ち込みが実施され、それによりイオンがプリコーディングホールを通ってコード領域に打ち込まれる。 - 特許庁

A hole diameter of the ion-transmitting holes 22c in a thickness direction of the active substance layer 10 is to be 3 to 300 nm.例文帳に追加

活物質層１０の厚さ方向におけるイオン通過性の孔２２ｃの孔径を３〜３００ｎｍとする。 - 特許庁

The main insulator 6 has a through hole 6b penetrating from the side of the treatment chamber 2 to the that of the ion source 4.例文帳に追加

主絶縁体６は、処理室２側からイオン源４側に向って貫通する貫通穴６ｂを有する。 - 特許庁

The electrification suppressing device is provided with a first arc chamber 34 having a first drawing hole 33 and a second arc chamber 35 communicated with the first drawing hole and having a second drawing hole 36 facing the scanning range of the ion beam.例文帳に追加

帯電抑制装置は、第１引出孔３３を有する第１アーク室３４と、第１引出孔と連通し、イオンビームのスキャン範囲に望ませた第２引出孔３６を有する第２アーク室３５とを備える。 - 特許庁

The region 24 including the hole formed in process of machining is scanned to detect the position 26 of the hole by detecting the secondary ion signal of the same atomic species as the entered ions again, and the moving distance of the position of the hole is found by comparing the hole position at the previous time with the hole position at this time to consider it as a drift amount.例文帳に追加

加工の途中で形成した穴を含む領域２４を走査し、再び入射イオンと同じ原子種の二次イオン信号を検出して穴の位置２６を検出し、前回の穴の位置と今回の穴の位置を比較して穴の位置の移動量を求め、これをドリフト量と見なす。 - 特許庁

The frequency adjusting apparatus is provided with a shutter 14 in which ion beams B are applied to a wafer 10 through a mask hole 15a of a pattern mask 15 and ion beam irradiation time of a target element is adjusted by selectively opening/closing the predetermined mask hole.例文帳に追加

パターンマスク１５のマスク穴１５ａを介してウエハ１０に対してイオンビームＢを照射すると共に、所定のマスク穴を選択的に開閉し、ねらいの素子のイオンビーム照射時間を調整するシャッタ１４を設ける。 - 特許庁

The stencil mask for ion implantation has a through hole pattern for ion implantation formed at a thin film part supported on a support wherein an ion absorbing layer is formed at least on the side (surface side) of the thin film part being irradiated with an ion beam.例文帳に追加

支持体に支持された薄膜部にイオン注入用の貫通孔パターンを形成してなるイオン注入用ステンシルマスクであって、前記薄膜部の少なくともイオンビームが照射される側（表面側）に、イオン吸収層を形成したことを特徴とするイオン注入用ステンシルマスク。 - 特許庁

Since the through hole 31b is such a hole as formed by etching a part in which Ar ion is implanted from a surface, the aperture of the through hole 31b becomes significantly smaller than that of the through hole 31a when the implantation pattern is smaller.例文帳に追加

貫通孔３１ｂは、表面からのＡｒイオン注入された部分がエッチングされて形成された孔であるので、注入パターンを小さいものにすれば、貫通孔３１ｂの径を貫通孔３１ａの径に比べて十分小さくなる。 - 特許庁

The cover member 20 is mounted in a component mounting hole in the vehicle room with its surface directed into the vehicle room and has an ion passage hole 25 through which ions are released into the vehicle room.例文帳に追加

蓋部材２０は、車室内の部品取り付け穴に表側を車室内に向けて取り付けられ、イオンを車室内へ放出するイオン通過孔２５を有する。 - 特許庁

Thus, when the sensor 30 is exposed to plasma 41, it becomes difficult for a positive ion (h), impinging on a contact hole bottom, to collide against a hole body internal wall surface of the insulating film 34.例文帳に追加

そのため、センサ３０をプラズマ４１に曝した場合、コンタクトホール底へ入射する正イオンｈは絶縁膜３４のホール本体内壁面に衝突し難くなる。 - 特許庁

A through-hole part 30b is connected to a VDD terminal 6a of an IC chip 6, and the through-hole part 31b is connected to an anode 2b of a lithium ion storage battery 2.例文帳に追加

スルーホール部３０ｂはＩＣチップ６のＶＤＤ端子６ａに接続してあり、スルーホール部３１ｂはリチウムイオン蓄電池２の陰極２ｂに接続してある。 - 特許庁