ion incident angleとは 意味・読み方・使い方

When the distribution in the depth direction of the group V element in the group IV semiconductor is measured by an SIMS (secondary ion mass spectrometry) method, a primary ion species, a primary ion acceleration energy, and a primary ion incident angle are limited in the range for reducing profile shift and sensitivity dependency in the depth direction.例文帳に追加

ＳＩＭＳ法によりＩＶ族半導体中のＶ族元素の深さ方向分布を測定する際に、一次イオン種、一次イオン加速エネルギー、及び、一次イオン入射角度をプロファイルシフト及び深さ方向の感度依存性を少なくする範囲に限定する。 - 特許庁

The well is formed in two times of first impurity ion implantation by the prescribed incident angle from a first direction, an acceleration voltage and a dosage; and second impurity ion implantation by the same incident angle, acceleration voltage and dosage as the first impurity ion implantation from a second direction different from the first direction by 180 degrees in plane view.例文帳に追加

ウェルの形成を、第１の方向からの所定の入射角度および加速電圧、ドーズ量による第１の不純物イオン注入と、第１の方向と平面視で１８０度異なる第２の方向からの、第１の不純物イオン注入と同じ入射角度および加速電圧、ドーズ量による第２の不純物イオン注入の２回に分けて行う。 - 特許庁

Its manufacturing method makes an incident angle time-controlled evaporation and an energy time-controlled evaporation to the object to process in an ion evaporation machine by using the ion flow drawn out from the ion source through the duct to a film forming chamber.例文帳に追加

また、その製造方法は、イオン蒸着装置において、イオン源からダクトを介して成膜室に引き出されるイオン流の被処理基板への入射角時間制御蒸着、エネルギー時間制御蒸着を特徴とする。 - 特許庁

Since the scattering plate 11 in the ion trap 9 has a corrugated plate shape, the incident angle of a part of the ions made incident on the scattering plate 11 is made shallow, and the scattering plate 11 is made hard to be sputtered.例文帳に追加

イオントラップ９の散乱板１１は波板状となっているので、散乱板１１に入射するイオンの一部はその入射角が浅くなり、散乱板１１はスパッタされにくくなる。 - 特許庁

After setting of irradiation energy of a primary ion is implemented (S104) and then setting of an incident angle of the primary ion is implemented (S106), the primary ion beam is irradiated with a sample to measure intensity in the depth direction of main metallic elements (S108) using the secondary ion discharged over the depth direction of the sample.例文帳に追加

一次イオンの照射エネルギーを設定し（Ｓ１０４）、次いで、一次イオン入射角度を設定して（Ｓ１０６）、一次イオンビームを試料に照射し、試料の深さ方向に亘って放出された２次イオンにより主要金属元素の深さ方向の強度測定を行う（Ｓ１０８）。 - 特許庁

Whether a variability in intensity of the main metallic elements obtained is within a predetermined domain is determined (S110), and when it is within the predetermined domain, the primary ion incident angle is decided as the primary ion incident angle for analyzing the element of analysis object (S114), and finally the depth direction analysis is implemented (S116) of the element of analysis object.例文帳に追加

得られた主要金属元素の強度の変動率が所定の範囲内か否かを判断し（Ｓ１１０）、所定の範囲内の場合はその一次イオン入射角度を分析対象の元素を分析するための一次イオン入射角度に決定し（Ｓ１１４）、分析対象の元素の深さ方向分析を行う（Ｓ１１６）。 - 特許庁

According to the fabricating method of the solid-state imaging device of the present invention, the impurity diffusion region is formed by performing multiple times ion implantation using the same impurity ion in the same incident direction by changing a tilt angle.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子の製造方法は、同一の不純物イオンを用いて、同一の入射方向で、且つ、チルト角度を変えてイオン注入を複数回行うことで、不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

To suppress the degradation of an effective isolation width between a well and a diffusion layer due to impurity ion implantation at the time of well formation at a prescribed incident angle.例文帳に追加

ウェル形成の際の不純物イオン注入を所定の入射角度をもって行うことに起因するウェルと拡散層間の実効的分離幅の劣化を抑える。 - 特許庁