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ion incidenceの意味・使い方・読み方 | Weblio英和辞書
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ion incidenceとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「ion incidence」の意味

ion incidence

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「ion incidence」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 20



例文

ION SOURCE AND NEUTRAL PARTICLE INCIDENCE DEVICE USING THE ION SOURCE例文帳に追加

イオン源および該イオン源を用いた中性粒子入射装置 - 特許庁

The ion beam accelerated with the ion source is decelerated immediately before the incidence in an anode 10.例文帳に追加

このイオン源で加速したイオンビームは、陽極10に入射する直前に減速される。 - 特許庁

With an adoption of combined ion trapping, a high ion capturing performance is obtained at incidence and trapping.例文帳に追加

2次元結合型イオントラップを採用することにより、入射時、トラップ時に高いイオンの捕捉性能を得ることができる。 - 特許庁

An incidence angle of the focused ion beam is favorable to angle of 70 to 110 degree to a perpendicular of the cone.例文帳に追加

集束イオンビームの入射角は、錐体の垂線に対して、70〜110度の角度が好ましい。 - 特許庁

To provide an ion implanting device capable of measuring a degree of parallelism of ion beams at incidence on a substrate and easily adjusting the degree of parallelism.例文帳に追加

基板に入射する際のイオンビームの平行度測定が可能で平行度の調整が容易なイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

The ion implanter comprises an ion source 20, a first IH type linear accelerator 30 capable of incidence of low energy of an ion from the ion source 20, and a second IH type linear accelerator 40 serially connected to the first IH type linear accelerator 30, which is constructed so as to perfectly vary ion implanting energy.例文帳に追加

イオン源20と、このイオン源20からのイオンの低エネルギー入射が可能な第1のIH型線形加速器30と、この第1のIH型線形加速器30に直列的に接続される第2のIH型線形加速器40とを備え、イオン注入エネルギーを完璧に可変とするように構成した。 - 特許庁

例文

A timing signal from an accelerator control device 18, based on the incidence of an ion beam into the synchrotron 10 is input into a tune correction control device 12.例文帳に追加

シンクロトロン10へのイオンビームの入射に基づいた、加速器制御装置18からのタイミング信号が、チューン補正制御装置12に入力される。 - 特許庁

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「ion incidence」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 20



例文

SWITCHING CONTROL DEVICE FOR CONTROLLING FLOW RATE OF CESIUM GAS FROM CESIUM OVEN DEVICE FOR NEGATIVE ION SOURCE IN NEUTRON INCIDENCE DEVICE OF FUSION DEVICE例文帳に追加

核融合装置の中性粒子入射装置における負イオン源用セシウムオーブン装置からのセシウムガスの流量を制御する開閉操作装置 - 特許庁

First, the relationship between the angle of incidence of an ion beam and an etching rate distribution in a shaping surface 12 is calculated beforehand each for tungsten carbide (WC) composing a substrate, chromium (Cr) composing an intermediate layer and chromium nitride (CrN) composing a surface layer, under the irradiation conditions identical to those applied at the time of surface treatment except the angle of incidence of the ion beam.例文帳に追加

まず、予め基材、中間層及び表面層を構成するタングステンカーバイド(WC)、クロム(Cr)及び窒化クロム(CrN)のそれぞれに対して、イオンビームの入射角度以外は表面処理時と同一の照射条件にして、イオンビームの入射角度と成形面12内のエッチングレート分布との関係を求める。 - 特許庁

The lens 4 is rocked by the rocking mechanism 5 in such a manner that a vapor deposition region using cluster ion assist with an incidence angle of30° covers the whole of the effective face of the lens 4.例文帳に追加

入射角30度以下のクラスターイオンアシストを用いた蒸着領域がレンズ4の有効面全体に及ぶように、揺動機構5によってレンズ4を揺動させる。 - 特許庁

The opening 3a of the shielding plate 3 is opened only at a region on which cluster ions emitted from a cluster ion source 1 are made incident to the lens 4 at an incidence angle of30°.例文帳に追加

遮蔽板3の開口3aは、クラスターイオン源1から照射されるクラスターイオンが30度以下の入射角でレンズ4に入射する領域にのみ開口する。 - 特許庁

To provide a scattered ion analyzer making it possible to analyze a sample with high resolution by generating a magnetic field parallel with an incident ion beam and equipped with a secondary electron detector capable of exactly detecting secondary electrons produced on the surface of the sample by incidence of the ion beam.例文帳に追加

入射するイオンビームと平行な磁場を発生させることにより高分解能な試料の分析を可能とするイオン散乱分析装置において,上記イオンビームの入射により上記試料の表面に生成される2次電子を正確に検出可能な2次電子検出器を備えるイオン散乱分析装置を提供すること。 - 特許庁

Second meshes 52 are fitted to a metal plate 11 at a periphery of an ion incidence hole 11a of an ion detector 1 via a plurality of rod-like insulating spacers 50, and first meshes 51 area fitted to the second meshes 52 via a plurality of rod-like insulating spacers 50.例文帳に追加

イオン検出器1のイオン入射口11aの周囲の金属板11に、複数個の棒状の絶縁スペーサー50を介して第2のメッシュ52を取り付け、第2のメッシュ52に複数個の棒状の絶縁スペーサー50を介して第1のメッシュ51を取り付ける。 - 特許庁

Both ends of the optical waveguide 10 are removed by a focused ion beam(FIB), and incidence and emission end faces 16A and 16B are formed on an optical crystal substrate 12D in which the optical waveguide 10 is formed.例文帳に追加

光導波路10が形成された光学結晶基板12Dに、収束イオンビーム(FIB)により光導波路10の両端部を除去して入出射端面16A、16Bを形成する。 - 特許庁

例文

The scattered ions are segregated to improve penetration of scattered ions with a small angle of incidence by using a pair of cylindrical members arranged in parallel with the beam axis of the ion beam with a predetermined interval.例文帳に追加

イオンビームのビーム軸に沿って所定の間隙を設けて配置された対の円筒状部材を用いて,入射角が小さな散乱イオンの通過率を向上させるよう散乱イオンを弁別する。 - 特許庁

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