ion implantation damageとは 意味・読み方・使い方

To provide a low-loss semiconductor device in which loss caused by ion implantation damage is suppressed.例文帳に追加

イオン注入ダメージにより生ずる損失が抑制された低損失な半導体装置を提供する。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted in the surface (major surface) of a single crystal Si substrate 10 at a dose of 1.5×101^7 atoms/cm^2 to form a hydrogen ion implantation layer (ion implantation damage layer) 11.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基１０の表面（主面）にドーズ量１．５×１０１^7ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2以上で水素イオンを注入し、水素イオン注入層（イオン注入ダメージ層）１１を形成する。 - 特許庁

To obtain a method and device for monitoring static damage, capable of readily testing the presence or absence of the static damage caused, when a processing is effected by use of ions of ion implantation, etc.例文帳に追加

イオン注入等のイオンを用いる加工を行う際に生ずる静電破壊の有無を容易に検査可能な静電破壊モニタリング方法および装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing damage or peeling of a gate electrode containing metal material when forming an oxide film for protecting against ion implantation damage.例文帳に追加

イオン注入損傷の保護用酸化膜の形成時に、金属材料を含むゲート電極の損傷や剥離を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Through the silicon oxide film 7 for protecting against ion implantation damage, ion is implanted on the entire surface of a p-well with the gate electrode 5 and a side wall 6 as implantation masks, to form n^+ diffusion layers 12 and 13 on the p-well.例文帳に追加

次に、このイオン注入損傷の保護用のシリコン酸化膜７を介すると共に、ゲート電極５およびサイドウォール６を注入マスクとして、ｐウェルの全面にイオン注入をし、ｐウエルにｎ^＋ 拡散層１２、１３を形成する。 - 特許庁

To enable crystal material to recover completely from damage caused by ion implantation.例文帳に追加

イオン注入による損傷が十分に回復された結晶材料の製造方法および半導体素子の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus preventing crystal defects caused by damage in ion implantation, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

イオン注入のダメージに起因する結晶欠陥の発生を防止することができる、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a PN junction interface that prevents enhanced diffusion caused by an uneven stress during high temperature annealing for recovering from implantation damage after boron ion implantation into a wafer and achieves a superior flatness.例文帳に追加

ウェーハへのボロンのイオン注入後における、注入損傷回復の高温アニールにおいて、応力の不均一から生ずる増速拡散を防止し、平坦性の良いＰＮ接合界面の提供。 - 特許庁