ion implantation equipmentとは 意味・読み方・使い方

In large-current ion implantation equipment, the shape of a surface 4B of the ion beam current measuring apparatus 4, the surface of which is adjacent to an ion beam, is made a round, and area which is in contact with the ion beam is reduced.例文帳に追加

大電流イオン注入装置におけるイオンビーム電流計測装置４のイオンビームと近接する面４Ｂの形状をＲ形に構成し、イオンビームと接触する面積を低減する。 - 特許庁

To provide a method for confirming an ion implantation status in which ununiformity of ion implantation caused by malfunctions of equipment during the ion implantation, or the like is detected in a early stage and without any difficulty to permit the quality stabilization of a product and the reduction of the failure period thereof; and a method for manufacturing a semiconductor wafer utilizing the same.例文帳に追加

イオン注入時の装置上の不具合などによるイオン注入の不均一性を早期に、かつ、容易に発見し、製品の品質安定化、故障期間の短縮化を図ることができるイオン注入状況の確認方法とそれを利用した半導体ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which carries out ion implantation into an exact area when carrying out the ion implantation using a stencil mask, semiconductor device manufacturing equipment, a semiconductor device, an electrooptic apparatus, and an electronic apparatus.例文帳に追加

ステンシルマスクを用いてイオン注入を行う場合にも、正確な領域にイオン注入を行う半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、半導体装置、電気光学装置及び電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implantation equipment which operates stably for a long period of time by preventing lowering of creepage resistance due to conductive deposit accreted on the inner face of an insulation bushing.例文帳に追加

絶縁ブッシングの内面に導電性生成物の付着による沿面抵抗の低下を防止することにより、長期間安定的して稼動するイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide the method for producing a photocatalyst effectively exhibiting the function even in visible ray region without using a special equipment such as an ion implantation device.例文帳に追加

可視領域でも有効に機能を発現する光触媒を、イオン注入装置のような特殊な設備を使用することなく製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁