impact ionとは 意味・読み方・使い方

Thermal impact, vibration impact or mechanical impact is given to the ion implantation layer 11 weakened by the heat treatment from the outside, so as to peel off a silicon thin film and to obtain an SOI layer 12 on the quartz substrate 20.例文帳に追加

この熱処理で弱化された状態のイオン注入層１１に、熱衝撃、振動衝撃、あるいは機械的衝撃を外部から付与してシリコン薄膜を剥離し、石英基板２０上にＳＯＩ層１２を得る。 - 特許庁

A resist 2 is applied onto a substrate 1, then, the resist 2 on a place to be subjected to ion implantation is eliminated according to a lithography step and, subsequently, the ion implantation is performed with a prescribed impact.例文帳に追加

基板１の上にレジスト２を塗布し、リソグラフィ工程により、イオン注入を行いたい場所のレジスト２を除去しておき、所定の強さでイオン注入を行う。 - 特許庁

In a conventional vapor phase synthesis of cubic boron nitride, the essential condition is using ion impact at not lower than 45 eV by using a negative bias on a substrate or an accelerated ion beam.例文帳に追加

従来は立方晶窒化ホウ素の気相合成では、基板負バイアスや加速したイオンビームを用いて４５ｅＶ以上のイオン衝撃を用いることが必須条件であった。 - 特許庁

The impact ion control layer 24 is laminated within a lamination range (thickness Tst of the lamination range) of the ground compound semiconductor layer 23 to control the occurrence position of the impact ionization phenomenon.例文帳に追加

インパクトイオン制御層２４は、下地化合物半導体層２３の積層範囲（積層範囲の厚さＴｓｔ）内に積層されてインパクトイオン化現象の発生位置を制御する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus for obtaining high quality image without fluctuation in each pixel even when impact ion is generated.例文帳に追加

インパクトイオン化を発生させても、画素毎のばらつきなく、高品質な画像を得ることができる固体撮像装置を提供。 - 特許庁

To provide a method and a device for mass spectrometry by an internal ionization ion trap analyzable with high sensitivity by eliminating ion formed in a mass quantity, from a space between ion trap electrodes, and preferentially capturing negative ion formed only in a trace quantity in ionizing a sample or reagent gas in the ion trap by electron impact ionization(EI) or the like.例文帳に追加

イオントラップ内で、試料あるいは試薬ガスを電子衝撃イオン化（ＥＩ）等によりイオン化する際に、大量に生成されるイオンをイオントラップ電極間空間から排除し、極微量にしか生成されない負イオンを優先的に捕捉し、高感度に分析可能な、内部イオン化型のイオントラップによる質量分析法ならびにその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a remote plasma discharge chamber formed of material which is hardly damaged and a reaction oven cleaning technique which is capable of cleaning a reaction chamber without ion impact on it.例文帳に追加

破損し難い材料からなる遠隔プラズマ放電室と共に、イオン衝撃のない反応炉クリーニング技術を提供する。 - 特許庁

The potential correction electrode 23 is made of a metal having a high melting point such as, for example, carbon with a strong ion impact resistance and is mounted on the grid 21.例文帳に追加

電位補正用電極２３はイオン衝撃等に強い、例えば、炭素の如き高融点の金属で成し、グリッド２１に取り付ける。 - 特許庁