impact ionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 59件
With this, the filament is not affected by ion impact from the electron beam irradiation area.例文帳に追加
これにより,フィラメントは電子ビーム照射領域からのイオン衝撃を受けない。 - 特許庁
To provide a vapor phase synthesis method for cubic boron nitride in a weak state of ion impact.例文帳に追加
イオン衝撃の弱い状態での立方晶窒化ホウ素の気相合成法の提供。 - 特許庁
To provide an ion beam shaping means which is less susceptible to the impact of sputtering due to an ion beam and can be made compact, and to provide an ion implanter having the shaping means.例文帳に追加
イオンビームによるスパッタリングの影響を受けにくく、コンパクトな装置構成を可能とするイオンビーム整形手段および当該整形手段を有するイオン注入装置を提供する。 - 特許庁
To provide a plasma CVD apparatus having a remote plasma discharging chamber which gives no ion impact and whose cleaning speed is not lowered.例文帳に追加
イオン衝撃が無く、クリーニング速度が低下しない、遠隔プラズマ放電室を有するプラズマCVD装置を与える。 - 特許庁
A deposit 21 deposited during etching of the insulating film 4 is removed by radical etching without ion impact.例文帳に追加
絶縁膜4のエッチング中に堆積した堆積物21を、イオン衝撃を用いないラジカルエッチングにより除去する。 - 特許庁
Thermal impact, vibration impact or mechanical impact is given to the ion implantation layer 11 weakened by the heat treatment from the outside, so as to peel off a silicon thin film and to obtain an SOI layer 12 on the quartz substrate 20.例文帳に追加
この熱処理で弱化された状態のイオン注入層11に、熱衝撃、振動衝撃、あるいは機械的衝撃を外部から付与してシリコン薄膜を剥離し、石英基板20上にSOI層12を得る。 - 特許庁
A resist 2 is applied onto a substrate 1, then, the resist 2 on a place to be subjected to ion implantation is eliminated according to a lithography step and, subsequently, the ion implantation is performed with a prescribed impact.例文帳に追加
基板1の上にレジスト2を塗布し、リソグラフィ工程により、イオン注入を行いたい場所のレジスト2を除去しておき、所定の強さでイオン注入を行う。 - 特許庁
In a conventional vapor phase synthesis of cubic boron nitride, the essential condition is using ion impact at not lower than 45 eV by using a negative bias on a substrate or an accelerated ion beam.例文帳に追加
従来は立方晶窒化ホウ素の気相合成では、基板負バイアスや加速したイオンビームを用いて45eV以上のイオン衝撃を用いることが必須条件であった。 - 特許庁
The impact ion control layer 24 is laminated within a lamination range (thickness Tst of the lamination range) of the ground compound semiconductor layer 23 to control the occurrence position of the impact ionization phenomenon.例文帳に追加
インパクトイオン制御層24は、下地化合物半導体層23の積層範囲(積層範囲の厚さTst)内に積層されてインパクトイオン化現象の発生位置を制御する。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging apparatus for obtaining high quality image without fluctuation in each pixel even when impact ion is generated.例文帳に追加
インパクトイオン化を発生させても、画素毎のばらつきなく、高品質な画像を得ることができる固体撮像装置を提供。 - 特許庁
To provide a method and a device for mass spectrometry by an internal ionization ion trap analyzable with high sensitivity by eliminating ion formed in a mass quantity, from a space between ion trap electrodes, and preferentially capturing negative ion formed only in a trace quantity in ionizing a sample or reagent gas in the ion trap by electron impact ionization(EI) or the like.例文帳に追加
イオントラップ内で、試料あるいは試薬ガスを電子衝撃イオン化(EI)等によりイオン化する際に、大量に生成されるイオンをイオントラップ電極間空間から排除し、極微量にしか生成されない負イオンを優先的に捕捉し、高感度に分析可能な、内部イオン化型のイオントラップによる質量分析法ならびにその装置を提供する。 - 特許庁
To provide a remote plasma discharge chamber formed of material which is hardly damaged and a reaction oven cleaning technique which is capable of cleaning a reaction chamber without ion impact on it.例文帳に追加
破損し難い材料からなる遠隔プラズマ放電室と共に、イオン衝撃のない反応炉クリーニング技術を提供する。 - 特許庁
The potential correction electrode 23 is made of a metal having a high melting point such as, for example, carbon with a strong ion impact resistance and is mounted on the grid 21.例文帳に追加
電位補正用電極23はイオン衝撃等に強い、例えば、炭素の如き高融点の金属で成し、グリッド21に取り付ける。 - 特許庁
To provide a heat shrinkable tube compatibly satisfying excellent impact resistance and printing aptitude, and suitable for covering a secondary battery such as a lithium ion battery.例文帳に追加
優れた耐衝撃性及び印刷適性を両立し、リチウムイオン電池などの二次電池の被覆に適した熱収縮性チューブを提供する。 - 特許庁
In an ionizing period of ionizing a sample or reagent gas in the ion trap by electron impact ionization(EI) or the like, the electrostatic field is impressed by superimposition between ion trap electrodes in addition to the high frequency electric field to unstabilize and eliminate positive ion from a space between the ion trap electrodes simultaneously with ionization, and negative ion formed only in a trace quantity is preferentially captured to carry out mass spectrometry.例文帳に追加
イオントラップ内で、試料あるいは試薬ガスを電子衝撃イオン化(EI)等によりイオン化するイオン化期間に、イオントラップ電極間に、高周波電界の他に、静電界を重畳印加して、イオン化と同時にイオントラップ電極間空間から正イオンを不安定化して排除し、極微量にしか生成されない負イオンを優先的に捕捉して、質量分析する。 - 特許庁
To evaluate the overlay accuracy of ion implantation processes directly with high precision and high reproducibility while minimizing the impact of process variation other than overlay or the impact of parasitic resistance component using a monitor element.例文帳に追加
イオン注入工程同士の重ね合わせ精度を、モニター素子を用いて重ね合わせ以外の工程変動や寄生抵抗成分の影響を最小に抑えつつ直接的に高精度かつ高再現性で評価する。 - 特許庁
Further, a wall surface of the treating chamber is easily effected by an influence of an ion impact from the plasma due to an increase in ionization by lowering a treating pressure.例文帳に追加
さらに、処理圧力を低圧化してイオン性を増すこと等からアース電位にある処理室壁面はプラズマからのイオン衝撃を受けやすくなる。 - 特許庁
To provide a high-luminance and long-life PDP enhanced in ion impact resistance without degrading productivity of formation of a protective film.例文帳に追加
保護膜の成膜の生産性を低下させることなく、耐イオン衝撃性を高めた高輝度で長寿命のPDPおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a protective film for a PDP for next generation which is more excellent than a known MgO protective film in terms of the ion-impact secondary electron emission ratio.例文帳に追加
イオン衝撃二次電子放出比に関して従来のMgO保護膜よりも優れた新しい次世代PDP用の保護膜を提供することにある。 - 特許庁
To provide an ion gun which realizes a high acceleration of 10 keV or more while maintaining characteristics of small size and simple structure although the acceleration energy of the conventional electron impact type gas ion gun was 5 keV as an upper limit, and which can be easily fitted to the existing vacuum container for performing secondary ion analysis and ion irradiation or the like.例文帳に追加
従来電子衝撃型ガスイオン銃の加速エネルギーは5keVまでが限界であったが、小型で構造が簡単である特徴を維持したまま10keV以上の高加速を実現し、二次イオン分析やイオン照射等を行うために簡易に既存の真空容器に取り付けることができるイオン銃を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a negative electrode structure which is provided with an impregnated negative electrode substrate having a better emission characteristic by improving resupply of an electron emission material to a surface of the substrate after an ion impact which can improve an electron emission characteristic according to improvement of an ion impact resistance and a surface concentration recovery time.例文帳に追加
本発明の製造方法は、耐イオン衝撃性の向上により電子放出特性の向上が可能なイオン衝撃後の電子放射物質の表面への再供給および表面濃度回復時間を改善し、エミッション特性が良好な含浸型陰極基体を備えた陰極構体を得ることを課題とする。 - 特許庁
Since chemical bond in an ion implantation layer 11 is cut easily when external impact is applied, exfoliation of silicon takes place along the ion implantation interface 12 and a strained silicon layer 13 is obtained on the supporting substrate 20.例文帳に追加
したがって、外部衝撃を付与すると、イオン注入層11中の化学結合の切断が容易に生じる結果、イオン注入界面12に沿ってシリコンの剥離が生じ、支持基板20上に歪シリコン層13が得られる。 - 特許庁
A film-removing mechanism, which removes the thin film deposited on the substrate holder 90 by sputtering etching using ion impact is provided in the film-removing chamber 70.例文帳に追加
膜除去チャンバー70内には、基板保持具90の表面の堆積膜をイオン衝撃によりスパッタエッチングにより除去する膜除去機構が設けられている。 - 特許庁
The present invention is also the ion generating device including an induction electrode and a discharge electrode manufactured by an engineering plastic material easy to manufacture and resistant to an impact.例文帳に追加
また、製造が容易で且つ衝撃に強いエンジニアリングプラスチック素材で製作された誘導電極及び放電電極を含むイオン発生装置を提供する。 - 特許庁
The blood vessel wall restoration material is constituted of a high polymer material containing carbon as a constitutive element and at least a part of a surface is reformed by an ion impact.例文帳に追加
炭素を構成元素として含む高分子材料より構成され、表面の少なくとも一部がイオン衝撃により改質されてなる、血管壁修復材料。 - 特許庁
The first positive and negative ion generating element A4 can discharge positive and negative ions stably over a long period of time for high reliability and has the characteristics of strong impact resistance.例文帳に追加
第1正負イオン発生素子A4は、長時間に渡って安定的に正負イオンを放出可能であり信頼性が高いことや衝撃に強い特性を備える。 - 特許庁
A surface of a scrub brush body layer 2 with a water-absorbing and cushioning properties is formed with a negative ion generating layer 3 composed by dispersing and mixing a powdered-granulated negative ion generating substance 3a and wave induction substance 3b, and a surface of the negative ion generating layer 3 is provided with a skin layer 4 composed of a material excellent in negative ion permeability and impact resistance.例文帳に追加
吸水性、クッション性を有するたわし本体層2の表面に、粉粒状のマイナスイオン発生物質3a及び粉粒状の波動誘発物質3bを分散配合してなるマイナスイオン発生層3が形成され、このマイナスイオン発生層3の表面には、マイナスイオンの通過性及び耐衝撃性に優れた素材からなる表皮層4が設けられている。 - 特許庁
To provide a propylene-based resin microporous film which excels in the permeability of a lithium ion, can constitute a high-performance lithium ion battery, can prevent the short-circuit of a positive electrode and a negative electrode due to a dendrite, and also excels in impact resistance.例文帳に追加
本発明は、リチウムイオンの透過性に優れ、高性能のリチウムイオン電池を構成することができ且つデンドライトによる正極と負極の短絡を防止することができると共に耐衝撃性に優れたプロピレン系樹脂微孔フィルムを提供する。 - 特許庁
To provide a propylene-based resin micropore film which is excellent in permeability of a lithium ion, can compose a lithium ion battery of high performance, can inhibit short of a positive electrode and a negative electrode by a dendrite, and is excellent in impact resistance.例文帳に追加
本発明は、リチウムイオンの透過性に優れ、高性能のリチウムイオン電池を構成することができ且つデンドライトによる正極と負極の短絡を防止することができると共に耐衝撃性に優れたプロピレン系樹脂微孔フィルムを提供する。 - 特許庁
To provide a propylene-based resin micropore film which is excellent in permeability of a lithium ion and mechanical strength, can compose a lithium ion battery of high performance, and can inhibit short of a positive electrode and a negative electrode by a dendrite or impact.例文帳に追加
本発明は、リチウムイオンの透過性及び機械的強度に優れており高性能のリチウムイオン電池を構成することができ且つデンドライトや衝撃による正極と負極の短絡を防止することができるプロピレン系樹脂微孔フィルムを提供する。 - 特許庁
To provide a two-part liquid reaction type piping member made of a resin excellent in chemical resistance, heat resistance, solvent resistance, oil resistance and low elution performance of an organic material and a metal ion, and also an impact resistance strength.例文帳に追加
耐薬品性、耐熱性、耐溶剤性、耐油性、有機物や金属イオンの低溶出性に優れ、且つ耐衝撃強度に優れた2液反応型樹脂製配管材料を提供する。 - 特許庁
To provide an X-ray tube capable of uniformizing temperature distribution of a coil-like filament in a length direction and prolonging its life by preventing it from ion impact from an electron beam irradiation area.例文帳に追加
コイル状のフィラメントの長手方向の温度分布を均一にできて,かつ,フィラメントが電子ビーム照射領域からのイオン衝撃を受けないようにして,フィラメントの寿命を長くする。 - 特許庁
To prevent generation of gas molecules and sputter particles generated by impact of other gas ions except sputtered metal ions on the inner wall of a wave guide in an ion accelerator equipped with a sputter type ion source and a mass separation mechanism to reduce the mixing of impurities on the downstream side.例文帳に追加
スパッタ型イオン源と質量分離機構を備えたイオン加速器において、スパッタさせた金属イオン以外のガスイオンがウェーブガイドの内壁に衝突することにより発生するガス分子やスパッタ粒子の発生を抑制して下流側での不純物の混人を低滅できるようにする。 - 特許庁
To provide a polyphenylene sulfide resin composition and a condenser part item having excellently low chloride ion content and good mechanical properties as well as having no defecting effect on tensile strength, tensile elongation and mechanical properties such as impact strength upon being treated with a relatively large amount of a chloride ion supplying agent.例文帳に追加
本発明は、比較的多量の塩素イオン捕捉剤を用いても、引張強度、引張伸び、衝撃強度等の機械的物性に対する悪影響がなく、優れた低塩素イオン性と機械的物性を兼備したPPS樹脂組成物およびコンデンサー用部品を提供せんとするものである。 - 特許庁
This mass spectroscope is provided with a mass spectrometry mechanism for allowing a mass spectrometry on ionized detected gases, and is separately equipped with a first ion source 11 for attaching positive metal ions to ionize and a second ion source 17 for giving the impact of electrons to ionize.例文帳に追加
イオン化した被検出ガスを質量分析する質量分析機構を備える質量分析装置であり、正電荷の金属イオンを付着させてイオン化する第1イオン源11と、電子を衝撃させてイオン化する第2イオン源17の2つのイオン源を独立して備えている。 - 特許庁
To lengthen the life of a panel by preventing the deterioration of a protective film only on one side main electrode due to an ion impact at an address time related to a PDP covering a pair of main electrodes with the protective film.例文帳に追加
一対の主電極を保護膜で覆ったPDPに関し、アドレス時のイオン衝撃による一方の主電極上のみの保護膜の劣化を防止し、これによりパネルの長寿命化を図る。 - 特許庁
The single crystal Si substrate 10 and a quartz substrate 20 having carbon concentration of 100 ppm or above are stuck and an external impact is applied to the vicinity of the ion implantation damage layer 11 thus exfoliating an Si crystal film along the hydrogen ion implantation interface 12 of the single crystal Si substrate 10 in the substrates stuck together.例文帳に追加
この単結晶Si基板10と炭素濃度100ppm以上を含有する石英基板20を貼り合わせ、イオン注入ダメージ層11近傍に外部衝撃を付与することで、貼り合せ基板の単結晶Si基板10の水素イオン注入界面12に沿ってSi結晶膜を剥離する。 - 特許庁
Further, an external impact is applied onto a bonding interface, the SiGe epitaxial film is separated along a hydrogen ion implantation interface 13 to obtain an SiGe thin film 14, and further a surface of the SiGe thin film 14 is subjected to final surface treatment (CMP polishing, or the like) to remove damage caused by hydrogen ion implantation.例文帳に追加
更に、貼り合わせ界面に外部衝撃を加え、水素イオン注入界面13に沿ってSiGeエピタキシャル膜の剥離を行ってSiGe薄膜14を得、さらにこのSiGe薄膜14の表面に最終表面処理(CMP研磨等)を施して水素イオン注入起因のダメージを除去する。 - 特許庁
To provide a porous separator contributing to a secondary battery having high output, heat resistance, and impact resistance, to provide a lithium ion secondary battery using the porous separator, and to provide a method of manufacturing the porous separator formed by applying.例文帳に追加
高出力を維持し、耐熱性、及び耐衝撃性に優れた二次電池に資する多孔質セパレーター、それを用いたリチウムイオン二次電池および及び塗布による多孔質セパレーターの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming a protective film capable of preventing a structural change during the formation of a protective film when precise cross section information in proximity of the surface of a liquid permeable material or a material susceptible to heat and ion impact is obtained by FIB.例文帳に追加
FIBによって液体浸透性材料、熱、イオン衝撃に弱い材料の表面近傍の正確な断面情報を得る時に保護膜形成時に構造変化を発生しない保護膜形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a high withstanding voltage transistor wherein the current caused by impact ion is reduced by suppressing generation of hot carrier, punch through is also reduced, and a stable threshold value is provided, resulting in providing a sufficient breakdown voltage with low on-resistance.例文帳に追加
ホットキャリアの生成を可及的に抑制してインパクトイオンによる電流を減少させ、パンチスルーが少なく安定した閾値を得ることができ、オン抵抗の低い十分な耐圧を得ることを可能とする高耐圧トランジスタを実現する。 - 特許庁
Impact force is given to the bonded substrate, and a silicon thin film is separated from a bulk section 13 of a single crystal Si along the hydrogen ion implantation layer 11, thus obtaining the SOI substrate having the SOI layer 12 on the crystal substrate 20.例文帳に追加
そして、貼り合わされた基板に衝撃力を付与し、水素イオン注入層11に沿ってシリコン薄膜を単結晶Siのバルク部13から剥離し、石英基板20上にSOI層12を有するSOI基板を得る。 - 特許庁
To provide a reflection mirror having a mirror substrate which can maintain high transmittance for IR rays for a long time even when a high intensity lamp is used, which has excellent impact strength and flexural strength and which can be reinforced by ion exchange.例文帳に追加
高輝度ランプを使用しても、長時間に亘って高い赤外線透過率を維持することができ、優れた衝撃強度と曲げ強度を有し、イオン交換によって強化することが可能な鏡基材を備えた反射鏡を提供する。 - 特許庁
The superconducting state is broken and permanent conducting state appears in the area (hot spot) where density is high in the state of excited phonon, locally excited electron by ion impact or electron generated via local temperature rise.例文帳に追加
イオン衝撃により局所的に励起されるフォノン、電子または局所的温度上昇を介して生成される電子励起状態の密度が高い領域(ホットスポット)においては、超伝導状態が壊れて常伝導状態が出現する。 - 特許庁
Although the factories, which produce materials and parts, were damaged by this earthquake disaster, they are recommencing production one after another. It is expected that there is no significant impact on production of electronics products such as thin-screen TV, cell-phone, smart phone, and lithium ion battery.例文帳に追加
本震災により材料・部品を生産している企業の工場が被害を受けたものの、順次生産を再開しつつあり、薄型テレビ、携帯電話、スマートフォン、リチウムイオン電池等のエレクトロニクス製品の生産には大きな影響はない見込みである。 - 経済産業省
Thus, almost all electrons can be collected in the electron collection electrode L3, and X-ray photo-electronic current and electron impact desorption ion current, which are main noise current in a conventional ionization vacuum gauge, can be prevented from occurring.例文帳に追加
これにより、ほとんど全部の電子を電子収集電極L3に収集することが可能となり、従来の電離真空計において主要な雑音電流であったX線光電子電流や電子衝撃脱離イオン電流などの発生を避けることができる。 - 特許庁
In a means of improving the ion-impact secondary electron emission characteristic, the work function, crystallinity and the surface shape are improved, and the secondary electron emission ratio is enhanced by adding a material having small band gap (NiO, ZnO, Eu_2O_3, SnO_2 or CaO) to MgO.例文帳に追加
イオン衝撃二次電子放出特性を改善する手段としては、MgOにバンドギャップの小さい材料(NiO、ZnO、Eu_2O_3、SnO_2、又はCaO)を添加することで、仕事関数や結晶性および表面形状を改善させ、二次電子放出比の向上を図る。 - 特許庁
To provide a method for generating negative ions by stimulating a substance having spontaneous polarization by using the impact of the falling of water supplied into a bathtub or a beverage container to urge spontaneous polarizing, and a negative ion generation apparatus using this method.例文帳に追加
本発明は、、浴槽又は飲料用容器内へ供給される水の落下による衝撃を利用し、この衝撃によって自発分極を有する物質に刺激を与えて自発分極を促してマイナスイオンを発生させる方法およびマイナスイオン発生装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁
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