l Trとは 意味・読み方・使い方

Transistors(TR) MP1 and MP2 supply currents I0 to nodes K and L respectively, and TRs MN10 and MN11 draw mutually equal currents out of the nodes K and L respectively.例文帳に追加

トランジスタＭＰ１，ＭＰ２はそれぞれノードＫ，Ｌに電流Ｉ_0を供給し、トランジスタＭＮ１０，ＭＮ１１はそれぞれノードＫ，Ｌから互いに等しい電流を引き抜く。 - 特許庁

In this case, a sense MOS TR 18 is subjected to OFF control at the same time, a level of a drain of the sense MOS TR 18 is pulled up, an output of a 2-input NAND circuit 11 goes to an 'L' level to apply ON control to an output MOS TR 5.例文帳に追加

このときセンスＭＯＳトランジスタ１８も同時にＯＦＦ制御され、センスＭＯＳトランジスタ１８のドレインの電位はプルアップされ、２入力ＮＡＮＤ回路１１の出力は“Ｌ”レベルになり、出力ＭＯＳトランジスタ５はＯＮ制御される。 - 特許庁

Then, comparing Tr with a threshold value L which is an allowable value determined for respective shafts beforehand, if Tr>L is satisfied for any of the shafts, it is determined that an abnormality occurs and an alarm or a warning is issued so that an action for protecting an objective component is executed by the robot.例文帳に追加

次にＴrを予め各軸に決定しておいた許容値である閾値Ｌと比較し、１軸でもＴr ＞ Ｌとなった場合には異常が生じたと判断し、アラーム又はワーニングを発生させ、対象部品を保護する動作をロボットに行わせる。 - 特許庁

When an input node A is 'L' in a standby state, Trs Qn1, Qp1 of high threshold voltage are connected to Tr Q2, Q3, Q6, Q8 which are cut off.例文帳に追加

スタンバイ状態で入力ノードＡが“Ｌ”のとき、カットオフするＴｒＱ２，Ｑ３，Ｑ６，Ｑ８に高閾値電圧のＴｒＱｎ１，Ｑｐ１を接続する。 - 特許庁

When the disk lid is opened, a detecting switch 4 turns off, thereby impressing an L level through a diode D1 and a resistor R2 to the base of a TR 11 and the TR 11 goes off.例文帳に追加

ディスク蓋が開けられると、検出スイッチ４がオフ状態となることによって、Ｌレベルが、ダイオードＤ_1および抵抗Ｒ_2を介して、トランジスタ１１のベースに印加され、トランジスタ１１はオフ状態となる。 - 特許庁

That is, the matching circuit is realized, where the fluctuations in the electric characteristic of the TR due to the fluctuations in the MIM insulation film thickness L around the TR caused by manufacturing tolerance are automatically absorbed.例文帳に追加

すなわち、製造上のバラツキから生じるトランジスタ周囲のＭＩＭ絶縁膜厚Ｌの変動によるトランジスタの電気特性変動を自動的に吸収する整合回路を実現することができる。 - 特許庁

An MIM capacitor C1 having inverse fluctuations to those of the MIM insulation film thickness L is inserted to input of the TR to combine the capacitor C1 with an input capacitor of the TR so as to automatically absorb the fluctuations in the MIM insulation film thickness L.例文帳に追加

ＭＩＭ絶縁膜厚Ｌの変動に対して逆の変動を示すＭＩＭ容量Ｃ１をトランジスタの入力側に挿入しトランジスタの入力容量と組み合わせることにより、ＭＩＭ絶縁膜厚Ｌの変動を自動的に吸収することができる。 - 特許庁

The VFO 12 oscillates an ultrasonic frequency by using a coil L and a transistor(TR) Q5 driven by an oscillation drive circuit 14.例文帳に追加

ＶＦＯ１２は発振駆動回路１４により駆動されるトランジスタＱ５及びコイルＬによって超可聴周波数発振を行なう。 - 特許庁