magnetization stateとは 意味・読み方・使い方

To obtain a magnetization measuring apparatus by which the profile such as the skew angle or the like of a magnetization state can be measured in a short time and precisely.例文帳に追加

短時間で正確にスキュー角度などの着磁状態のプロファイルを測定することを可能にする。 - 特許庁

The semiconductor device has wiring DL and another wiring BL, through which the magnetization state of the magnetization free layer MFL can be varied.例文帳に追加

磁化自由層ＭＦＬの磁化状態を変化させることが可能な配線ＤＬと配線ＢＬとを備えている。 - 特許庁

To provide a technology for controlling magnetization state of a magnetic material.例文帳に追加

磁性体の磁化状態を制御することのできる技術を提供する。 - 特許庁

A reproducing magnetic layer 1 at least shows an in-plane magnetization state at room temp. and transits into a perpendicular magnetization state at a temperature equal to or higher than the critical temperature.例文帳に追加

再生磁性層１は、少なくとも、室温において面内磁化状態であり臨界温度以上の温度で垂直磁化状態に移行する。 - 特許庁

The magnetic storage device comprises a free magnetic body having a magnetization state varying according to data to store, a magnetization fixed magnetic body provided next to the free magnetic body and having a fixed magnetization direction and a read part for estimating the magnetization state of the free magnetic body.例文帳に追加

磁気記憶装置は、記憶するデータにより磁化状態が変化するフリー磁性体と、フリー磁性体に隣接して設けられ、磁化方向が固定された磁化固定磁性体と、フリー磁性体の磁化状態を評価する読み出し部とを具備している。 - 特許庁

The step of forming the magnetization fixed layer 22 forms the magnetization fixed layer 22 in the state that the temperature of the substrate 1 is made into 0°C or higher.例文帳に追加

磁化固定層２２を形成する工程は、基板１の温度を０℃以上とした状態で磁化固定層２２を形成する。 - 特許庁

To easily and reliably initialize a magnetization state of a domain wall displacement element.例文帳に追加

磁壁移動素子の磁化状態の初期化を、簡易に且つ確実に実施すること。 - 特許庁

The magnetoresistive element has such a structure as a tunnel insulation layer is sandwiched by a free magnetization layer and a fixed magnetization layer, has a resistance which changes between a low resistance state and a high resistance state depending on the magnetization direction of the free magnetization layer, and has a planar shape elongated in a first direction.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、トンネル絶縁層を自由磁化層と固定磁化層とで挟んだ構造を有し、自由磁化層の磁化方向によって低抵抗状態と高抵抗状態との間で抵抗が変化し、第１の方向に長い平面形状を有する。 - 特許庁