DE2348254B2

DE2348254B2 - Use of a circuit arrangement with an increased ratio of conduction conductance to blocking conductance in comparison to pn diodes in a telephone switching system

Info

Publication number: DE2348254B2
Application number: DE2348254A
Authority: DE
Inventors: Werner Dipl.-Ing. 8000 Muenchen Hoehne
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1973-09-25
Filing date: 1973-09-25
Publication date: 1979-01-11
Also published as: DE2348254C3; DE2348254A1; BE820320A

Description

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Die Erfindung eignet sich insbesondere als Ersatz für eine großflächige und damit im Durchlaßbereich besonders niederohmige Diode. Sie wurde insbesondere für die Stromeinspeisung in einen Verbindungsweg eines Fernsprech-Vermittlungssystems entwickelt.The invention is particularly suitable as a replacement for a large-area and therefore particularly low-resistance diode in the pass band. She became particular Developed for feeding power into a connection path of a telephone switching system.

Seit langem sind Dioden bekannt, welche aus einer p-Schicht und einer /j-Schicht bestehen. Solche Dioden können in verschiedener Weise betrieben werden, nämlich als Stromventile oder z. B. auch als Zenerdioden. Im folgenden wird die als Stromventil verwendete Diode betrachtet, d.h. also als eine Diode, die für Gleichströme einer ersten Polarität undurchlässig ist, aber bei geringem Spannungsabfall für Gleichströme der entgegengesetzten, zweiten Polarität durchlässig ist.Diodes which consist of a p-layer and a / j-layer have been known for a long time. Such diodes can be operated in different ways, namely as flow control valves or z. B. also as Zener diodes. In the following, the is used as a flow valve Considered a diode, i.e. as a diode that is impermeable to direct currents of a first polarity, but with a low voltage drop it is permeable to direct currents of the opposite, second polarity.

Es ist ebenfalls seit langem bekannt, solche Stomven- wi tile besonders großflächig auszubilden, damit sie im Durchlaßbereich besonders niederohmig sind, wodurch insbesondere die Verluste eines solchen Stromventils im Durchlaßbereich entsprechend gering sind.It has also been known for a long time that such stomvenwi tile to be formed over a particularly large area so that they are particularly low-resistance in the pass band, which means in particular, the losses of such a flow control valve in the passage area are correspondingly low.

Ein Nachteil dieser großflächigen Stromventile ist jedoch einerseits der große Flächenbedarf für ihre Sperrschicht, was ihre Verwendung in einem monolithischen Baustein nahezu unmöglich macht. DarüberHowever, a disadvantage of these large-area flow control valves is, on the one hand, the large area required for their Barrier layer, which makes its use in a monolithic building block almost impossible. About that hinaus ist die Sperrkapazität großflächiger Stromventile unangenehm groß, so daß der Wechselstromwiderstand solcher Stromventile in ihrem Sperrbereich oft störend gering ist Mit der Fläche wächst unangenehmerweise auch der ohmsche Leitwert im Sperrbereich, d. h. je kleiner der Widerstand im Durchlaßbereich ist, umso kleiner ist der Widerstand im Sperrbereich.in addition, the blocking capacity of large-area flow control valves is uncomfortably large, so that the alternating current resistance Such flow control valves are often disturbingly small in their blocking area. The area grows unpleasantly also the ohmic conductance in the blocking range, d. H. the smaller the resistance in the pass band, the more so the resistance in the blocking area is smaller.

In »SCR Manuel General Electric«, 5. Aufl. 1972, Seiten 7,91 und 92, insbesondere Fig. 4.20 und Fig. 4.21 a sind Schaltungsanordnungen mit der Eigenschaft eines im Durchlaßbereich besonders niederohmigen Stromventils angegeben, das für Gleichströme der ersten Polarität undurchlässig ist, aber für Gleichströme der entgegengesetzten, zweiten Polarität verlustarm durchlässig ist Dabei überbrückt eine Diode die Strecke zwischen einer Hauptelektrode eines Thyristors und jener Basis dieses Thyristors, die der anderen Hauptelektrode des Thyristors benachbart ist wobei der Leitungstyp jener Schicht der Diode, die mit der Hauptelektrode des Thyristors verbunden ist, gleich ist dem Leitungstyp dieser Hauptelektrode. Hier handelt es sich um Schaltungsanordnungen zur Gleichrichtung von Wechselströmen, so daß der Wechselstromantei! der einen Polarität jeweils durchgelassen wird, hingegen der Wechselstromanteil der anderen Polarität gesperrt wird. Eine Übertragung eines solchen dem Gleichstrom überlagerten Wechselstromes, der über dieses Stromventil zu übertragenden Informationen entspricht, ist hier nicht vorgesehen. Stattdessen handelt es sich hier nur um ein Stromventil, das Gleichstrom aus Wechselströmen erzeugtIn "SCR Manuel General Electric", 5th edition 1972, Pages 7, 91 and 92, in particular Fig. 4.20 and Fig. 4.21 a circuit arrangements are specified with the property of a particularly low-resistance flow valve in the pass band, the one for direct currents of the first Polarity is impermeable, but is permeable to direct currents of the opposite, second polarity with little loss. A diode bridges the path between a main electrode of a thyristor and that base of this thyristor which is adjacent to the other main electrode of the thyristor, the The conductivity type of that layer of the diode which is connected to the main electrode of the thyristor is the same the conductivity type of this main electrode. These are circuit arrangements for rectifying Alternating currents, so that the alternating current! the one polarity is allowed to pass, while the alternating current component of the other polarity is blocked will. A transmission of such an alternating current superimposed on the direct current, which corresponds to information to be transmitted via this flow valve, is not provided here. Instead, this is just a flow valve that generates direct current from alternating currents

In der US-PS 35 17 280 ist ein in integrierter Technik hergestellter, auf einem monolithischen Block untergebrachter Thyristor gezeigt welcher jedoch nicht mit einer Diode in der Weise überbrückt ist, wie es in der Druckschrift »SCR-Manual General Electric« angegeben istIn US-PS 35 17 280 is an integrated technology manufactured thyristor placed on a monolithic block is shown which, however, does not include a diode is bridged in the way, as it is indicated in the publication "SCR-Manual General Electric"

Bei der Erfindung sollen die einem Gleichstrom überlagerten Wechselströme eines Fernsprech-Vermittlungssystems möglichst niederohmig über ein einer Zweischichtdiode entsprechendes S'romventil geleitet werden können, wobei jedoch das Verhältnis von Durchlaßleitwert zu Sperrleitweri der Schaltungsanordnung besser sein soll als bei einer gewöhnlichen Zweischichtdiode, so daß über die Schaltungsanordnung fließende Informationsströme im sperrenden Zustand der Schaltungsanordnung besonders geringe Verluste aufweisen und über die Schaltungsanordnung liegende Informationsspannungen im sperrenden Zustand möglichst kleine entsprechende Ströme durch die Schaltungsanordnung auslösen.In the invention, the alternating currents superimposed on a direct current of a telephone switching system should be as low-resistance as possible via a one Two-layer diode corresponding flow valve can be passed, but the ratio of The transmission conductance to the blocking conductance of the circuit arrangement should be better than that of an ordinary one Two-layer diode, so that information flows flowing through the circuit arrangement in the blocking state the circuit arrangement have particularly low losses and overlying the circuit arrangement Information voltages in the blocking state trigger the smallest possible corresponding currents through the circuit arrangement.

Die Erfindung geht von der unten näher erläuterten Erkenntnis aus, daß die Diode in der in »SCR Manual...« angegebenen, aus einer — nach dem »SCR Manual...« zum Triggern dienenden — Diode und einem Thyristor aufgebauten Schaltungsanordnung ein kleineres Verhältnis von Durchlaßleitwert zu Sperrleitwert aufweist als die Schaltungsanordnung selbst Diese Schaltungsanordnung hat also ein ungewöhnlich großes Verhältnis zwischen Durchlaßleitwert zu Sperrleitwert so daß dieses Verhältnis nicht durch eine einzelne pn-Diode verwirklicht werden kann. Bei der Erfindung dient also diese Diode nicht nur zum Triggern der Schaltungsanordnung, sondern als Teil eines Stromventils, über das, falls es durch Gleichstrom in den leitenden Zustand gesteuert ist, Informationen entsprechende Wechselströme, also z. B. Sprechströme, niederohmig geleitet werden können. Stromventile dieser Art sind fürThe invention is based on the knowledge explained in more detail below that the diode in the »SCR Manual ... ", from a - according to the" SCR Manual ... "used for triggering - diode and A thyristor constructed circuit arrangement has a smaller ratio of conduction conductance to blocking conductance than the circuit arrangement itself The circuit arrangement therefore has an unusually large ratio between the conduction conductance and blocking conductance so that this relationship cannot be achieved by a single pn diode. In the invention So this diode not only serves to trigger the circuit arrangement, but also as part of a current valve, via which, if there is a direct current in the conductive State is controlled, information corresponding alternating currents, so z. B. Speech currents, low resistance can be directed. Flow valves of this type are for

sich ζ. B. durch die Druckschriften Proc, IEE (Nov, I960) Part B Suppl. 20, S. 297, Fig. 12 und DE-OS 20 64 117 bekannt. Dies ist vor allem bei in integrierter Technik hergestellten Stromventilen der Fernsprech-Vermittlungstechnik wichtig, da dort nicht der Platz zur Verfügung steht, eine einzelne extrem großflächige Diode anzubringen, wenn man an sich ein im Durchlaßzustand besonders niederohmiges Stromventil braucht.yourself ζ. B. by the documents Proc, IEE (Nov, I960) Part B Suppl. 20, p. 297, Fig. 12 and DE-OS 20 64 117 known. This is especially the case with integrated technology manufactured flow valves of the telephone switching technology important, since there is not enough space for Is available to attach a single extremely large-area diode if you have an im On state particularly low-resistance flow valve needs.

Die Erfindung betrifft also die Anwendung einer iu Schaltungsanordnung mit im Vergleich zu pn-Dioden erhöhtem Verhältnis von Durchlaßleitwert zu Sperrleitwert, bei der eine Diode die Strecke zwischen einer Hauptelektrode eines Thyristors und jener Basis dieses Thyristors überbrückt, die der anderen Hauptelektrode des Thyristors benachbart ist, wobei der Leitungstyp jener Schicht der Diode, die mit der Hauptelektrode des Thyristors verbunden ist, gleich ist dem Leitungstyp dieser Hauptelektrode. Diese Anwendung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungsanordnung in Form eines in einem monolithischen Baustein integrierten Zweipols in einem Femsprech-Vermittlungssystem als Stromvcnlii für einen Gleichstrom angewendet ist, dem zumindest zeitweise ein über das Strtnnventil zu übertragenden Informationen entsprechende- Wechselstrom überlagert istThe invention thus relates to the use of an iu Circuit arrangement with an increased ratio of conduction conductance to blocking conductance compared to pn diodes, in which a diode is the distance between a main electrode of a thyristor and that base of this Bridged thyristor that is adjacent to the other main electrode of the thyristor, the conductivity type that layer of the diode which is connected to the main electrode of the thyristor is the same as the conductivity type this main electrode. This application is characterized in that the circuit arrangement in the form a two-terminal network integrated in a monolithic module in a telephony switching system as Stromvcnlii is used for a direct current to which at least temporarily a via the Strtnnventil transmitting information corresponding- alternating current is superimposed

Die Erfindung bzw. ihre Weiterbildungen werden anhand der in den Fig. 1 bis 3 gezeigten Ausführungsbeispiele erläutert, wobei F i g. 1 das Prinzip des Ersatzes einer großflächigen Diode durch eine Schaltungsanordnung der nach der Erfindung angewendeten Art erläutert, sowie Fig. 2 ein Ausführungsbeispiel der Schaltungsanordnung in integrierter Technik und F i g. 3 die Anwendung der Schaltungsanordnung, die in den Verbindungsweg eines Fernsprech-Vermittlungssy- J5 stems eingefügt ist, zeigen.The invention and its developments are explained using the exemplary embodiments shown in FIGS. 1 to 3, FIG. 1 the principle of Replacement of a large-area diode by a circuit arrangement of the type used according to the invention Art explained, and FIG. 2 shows an embodiment of the Circuit arrangement in integrated technology and FIG. 3 the application of the circuit arrangement shown in Connection path of a telephone switching system J5 stems is inserted, show.

Die in F i g. 1 gezeigte, bekannte großflächige Diode De hat in ihrem Durchlaßbereich einen besonders geringen Eigenwiderstand. Sie entspricht der in F i g. 1 weiter gezeigten Schaltungsanordnung T/D. Die Anschlußklemmen Ai, Ki der bekannten großflächigen Diode entsprechen daher den Anschlußklemmen A 2, K 2 der Schaltungsanordnung. Bei letzterer ist erfindungsgemäß die />Schicht der kleinflächigen Diode D mit der η-Basis des pnpn-Thyristors Tuber die Leitung -n L 2 verbunden. Ferner ist die η-Schicht der Diode D mit der η-Kathode des Thyristors T über die Leitung L 1 verbunden.The in F i g. 1, known large-area diode De has a particularly low intrinsic resistance in its transmission range. It corresponds to that in FIG. 1 further shown circuit arrangement T / D. The terminals Ai, Ki of the known large-area diode therefore correspond to the terminals A 2, K 2 of the circuit arrangement. In the latter, according to the invention, the /> layer of the small-area diode D is connected to the η base of the pnpn thyristor T via the line -n L 2. Furthermore, the η-layer of the diode D is connected to the η-cathode of the thyristor T via the line L 1.

Wenn die erfindungsgemäß angewendete Schaltungsanordnung von ihrem undurchlässigen in ihren durchlas- >n sigen Zustand gesteuert wird, dann wird an die Anschlußklemme A 2 ein gegenüber der Anschlußklemme K 2 positives Potential angelegt. Hierdurch fließt ein Strom der zweiten Polarität über die p-Anode des Thyristors Tund der dazu benachbarten n-Basis dieses Thyristors, über die Leitung L 2, über die Diode D und über die Leitung L i zur Anschlußklemme K 2. Dieser Strom steuert sowohl die Diode D als auch den pn-Übergang zwischen der p-Anode und der benachbarten /7-Basis des Thyristors Tin den durchlässigen <■<■ Zustand. Durch diesen über die Diode D fließenden Strom wird nun der Thyristor Tin seinen durchlässigen Zustand gesteuert, so daß dann die Strecke zwischen der Kathode und der n-Basis dieses Thyristors Tdie Diode D niederohmig überbrückt. Da der Eigenwiderstand des Thyristors T im Durchlaßbereich dieses Thyristors erheblich kleiner ?'s der Eigenwiderstand der in den Durchlaßbereich gesteuerten Diode D ist — selbst wenn die Diode Detwa eine gleich große pn-Übergangsfläche wie die entsprechenden pn-Übergangsflächen des Thyristors T aufweist —, ist der Eigenwiderstand der Schaltungsanordnung bei Belastung mit Strömer, der zweiten Polarität erheblich kleiner als der Eigenwiderstand der Diode De, wenn deren pn-Übergangsfläche etwa gleich groß wie die für die gesamte Schaltungsanordnung T/D benötigte Fläche wäre. Falls also die erfindungsgemäß angewendete Schaltungsanordnung in ihrem niederohmigen Zustand den gleichen Widerstand wie die gewöhnliche Diode De hat, dann muß diese Diode De eine sehr viel größere pn-Fläche als die Schaltungsanordnung aufweisen. Die erfindungsgemäß angewendete Schaltungsanordnung ist daher im Durchlaßbereich besonders niederohmig im Vergleich zu einer großen, gewöhnlichen Diode D, wenn sie mit Gleichströmen der zweiten Polarität belastet werden.If the circuit arrangement used according to the invention is controlled from its impermeable to its permeable state, then a potential which is positive with respect to the terminal K 2 is applied to the terminal A 2. As a result, a current of the second polarity flows through the p-anode of the thyristor T and the adjacent n-base of this thyristor, through the line L 2, through the diode D and through the line L i to the terminal K 2. This current controls both the Diode D and the pn junction between the p-anode and the adjacent / 7-base of the thyristor Tin the permeable <■ <■ state. By this current flowing through the diode D , the thyristor Tin is now controlled in its permeable state, so that then the path between the cathode and the n-base of this thyristor T, the diode D is bridged with low resistance. Since the intrinsic resistance of the thyristor T in the pass band of this thyristor is considerably smaller? 'S the intrinsic resistance of the diode D controlled in the pass band - even if the diode Detwa has a pn junction area of the same size as the corresponding pn junction areas of the thyristor T - is the intrinsic resistance of the circuit arrangement when loaded with currents, the second polarity is considerably smaller than the intrinsic resistance of the diode De if its pn junction area were approximately the same as the area required for the entire circuit arrangement T / D. If the circuit arrangement used according to the invention has the same resistance as the conventional diode De in its low-resistance state, then this diode De must have a very much larger pn area than the circuit arrangement. The circuit arrangement used according to the invention is therefore particularly low-resistance in the pass band compared to a large, ordinary diode D when it is loaded with direct currents of the second polarity.

Bei Belastung der erfindungsgemäß angewendeten Schaltungsanordnung mit Strömen der ersten Polarität wird sowohl der Thyristor T als auch die Diode D in ihren undurchlässigen Zustand gesteuert, weswegen die Schaltungsanordnung die Eigenschaft eines Stromventils aufweist, das im DurchlaßbereHi für Gleichströme der zweiten Polarität besonders niederohmig, das aber für Gleichströme der ersten Polarität undurchlässig ist. Darüber hinaus ist der Flächenbedarf der Schaltungsanordnung sehr viel geringer als der Flächenbedarf für die Diode De wäre, wenn die Diode De im Durchlaßbereich im gleichen Maße niederohmig und daher entsprechend großflächig sein würde. Ferner weist die Schaltungsanordnung wegen ihres geringen Flächenbedarfes — insbesondere des Flächenbedarfs für ihre pn-Übergänge — vorteilhafterweise auch einen sehr hohen ohmschen Sperrwiderstand sowie eine sehr geringe Sperrkapazität im Vergleich zur großflächigen, in ihrem durchlässigen Zustand den gleichen Widerstand aufweisenden Diode De auf, weswegen die Schaltungsanordnung trotz ihrer Niederohmigkeit im Durchlaßbereich auch vergleichsweise einen hohen Wechselstromeigenwiderstand und einen hohen ohmschen Sperrwiderstand im sperrenden Zustand aufweist.When the circuit arrangement used according to the invention is loaded with currents of the first polarity, both the thyristor T and the diode D are controlled in their impermeable state, which is why the circuit arrangement has the property of a flow valve that has a particularly low resistance in the pass range for direct currents of the second polarity, but that for Direct currents of the first polarity is impermeable. In addition, the area requirement of the circuit arrangement is very much less than the area requirement for the diode De would be if the diode De were to be of the same low resistance in the pass band and therefore had a correspondingly large area. Furthermore, because of its small area requirement - in particular the area required for its pn junctions - the circuit arrangement advantageously also has a very high ohmic blocking resistance and a very low blocking capacitance compared to the large-area diode De, which has the same resistance in its permeable state, which is why the circuit arrangement despite its low resistance in the pass band, it also has a comparatively high intrinsic alternating current resistance and a high ohmic blocking resistance in the blocking state.

Bei einem Ausführungsbeispie! zeigte sich, daß der Eigenwiderstand des Thyristors T im Durchlaßbereich ca. 1 Ohm, hingegen der Eigenwiderstand der Diode D im Durchlaßbereich ca. 100 Ohm beträgt, wenn beide etwa die gleiche Fläche ihrer pn-Übergänge aufweisen, so daß der Eigenwiderstand der erfindu/igsgemäß angewendeten Schaltungsanordnung im Durchlaßbereich ca. 1 Ohm beträgt. Die bekannte Diode De müßte also bei diesem Beispiel eine ca. einhundertfach größere Fläche aufweisen als die Fläche der Diode D in der Schaltungsanordnung T/D. Der Sperrwiderstand wird hier besonders durch den pn-Übergang zwischen der p-Anode und der n-Basis bestimmt. Grundsätzlich kann jedoch auch die p-Schicht einer kleinflächigen Diode mit der p-Anode des Thyristors und die η-Schicht der Diode mit der p-Pasis des Thyristors verbünden werden. Dann wird die Diode D in ihrem durchlässigen Zustand niederohmig von der Strecke zwischen der p-Anode und p-Basis des Thyristors überbrückt.In an exemplary embodiment! it was found that the intrinsic resistance of the thyristor T in the pass band is approx. 1 ohm, whereas the intrinsic resistance of the diode D in the pass band is approx applied circuitry in the pass band is approx. 1 ohm. In this example, the known diode De should therefore have an area approximately one hundred times larger than the area of the diode D in the circuit arrangement T / D. The blocking resistance is particularly determined by the pn junction between the p-anode and the n-base. In principle, however, the p-layer of a diode with a small area can also be connected to the p-anode of the thyristor and the η-layer of the diode to the p-base of the thyristor. Then the diode D in its conductive state is bridged with low resistance by the path between the p-anode and p-base of the thyristor.

In einer Weiterbildung der erfindungsgemäßen Anwendung ist bei den Anschlußklemmen A 2, K 2 jeweils eine Stromquelle Q gleicher Polarität angebracht, vergleiche Fig.3. Diese Weiterbildung eignet sich besonders zur Verwendung in einem Verbindungsweg eines Fernsprech-Vermittlungssystems, indem man dort die Schaltungsanordnung mit den beiden Stromquellen in Längsrichtung in den VerbindungswegIn a further development of the application according to the invention, a current source Q of the same polarity is attached to each of the connection terminals A 2, K 2 , see FIG. 3. This further development is particularly suitable for use in a connection path of a telephone switching system, in that the circuit arrangement with the two power sources is inserted into the connection path in the longitudinal direction

einfügt. Die beiden Stromquellen Q dienen dann in an sich bekannter Weise zur Einspeisung des Gleichstroms in den Verbindungsweg, vergleiche Proc. IEE 107 (Nov. I960) Part Π Suppl. 20, Seite 297, Figur 12 »Supervisory Link« und die DE-OS 20 64 117. Die erfindungsgemäße Weiterbildung bewirkt wegen des besonders geringen Eigenwiderstandes der Diodensrlialtung T/D in deren Durchlaßbereich besonders geringe Verluste des eingespeisten Gleichstromes und des zumindest zeitweise darüber fließenden Sprechwcchselstromes. Dieser geringe Längs-Eigenwiderstand der Weiterbildung kommt insbesondere dann gut zur Geltung, wenn gleichzeitig der Wechselstromwiderstand der beiden Stromquellen Q möglk'st groß ist, damit auch in Querrichtung die durch diese Weiterbildung verursachten Verluste an Wechselstromenergie gering sind. Hierzu kann man die beiden Stromquellen Q z. B. als leitende, in ihren Sättigungsbereich gesteuerte Transistoren ausbilden, vergleiche wieder die DE-OS 20 M 117.inserts. The two current sources Q then serve in a manner known per se to feed the direct current into the connection path, compare Proc. IEE 107 (Nov. 1960) Part Π Suppl. 20, page 297, Figure 12 "Supervisory Link" and DE-OS 20 64 117. The further development according to the invention has particularly low effects because of the particularly low inherent resistance of the diode wire T / D in its transmission range Losses of the direct current fed in and of the alternating speech current flowing over it at least temporarily. This low internal series resistance of the development is particularly effective when the alternating current resistance of the two current sources Q is as great as possible at the same time, so that the losses of alternating current energy caused by this development are also low in the transverse direction. For this purpose, the two power sources Q z. B. train them as conductive transistors controlled in their saturation range, compare DE-OS 20 M 117 again.

In Fig. 2 ist eine in integrierter Technik hergestellte Schaltungsanordnung gezeigt, welche in einem monolithischen Baustein B, dessen geerdete oder an die Gleichspannung E gelegte Trägerplatte p-dotiert ist, untergebracht ist. Die Diode D und der Thyristor 7~sind über die Leitungen L 1, L 2 miteinander in der in F i g. I angegebenen Weise verbunden. Die Leitungen L 1, L 2 und auch die Anschlüsse K 2, A 2 sind jeweils nur schematisch angedeutet, um die Übersichtlichkeit der F i g. 2 zu verbessern. Durch die Herstellung der Schaltungsanordnung in integrierter Technik wirkt sich insbesondere der geringe Platzbedarf vorteilhaft aus.FIG. 2 shows a circuit arrangement produced using integrated technology, which is accommodated in a monolithic component B, the carrier plate of which is earthed or connected to the direct voltage E is p-doped. The diode D and the thyristor 7 ~ are connected to one another via the lines L 1, L 2 in the manner shown in FIG. I connected specified way. The lines L 1, L 2 and also the connections K 2, A 2 are only indicated schematically in order to make the FIG. 2 to improve. By producing the circuit arrangement using integrated technology, the small space requirement in particular has an advantageous effect.

Oft ist es vorteilhaft, wenn die Schaltungsanordnung besonders rasch von ihrem einen Zustand in ihren anderen Zustand umschaltbar ist. Dies kann insbesondere dadurch leicht erreicht werden, daß hierzu ein geeignetes Dotiermaterial, z. B. Goldatome, in sämtliche p- und n-Schichten des Thyristors T und der Diode D eir.diffundiert, wodurch die Umschaltgeschwindigkeit dieser Bauelemente und damit die Umschaltgeschwindigkeit der Schaltungsanordnung erhöht wird. Dadurch wird insbesondere erreicht, daß der besonders niederohmige Zustand der Schaltungsanordnung bereits sehr rasch nach Beginn der Belastung mit einem Gleichstrom der zweiten Polarität auftritt und daß der hochohmige Zustand dieser Schaltungsanordnung sehr rasch nach Beginn der Belastung mit einem Strom der ersten Polarität auftritt.It is often advantageous if the circuit arrangement can be switched particularly quickly from its one state to its other state. This can be easily achieved in particular that this is a suitable doping material, for. B. gold atoms, in all p- and n- layers of the thyristor T and the diode D eir.diffundiert, whereby the switching speed of these components and thus the switching speed of the circuit arrangement is increased. This achieves in particular that the particularly low-resistance state of the circuit arrangement occurs very quickly after the start of loading with a direct current of the second polarity and that the high-resistance state of this circuit arrangement occurs very quickly after the start of the load with a current of the first polarity.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

Patentansprüche:Patent claims:

\, Anwendung einer Schaltungsanordnung mit im Vergleich zu pn-Dioden erhöhtem Verhältnis von Durchlaßleitwert zu Sperrleitwert, bei der eine -. Diode die Strecke zwischen einer Hauptelektrode eines Thyristors und jener Basis dieses Thyristors Oberbrückt, die der anderen Hauptelektrode des Thyristors benachbart ist, wobei der Leitungstyp jener Schicht der Diode, die mit der Hauptelektrode ι ο des Thyristors verbunden ist, gleich ist dem Leitungstyp dieser Hauptelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungsanordnung in Form eines in einem monolithischen Baustein (B) integrierten Zweipols in einem Fernsprech-Vermittlungssystem als Stromventil für einen solchen Gleichstrom angewendet wird, dem zumindest zeitweise ein über das Stromventil zu übertragenden Informationen entsprechender Wechselstrom überlagert ist \, Application of a circuit arrangement with an increased ratio of conduction conductance to blocking conductance compared to pn diodes, in which a -. Diode bridges the path between a main electrode of a thyristor and that base of this thyristor which is adjacent to the other main electrode of the thyristor, the conductivity type of that layer of the diode which is connected to the main electrode ι ο of the thyristor is the same as the conductivity type of this main electrode, characterized in that the circuit arrangement in the form of a two-pole integrated into a monolithic module (B) is used in a telephone switching system as a flow valve for such a direct current on which an alternating current corresponding to information to be transmitted via the flow valve is superimposed at least at times

Z Anwendung einer Schaltungsanordnung nach Anspruch j, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußklemmen (K 2, A 2) der Schaltungsanordnung jeweils mit einer Stromquelle gleicher Polarität (Q) verbunden sind.Z Use of a circuit arrangement according to claim j, characterized in that the connection terminals (K 2, A 2) of the circuit arrangement are each connected to a current source of the same polarity (Q) .

3. Anwendung einer Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß beide Stromquellen (Q) jeweils einen hohen Wechselstromwiderstand aufweisen.3. Application of a circuit arrangement according to claim 2, characterized in that both current sources (Q) each have a high alternating current resistance.

4. Nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3 angewendete Schaltungsanordnung, dadurch gekennzeichnet, daß die p-Schicht einer kleinflächigen Diode (D) m'l der n-Basis eines pnpn-Thyristors (T) und daß die η-Schicht der Diode (D) mit der η-Kathode dieses an seiner η-Basis gesteuerten Thyristors ^verbunden Ut4. Circuit arrangement applied according to one of claims 1, 2 or 3, characterized in that the p-layer of a small-area diode (D) m'l the n-base of a pnpn thyristor (T) and that the η-layer of the diode (D) with the η cathode this thyristor controlled at its η base ^ connected Ut

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode (D) und/oder der Thyristor (T) mit einem die Umschaltgeschwindigkeit vergrößernden Dotiermaterial, wie z. B. Gold, dotiert ist.5. Circuit arrangement according to claim 4, characterized in that the diode (D) and / or the thyristor (T) with a doping material increasing the switching speed, such as. B. gold, is doped.