JP2515739B2 - Processing method and processing apparatus for display element substrate - Google Patents
Processing method and processing apparatus for display element substrateInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、表示素子用基板の加工方法および加工装置
に関する。The present invention relates to a method and an apparatus for processing a display element substrate.
現在、平面型表示素子として、最も一般的に普及して
いるのは、電界効果形液晶表示素子である。At present, the most popular type of flat display device is a field effect liquid crystal display device.
電界効果形液晶表示素子はツイステッドネマチック形
(TN形)液晶表示素子をその代表例として、種々のもの
が周知である。TN形液晶表示素子の一例を第2図に示
す。この液晶表示素子は、それぞれ透明なガラスなどか
らなる上基板1と下基板2とが所定の間隔、例えば5〜
15μmでほぼ平行に配置され、その周囲は、例えばフリ
ットガラス,あるいは有機接着剤等からなる封着部材3
で封着され、これらによって形成される内部空間に正の
誘導率異方性を有するネマチック液晶4が封入されてい
る。所定の間隔は、封着部材3に混入された例えばファ
イバーガラス,ガラス粉末等のスペーサ5によって得ら
れる。なおスペーサ5を使用せず、封着部材3をスペー
サとして兼用しても良い。Various types of field effect liquid crystal display elements are well known, with a twisted nematic (TN type) liquid crystal display element being a representative example. An example of the TN type liquid crystal display device is shown in FIG. In this liquid crystal display element, an upper substrate 1 and a lower substrate 2 each made of transparent glass or the like have a predetermined interval, for example, 5 to
Sealing members 3 made of, for example, frit glass or an organic adhesive are arranged in parallel with each other at 15 μm.
The nematic liquid crystal 4 having a positive dielectric anisotropy is sealed in the internal space formed by these. The predetermined interval is obtained by the spacer 5 such as fiber glass or glass powder mixed in the sealing member 3. The sealing member 3 may also be used as a spacer without using the spacer 5.
上記上,下基板1,2のそれぞれの内面上に透明導電膜
により所定のパターン状に上電極6,下電極7が形成さ
れ、更に液晶4に接する面には、その面に接する液晶分
子を所望の一定方向に配向させる一定膜厚の液晶配向制
御膜8,9が形成されている。このような配向制御膜8,9
は、上,下電極6,7を有する基板面上に有機高分子薄膜
又は無機物薄膜を被着し、その表面を綿などで一定方向
にこするいわゆるラビング処理により形成される(特公
昭58-23610号公報)。The upper electrode 6 and the lower electrode 7 are formed in a predetermined pattern on the inner surface of each of the upper and lower substrates 1 and 2 by a transparent conductive film, and liquid crystal molecules in contact with the liquid crystal 4 are formed on the surface in contact with the liquid crystal 4. Liquid crystal orientation control films 8 and 9 having a constant film thickness for orienting in a desired constant direction are formed. Such an orientation control film 8,9
Is formed by a so-called rubbing treatment in which an organic polymer thin film or an inorganic thin film is applied on the surface of a substrate having upper and lower electrodes 6 and 7, and the surface is rubbed in a certain direction with cotton or the like (Japanese Patent Publication No. 58- 23610 publication).
上基板1の液晶配向制御膜8による液晶分子の配向方
向には第1の一定方向を、下基板2の液晶配向制御膜9
による液晶分子の配向方向には第2の一定方向をそれぞ
れ選びそれぞれの方向を異ならせることにより、前記
上,下基板1,2間に挟持されたネマチック液晶4の分子
は、その長軸が上,下基板1,2の面にほぼ平行で、かつ
第1の方向から第2の方向に向かって順次ねじれて配向
される。第1の方向と第2の方向とのなす角度すなわち
液晶分子のツイスト角度は任意に選ばれるが、一般には
ほぼ70〜270度が選ばれる。The liquid crystal orientation control film 8 of the upper substrate 1 has a first fixed direction as the orientation direction of the liquid crystal molecules, and the liquid crystal orientation control film 9 of the lower substrate 2 has an orientation.
The second constant direction is selected as the orientation direction of the liquid crystal molecules according to the above, and the respective directions are made different, so that the molecules of the nematic liquid crystal 4 sandwiched between the upper and lower substrates 1 and 2 have their long axes up. , Are substantially parallel to the surfaces of the lower substrates 1 and 2 and are twisted and oriented from the first direction toward the second direction. The angle formed by the first direction and the second direction, that is, the twist angle of the liquid crystal molecules is arbitrarily selected, but is generally about 70 to 270 degrees.
基板1,2の外側には、それぞれ上偏光板10及び下偏光
板11が配置される。偏光板10,11の偏光軸の方向は、そ
れぞれ液晶配向制御膜8,9の配向方向と0〜90度の角度
をなすように配置する。An upper polarizing plate 10 and a lower polarizing plate 11 are arranged outside the substrates 1 and 2, respectively. The polarization axes of the polarizing plates 10 and 11 are arranged so as to form an angle of 0 to 90 degrees with the alignment directions of the liquid crystal alignment control films 8 and 9, respectively.
このような表示素子は、上基板1側から観察する場
合、下偏光板11の裏面に反射板12との間に所望の厚さの
アクリル樹脂板,ガラス板等の導光体を挿入し、その側
面の適宜個所に光源を配置した反射形表示素子として、
又は反射板12の代りに光源(図示せず)を配置した透過
形表示素子として使用される。When such a display element is observed from the upper substrate 1 side, a light guide body such as an acrylic resin plate or a glass plate having a desired thickness is inserted between the reflection plate 12 and the back surface of the lower polarizing plate 11, As a reflective display element with a light source arranged at an appropriate place on its side surface,
Alternatively, it is used as a transmissive display element in which a light source (not shown) is arranged instead of the reflection plate 12.
液晶配向制御膜にラビング処理を施す際、摩擦により
生じる静電気が放電し液晶配向制御膜,液晶配向制御膜
の下側に形成されている電極パターン,又は後述するTF
T等が破壊されるという問題点があった。従来、湿度管
理,O3ブロー等により静電気を中和したり、ラビング処
理時のみ全ての電極パターンを短絡、若しくは放電用補
助パターンの配設(特開昭60-182413,60-237429,60-237
430号公報)、又は導電性の炭素繊維と非導電性の化学
繊維との混紡布を用いたラビング処理(特開昭61-15129
号公報)等が提案されて来たが、改善の余地があり、十
分満足できるものではなかった。以上、液晶表示素子の
ラビング処理を例に採って説明したが、ラビング処理に
限らず、液晶配向膜の塗布、あるいは一般の表示素子用
基板表面の加工、例えばホトレジスト塗布時においても
静電気の除電に改善が望まれている。When rubbing the liquid crystal alignment control film, static electricity generated by friction is discharged and the liquid crystal alignment control film, the electrode pattern formed under the liquid crystal alignment control film, or TF described later.
There was a problem that T etc. were destroyed. Conventionally, static electricity is neutralized by humidity control, O 3 blow, etc., all electrode patterns are short-circuited only during rubbing treatment, or discharge auxiliary patterns are provided (JP-A-60-182413, 60-237429, 60- 237
No. 430), or a rubbing treatment using a blended fabric of conductive carbon fibers and non-conductive chemical fibers (JP-A-61-15129).
However, there was room for improvement and it was not completely satisfactory. Although the rubbing treatment of the liquid crystal display element has been described above as an example, it is not limited to the rubbing treatment, and the application of the liquid crystal alignment film or the processing of the surface of the substrate for general display elements, for example, the static electricity removal even at the time of the photoresist application Improvement is desired.
上記問題点は、表示素子用基板表面の加工時生ずる静
電気を除電するためにイオン化された空気をふりかける
とともに、加工される基板面を、これとほぼアース電位
を有する物体面との間に5mm以上の絶縁層を介在させて
保持することにより解決される。The above problems are caused by sprinkling ionized air to eliminate static electricity generated during processing of the display element substrate surface, and the substrate surface to be processed is 5 mm or more between this and the object surface having almost the ground potential. It is solved by interposing and holding the insulating layer.
基板面加工時、基板面に発生した静電気に、イオン化
された空気をふりかけての除電は、上記静電気により帯
電した基板の周辺の空間に生じた電界に沿ってイオンが
引きつけることにより行なわれるものであるから、帯電
量一定の場合、これによる電界強度を極力大きくすれ
ば、除電作用が効果的に行なわれる。During processing of the substrate surface, static electricity generated on the substrate surface is sprinkled with ionized air to eliminate static electricity, because ions are attracted along the electric field generated in the space around the substrate charged by the static electricity. Therefore, in the case where the amount of charge is constant, if the electric field strength due to this is maximized, the static elimination effect is effectively performed.
加工される基板表面を、ほぼアース電位を有する物体
面から、ある値以上離して保持することにより、この基
板表面が形成する対地容量を小さくすれば、帯電圧=帯
電量/対地容量の関係から、帯電圧従って上記電界を増
大することが出来、静電気の除電が効果的に行われる。By holding the surface of the substrate to be processed away from the object surface, which has almost the earth potential, by a certain value or more, and reducing the ground capacitance formed by this substrate surface, the relationship of electrostatic voltage = charge amount / ground capacitance is obtained. The electrostatic field can be effectively eliminated by increasing the charged voltage and thus the electric field.
以下、液晶表示素子を例にとり、本発明の一実施例に
ついて説明する。An embodiment of the present invention will be described below by taking a liquid crystal display element as an example.
先ず、液晶配向制御膜にラビング処理を施す際の摩擦
により静電気破壊が、特に問題になるアクティブマトリ
ックスカラー液晶表示素子について説明する。TFTアレ
イを用いたアクティブマトリックス液晶表示素子には、
アモルファスSi TFTあるいはポリSi TFT等が用いられて
いる。First, an active matrix color liquid crystal display element in which electrostatic breakdown due to friction during rubbing the liquid crystal orientation control film is a particular problem will be described. Active matrix liquid crystal display element using TFT array,
Amorphous Si TFT or poly Si TFT is used.
第3図はアモルファスSi TFT液晶表示素子の一部断面
図を示すものであり、下基板2上には、ゲート電極21,
その上にゲート絶縁膜22が被覆され、さらにTFT用半導
体体としてのアモルファスSi層23,ドレイン24,ソース2
5,このソース25に電気的に接続される透明表示電極26,T
FTを被覆する保護膜27,TFTを光から遮蔽する光遮蔽層28
が設けられている。ここで、アーム電極21,アモルファ
スSi層23,ドレイン24,ソース25,透明表示電極26,保護膜
27,光遮蔽層28は、液晶表示素子の画素のピッチで周期
的に配列されている。さらに下基板2の最上層には、有
機高分子膜からなる液晶配向制御膜9が形成されてい
る。ネマチック液晶4は、第2図に関連して述べたと同
様にツイスト構造をなしている。一方上基板1の内側に
は、先ずカラーフィルタ29が、次いで透明導電膜からな
る対向電極30、さらに有機高分子膜からなる液晶配向制
御膜8が形成されている。また上,下基板1,2の外側に
は上,下偏光版10,11がそれぞれ配設されている。FIG. 3 is a partial sectional view of an amorphous Si TFT liquid crystal display device.
A gate insulating film 22 is covered thereover, and further an amorphous Si layer 23, a drain 24, a source 2 as a semiconductor body for TFT.
5, transparent display electrode 26, T electrically connected to this source 25
Protective film 27 for covering FT, light shielding layer 28 for shielding TFT from light
Is provided. Here, arm electrode 21, amorphous Si layer 23, drain 24, source 25, transparent display electrode 26, protective film
27 and the light shielding layer 28 are arranged periodically at the pitch of the pixels of the liquid crystal display element. Further, a liquid crystal alignment control film 9 made of an organic polymer film is formed on the uppermost layer of the lower substrate 2. The nematic liquid crystal 4 has a twisted structure as described with reference to FIG. On the other hand, inside the upper substrate 1, a color filter 29 is first formed, then a counter electrode 30 made of a transparent conductive film, and a liquid crystal alignment control film 8 made of an organic polymer film. Also, upper and lower polarization plates 10 and 11 are provided outside the upper and lower substrates 1 and 2, respectively.
第4図はポリシリコンTFT液晶表示素子の一部断面図
を示すものであり、下基板32上には、先ず減圧CVD,電子
ビーム蒸着,MBEなどにより形成されたポリSi層33が形成
され、さらに熱酸化によるSiO2絶縁膜37を介してゲート
電極31が形成されている。前記ポリSi層の一端にはソー
スライン35が接続され、他端には画素電極36に接続され
るドレイン38が形成されている。さらに下基板2の最上
層には、液晶配向制御膜9が形成されている。液晶層4,
上基板1,液晶配向制御膜8,カラーフィルタ29,対向電極3
0,上,下偏光板10,11等については第3図に関連して述
べたと同様である(詳細は、例えばテレビジョン学会誌
Vol.40,No.3(1986)第170頁〜第177頁に述べられてい
る)。FIG. 4 is a partial cross-sectional view of a polysilicon TFT liquid crystal display device. First, a poly Si layer 33 formed by low pressure CVD, electron beam evaporation, MBE, etc. is formed on a lower substrate 32. Further, the gate electrode 31 is formed via the SiO 2 insulating film 37 formed by thermal oxidation. A source line 35 is connected to one end of the poly-Si layer, and a drain 38 connected to the pixel electrode 36 is formed at the other end. Further, a liquid crystal alignment control film 9 is formed on the uppermost layer of the lower substrate 2. Liquid crystal layer 4,
Upper substrate 1, liquid crystal alignment control film 8, color filter 29, counter electrode 3
The 0, upper and lower polarizing plates 10 and 11 are the same as described in connection with FIG. 3 (for details, see, for example, the journal of the Television Society).
Vol.40, No.3 (1986) pp. 170-177).
第3,4図における液晶配向制御膜8,9に対するラビング
処理は、上基板1,下基板2上に有機高分子膜を形成後、
上,下基板を対向配置させて固定する前に施される(詳
細は、例えば日経メカニカル1980年11月24日号に述べら
れている)。The rubbing process for the liquid crystal alignment control films 8 and 9 in FIGS. 3 and 4 is performed after forming the organic polymer film on the upper substrate 1 and the lower substrate 2.
It is applied before the upper and lower substrates are arranged facing each other and fixed (details are described in, for example, the November 24, 1980 issue of Nikkei Mechanical).
次に、イオン化された空気をふりかけることによる、
ラビング処理された基板表面の除電について説明する。Then by sprinkling the ionized air,
The charge removal on the surface of the substrate that has been rubbed will be described.
第5図に示す如く、ベース53上に戴置された金属製真
空吸着板51に、例えば第3図により説明した液晶配向制
御膜9が形成されている下基板2を固定し、ローラ54に
巻かれたバフ布55により液晶配向制御膜9の表面をラビ
ングする。その際、イオンブロワ56(例えばシムコジャ
パン社のA202型ポータブロワ)は、空気の分子をプラス
とマイナスにイオン化し、これを液晶配向制御膜9上に
ふりかけると、ラビングにより生じた液晶配向制御膜9
上の帯電荷と逆の極性のイオンがこの帯電荷に引きつけ
られて、液晶配向制御膜9上の帯電荷を中和する。As shown in FIG. 5, for example, the lower substrate 2 having the liquid crystal orientation control film 9 described with reference to FIG. 3 is fixed to the metal vacuum suction plate 51 placed on the base 53, and is fixed to the roller 54. The surface of the liquid crystal alignment control film 9 is rubbed by the wound buff cloth 55. At that time, the ion blower 56 (for example, A202 type Porta Blower of Simco Japan Co., Ltd.) ionizes the air molecules into plus and minus and sprinkles them on the liquid crystal alignment control film 9 to generate the liquid crystal alignment control film 9 by rubbing.
Ions having a polarity opposite to that of the upper charge are attracted to this charge and neutralize the charge on the liquid crystal alignment control film 9.
下基板2が1mm厚のガラス板からなる場合を考えると
対地静電容量は約3pF/cm2である。従って今帯電電荷量
を−300pC/cm2と仮定すると、帯電圧は−100Vとなる。
このように帯電圧が低いとこれによる電界が弱いので、
イオンブロワ56からのイオンを引きつける力が弱いので
液晶配向制御膜9の除電に時間がかかる。またイオンブ
ロワ56からのプラスイオンの量とマイナスイオンの量と
がバランスしていないと、下基板2の下側にはアース側
からチャージが誘起されて下基板2の表と裏の電荷量と
が中和されるが、この後下基板2を真空吸着板51から取
り脱した場合、逆符号に帯電してしまい、除電の効果が
出ない。従って第5図の構成による除電特性は第6図の
曲線Aの如くになる。Considering the case where the lower substrate 2 is made of a glass plate having a thickness of 1 mm, the capacitance to ground is about 3 pF / cm 2 . Therefore, assuming that the amount of electrified charge is −300 pC / cm 2 , the charged voltage is −100V.
When the charging voltage is low, the electric field is weak, so
Since the force of attracting the ions from the ion blower 56 is weak, it takes time to remove the charge from the liquid crystal alignment control film 9. If the amount of positive ions and the amount of negative ions from the ion blower 56 are not balanced, charge is induced from the ground side to the lower side of the lower substrate 2 and the charge amount on the front and back sides of the lower substrate 2 However, if the lower substrate 2 is removed from the vacuum suction plate 51 after this, the opposite substrates will be charged with the opposite sign, and the effect of neutralization will not be obtained. Therefore, the static elimination characteristics according to the configuration of FIG. 5 are as shown by the curve A in FIG.
以下本発明の一実施例について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below.
第1図において、液晶配向制御膜9が形成された下基
板2に真空吸着板51上に固定され、この真空吸着板51は
絶縁物からなるスペーサ52を介してベース53上に戴置さ
れている。ここでスペーサ52は、10mm厚のスチロール樹
脂で形成されている。第5図同様ローラ54に巻かれたバ
フ布55により液晶配向制御膜9の面をラビングし、イオ
ンブロワ56により液晶配向制御膜9上に生じた帯電荷を
除電する。本実施例における除電特性は第6図の曲線B
で示される。すなわち本実施例においては、第5図の構
成により除電した場合とは異なり、急速に除電が達成さ
れる。Referring to FIG. 1, a lower substrate 2 having a liquid crystal orientation control film 9 is fixed on a vacuum suction plate 51, and the vacuum suction plate 51 is mounted on a base 53 via a spacer 52 made of an insulating material. There is. Here, the spacer 52 is made of styrene resin having a thickness of 10 mm. As in FIG. 5, the surface of the liquid crystal alignment control film 9 is rubbed by the buff cloth 55 wound around the roller 54, and the electrostatic charges generated on the liquid crystal alignment control film 9 are removed by the ion blower 56. The static elimination characteristics in this embodiment are shown by the curve B in FIG.
Indicated by. That is, in the present embodiment, unlike the case of eliminating the static electricity by the configuration of FIG. 5, the static elimination is achieved rapidly.
本実施例においては、アース電位を有する物体面と基
板上面との間には(基板厚+スペーサ厚)すなわち11mm
の絶縁層が配設されているので、対地容量は約0.09pF/c
m2となる。そこで第5図の場合と同様に−3000pC/cm2に
帯電くさせた場合、帯電厚は3300Vとなる。従ってこれ
による電界も大きいのでイオンブロワ56からの、帯電荷
とは逆符号のイオンを引きつける力が大きく除電が速や
かに行なわれる。また対地容量が小さいので、イオンブ
ロワ56から吹き付けられるプラスイオン量とマイナスイ
オン量との間に不均衡があっても、これによるアースか
らの誘起も少なくイオンの不均衡も問題にならない。In this embodiment, the distance between the object surface having the ground potential and the upper surface of the substrate is (substrate thickness + spacer thickness), that is, 11 mm.
Since the insulating layer of is installed, the capacitance to ground is about 0.09pF / c
the m 2. Therefore, when the electrification is made to be −3000 pC / cm 2 as in the case of FIG. 5, the electrification thickness becomes 3300V. Therefore, since the electric field due to this is also large, the force from the ion blower 56 for attracting ions having the opposite sign to the charged charges is large, and the charge can be quickly eliminated. Further, since the capacity to ground is small, even if there is an imbalance between the amount of positive ions and the amount of negative ions blown from the ion blower 56, there is little induction from the ground due to this and the imbalance of ions does not pose a problem.
本発明は、基板面加工面に発生する静電気を除電する
ために、基板面にイオンをふりかける際、基板上面が形
成する対地静電容量を極力小さくすることにより、上記
静電気による帯電圧、従って電界を大きくして、イオン
を基板面上に効率良く引きつけて除電を速やかにかつ完
全に行なうものである。The present invention, in order to eliminate static electricity generated on the processed surface of the substrate surface, when the ions are sprinkled on the surface of the substrate, by minimizing the ground capacitance formed by the upper surface of the substrate, the electrostatic voltage due to the static electricity, and thus the electric field. Is increased to efficiently attract the ions to the surface of the substrate, thereby quickly and completely eliminating static electricity.
本発明においては、加工する際の基板面と、アース電
位を有する物体面との間に5mm厚以上の絶縁層を介在さ
せれば、実際の基板面加工時発生する静電気の除電に有
利な静電容量まで下げることが出来る。加工する際の基
板面と、アース電位を有する物体面との間に絶縁層を介
在させる方法としては、基板下面とアース電位を有する
物体面との間に絶縁物からなるスペーサを介在させる。
このスペーサを形成するものとしては、誘電率εの小さ
いものを使えば、このスペーサをそれだけ薄く出来る。
このスペーサ材料としてはスチロール,ポリプロピレ
ン,テフロン等が好結果を示した。基板厚1mmでスペー
サをテフロンで製作する場合、この比誘電率が2なの
で、スペーサ厚は20mm以上とすることが好ましく、厚さ
10mm程度でも効果はみられるが十分ではない。また誘電
損失の少ないものが良好な結果を示すことが実験の結果
判明した。ベークライトは誘電損失が大きく誘導がある
ので好ましくない。In the present invention, if an insulating layer having a thickness of 5 mm or more is interposed between the substrate surface during processing and the object surface having a ground potential, static electricity advantageous for static electricity removal generated during actual substrate surface processing can be obtained. It can be lowered to the electric capacity. As a method of interposing the insulating layer between the substrate surface during processing and the object surface having the earth potential, a spacer made of an insulator is interposed between the lower surface of the substrate and the object surface having the earth potential.
If a spacer having a small dielectric constant ε is used to form this spacer, the spacer can be made thinner.
As the spacer material, styrene, polypropylene, Teflon, etc. showed good results. When the spacer is made of Teflon with a substrate thickness of 1 mm, the relative permittivity is 2, so the spacer thickness is preferably 20 mm or more.
An effect of about 10 mm can be seen, but it is not sufficient. It was also found as a result of the experiment that the one having a small dielectric loss shows a good result. Bakelite is not preferable because it has a large dielectric loss and induces it.
また第1図におけるスペーサ52を枠状体として基板と
アース電位を有する物体であるベース53の上面との間に
中空層を設けても良い。A hollow layer may be provided between the substrate and the upper surface of the base 53, which is an object having a ground potential, by using the spacer 52 in FIG. 1 as a frame.
また上記実施例に用いた真空吸着板51は、通常金属製
であるが、その面積は、基板2の対地容量を増大させな
い見地から小さい程好ましく、基板2の大きさより余り
大きくすることは好ましくない。勿論真空吸着板51を省
略して、基板2の外形で基板2を位置決め固定すること
も出来る。The vacuum suction plate 51 used in the above embodiment is usually made of metal, but the area is preferably as small as possible from the viewpoint of not increasing the ground capacity of the substrate 2, and it is not preferable to make it much larger than the size of the substrate 2. . Of course, the vacuum suction plate 51 may be omitted and the substrate 2 may be positioned and fixed by the outer shape of the substrate 2.
一般にラビング処理等の基板加工時の除電を速やか
に、かつ完全に行なうためには基板上面とアース間の静
電容量が1pF/cm2以下であることが好ましい。In general, it is preferable that the electrostatic capacitance between the upper surface of the substrate and the ground is 1 pF / cm 2 or less in order to quickly and completely eliminate static electricity during substrate processing such as rubbing treatment.
本発明によれば、基板上に、静電気により破壊され易
いアモルファスSi TFTあるいはポリSi TFT等のものが既
に形成されている基板を更に加工するにあたっても静電
気の除電が速やかにかつ完全に行なえるので、アモルフ
ァスSi TFTあるはポリSi TFTの静電破壊を完全に防止で
きる。According to the present invention, static electricity can be eliminated quickly and completely even when a substrate on which an amorphous Si TFT or poly Si TFT which is easily destroyed by static electricity is already formed is further processed. , Amorphous Si TFT or Poly Si TFT can be completely prevented from electrostatic damage.
上記実施例は、液晶配向制御膜にラビング加工を行な
う際の除電作用についてであるが、本発明は、これに限
定されるものではなく、基板面上に液晶配向制御膜をロ
ーラにより印刷する際、および基板面上にホトレジスト
材をローラにより印刷する際等に生じる静電気の除電に
も適用できることは勿論である。従って本発明は、液晶
表示素子の基板加工に限らず、他の表示素子、例えばエ
レクトロミック表示素子の基板加工にも適用できる。Although the above-mentioned examples are about the static elimination action when rubbing the liquid crystal alignment control film, the present invention is not limited to this, and when the liquid crystal alignment control film is printed on the substrate surface by the roller. Of course, it can also be applied to static elimination of static electricity that occurs when a photoresist material is printed on the surface of a substrate by rollers. Therefore, the present invention is not limited to the substrate processing of the liquid crystal display element, but can be applied to the substrate processing of other display elements, for example, the electronic display element.
本発明によれば、表示素子の基板加工時発生する静電
気を速やかに、かつ完全に除電することが出来る。According to the present invention, static electricity generated during processing of a display element substrate can be quickly and completely eliminated.
第1図は本発明の一実施例を説明するための側面図、第
2図は液晶表示素子の断面図、第3,4図はアクティブマ
トリックス液晶表示素子の一部断面図、第5図はイオン
ブロワによる基板表面の除電を説明するための図、第6
図は本発明による除電特性を説明するためのグラフであ
る。 2……下基板、9……液晶配向制御膜、51……真空吸着
板、52……スペーサ、53……ベース、54……ローラ、55
……バフ布、56……イオンブロワ。FIG. 1 is a side view for explaining an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view of a liquid crystal display element, FIGS. 3 and 4 are partial sectional views of an active matrix liquid crystal display element, and FIG. The figure for demonstrating the static elimination of the substrate surface by an ion blower, 6th
The figure is a graph for explaining the static elimination characteristics according to the present invention. 2 ... Lower substrate, 9 ... Liquid crystal alignment control film, 51 ... Vacuum adsorption plate, 52 ... Spacer, 53 ... Base, 54 ... Roller, 55
…… Buff cloth, 56 …… Ion blower.
Claims (6)
において、表示素子用基板面の表面加工時生ずる静電気
を除電するためにイオン化された空気をふりかける際、
前記基板面をほぼアース電位を有する物体面との間に5m
m厚以上の絶縁層を介在させて保持することを特徴とす
る表示素子用基板の加工方法。1. A method of processing a display element substrate made of an insulating material, wherein when ionized air is sprinkled to eliminate static electricity generated during surface processing of the display element substrate surface,
5m between the surface of the substrate and the surface of the object that has almost the earth potential
A method of processing a display element substrate, characterized in that an insulating layer having a thickness of at least m is interposed and held.
する静電容量が1pF/cm2以下になるように保持すること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の表示素子用基
板の加工方法。2. The display device according to claim 1, wherein the substrate surface is held so that the electrostatic capacitance formed with respect to the ground potential surface is 1 pF / cm 2 or less. Substrate processing method.
て該基板表面を加工する円筒状加工部材と、該基板表面
にイオン化された空気をふりかけるイオン発生器と、前
記表示素子用基板が載置されるベースとを備える表示素
子用基板の加工装置において、加工される表示素子用基
板表面をベース上面から5mm以上離間して保持するスペ
ーサを備えたことを特徴とする表示素子用基板の加工装
置。3. A cylindrical processing member that contacts the surface of a display element substrate while rotating to process the substrate surface, an ion generator that sprinkles ionized air on the surface of the substrate, and the display element substrate. In a processing device for a display element substrate including a mounted base, a display element substrate characterized by comprising a spacer for holding a display element substrate surface to be processed at a distance of 5 mm or more from a base upper surface. Processing equipment.
ことを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の表示素子
用基板の加工装置。4. The display device substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the spacer has a plate shape made of an insulating material.
用基板表面と前記ベース上面との間に中空層を形成する
枠状体であることを特徴とする特許請求の範囲第3項記
載の表示素子用基板の加工装置。5. The spacer according to claim 3, wherein the spacer is a frame-like body that forms a hollow layer between the surface of the display element substrate to be processed and the upper surface of the base. Display element substrate processing equipment.
らなることを特徴とする特許請求の範囲第4項記載の表
示素子用基板の加工装置。6. The processing device for a display element substrate according to claim 4, wherein the insulating material is made of a material having a relative dielectric constant of 5 or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11720486A JP2515739B2 (en) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | Processing method and processing apparatus for display element substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11720486A JP2515739B2 (en) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | Processing method and processing apparatus for display element substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62275221A JPS62275221A (en) | 1987-11-30 |
| JP2515739B2 true JP2515739B2 (en) | 1996-07-10 |
Family
ID=14705962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11720486A Expired - Lifetime JP2515739B2 (en) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | Processing method and processing apparatus for display element substrate |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2515739B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100551438B1 (en) * | 1998-08-26 | 2006-07-06 | 삼성전자주식회사 | Static electricity removal method of board |
| JP2006251674A (en) | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Shin Nisseki Ekisho Film Kk | Manufacturing method for optical element |
-
1986
- 1986-05-23 JP JP11720486A patent/JP2515739B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62275221A (en) | 1987-11-30 |
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