JP2743471B2 - ▲ｉｉｉ▼―ｖ族化合物半導体の気相成長装置 - Google Patents
▲ｉｉｉ▼―ｖ族化合物半導体の気相成長装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はIII-V族化合物半導体の気相成長装置に関
し、さらに詳しくは、III族元素塩化物とＶ族原料を交
互に供給し、単分子層単位で成長膜厚を制御することの
できるIII-V族化合物半導体の気相エピタキシャル成長
装置に関するものである。
し、さらに詳しくは、III族元素塩化物とＶ族原料を交
互に供給し、単分子層単位で成長膜厚を制御することの
できるIII-V族化合物半導体の気相エピタキシャル成長
装置に関するものである。
［従来の技術およびその課題］ III-V族化合物半導体の量子井戸レーザ、変調ドープ
構造のような構造を実現するためには、超薄膜結晶成長
技術の確立が必要である。近年、新しい成長手法とし
て、III族元素とＶ族元素の原料ガスを交互に供給する
原子層エピタキシャル（ALE）法が行われている。このA
LE法は単分子層単位の膜厚を精密に制御できるため、急
峻なヘテロ界面が形成できる。また、成長温度が400℃
以下と低いことから、ヘテロ界面の原子の相互拡散が起
こりにくい等の利点を持っている。
構造のような構造を実現するためには、超薄膜結晶成長
技術の確立が必要である。近年、新しい成長手法とし
て、III族元素とＶ族元素の原料ガスを交互に供給する
原子層エピタキシャル（ALE）法が行われている。このA
LE法は単分子層単位の膜厚を精密に制御できるため、急
峻なヘテロ界面が形成できる。また、成長温度が400℃
以下と低いことから、ヘテロ界面の原子の相互拡散が起
こりにくい等の利点を持っている。
このALE法の実現には、急峻に原料ガスを遮断し、切
り換えることが必要である。例えば、III族原料に塩化
物を用いたALE法は、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ
・アプライド・フィジックス（Jpn.J.Appl.Phys.,25,L2
12（1986））に記載されている。
り換えることが必要である。例えば、III族原料に塩化
物を用いたALE法は、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ
・アプライド・フィジックス（Jpn.J.Appl.Phys.,25,L2
12（1986））に記載されている。
この手法に使用した装置の概略構成図を第４図に示
す。GaAsの成長を例にとると、Ｖ族元素原料としてAsH3
ガスを用い、III族元素原料としてガリウム（Ga）ソー
ス61に塩化水素（HCl）を供給し、反応させた生成物（G
a＋HCl→GaCl＋1/2H2）である塩化ガリウム（GaCl）を
用いる。この手法では、反応管62内に複数の成長室63a,
63bを設け、III族、Ｖ族元素原料を別々の成長室63aお
よび63bに供給する。
す。GaAsの成長を例にとると、Ｖ族元素原料としてAsH3
ガスを用い、III族元素原料としてガリウム（Ga）ソー
ス61に塩化水素（HCl）を供給し、反応させた生成物（G
a＋HCl→GaCl＋1/2H2）である塩化ガリウム（GaCl）を
用いる。この手法では、反応管62内に複数の成長室63a,
63bを設け、III族、Ｖ族元素原料を別々の成長室63aお
よび63bに供給する。
成長手順は次の通りである。まず、成長室63aで基板
結晶65表面にGaClを吸着させる。次に、基板移動機構66
により基板結晶65を成長室63bへ移動してAsH3ガスを供
給し、GaAsの単分子層を成長させる。この一連の操作を
繰り返して所定の膜厚を形成する。
結晶65表面にGaClを吸着させる。次に、基板移動機構66
により基板結晶65を成長室63bへ移動してAsH3ガスを供
給し、GaAsの単分子層を成長させる。この一連の操作を
繰り返して所定の膜厚を形成する。
このように塩化物を用いる従来のALE装置では、基板
結晶に対する原料ガスの切り換えを複数の成長室を設け
た反応管と、基板結晶が各成長室間を移動できる移動機
構を備えた成長装置を用いて行っている。そのため、成
長装置は巨大になり、複雑化した移動機構部を必要とす
る等の欠点を持っていた。
結晶に対する原料ガスの切り換えを複数の成長室を設け
た反応管と、基板結晶が各成長室間を移動できる移動機
構を備えた成長装置を用いて行っている。そのため、成
長装置は巨大になり、複雑化した移動機構部を必要とす
る等の欠点を持っていた。
さらに、Ｖ族原料としては、AsH3、PH3を使用してい
る。これらの物質は非常に毒性が高いことから、十分な
安全対策を施した装置、排ガスの処理装置等を必要とす
る。
る。これらの物質は非常に毒性が高いことから、十分な
安全対策を施した装置、排ガスの処理装置等を必要とす
る。
本発明は、上記したような従来の欠点を取り除き、複
雑な移動機構がなく、かつ単分子層単位の膜厚で成長を
制御できると共に、毒性の低い固体のＶ族原料を用いて
も単分子層単位の膜厚で成長を制御できるIII-V族化合
物半導体の気相成長装置を提供することを目的とする。
雑な移動機構がなく、かつ単分子層単位の膜厚で成長を
制御できると共に、毒性の低い固体のＶ族原料を用いて
も単分子層単位の膜厚で成長を制御できるIII-V族化合
物半導体の気相成長装置を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、III族原料ガスとＶ族原料ガスを交互に反
応管内の基板結晶上に供給して結晶成長を行うIII-V族
化合物半導体の気相成長装置において、基板上部から該
基板方向に向けて配設されたキャリアガスおよび不純物
原料ガスのガス導入口と、反応管内の基板結晶の周辺部
に該基板を挟んで配設されたIII族原料ガスおよびＶ族
原料ガスに対する独立した各噴出口と、該各噴出口の近
傍に配設された前記各原料ガスの各排気口と、該各排気
口に通じる配管中に配設された排気調節機構とを備えて
なることを特徴とするIII-V族化合物半導体の気相成長
装置、およびIII族原料ガスとＶ族原料ガスを交互に反
応管内の基板結晶上に供給して結晶成長を行うIII-V族
化合物半導体の気相成長装置において、基板上部から該
基板方向に向けて配設されたキャリアガスおよび不純物
原料ガスのガス導入口と、反応管内の基板結晶の周辺部
に該基板を挟んで配設されたIII族原料ガスおよびＶ族
原料ガスに対する独立した各噴出口と、該各噴出口の近
傍に配設された前記各原料ガスの各排気口と、該各排気
口に通じる配管中に配設された排気調節機構と、前記Ｖ
族原料ガスの噴出口の上流側に配設され、内部には２種
類の温度領域を有するＶ族原料反応管と、該Ｖ族原料反
応管内に載置された固体のＶ族原料を前記２種類の温度
領域間で移動させる移動機構とを備えてなることを特徴
とするIII-V族化合物半導体の気相成長装置である。
応管内の基板結晶上に供給して結晶成長を行うIII-V族
化合物半導体の気相成長装置において、基板上部から該
基板方向に向けて配設されたキャリアガスおよび不純物
原料ガスのガス導入口と、反応管内の基板結晶の周辺部
に該基板を挟んで配設されたIII族原料ガスおよびＶ族
原料ガスに対する独立した各噴出口と、該各噴出口の近
傍に配設された前記各原料ガスの各排気口と、該各排気
口に通じる配管中に配設された排気調節機構とを備えて
なることを特徴とするIII-V族化合物半導体の気相成長
装置、およびIII族原料ガスとＶ族原料ガスを交互に反
応管内の基板結晶上に供給して結晶成長を行うIII-V族
化合物半導体の気相成長装置において、基板上部から該
基板方向に向けて配設されたキャリアガスおよび不純物
原料ガスのガス導入口と、反応管内の基板結晶の周辺部
に該基板を挟んで配設されたIII族原料ガスおよびＶ族
原料ガスに対する独立した各噴出口と、該各噴出口の近
傍に配設された前記各原料ガスの各排気口と、該各排気
口に通じる配管中に配設された排気調節機構と、前記Ｖ
族原料ガスの噴出口の上流側に配設され、内部には２種
類の温度領域を有するＶ族原料反応管と、該Ｖ族原料反
応管内に載置された固体のＶ族原料を前記２種類の温度
領域間で移動させる移動機構とを備えてなることを特徴
とするIII-V族化合物半導体の気相成長装置である。
［作用］ 第１図は本発明の実施例を兼ねてその基本的構成を示
す気相成長装置の概略構成図である。
す気相成長装置の概略構成図である。
結晶成長を行う反応管26内には、基板結晶15が載置さ
れ、該基板結晶15の上部にはキャリアガスおよび不純物
原料ガスを基板結晶15の近傍に供給するガス導入口18が
配設されている。また、基板結晶15の周辺部にはIII族
原料ガスの噴出口16aおよびＶ族原料ガスの噴出口16bが
基板結晶15を挟んで設置されている。III族原料ガス
は、例えばGaソース19とHClによって生成するGaClがキ
ャリアガスによって噴出口16aから基板結晶15へ供給さ
れる。一方、Ｖ族原料ガスは、例えばAsH3がキャリアガ
スによって噴出口16bから基板結晶15へ供給されるか、
あるいは第１図に示すように、噴出口16bの上流側に設
けられたＶ族原料反応管17内で、例えば固体ヒ素21から
蒸発したAsガスが噴出口16bから基板結晶15へ供給され
る。各噴出口16a,16bの近傍には、開閉バルブ13a,13bを
備えた排気口11a,11bが配設されている。
れ、該基板結晶15の上部にはキャリアガスおよび不純物
原料ガスを基板結晶15の近傍に供給するガス導入口18が
配設されている。また、基板結晶15の周辺部にはIII族
原料ガスの噴出口16aおよびＶ族原料ガスの噴出口16bが
基板結晶15を挟んで設置されている。III族原料ガス
は、例えばGaソース19とHClによって生成するGaClがキ
ャリアガスによって噴出口16aから基板結晶15へ供給さ
れる。一方、Ｖ族原料ガスは、例えばAsH3がキャリアガ
スによって噴出口16bから基板結晶15へ供給されるか、
あるいは第１図に示すように、噴出口16bの上流側に設
けられたＶ族原料反応管17内で、例えば固体ヒ素21から
蒸発したAsガスが噴出口16bから基板結晶15へ供給され
る。各噴出口16a,16bの近傍には、開閉バルブ13a,13bを
備えた排気口11a,11bが配設されている。
本発明においては、排気口11a,11bに備えられた各開
閉バルブ13a,13bを開閉する操作を行うことで、基板結
晶15上にIII族およびＶ族の原料ガスを交互に供給でき
る。例えば、開閉バルブ13aを閉じると、噴出口16aより
噴き出したIII族原料ガスは、基板結晶15上を流れ、ガ
ス導入口18より噴き出したキャリアガスと共に排気口11
bより排気される。また、開閉バルブ13aを開くと、噴出
口16aより噴き出したIII族原料ガスは、排気口11aより
排気される。この操作で、基板結晶15上のIII族原料ガ
スは、ガス導入口18のキャリアガスによりパージされ
る。
閉バルブ13a,13bを開閉する操作を行うことで、基板結
晶15上にIII族およびＶ族の原料ガスを交互に供給でき
る。例えば、開閉バルブ13aを閉じると、噴出口16aより
噴き出したIII族原料ガスは、基板結晶15上を流れ、ガ
ス導入口18より噴き出したキャリアガスと共に排気口11
bより排気される。また、開閉バルブ13aを開くと、噴出
口16aより噴き出したIII族原料ガスは、排気口11aより
排気される。この操作で、基板結晶15上のIII族原料ガ
スは、ガス導入口18のキャリアガスによりパージされ
る。
一方、開閉バルブ13bを閉じると、噴出口16bより噴き
出したＶ族原料ガスは基板結晶15上を流れ、ガス導入口
18より噴き出したキャリアガスと共に排気口11aより排
気される。開閉バルブ13bを開くと、噴出口16bより噴き
出したＶ族原料ガスは排気口11bより排気される。この
操作で、基板結晶15上のＶ族原料ガスは、ガス導入口18
からのキャリアガスによりパージされる。
出したＶ族原料ガスは基板結晶15上を流れ、ガス導入口
18より噴き出したキャリアガスと共に排気口11aより排
気される。開閉バルブ13bを開くと、噴出口16bより噴き
出したＶ族原料ガスは排気口11bより排気される。この
操作で、基板結晶15上のＶ族原料ガスは、ガス導入口18
からのキャリアガスによりパージされる。
以上の操作を繰り返し、基板結晶上に流れるIII族お
よびＶ族の原料ガスを交互に供給し、かつ急激に遮断
し、切り替えることができる。
よびＶ族の原料ガスを交互に供給し、かつ急激に遮断
し、切り替えることができる。
［実施例］ 以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
実施例１ 第１図は、本発明の一実施例の概略構成図である。
本実施例ではGaAsの成長を例に説明する。III族原料
として、Ga19とHCl導入口20より供給したHClとを反応さ
せて生じたGaClを用い、Ｖ族原料に固体ヒ素（As）21を
用いた。As21用のソースボート22は、噴出口16bの上流
部のＶ族原料反応管17内に載置され、移動機構23により
移動する。基板結晶15として（100）面のGaAs結晶を用
い、取り出し口10より基板結晶15を反応管26内にセット
する。Gaソース19の温度を750℃、Ｖ族原料反応管17の
蒸発領域24を400℃、待機領域25を室温とした。基板結
晶15の成長温度を450℃とした。III族原料ガスの噴出口
16a、Ｖ族原料ガスの噴出口16bおよび基板結晶15上のガ
ス導入口18より、キャリアガスとしてH2を常時供給し
た。流量条件を下記に示す。
として、Ga19とHCl導入口20より供給したHClとを反応さ
せて生じたGaClを用い、Ｖ族原料に固体ヒ素（As）21を
用いた。As21用のソースボート22は、噴出口16bの上流
部のＶ族原料反応管17内に載置され、移動機構23により
移動する。基板結晶15として（100）面のGaAs結晶を用
い、取り出し口10より基板結晶15を反応管26内にセット
する。Gaソース19の温度を750℃、Ｖ族原料反応管17の
蒸発領域24を400℃、待機領域25を室温とした。基板結
晶15の成長温度を450℃とした。III族原料ガスの噴出口
16a、Ｖ族原料ガスの噴出口16bおよび基板結晶15上のガ
ス導入口18より、キャリアガスとしてH2を常時供給し
た。流量条件を下記に示す。
HCl 1cc/min III族原料ガス、Ｖ族原料ガスの各噴出口からのH2 2000cc/min 基板結晶上のガス導入口からのH2 4000cc/min 固体ヒ素（As）21のソースボート22を待機領域25に移
動した状態で、反応管26内に基板結晶15を設置し、排気
口11a,11bの開閉バルブ13a,13bを開いて反応管26を昇温
する。温度が安定したところでGaソース19上にHCl導入
口20よりHClを供給する。Gaソース19との反応によって
発生したGaClは、噴出口16aより噴き出た後、排気口11a
より排気される。また、As21用のソースボート22を400
℃の蒸発領域24に移動し、Asを蒸発させる。蒸発したAs
は、噴出口16bより噴出し、排気口11bより排気される。
基板結晶15上のガス導入口18より噴き出したキャリアガ
スは、排気口11aと排気口11bに分散され、排気される。
雰囲気が安定したところで、次の成長手順を行った。
動した状態で、反応管26内に基板結晶15を設置し、排気
口11a,11bの開閉バルブ13a,13bを開いて反応管26を昇温
する。温度が安定したところでGaソース19上にHCl導入
口20よりHClを供給する。Gaソース19との反応によって
発生したGaClは、噴出口16aより噴き出た後、排気口11a
より排気される。また、As21用のソースボート22を400
℃の蒸発領域24に移動し、Asを蒸発させる。蒸発したAs
は、噴出口16bより噴出し、排気口11bより排気される。
基板結晶15上のガス導入口18より噴き出したキャリアガ
スは、排気口11aと排気口11bに分散され、排気される。
雰囲気が安定したところで、次の成長手順を行った。
開閉バルブ13aを５秒間閉じ、噴出口16aより噴き出し
たGaClは基板結晶15上を流れ、ガス導入口18より噴き出
したキャリアガスと共に排気口11bより排出する。この
操作で、基板結晶15表面にGaClが吸着する。
たGaClは基板結晶15上を流れ、ガス導入口18より噴き出
したキャリアガスと共に排気口11bより排出する。この
操作で、基板結晶15表面にGaClが吸着する。
開閉バルブ13aを10秒間開き、GaClを排気口11aより排
出する。この操作で、基板結晶15上のGaClをガス導入口
18からキャリアガスによりパージする。
出する。この操作で、基板結晶15上のGaClをガス導入口
18からキャリアガスによりパージする。
開閉バルブ13bを閉じ、蒸発したAsは基板結晶15上を
流れ、ガス導入口18より噴き出したキャリアガスと共に
排気口11aより排出される。この操作で、基板結晶15表
面にGaAsが形成される。
流れ、ガス導入口18より噴き出したキャリアガスと共に
排気口11aより排出される。この操作で、基板結晶15表
面にGaAsが形成される。
開閉バルブ13bを10秒間開き、基板結晶15上のAsをガ
ス導入口18のキャリアガスによりパージする。
ス導入口18のキャリアガスによりパージする。
以上のからの操作を500回繰り返した結果、膜厚
は約1400Åになり、1ALEサイクル当たりの膜厚は2.8Å
と計算された。この値は、GaAs（100）面の単分子層の
原子にほぼ等しく、本発明による装置でALE成長が容易
に実現できることがわかった。
は約1400Åになり、1ALEサイクル当たりの膜厚は2.8Å
と計算された。この値は、GaAs（100）面の単分子層の
原子にほぼ等しく、本発明による装置でALE成長が容易
に実現できることがわかった。
第３図は、第１図の装置を用いてセレン化水素（H2 S
e）を不純物として、GaAs層にドーピング層を形成した
時の構造を示す概略断面図である。
e）を不純物として、GaAs層にドーピング層を形成した
時の構造を示す概略断面図である。
基板結晶31としては、高抵抗GaAsを用いた。成長を45
0℃とし、上記の成長装置（第１図）と成長手順を用い
て、基板結晶31上に上記からの操作を35回繰り返
し、第１のGaAs層32を成長する。ドーピング層は、成長
ガス中にH2 Seガスを基板結晶上のガス導入口18より１
分間当たり0.2ccの流量で供給し、Seのドーピング層33
を形成した。さらに、その上に上記の成長手順を100回
繰り返して第２のGaAs層34を成長し、第３図のような構
造を形成した。
0℃とし、上記の成長装置（第１図）と成長手順を用い
て、基板結晶31上に上記からの操作を35回繰り返
し、第１のGaAs層32を成長する。ドーピング層は、成長
ガス中にH2 Seガスを基板結晶上のガス導入口18より１
分間当たり0.2ccの流量で供給し、Seのドーピング層33
を形成した。さらに、その上に上記の成長手順を100回
繰り返して第２のGaAs層34を成長し、第３図のような構
造を形成した。
この構造のシートキャリア濃度をホール測定より求め
た結果、７×1012／cm-2の値が再現性良く得られた。
た結果、７×1012／cm-2の値が再現性良く得られた。
実施例２ 第２図は本発明の別の実施例の概略構成図である。本
装置は、第１図記載の装置のうち、Ｖ族原料反応管およ
び移動機構がなく、Ｖ族原料ガス導入管が直接噴出口に
連結している点を除いては第１図記載の装置と同様であ
る。
装置は、第１図記載の装置のうち、Ｖ族原料反応管およ
び移動機構がなく、Ｖ族原料ガス導入管が直接噴出口に
連結している点を除いては第１図記載の装置と同様であ
る。
本実施例では、Ｖ族原料としてAsH3、III族原料とし
てGaとHClの反応により生じたGaClを用いたGaAsの成長
を例に説明する。基板結晶41として（100）GaAsを用
い、取り出し口40より基板結晶41をセットする。Gaソー
ス42の温度を750℃、AsH3ガスの分解温度を750℃、基板
結晶41の温度を450℃とした。III族原料ガスの噴出口43
a、Ｖ族原料ガスの噴出口43b、および基板結晶41上のガ
ス導入口45より常時、キャリアガスとしてH2を供給し
た。流量条件を下記に示す。
てGaとHClの反応により生じたGaClを用いたGaAsの成長
を例に説明する。基板結晶41として（100）GaAsを用
い、取り出し口40より基板結晶41をセットする。Gaソー
ス42の温度を750℃、AsH3ガスの分解温度を750℃、基板
結晶41の温度を450℃とした。III族原料ガスの噴出口43
a、Ｖ族原料ガスの噴出口43b、および基板結晶41上のガ
ス導入口45より常時、キャリアガスとしてH2を供給し
た。流量条件を下記に示す。
AsH3ガス 5cc/min Gaソース上のHCl 1cc/min III族、Ｖ族側の噴出口からのH2 2000cc/min 基板結晶上のガス導入口からのH2 4000cc/min 基板結晶41を設置し、反応管46の排気口47a,47bの開
閉バルブ49a,49bを開いた状態で反応管46を昇温する。
温度が安定したところでGaソース42上流のHCl導入口51
よりHClを供給する。Gaソース42との反応によって発生
したGaClは噴出口43aより噴き出し、排気口47aより排気
される。Ｖ族原料ガスの導入管52よりAsH3ガスを供給す
る。AsH3ガスはAs4に分解し、噴出口43bより噴き出し、
排気口47bより排気される。基板結晶41上のガス導入口4
5より噴き出したH2キャリアガスは、排気口47aと排気口
47bに分散され、排気される。雰囲気が安定したところ
で、実施例１の〜の成長手順を300回繰り返した結
果、成長膜厚は約850Åで、1ALEサイクル当たりの膜厚
はGaAs（100）面の単分子層厚さとほぼ等しい2.8Åと計
算された。
閉バルブ49a,49bを開いた状態で反応管46を昇温する。
温度が安定したところでGaソース42上流のHCl導入口51
よりHClを供給する。Gaソース42との反応によって発生
したGaClは噴出口43aより噴き出し、排気口47aより排気
される。Ｖ族原料ガスの導入管52よりAsH3ガスを供給す
る。AsH3ガスはAs4に分解し、噴出口43bより噴き出し、
排気口47bより排気される。基板結晶41上のガス導入口4
5より噴き出したH2キャリアガスは、排気口47aと排気口
47bに分散され、排気される。雰囲気が安定したところ
で、実施例１の〜の成長手順を300回繰り返した結
果、成長膜厚は約850Åで、1ALEサイクル当たりの膜厚
はGaAs（100）面の単分子層厚さとほぼ等しい2.8Åと計
算された。
［発明の効果］ 以上述べたように、本発明によれば、基板結晶上のII
I族元素とＶ族元素の原料ガスの流れの切り換えを行う
ことで1ALEサイクル当たりの膜厚を単分子層の単位で容
易に制御することができ、かつＶ族原料に毒性の低い固
体原料を用いることも可能なIII-V族化合物半導体の気
相成長装置が提供される。
I族元素とＶ族元素の原料ガスの流れの切り換えを行う
ことで1ALEサイクル当たりの膜厚を単分子層の単位で容
易に制御することができ、かつＶ族原料に毒性の低い固
体原料を用いることも可能なIII-V族化合物半導体の気
相成長装置が提供される。
第１図は本発明の一実施例の概略構成図、第２図は本発
明の別の一実施例の概略構成図、第３図は本発明の装置
を用いて得られた成長層の一例の概略断面図、第４図は
従来の気相成長装置の概略構成図である。 10,40……取り出し口 11a,11b,47a,47b……排気口 13a,13b,49a,49b……開閉バルブ 15,41,65……基板結晶 16a,16b,43a,43b……噴出口 17……Ｖ族原料反応管 18,45……ガス導入口 19,42,61……ガリウム（Ga）ソース 20,51……HCl導入口 21……固体ヒ素、22……ソースボート 23……移動機構、24……蒸発領域 25……待機領域、26,46,62……反応管 31……高抵抗GaAs基板 32……第１のGaAs層 33……Seのドーピング層 34……第２のGaAs層 52……Ｖ族原料ガス導入管 63a,63b……成長室、66……基板移動機構
明の別の一実施例の概略構成図、第３図は本発明の装置
を用いて得られた成長層の一例の概略断面図、第４図は
従来の気相成長装置の概略構成図である。 10,40……取り出し口 11a,11b,47a,47b……排気口 13a,13b,49a,49b……開閉バルブ 15,41,65……基板結晶 16a,16b,43a,43b……噴出口 17……Ｖ族原料反応管 18,45……ガス導入口 19,42,61……ガリウム（Ga）ソース 20,51……HCl導入口 21……固体ヒ素、22……ソースボート 23……移動機構、24……蒸発領域 25……待機領域、26,46,62……反応管 31……高抵抗GaAs基板 32……第１のGaAs層 33……Seのドーピング層 34……第２のGaAs層 52……Ｖ族原料ガス導入管 63a,63b……成長室、66……基板移動機構
Claims (2)
- 【請求項１】III族原料ガスとＶ族原料ガスを交互に反
応管内の基板結晶上に供給して結晶成長を行うIII-V族
化合物半導体の気相成長装置において、基板上部から該
基板方向に向けて配設されたキャリアガスおよび不純物
原料ガスのガス導入口と、反応管内の基板結晶の周辺部
に該基板を挟んで配設されたIII族原料ガスおよびＶ族
原料ガスに対する独立した各噴出口と、該各噴出口の近
傍に配設された前記各原料ガスの各排気口と、該各排気
口に通じる配管中に配設された排気調節機構とを備えて
なることを特徴とするIII-V族化合物半導体の気相成長
装置。 - 【請求項２】III族原料ガスとＶ族原料ガスを交互に反
応管内の基板結晶上に供給して結晶成長を行うIII-V族
化合物半導体の気相成長装置において、基板上部から該
基板方向に向けて配設されたキャリアガスおよび不純物
原料ガスのガス導入口と、反応管内の基板結晶の周辺部
に該基板を挟んで配設されたIII族原料ガスおよびＶ族
原料ガスに対する独立した各噴出口と、該各噴出口の近
傍に配設された前記各原料ガスの各排気口と、該各排気
口に通じる配管中に配設された排気調節機構と、前記Ｖ
族原料ガスの噴出口の上流側に配設され、内部には２種
類の温度領域を有するＶ族原料反応管と、該Ｖ族原料反
応管内に載置された固体のＶ族原料を前記２種類の温度
領域間で移動させる移動機構とを備えてなることを特徴
とするIII-V族化合物半導体の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12420589A JP2743471B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | ▲ｉｉｉ▼―ｖ族化合物半導体の気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12420589A JP2743471B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | ▲ｉｉｉ▼―ｖ族化合物半導体の気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02304916A JPH02304916A (ja) | 1990-12-18 |
| JP2743471B2 true JP2743471B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=14879593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12420589A Expired - Lifetime JP2743471B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | ▲ｉｉｉ▼―ｖ族化合物半導体の気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2743471B2 (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI118342B (fi) * | 1999-05-10 | 2007-10-15 | Asm Int | Laite ohutkalvojen valmistamiseksi |
| US6620723B1 (en) | 2000-06-27 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US7101795B1 (en) | 2000-06-28 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer |
| US7405158B2 (en) | 2000-06-28 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques |
| US6551929B1 (en) | 2000-06-28 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques |
| US6998579B2 (en) | 2000-12-29 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US6765178B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-07-20 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US6951804B2 (en) | 2001-02-02 | 2005-10-04 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US6734020B2 (en) | 2001-03-07 | 2004-05-11 | Applied Materials, Inc. | Valve control system for atomic layer deposition chamber |
| US7211144B2 (en) | 2001-07-13 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pulsed nucleation deposition of tungsten layers |
| US7085616B2 (en) | 2001-07-27 | 2006-08-01 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition apparatus |
| US6936906B2 (en) | 2001-09-26 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
| US7049226B2 (en) | 2001-09-26 | 2006-05-23 | Applied Materials, Inc. | Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization |
| US6461436B1 (en) | 2001-10-15 | 2002-10-08 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and process of improving atomic layer deposition chamber performance |
| WO2003033762A1 (en) * | 2001-10-15 | 2003-04-24 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition apparatus and process |
| US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
| US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| US6833161B2 (en) | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
| US7439191B2 (en) | 2002-04-05 | 2008-10-21 | Applied Materials, Inc. | Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications |
| US7262133B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-08-28 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line |
| US7211508B2 (en) | 2003-06-18 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tantalum based barrier materials |
| JP4767574B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理チャンバおよび処理装置 |
| JP6404703B2 (ja) * | 2014-12-19 | 2018-10-10 | 住友化学株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP12420589A patent/JP2743471B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02304916A (ja) | 1990-12-18 |
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