JP2808799B2 - 窒化シリコン膜のエッチング方法 - Google Patents
窒化シリコン膜のエッチング方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、窒化シリコン膜のエッチング方法に関し、
更に詳しくはリン酸系溶液を用いたウェットエッチング
方法に係るものである。
更に詳しくはリン酸系溶液を用いたウェットエッチング
方法に係るものである。
［発明の概要］ 本発明は、リン酸系溶液により窒化シリコン膜をエッ
チングする方法において、 前記リン酸系溶液にポリオキシエチレンアルキルエー
テル系の非イオン性界面活性剤を添加して、150℃〜160
℃の液温でエッチングすることにより、 シリコン化合物膜表面の表面張力を低下させて、エッ
チングぶれを低減させると共に、エッチング速度の向上
を図ったものである。
チングする方法において、 前記リン酸系溶液にポリオキシエチレンアルキルエー
テル系の非イオン性界面活性剤を添加して、150℃〜160
℃の液温でエッチングすることにより、 シリコン化合物膜表面の表面張力を低下させて、エッ
チングぶれを低減させると共に、エッチング速度の向上
を図ったものである。
［従来の技術］ 従来、窒化シリコン（Si3N4）膜等のシリコン化合物
膜をウェットエッチングする場合、エッチング液として
リン酸（H3PO4）が用いられている。また、この他のエ
ッチング液として、リン酸に酢酸，硝酸等を加えたもの
を用いたエッチング方法が知られている。このようなエ
ッチング液は、通常150〜160℃程度の高温で用いられて
いる。
膜をウェットエッチングする場合、エッチング液として
リン酸（H3PO4）が用いられている。また、この他のエ
ッチング液として、リン酸に酢酸，硝酸等を加えたもの
を用いたエッチング方法が知られている。このようなエ
ッチング液は、通常150〜160℃程度の高温で用いられて
いる。
また、半導体表面の洗浄処理剤ではあるが、特開昭63
−274149号公報記載の発明のように、第四級アンモニウ
ム水酸化物と非イオン性界面活性剤と過酸化水素を含有
するものが知られている。
−274149号公報記載の発明のように、第四級アンモニウ
ム水酸化物と非イオン性界面活性剤と過酸化水素を含有
するものが知られている。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記したようなエッチング液を用いた
ウェットエッチングにおいては、リン酸系溶液の表面張
力が高いため、ウエハ表面に形成されている例えば窒化
シリコン膜のエッチングを行った場合、窒化シリコン膜
表面へのリン酸系溶液の浸透性が低くエッチレートが低
下し、又エッチングの不均一化が生じるなどの問題点を
有している。
ウェットエッチングにおいては、リン酸系溶液の表面張
力が高いため、ウエハ表面に形成されている例えば窒化
シリコン膜のエッチングを行った場合、窒化シリコン膜
表面へのリン酸系溶液の浸透性が低くエッチレートが低
下し、又エッチングの不均一化が生じるなどの問題点を
有している。
また、例えば、微細なトレンチ構造を有するウエハの
ウェットエッチングにおいては、上記したような表面張
力の高いリン酸系溶液では、トレンチ内部までの溶液の
浸透がさらに困難となるため、エッチング漏れの箇所が
多く発生する問題点がある。
ウェットエッチングにおいては、上記したような表面張
力の高いリン酸系溶液では、トレンチ内部までの溶液の
浸透がさらに困難となるため、エッチング漏れの箇所が
多く発生する問題点がある。
更にエッチング液としてのリン酸系溶液は、例えば２
カ月程度の長期間に渡って使用されることがあるため、
高温，高濃度，長時間の使用に耐えて経時変化が生じな
い活性剤を添加することが要求されるが、従来からこの
ような苛酷な条件に耐えるための活性剤は提供されてい
ないという問題点がある。
カ月程度の長期間に渡って使用されることがあるため、
高温，高濃度，長時間の使用に耐えて経時変化が生じな
い活性剤を添加することが要求されるが、従来からこの
ような苛酷な条件に耐えるための活性剤は提供されてい
ないという問題点がある。
本発明は、このような従来の問題点に着目して創案さ
れたものであって、表面張力が低く浸透性の優れたリン
酸系溶液を用いた窒化シリコン膜のエッチング方法を得
んとするものである。
れたものであって、表面張力が低く浸透性の優れたリン
酸系溶液を用いた窒化シリコン膜のエッチング方法を得
んとするものである。
［課題を解決するための手段］ そこで、本発明は、リン酸系溶液により窒化シリコン
膜をエッチングする方法において、前記リン酸系溶液に
ポリオキシエチレンアルキルエーテル系の非イオン性界
面活性剤を添加して、150℃〜160℃の液温でエッチング
することを、その解決手段としている。
膜をエッチングする方法において、前記リン酸系溶液に
ポリオキシエチレンアルキルエーテル系の非イオン性界
面活性剤を添加して、150℃〜160℃の液温でエッチング
することを、その解決手段としている。
［作用］ ポリオキシエチレンアルキルエーテル系の非イオン性
界面活性剤は、リン酸系溶液の表面張力を下げる。ま
た、リン酸系溶液中の該非イオン性界面活性剤は、酸に
よる分解を受け経時変化を起こすことなく、また、150
〜160℃程度の熱に対しても安定である。さらに、ポリ
オキシエチレンアルキルエーテル系の非イオン性界面活
性剤は、親水性であるため、例えばウェットエッチング
後の純水リンスにて容易に洗い流すことが可能である。
界面活性剤は、リン酸系溶液の表面張力を下げる。ま
た、リン酸系溶液中の該非イオン性界面活性剤は、酸に
よる分解を受け経時変化を起こすことなく、また、150
〜160℃程度の熱に対しても安定である。さらに、ポリ
オキシエチレンアルキルエーテル系の非イオン性界面活
性剤は、親水性であるため、例えばウェットエッチング
後の純水リンスにて容易に洗い流すことが可能である。
［実施例］ 以下、本発明に係る窒化シリコン膜のエッチング方法
の詳細を実施例に基づいて説明する。
の詳細を実施例に基づいて説明する。
本実施例は、リン酸溶液にポリオキシエチレンアルキ
ルエーテルを添加したエッチング液を用いて、窒化シリ
コン膜（Si3N4）のウェットエッチングを行っている。
本実施例においては、エッチング液を150〜160℃に設定
している。
ルエーテルを添加したエッチング液を用いて、窒化シリ
コン膜（Si3N4）のウェットエッチングを行っている。
本実施例においては、エッチング液を150〜160℃に設定
している。
ポリオキシエチレンアルキルエーテルは、一般式 Ｒ−ＯCH2CH2OnH R:C12〜18の飽和及び不飽和アルキル基 例えば、 で表わされるものであり、特に、上記Ｒが、 であるポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル型
の界面活性剤がよい。
の界面活性剤がよい。
本実施例においては、リン酸溶液にポリオキシエチレ
ンアルキルエーテルを添加したことにより、リン酸溶液
の表面張力を低下させる。
ンアルキルエーテルを添加したことにより、リン酸溶液
の表面張力を低下させる。
また、エッチング液を150〜160℃とした場合も、ポリ
オキシエチレンアルキルエーテルは、安定であり、酸に
よる分解も生じなかった。
オキシエチレンアルキルエーテルは、安定であり、酸に
よる分解も生じなかった。
さらに、ポリオキシエチレンアルキルエーテルは、親
水性を有するため、ウェットエッチング後の純水リンス
により容易に洗い流しが可能である。
水性を有するため、ウェットエッチング後の純水リンス
により容易に洗い流しが可能である。
以上、実施例について説明したが、本発明は、この他
各種の変更が可能であり、例えば、上記実施例にあって
は、リン酸溶液にポリオキシエチレンアルキルエーテル
を加えたものを用いたが、リン酸溶液に酢酸や硝酸等を
加えた、他のリン酸系溶液に添加したものを用いても同
様な作用を得ることが出来る。
各種の変更が可能であり、例えば、上記実施例にあって
は、リン酸溶液にポリオキシエチレンアルキルエーテル
を加えたものを用いたが、リン酸溶液に酢酸や硝酸等を
加えた、他のリン酸系溶液に添加したものを用いても同
様な作用を得ることが出来る。
特に、リン酸に、酢酸又は硝酸を加えたエッチング液
を用いれば、アルミニウム膜やアルミ系合金膜のウェッ
トエッチングも可能である。
を用いれば、アルミニウム膜やアルミ系合金膜のウェッ
トエッチングも可能である。
また、上記実施例においては、窒化シリコン膜を適用
したが、SiO2膜等を適用することも可能である。
したが、SiO2膜等を適用することも可能である。
［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明に係るシリコ
ン化合物膜のエッチング方法によれば、非イオン性界面
活性剤（ポリオキシエチレンアルキルエーテル）を添加
して150℃〜160℃の液温でエッチングを行うことによ
り、リン酸系溶液の表面張力が低下して窒化シリコン膜
に対する浸透性が高められ、エッチング速度及びエッチ
ングの均一性が向上するとともに、半導体ウエハ表面の
微細構造部における窒化シリコン膜に対して安定したエ
ッチングを行うことができる。
ン化合物膜のエッチング方法によれば、非イオン性界面
活性剤（ポリオキシエチレンアルキルエーテル）を添加
して150℃〜160℃の液温でエッチングを行うことによ
り、リン酸系溶液の表面張力が低下して窒化シリコン膜
に対する浸透性が高められ、エッチング速度及びエッチ
ングの均一性が向上するとともに、半導体ウエハ表面の
微細構造部における窒化シリコン膜に対して安定したエ
ッチングを行うことができる。
長期間に亘って高温，高濃度の状態を維持して使用し
ても、酸による分解作用で経時変化を起こすことができ
なくなるとともに不純物（特に金属）が混入する惧れが
なく、更に親水性が高いためにウェットエッチング後の
純水リンスで容易に洗い流すことができて、作業性及び
エッチング液の取扱性が向上するという効果が得られ
る。
ても、酸による分解作用で経時変化を起こすことができ
なくなるとともに不純物（特に金属）が混入する惧れが
なく、更に親水性が高いためにウェットエッチング後の
純水リンスで容易に洗い流すことができて、作業性及び
エッチング液の取扱性が向上するという効果が得られ
る。
Claims (1)
- 【請求項１】リン酸系溶液により窒化シリコン膜をエッ
チングする方法において、 前記リン酸系溶液にポリオキシエチレンアルキルエーテ
ル系の非イオン性界面活性剤を添加して、150℃〜160℃
の液温でエッチングすることを特徴とする窒化シリコン
膜のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6600190A JP2808799B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 窒化シリコン膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6600190A JP2808799B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 窒化シリコン膜のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03268327A JPH03268327A (ja) | 1991-11-29 |
| JP2808799B2 true JP2808799B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=13303277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6600190A Expired - Fee Related JP2808799B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 窒化シリコン膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2808799B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1096703C (zh) * | 1995-11-15 | 2002-12-18 | 大金工业株式会社 | 晶片处理液及其制造方法 |
| KR100230815B1 (ko) * | 1997-03-18 | 1999-11-15 | 김영환 | 반도체 메모리 소자 격리 방법 |
| JP2005268605A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Daikin Ind Ltd | ＳｉＮ膜の選択エッチング液及びエッチング方法 |
| DE102005032807A1 (de) * | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Merck Patent Gmbh | Kombinierte Ätz- und Dotiermedien für Siliziumdioxidschichten und darunter liegendes Silizium |
| JP4983422B2 (ja) * | 2007-06-14 | 2012-07-25 | 東ソー株式会社 | エッチング用組成物及びエッチング方法 |
| JP5699463B2 (ja) * | 2010-07-06 | 2015-04-08 | 東ソー株式会社 | 窒化ケイ素のエッチング液及びエッチング方法 |
| WO2012043830A1 (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-05 | 和光純薬工業株式会社 | エッチング剤及びエッチング方法 |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP6600190A patent/JP2808799B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03268327A (ja) | 1991-11-29 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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