JP2903908B2 - Bipolar ELC circuit - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の1つ
であるバイポーラECL回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit.
And a bipolar ECL circuit .
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路は高集積化により低消費
電力化を求められており、一方でチップの大型化により
ゲートに接続される配線長が長くなり、配線容量,抵抗
による負荷は増加傾向にある。2. Description of the Related Art Semiconductor integrated circuits are required to have low power consumption due to high integration. On the other hand, as the size of a chip increases, the length of wiring connected to a gate increases, and the load due to wiring capacitance and resistance tends to increase. It is in.
【0003】これに対し、近年のECL回路において
は、充分な駆動能力を得るために図4に示すようなエミ
ッタ・フォロア部をアクティブ・プルダウン回路とする
方式が考えられている。この回路においては、出力OU
Tが高レベルから低レベルへ立下がる時、電流切換スイ
ッチのコレクタ出力CBの立下がり波形を容量CXと抵
抗RXによる微分回路を介してエミッタ・フォロアの電
流制御用トランジスタQDR1のベースを充電すること
により、出力OUTの立下がりの遷移時間だけエミッタ
・フォロア電流を増加し、出力OUTの立下がり時の負
荷に充電された電荷を充分に放電するだけの電流を流
し、高速な立下がりを実現する。On the other hand, in recent ECL circuits, a system has been considered in which the emitter follower section is an active pull-down circuit as shown in FIG. 4 in order to obtain a sufficient driving capability. In this circuit, the output OU
When T falls from the high level to the low level, the falling waveform of the collector output CB of the current changeover switch is charged to the base of the current control transistor QDR1 of the emitter follower through the differentiating circuit including the capacitor C X and the resistor R X. As a result, the emitter-follower current is increased by the transition time of the fall of the output OUT, and a current sufficient to discharge the charged electric charge to the load at the time of the fall of the output OUT is supplied. Realize.
【0004】バイアス端子VCPは制御用トランジスタQ
DR1のバイアス用であって、出力outが安定時はト
ランジスタQDR1に微少な電流が流れるようバイアス
されている。出力outの立下がり時のエミッタ・フォ
ロア電流の増加は図5(a)に示すように容量CXと抵
抗RXで構成される微分回路の時定数τ=CXRXが大き
いほど、トランジスタQDR1のベース充電する電荷量
が大きく、時間も長いため、エミッタ・フォロア電流の
増加分が大きく出力outの立下がりは高速となり、逆
に時定数τ=CXRXが小さくなるとエミッタ・フォロア
電流の増加分が小さく、出力outの立下がり時間は長
くなる。また、QS1,QR1,QCS,QEFはトラ
ンジスタ、R1,R2は抵抗である。A bias terminal V CP is connected to a control transistor Q
This is for biasing DR1 and is biased so that a small current flows through the transistor QDR1 when the output out is stable. More constant τ = C X R X when differentiating circuit comprised of capacitor C X and resistance R X as an increase of the emitter follower current shown in FIG. 5 (a) at the time of the fall of the output out is large, the transistor Since the amount of charge for charging the base of the QDR1 is large and the time is long, the amount of increase in the emitter follower current is large and the fall of the output out is fast, and conversely, when the time constant τ = C X R X becomes small, the emitter follower current becomes small. Is small, and the fall time of the output out becomes long. QS1, QR1, QCS and QEF are transistors, and R1 and R2 are resistors.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従来のアクティブ・プ
ルダウン方式のエミッタ・フォロア回路において、バイ
アス端子VCPは容量Cx及び抵抗Rxのばらつき、変動
について補正機能がなく、例えば、容量C x が小さくな
る方向にばらつくと、時定数C x R x が小となって、出力
outの立ち下がり時間が遅くなり(図5(d)参
照)、ECLゲートの伝搬遅延を悪化させるという欠点
があった。 [Problems that the Invention is to Solve In the emitter-follower circuit of a conventional active pull-down scheme, variations in the bias terminal VCP capacity C x and resistor R x, no correction function for variations, for example, small capacitance C x What
Time, the time constant C x R x becomes small and the output
The fall time of out becomes longer (see FIG. 5D).
), The disadvantage of increasing the propagation delay of the ECL gate
was there.
【0006】本発明の目的は、ECLゲートの立下がり
時間のばらつきを小さくした半導体集積回路を提供する
ことにある。An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit in which the variation in fall time of an ECL gate is reduced.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るバイポーラECL回路は、ベースに入
力信号が印加される第1のトランジスタと、該第1のト
ランジスタと共に差動対を構成する第2のトランジスタ
と、コレクタに第1の電源端子が、エミッタに出力端子
が、前記第2のトランジスタ側の差動出力がベースに接
続される第1のエミッタフォロアトランジスタと、前記
第1のトランジスタ側の差動出力に接続される第1の容
量と第1の抵抗の直列回路から成る微分回路と、前記出
力端子と第2の電源端子との間に接続され、前記微分回
路の出力がベースに接続されるアクティブ・プルダウン
用トランジスタと、該アクティブ・プルダウン用トラン
ジスタのベースに接続されるバイアス端子とを有するバ
イポーラECL回路であって、 クロックがベースに入力
される第2のエミッタフォロアトランジスタと該第2の
エミッタフォロアトランジスタのエミッタと前記第2の
電源端子との間に接続された前記第1の容量及び前記第
1の抵抗とそれぞれ実質的に等しい第2の容量及び第2
の抵抗の並列回路とからなる時定数モニター回路と、該
時定数モニター回路の出力と基準電位とを比較する時定
数検出回路と、ベースに第3の抵抗を介して前記第1の
電源端子が接続され、エミッタに前記バイアス端子が接
続される第3のエミッタフォロアトランジスタからなる
バイアス回路と、前記時定数検出回路によって検出され
た前記第1の容量と前記第1の抵抗との積で与えられる
時定数が小さいほど前記バイアス回路の前記第3のエミ
ッタフォロアトランジスタのベースから引き込む電流を
減少させるバイアス制御回路とを有するものである。ま
た前記バイアス制御回路は、前記時定数検出回路の出力
がベースに接続される第3のトランジスタと、該第3の
トランジスタと共に差動対を構成する第4のトランジス
タとを有し、該第4のトランジスタのコレクタが前記バ
イアス回路の前記第3のエミッタフォロアトランジスタ
のベースに接続されるものである。 In order to achieve the above-mentioned object, a bipolar ECL circuit according to the present invention is incorporated in a base.
A first transistor to which a force signal is applied and the first transistor;
Second transistor forming a differential pair with a transistor
And a first power supply terminal at the collector and an output terminal at the emitter
However, the differential output of the second transistor is connected to the base.
A first emitter follower transistor,
A first capacitor connected to a differential output on the first transistor side
A differentiating circuit comprising a series circuit of a quantity and a first resistor;
Connected between the power terminal and the second power supply terminal,
Active pulldown where the output of the circuit is connected to the base
Transistor and the active pull-down transistor.
A bias terminal connected to the base of the transistor.
The clock is input to the base in the bipolar ECL circuit
A second emitter follower transistor and the second
The emitter of the emitter follower transistor and the second
The first capacitor connected between the power supply terminal and the first capacitor;
A second capacitance and a second capacitance substantially equal to
A time constant monitor circuit comprising a parallel circuit of
Time constant for comparing the output of the time constant monitor circuit with the reference potential
Number detection circuit, and a first resistor connected to the base via a third resistor.
The power supply terminal is connected, and the bias terminal is connected to the emitter.
Consisting of a third emitter follower transistor connected
The bias circuit is detected by the time constant detection circuit.
Given by the product of the first capacitance and the first resistance
As the time constant is smaller, the third emitter of the bias circuit is smaller.
The current drawn from the base of the
And a bias control circuit for reducing the bias . Further, the bias control circuit includes an output of the time constant detection circuit.
Is connected to the base, and the third transistor
Fourth transistor forming a differential pair with a transistor
And the collector of the fourth transistor is
The third emitter follower transistor of the ias circuit;
Is connected to the base.
【0008】[0008]
【作用】アクティブ・プルダウン回路で使用する容量と
抵抗による時定数を時定数モニター回路でモニターし、
この時定数モニター回路で検知した情報に基づいてバイ
アス回路の出力電位を調整するものである。[Function] The time constant due to the capacitance and resistance used in the active pull-down circuit is monitored by the time constant monitor circuit .
The output potential of the bias circuit is adjusted based on the information detected by the time constant monitor circuit .
【0009】[0009]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図により説明す
る。図1は、本発明の一実施例を示す回路図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention.
【0010】図1において、アクティブ・プルダウン回
路は、ECLゲートを有しており、この構成は従来のも
のと同じである。In FIG. 1, the active pull-down circuit has an ECL gate, and this configuration is the same as that of the conventional one.
【0011】本発明は、電流制御用トランジスタQDR
1のベースに接続されたバイアス回路6と、バイアス調
整回路とを有している。The present invention relates to a current control transistor QDR
It has a bias circuit 6 connected to one base and a bias adjustment circuit.
【0012】バイアス調整回路の時定数モニター回路1
は、エミッタ・フォロアに容量Cyが負荷として接続さ
れる形態となっており、容量Cyはアクティブ・プルダ
ウン回路の容量CXを単数あるいは複数個組合せたもの
である。また抵抗Ryは抵抗Rxを単数あるいは複数組合
せたものである。容量CxとCy間及び抵抗Rx,Ry間は
各々で相対誤差,変動がないようにしている。Time constant monitor circuit 1 for bias adjustment circuit
Is a form of capacitance C y to the emitter follower is connected as a load, capacitance C y are those capacitance C X of the active pull-down circuit combines one or a plurality. The resistor Ry is a single or a combination of the resistors Rx . There is no relative error or variation between the capacitors Cx and Cy and between the resistors Rx and Ry .
【0013】時定数モニター回路1には外部よりクロッ
ク信号CLKが分周回路2より実際のクロック周期より
充分に分周されて入力される。この時の時定数モニター
出力CKYでの波形は図2(b)に示すように立上がり
時においては、エミッタ・フォロアトランジスタQCD
により強力に駆動され急速に立上がるが、立下がり時は
容量Cyに充電された電荷が抵抗Ryを介し時定数CyRy
にて徐々に放電され、立下がり波形は緩やかとなる。A clock signal CLK is externally inputted to the time constant monitor circuit 1 by the frequency dividing circuit 2 after sufficiently dividing the frequency of the actual clock cycle. At this time, the waveform of the time constant monitor output CKY at the rising time as shown in FIG.
Strongly driven but rises rapidly, during the time of falling of the charge charged in the capacitor C y is through a resistor R y constant C y R y by
, The falling waveform becomes gentle.
【0014】この立下がり波形での電圧変化を次段の時
定数検知回路3で検出しやすいように設計段階におい
て、クロック時間の分周回路と容量Cyと抵抗Ryを調整
しておく。At the design stage, the clock time divider, the capacitance Cy and the resistance Ry are adjusted so that the voltage change in the falling waveform can be easily detected by the time constant detection circuit 3 at the next stage.
【0015】時定数検知回路3のゲートU11において
は、時定数モニター出力の電圧レベルを基準レベルCM
P1と比較し、その高低により、1.0の出力信号を出
力OT1に出力する。検知回路3のゲートU12,U1
3でもゲートU11と同様に基準レベルCMP2,CM
P3と検知レベルを変えて検知することにより、ブロッ
クU11〜13の出力情報より、時定数モニター出力の
電圧レベルがどこまで立下がったか知ることができ、こ
れにより時定数を推測することができる。At the gate U11 of the time constant detecting circuit 3, the voltage level of the time constant monitor output is set to the reference level CM.
As compared with P1, the output signal of 1.0 is output to the output OT1 depending on the level. Gates U12 and U1 of detection circuit 3
3 as well as the gate U11, the reference levels CMP2 and CM
By performing detection by changing the detection level to P3, it is possible to know from the output information of the blocks U11 to U13 how far the voltage level of the time constant monitor output has fallen, thereby estimating the time constant.
【0016】時定数検知回路3の出力OT1〜OT3の
情報は、レジスタ4に格納され、次段のバイアス制御回
路5内のゲート入力となり、バイアス回路6のバイアス
レベルを調整する。The information of the outputs OT1 to OT3 of the time constant detection circuit 3 is stored in a register 4 and becomes a gate input in a bias control circuit 5 in the next stage to adjust the bias level of the bias circuit 6.
【0017】例えば図2(b)のように容量Cyが大の
ような時定数モニター回路出力波形であると、時定数検
知回路3ではゲートU11のみ高レベル(0)を出力
し、ゲートU12,U13は低レベル(1)となるが、
容量Cyが小さくばらついていると、時定数CyRyが小
さく、時定数モニター回路1の出力は短時間に立下が
り、基準レベルCMP2よりも下がるため、検知回路3
のゲートU11,U12の出力が高レベル(0),ゲー
トU13が低レベル(1)を出力し、これらをレジスタ
4に格納すると共に、バイアス制御回路5のゲートへ入
力される。For example, as shown in FIG. 2B, if the output waveform of the time constant monitor circuit is such that the capacitance Cy is large, only the gate U11 outputs a high level (0) in the time constant detection circuit 3 and the gate U12 , U13 go to low level (1),
If the capacitance C y varies small, the time constant C y R y is small, and the output of the time constant monitor circuit 1 falls in a short time and falls below the reference level CMP2.
Of the gates U11 and U12 output a high level (0) and the gate U13 outputs a low level (1), and these are stored in the register 4 and input to the gate of the bias control circuit 5.
【0018】容量Cyが大の状態では、トランジスタQ
1,Q2,Q3のベースには各々検知回路3のゲートU
11,U12,U13での検知情報が入力され、トラン
ジスタQ1が導通し、トランジスタQ2,Q3が遮断さ
れ、バイアス回路6からバイアス調整へ引き込まれる電
流IB=j2+j3に対し、容量Cyが小の時はトランジス
タQ1,Q2が導通し、IB=j3となり、容量Cyの小
の場合、バイアス回路6内の抵抗RBでの電圧降下が小
であり、バイアス電圧VCPが高くなる。When the capacitance Cy is large, the transistor Q
1, Q2 and Q3 each have a gate U of the detection circuit 3
The detection information at 11, U12, and U13 is input, the transistor Q1 is turned on, the transistors Q2 and Q3 are turned off, and the current I B = j 2 + j 3 drawn into the bias adjustment from the bias circuit 6 corresponds to the capacitance C y There when small is conducting transistor Q1, Q2 is, I B = j 3, and when a small capacity C y, the voltage drop at the resistor R B in the bias circuit 6 is small, the bias voltage V CP is Get higher.
【0019】この状態でのアクティブ・プルダウン回路
の動作は図3に示すように、バイアス電圧VCPが上昇し
たため、図3(c)のように安定時のエミッタ・フォロ
ア電流が増加し、これに電流スイッチQS1のコレクタ
端子CBの立上がり時、容量CXを介した微分波形状の
増分が重畳されるため、エミッタ・フォロア電流制御ト
ランジスタQDR1のベースを充電する電荷量を容量C
Xが大の時と同様にすることが可能となり、出力out
の立下がり波形においてアクティ・プルダウン回路の容
量CX,抵抗RXのばらつきによる遅延時間のばらつきを
小さく抑えることができる。The operation of the active pull-down circuit in this state, as shown in FIG. 3, because the bias voltage V CP has risen, the emitter follower current in a stable state increases as shown in FIG. When the collector terminal CB of the current switch QS1 rises, an increment of the differential wave shape via the capacitor CX is superimposed, so that the amount of charge for charging the base of the emitter-follower current control transistor QDR1 is changed to the capacitance C
It becomes possible to do the same as when X is large, and output out
In the falling waveform of, the variation of the delay time due to the variation of the capacitance C X and the resistance R X of the active pull-down circuit can be reduced.
【0020】[0020]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、アクティ
ブ・プルダウン回路で使用する容量と抵抗の積である時
定数をモニターする時定数モニター回路を設け、この時
定数モニター回路で検知した情報に基づいてバイアス回
路の出力電位を調整するものであり、アクティブ・プル
ダウン回路で使用する容量と抵抗の積で与えられる時定
数が小さくなる方向にばらついても、ECLゲートの立
下がり時間が遅くなるようなことはなく、ECLゲート
の伝搬遅延の悪化を防ぐことができる。 The present invention described above, according to the present invention means a constant monitoring circuit is provided when monitoring the time constant is the product of the resistance and capacitance used in active pull-down circuit, when the
It is intended to adjust the output voltage of the bias circuit on the basis of the information detected by constant monitoring circuit, active pull
Time constant given by product of capacitance and resistance used in down circuit
Even if the number fluctuates in the decreasing direction, the
ECL gate without falling time
This can prevent the propagation delay from becoming worse.
【図1】本発明による一実施例におけるECLゲートと
バイアス調整回路を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an ECL gate and a bias adjustment circuit according to one embodiment of the present invention.
【図2】図1で示したバイアス調整回路の動作を示す説
明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing an operation of the bias adjustment circuit shown in FIG.
【図3】図1で示したECLゲートの動作を示す説明図
である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing an operation of the ECL gate shown in FIG.
【図4】従来におけるECLゲート回路図である。FIG. 4 is a conventional ECL gate circuit diagram.
【図5】図4で示したECLゲートの動作を示す説明図
である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing the operation of the ECL gate shown in FIG.
1 時定数モニター回路 2 分周回路 3 時定数検知回路 4 レジスタ 5 バイアス制御回路 6 バイアス回路 QS1,QR1,QDR1,QO11,Q1,Q2,Q
3,QCS,QEFトランジスタ R1,R2,RB,Rx,Ry 抵抗 Cx,Cy 容量 U11,U12,U13 ゲート F1,F2,F3 フリップフロップ VCS 定電圧源用端子 VCP バイアス用端子1 time constant monitor circuit 2 frequency divider 3 time constant detector 4 register 5 bias control circuit 6 bias circuit QS1, QR1, QDR1, QO11, Q1, Q2, Q
3, QCS, QEF transistor R1, R2, R B, R x, R y resistance C x, C y capacitor U11, U12, U13 gates F1, F2, F3 flipflop V CS constant voltage source terminal V CP bias terminal
Claims (2)
ランジスタと、該第1のトランジスタと共に差動対を構
成する第2のトランジスタと、コレクタに第1の電源端
子が、エミッタに出力端子が、前記第2のトランジスタ
側の差動出力がベースに接続される第1のエミッタフォ
ロアトランジスタと、前記第1のトランジスタ側の差動
出力に接続される第1の容量と第1の抵抗の直列回路か
ら成る微分回路と、前記出力端子と第2の電源端子との
間に接続され、前記微分回路の出力がベースに接続され
るアクティブ・プルダウン用トランジスタと、該アクテ
ィブ・プルダウン用トランジスタのベースに接続される
バイアス端子とを有するバイポーラECL回路であっ
て、 クロックがベースに入力される第2のエミッタフォロア
トランジスタと該第2のエミッタフォロアトランジスタ
のエミッタと前記第2の電源端子との間に接続された前
記第1の容量及び前記第1の抵抗とそれぞれ実質的に等
しい第2の容量及び第2の抵抗の並列回路とからなる時
定数モニター回路と、該時定数モニター回路の出力と基
準電位とを比較する時定数検出回路と、ベースに第3の
抵抗を介して前記第1の電源端子が接続され、エミッタ
に前記バイアス端子が接続される第3のエミッタフォロ
アトランジスタからなるバイアス回路と、前記時定数検
出回路によって検出された前記第1の容量と前記第1の
抵抗との積で与えられる時定数が小さいほど前記バイア
ス回路の前記第3のエミッタフォロアトランジスタのベ
ースから引き込む電流を減少させるバイアス制御回路と
を有することを特徴とするバイポーラECL回路。 A first transistor to which an input signal is applied to a base.
A differential pair is formed with the transistor and the first transistor.
A second transistor to be formed, and a first power supply terminal connected to the collector.
The second transistor has an output terminal connected to the emitter,
The first emitter for which the differential output on the side is connected to the base
A lower transistor and a differential on the first transistor side.
Whether a series circuit of a first capacitor and a first resistor connected to the output
A differentiating circuit comprising the output terminal and the second power supply terminal.
And the output of the differentiating circuit is connected to the base.
Active pull-down transistor and
Connected to the base of active pull-down transistor
A bipolar ECL circuit having a bias terminal
And a second emitter follower in which the clock is input to the base.
Transistor and second emitter follower transistor
Connected between the second power supply terminal and the emitter of
The first capacitance and the first resistance are substantially equal to each other.
When a new second capacitor and a second resistor are connected in parallel
A constant monitor circuit, and the output and base of the time constant monitor circuit.
A time constant detection circuit for comparing with a quasi-potential, and a third
The first power supply terminal is connected via a resistor, and the
A third emitter follower to which the bias terminal is connected
A bias circuit comprising a transistor and
The first capacitance detected by the output circuit and the first capacitance
The smaller the time constant given by the product of the resistance and the
Of the third emitter follower transistor of the
Bias control circuit to reduce current drawn from source
And a bipolar ECL circuit.
出回路の出力がベースに接続される第3のトランジスタ
と、該第3のトランジスタと共に差動対を構成する第4
のトランジスタとを有し、該第4のトランジスタのコレ
クタが前記バイアス回路の前記第3のエミッタフォロア
トランジスタのベースに接続されることを特徴とする請
求項1に記載のバイポーラECL回路。 2. The method according to claim 1, wherein the bias control circuit detects the time constant.
A third transistor whose output is connected to the base of the output circuit
And a fourth transistor forming a differential pair with the third transistor.
And a transistor of the fourth transistor.
A third emitter follower of the bias circuit.
A transistor connected to the base of a transistor
The bipolar ECL circuit according to claim 1.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP28501192A JP2903908B2 (en) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | Bipolar ELC circuit |
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|---|---|
| JPH06112809A JPH06112809A (en) | 1994-04-22 |
| JP2903908B2 true JP2903908B2 (en) | 1999-06-14 |
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ID=17685999
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|---|---|---|---|
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1992
- 1992-09-30 JP JP28501192A patent/JP2903908B2/en not_active Expired - Lifetime
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| JPH06112809A (en) | 1994-04-22 |
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