JP3290983B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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Description
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【０００２】 例えばアルミニウム配線層を設計するとき、その断面
積を、必要とする電流密度に対応するように計算で求め
ている。然るに、実際の製造工程においては設計通りの
断面積にはならずにばらつきを生じ、このままパッケー
ジに搭載して使用すると種々の問題を生じる。特に、近
年の半導体装置は、微細技術の導入と市場ニーズの高速
化に伴ってますます薄膜化されてきており、配線層のカ
バレッジの管理が重要なポイントとなっている。そこ
で、カバレッジの最も厳しい部分は配線層のコンタクト
部分であるので、この配線層コンタクト部分のカバレッ
ジ管理が必要である。
積を、必要とする電流密度に対応するように計算で求め
ている。然るに、実際の製造工程においては設計通りの
断面積にはならずにばらつきを生じ、このままパッケー
ジに搭載して使用すると種々の問題を生じる。特に、近
年の半導体装置は、微細技術の導入と市場ニーズの高速
化に伴ってますます薄膜化されてきており、配線層のカ
バレッジの管理が重要なポイントとなっている。そこ
で、カバレッジの最も厳しい部分は配線層のコンタクト
部分であるので、この配線層コンタクト部分のカバレッ
ジ管理が必要である。
【０００３】
従来、管理工程上、ウェハのある一部分のチップを取
出し、配線層コンタクト部分を走査電子顕微鏡（SEM）
によって斜め方向から観察していた。この場合、断面を
観察することはできないので、コンタクト部分の凹み具
合を基にして経験と勘とでカバレッジの良否を決断して
いた。
出し、配線層コンタクト部分を走査電子顕微鏡（SEM）
によって斜め方向から観察していた。この場合、断面を
観察することはできないので、コンタクト部分の凹み具
合を基にして経験と勘とでカバレッジの良否を決断して
いた。
【０００４】
従来は、経験と勘とでカバレッジ管理を行なっていた
ため、その判断には観察者及び環境などによって誤差が
ありすぎ、正確なカバレッジ管理ができない問題点があ
った。そこで、このような不都合をなくすため、従来、
断面研磨によって配線層コンタクト部分を切断してその
断面を観察することも行なわれているが、チップの端部
から配線層コンタクト部分まで徐々に断面研磨していく
作業は時間がかかり、又、ICパターン形成部を破壊する
ためにチップを無駄にしてしまう問題点があった。
ため、その判断には観察者及び環境などによって誤差が
ありすぎ、正確なカバレッジ管理ができない問題点があ
った。そこで、このような不都合をなくすため、従来、
断面研磨によって配線層コンタクト部分を切断してその
断面を観察することも行なわれているが、チップの端部
から配線層コンタクト部分まで徐々に断面研磨していく
作業は時間がかかり、又、ICパターン形成部を破壊する
ためにチップを無駄にしてしまう問題点があった。
【０００５】 本発明は、配線層などのカバレッジを正確かつ迅速に
観察できる半導体装置を提供することを目的とする。
観察できる半導体装置を提供することを目的とする。
【０００６】
図１（Ａ），（Ｂ）は本発明の原理図を示す。 同図（Ａ）中、33はカバレッジモニタ部で、ウェハ30の
スクライブライン31とチップ領域32との両方に掛かるよ
うに形成されている。この場合、カバレッジモニタ部
は、スクライブラインの切断によってモニタ用上層配線
層の断面が現われる現状に形成されている。一方、同図
（Ｂ）中、34はカバレッジモニタ部で、モニタ用上層配
線層がコンタクトホールの中央部でカットされたパター
ニング形状に形成されている。この場合、カバレッジモ
ニタ部は、ウェハ30のスクライブライン31のみに形成さ
れている。
スクライブライン31とチップ領域32との両方に掛かるよ
うに形成されている。この場合、カバレッジモニタ部
は、スクライブラインの切断によってモニタ用上層配線
層の断面が現われる現状に形成されている。一方、同図
（Ｂ）中、34はカバレッジモニタ部で、モニタ用上層配
線層がコンタクトホールの中央部でカットされたパター
ニング形状に形成されている。この場合、カバレッジモ
ニタ部は、ウェハ30のスクライブライン31のみに形成さ
れている。
【０００７】 上記構成おいて、ウェハからチップを得るに際し、ス
クライブラインを切断する。本発明では、カバレッジモ
ニタ部をスクライブラインとチップ領域との両方に掛か
るように形成し、スクライブラインの切断によってモニ
タ用上層配線層の断面が現われるようにしているので、
カバレッジ観察のために特別の切断を行なわないでもス
クライブラインの断面にモニタ用上層配線層の断面が現
われ、コンタクト部分の凹み具合を斜め方向から観察す
る方法よりもカバレッジを正確に観察でき、しかも断面
研磨を行なうよりも迅速に観察できる。又、カバレッジ
モニタ部をスクライブラインとチップ領域とに形成して
いるので、ICパターン形成部（実デバイス部）を破壊さ
せないでもカバレッジ観察できる。
クライブラインを切断する。本発明では、カバレッジモ
ニタ部をスクライブラインとチップ領域との両方に掛か
るように形成し、スクライブラインの切断によってモニ
タ用上層配線層の断面が現われるようにしているので、
カバレッジ観察のために特別の切断を行なわないでもス
クライブラインの断面にモニタ用上層配線層の断面が現
われ、コンタクト部分の凹み具合を斜め方向から観察す
る方法よりもカバレッジを正確に観察でき、しかも断面
研磨を行なうよりも迅速に観察できる。又、カバレッジ
モニタ部をスクライブラインとチップ領域とに形成して
いるので、ICパターン形成部（実デバイス部）を破壊さ
せないでもカバレッジ観察できる。
【０００８】
【０００９】
図２は本発明の第１実施例の平面図を示す。同図中、
11〜16はカバレッジモニタ部で、チップ２のモニタ領域
2aからチップ３のモニタ領域3aにかけて順次その位置を
ずらして形成されている。４はスクライブライン（切断
領域）で、図３にウェハ５全体の概略図（図面を簡略化
するためにチップを９個のみ示す）を示す如く、各チッ
プ2,3,…の隣接部分に設けられている。カバレッジモニ
タ部11〜16はこの切断領域４を含み、チップ２のモニタ
領域2a又はチップ３のモニタ領域3aに掛かるように形成
されている。
11〜16はカバレッジモニタ部で、チップ２のモニタ領域
2aからチップ３のモニタ領域3aにかけて順次その位置を
ずらして形成されている。４はスクライブライン（切断
領域）で、図３にウェハ５全体の概略図（図面を簡略化
するためにチップを９個のみ示す）を示す如く、各チッ
プ2,3,…の隣接部分に設けられている。カバレッジモニ
タ部11〜16はこの切断領域４を含み、チップ２のモニタ
領域2a又はチップ３のモニタ領域3aに掛かるように形成
されている。
【００１０】 再び図２中、モニタ領域2a,3aのカバレッジモニタ部1
1〜16を除いた左部分には、従来例と同様、トランジス
タの電気的特性をモニタするためのトランジスタモニタ
部（図示せず）が設けられている。61,62,…はチップ２
のパッド、71,72,…はチップ３のパッドである。
1〜16を除いた左部分には、従来例と同様、トランジス
タの電気的特性をモニタするためのトランジスタモニタ
部（図示せず）が設けられている。61,62,…はチップ２
のパッド、71,72,…はチップ３のパッドである。
【００１１】 ここで、カバレッジモニタ部11〜16は、通常のアルミ
ニウム配線製造工程において同時に形成され、上層アル
ミニウム層と下層アルミニウム層とをコンタクトホール
を介して接続された形状とされている。図２中切断領域
４で切断された断面は、カバレッジモニタ部11〜16のう
ちの一つを示すと図４の如くとなり、ウェハ基板10上に
下層アルミニウム層11,コンタクトホール12aを設けられ
たアイソレーション12,上層アルミニウム層（モニタ用
アルミニウムパターン）13が形成されている。
ニウム配線製造工程において同時に形成され、上層アル
ミニウム層と下層アルミニウム層とをコンタクトホール
を介して接続された形状とされている。図２中切断領域
４で切断された断面は、カバレッジモニタ部11〜16のう
ちの一つを示すと図４の如くとなり、ウェハ基板10上に
下層アルミニウム層11,コンタクトホール12aを設けられ
たアイソレーション12,上層アルミニウム層（モニタ用
アルミニウムパターン）13が形成されている。
【００１２】 ウェハ５からチップ2,3,…を得るに際し、ウェハ５を
切断領域４で切断する。ここで、カバレッジ管理工程に
おいて、カバレッジ観察を行なう際、SEMによってその
切断面を観察する。カバレッジモニタ部11〜16はチップ
２のモニタ領域2a又はチップ３のモニタ領域3aに掛かる
ように設けられているため、切断領域４に沿って切断す
ると、その切断面には図４に示すようにカバレッジモニ
タ部11〜16の断面が現われる。
切断領域４で切断する。ここで、カバレッジ管理工程に
おいて、カバレッジ観察を行なう際、SEMによってその
切断面を観察する。カバレッジモニタ部11〜16はチップ
２のモニタ領域2a又はチップ３のモニタ領域3aに掛かる
ように設けられているため、切断領域４に沿って切断す
ると、その切断面には図４に示すようにカバレッジモニ
タ部11〜16の断面が現われる。
【００１３】 この場合、カバレッジモニタ部11〜16は切断領域４に
おいて順次その位置を切断領域４の表示方向と直角方向
にずらして形成されているので、切断領域４の切断精度
があまり高くなくてもいくつかのカバレッジモニタ部の
断面が確実に現われることになる。カバレッジモニタ部
11〜16はウェハ５の通常のアルミニウム配線製造工程に
おいて同時に形成されているので、ウェハ５のカバレッ
ジを観察するモニタ部となり得る。
おいて順次その位置を切断領域４の表示方向と直角方向
にずらして形成されているので、切断領域４の切断精度
があまり高くなくてもいくつかのカバレッジモニタ部の
断面が確実に現われることになる。カバレッジモニタ部
11〜16はウェハ５の通常のアルミニウム配線製造工程に
おいて同時に形成されているので、ウェハ５のカバレッ
ジを観察するモニタ部となり得る。
【００１４】 本発明は、カバレッジモニタ部11〜16の断面そのもの
を観察できるので、コンタクト部分の凹み具合を斜め方
向から観察していた従来例に比してカバレッジを正確に
判断でき、しかも、カバレッジ観察のためにコンタクト
部分をわざわざ断面研磨するのではなく、通常のスクラ
イブ工程で切断された切断面をそのまま利用して観察し
ているので断面研磨の方法に比して手間も多くを必要と
せず、プロセスの異常を早急に発見でき、短時間で解析
工程に移すことができる。又、各チップ2,3,…における
カバレッジを夫々正確に観察できるので、ウェハ５全体
における各チップの場所推定を正確に行なうことがで
き、チップ管理に便利である。更に、カバレッジモニタ
部11〜16を切断領域４及びモニタ領域2a,3aに形成して
いるので、ICパターン形成部（実デバイス部）を破壊さ
せなくてもカバレッジ観察でき、チップを無駄にするこ
とはない。
を観察できるので、コンタクト部分の凹み具合を斜め方
向から観察していた従来例に比してカバレッジを正確に
判断でき、しかも、カバレッジ観察のためにコンタクト
部分をわざわざ断面研磨するのではなく、通常のスクラ
イブ工程で切断された切断面をそのまま利用して観察し
ているので断面研磨の方法に比して手間も多くを必要と
せず、プロセスの異常を早急に発見でき、短時間で解析
工程に移すことができる。又、各チップ2,3,…における
カバレッジを夫々正確に観察できるので、ウェハ５全体
における各チップの場所推定を正確に行なうことがで
き、チップ管理に便利である。更に、カバレッジモニタ
部11〜16を切断領域４及びモニタ領域2a,3aに形成して
いるので、ICパターン形成部（実デバイス部）を破壊さ
せなくてもカバレッジ観察でき、チップを無駄にするこ
とはない。
【００１５】 図５は本発明の第２実施例の平面図を示し、同図中、
図２と同一機能を有する部分には同一番号を付してその
説明を省略する。図５中151,152はカバレッジモニタ部
で、夫々、切断領域４を介してチップ２とチップ３とに
またがって形成されている。カバレッジモニタ部151,15
2の断面も図４に示す形状とされており、第１実施例と
同様に、切断領域４の切断によって現われる切断面を観
察することにより、カバレッジを正確に観察できる。カ
バレッジモニタ部151,152はチップ２とチップ３とにま
たがって形成されているため、このものも切断精度があ
まり高くなくてもカバレッジモニタ部151,152の断面を
確実に現わすことができる。
図２と同一機能を有する部分には同一番号を付してその
説明を省略する。図５中151,152はカバレッジモニタ部
で、夫々、切断領域４を介してチップ２とチップ３とに
またがって形成されている。カバレッジモニタ部151,15
2の断面も図４に示す形状とされており、第１実施例と
同様に、切断領域４の切断によって現われる切断面を観
察することにより、カバレッジを正確に観察できる。カ
バレッジモニタ部151,152はチップ２とチップ３とにま
たがって形成されているため、このものも切断精度があ
まり高くなくてもカバレッジモニタ部151,152の断面を
確実に現わすことができる。
【００１６】 図６は本発明の第３実施例の平面図を示し、同図中、
図２と同一機能を有する部分には同一番号を付してその
説明を省略する。図６中、20はカバレッジモニタ部で、
切断領域４に形成されており、上層アルミニウム層（モ
ニタ用アルミニウムパターン）21,コンタクトホール22
a,下層アルミニウム層23にて構成されている。22はアイ
ソレーションである。カバレッジモニタ部20は通常のア
ルミニウム配線製造工程において同時に形成され、特
に、上層アルミニウム層（モニタ用アルミニウムパター
ン）21の形成に際しては、通常の上層アルミニウム層の
パターニングと異なった、コンタクトホール22aの中央
部でカットされるパターニング（即ち、梨地部分のみ残
るようなパターニング）によってエッチング形成されて
いる。
図２と同一機能を有する部分には同一番号を付してその
説明を省略する。図６中、20はカバレッジモニタ部で、
切断領域４に形成されており、上層アルミニウム層（モ
ニタ用アルミニウムパターン）21,コンタクトホール22
a,下層アルミニウム層23にて構成されている。22はアイ
ソレーションである。カバレッジモニタ部20は通常のア
ルミニウム配線製造工程において同時に形成され、特
に、上層アルミニウム層（モニタ用アルミニウムパター
ン）21の形成に際しては、通常の上層アルミニウム層の
パターニングと異なった、コンタクトホール22aの中央
部でカットされるパターニング（即ち、梨地部分のみ残
るようなパターニング）によってエッチング形成されて
いる。
【００１７】 ここで、図６に示す矢印方向からコンタクトホール22
a近傍のカバレッジモニタ部20を観た斜視図を図７に示
す。図７中、図６と同一部分には同一番号を付す。第２
実施例では、上層アルミニウム層（モニタ用アルミニウ
ムパターン）21をコンタクトホール22aの中央部でカッ
トされたパターニング形状に形成されているため、コン
タクトホール22aには上層アルミニウム層21のカバレッ
ジ（図６に矢印で示す）が現われることになり、前述の
第１実施例のようにウェハを切断しなくてもアルミニウ
ム配線製造工程の段階においてSEMを用いてカバレッジ
観察を正確に行なうことができ、プロセスの増加なく、
コストダウンを図り得る。又、第１実施例と同様、断面
研磨を行なう従来例に比して手間を多く必要とせず、し
かも、ICパターン形成部（実デバイス部）を破壊させな
くても済み、更に、各チップの場所推定を正確に行なう
ことができる。
a近傍のカバレッジモニタ部20を観た斜視図を図７に示
す。図７中、図６と同一部分には同一番号を付す。第２
実施例では、上層アルミニウム層（モニタ用アルミニウ
ムパターン）21をコンタクトホール22aの中央部でカッ
トされたパターニング形状に形成されているため、コン
タクトホール22aには上層アルミニウム層21のカバレッ
ジ（図６に矢印で示す）が現われることになり、前述の
第１実施例のようにウェハを切断しなくてもアルミニウ
ム配線製造工程の段階においてSEMを用いてカバレッジ
観察を正確に行なうことができ、プロセスの増加なく、
コストダウンを図り得る。又、第１実施例と同様、断面
研磨を行なう従来例に比して手間を多く必要とせず、し
かも、ICパターン形成部（実デバイス部）を破壊させな
くても済み、更に、各チップの場所推定を正確に行なう
ことができる。
【００１８】
以上説明した如く、本発明によれば、スクライブライ
ンとチップ領域との両方に掛かるようにカバレッジモニ
タ部を形成しているため、通常のスクライブ工程による
切断にてモニタ用上層配線層の断面が現われるので、従
来例よりもカバレッジを正確に観察でき、又、断面研磨
を行なう方法よりも迅速に観察でき、しかもチップを無
駄にすることはない。
ンとチップ領域との両方に掛かるようにカバレッジモニ
タ部を形成しているため、通常のスクライブ工程による
切断にてモニタ用上層配線層の断面が現われるので、従
来例よりもカバレッジを正確に観察でき、又、断面研磨
を行なう方法よりも迅速に観察でき、しかもチップを無
駄にすることはない。
【００１９】
【図１】 本発明の原理図である。
【図２】 本発明の第１実施例の平面図である。
【図３】 本発明におけるウェハ全体の概略図である。
【図４】 カバレッジモニタ部の断面図である。
【図５】 本発明の第２実施例の平面図である。
【図６】 本発明の第３実施例の平面図である。
【図７】 第３実施例におけるカバレッジモニタ部の斜視図であ
る。
る。
11〜16,151,152,20,33,34……カバレッジモニタ部、 2,3……チップ、 2a,3a……モニタ領域、 4,31……スクライブライン（切断領域）、 5,30……ウェハ、 11,23……下層アルミニウム層、 12,22……アイソレーション、 12a,22a……コンタクトホール、 13,21……上層アルミニウム層（モニタ用アルミニウム
パターン）（モニタ用上層配線層）、 32……チップ領域
パターン）（モニタ用上層配線層）、 32……チップ領域
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−232748（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−59231（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−234544（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−208252（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−107037（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−123430（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−107532（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−270342（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−109735（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−235356（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−278242（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−46042（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−129730（ＪＰ，Ｕ) 特表 昭61−501738（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/66
Claims (3)
- 【請求項１】半導体基板のスクライブラインとチップ領
域の両方に掛かるように形成された配線層のカバレッジ
モニタ部を備えた半導体装置であって、 前記カバレッジモニタ部が、前記スクライブラインの切
断によって前記配線層の断面が現われる形状に形成され
てなることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】前記カバレッジモニタ部が、順次その位置
を前記スクライブラインの長手方向と直角方向にずらし
て、複数個形成されたことを特徴とする請求項１記載の
半導体装置。 - 【請求項３】前記カバレッジモニタ部が、スクライブラ
インを介して隣接する２つのチップ領域にまたがって形
成されてなることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28396190A JP3290983B2 (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28396190A JP3290983B2 (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04158543A JPH04158543A (ja) | 1992-06-01 |
| JP3290983B2 true JP3290983B2 (ja) | 2002-06-10 |
Family
ID=17672472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28396190A Expired - Fee Related JP3290983B2 (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3290983B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5403753A (en) * | 1993-07-15 | 1995-04-04 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming implant indicators for implant verification |
| KR100541798B1 (ko) * | 1998-07-10 | 2006-03-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 테그 패턴 형성방법 |
-
1990
- 1990-10-22 JP JP28396190A patent/JP3290983B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04158543A (ja) | 1992-06-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080322 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090322 Year of fee payment: 7 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |