JP3417809B2 - Plating method, plating apparatus and lead frame manufacturing method - Google Patents
Plating method, plating apparatus and lead frame manufacturing methodInfo
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、短冊状のフレーム
にメッキを行うメッキ方法およびメッキ装置並びに製造
工程にメッキ工程を含むリードフレームの製造方法に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plating method and a plating apparatus for plating a strip-shaped frame, and a lead frame manufacturing method including a plating step in the manufacturing process.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、短冊状フレームにメッキを行う場
合、図10に示すように、陽極40を備えたメッキ槽4
1に、短冊状フレーム42を電力供給部43から電力が
供給される陰極44と接触させながら搬送し、メッキを
する方法が用いられてきた。2. Description of the Related Art Conventionally, when a strip-shaped frame is plated, a plating tank 4 having an anode 40 is provided as shown in FIG.
First, a method has been used in which the strip-shaped frame 42 is transported while being in contact with the cathode 44 to which power is supplied from the power supply unit 43, and plating is performed.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、電流および搬
送速度が一定の状態でメッキすると、短冊状フレームの
先端部または後端部のどちらか一方がメッキ槽に入って
いるとき、メッキ槽内の短冊状フレーム面積が小さくな
るため、短冊状フレームに流れる電流密度が高くなり、
電流密度が高くなるとメッキ厚が厚くなるので、メッキ
面積が小さいときにメッキされる時間が長い部分ほどメ
ッキ厚が厚くなり、短冊状フレーム先端部及び後端部に
おいて端部に近いほど高い電流密度でメッキされる時間
が長くなり、メッキ厚が厚くなってしまい、短冊状フレ
ームの先端部及び後端部とそれ以外の部分でメッキ厚に
差がでる問題があった。However, when plating is performed with a constant current and transport speed, when either the front end or the rear end of the strip-shaped frame is in the plating tank, Since the strip frame area is smaller, the current density flowing in the strip frame is higher,
As the current density becomes higher, the plating thickness becomes thicker.Therefore, when the plating area is small, the longer the plating time is, the thicker the plating thickness becomes. The closer the ends of the strip frame are to the end, the higher the current density becomes. However, there is a problem that the plating time becomes longer and the plating thickness becomes thicker, resulting in a difference in the plating thickness between the front end portion and the rear end portion of the strip-shaped frame and other portions.
【0004】また、短冊状フレーム投入時及び短冊状フ
レーム排出時のメッキ槽内の短冊状フレーム面積が極め
て小さいとき、電流密度が著しく高くなるため、ヤケ不
良が発生する原因となっていた。Further, when the area of the strip-shaped frame in the plating tank at the time of loading the strip-shaped frame and when discharging the strip-shaped frame is extremely small, the current density is remarkably increased, which causes a burn defect.
【0005】本発明は以上の問題を鑑みてなされたもの
で、短冊状フレームの先端部および後端部のメッキ厚と
他の部分のメッキ厚の差を小さくでき、ヤケ不良を防止
することができるメッキ方法およびメッキ装置並びにリ
ードフレームの製造方法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and it is possible to reduce the difference between the plating thickness of the front end and the rear end of the strip-shaped frame and the plating thickness of other portions, and to prevent burn defects. An object of the present invention is to provide a plating method, a plating apparatus, and a lead frame manufacturing method that can be performed.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明におけるメッキ方
法は、搬送される短冊状フレームに複数のメッキ槽を用
いて連続的にメッキを行うメッキ方法において、メッキ
槽の外側の短冊フレーム投入口付近及び短冊フレーム排
出口付近に各々が異なる電力供給部と接続する電極を設
け、短冊状フレームの先端部若しくは後端部が存在する
メッキ槽の該短冊状フレームに電極を介して一の電力供
給部から電力を供給してメッキを行い、先端部及び後端
部以外の短冊状フレームが存在するメッキ槽の該短冊状
フレームに電極を介して複数の電力供給部から電力を供
給してメッキを行う。A plating method according to the present invention is a plating method in which a strip-shaped frame to be conveyed is continuously plated using a plurality of plating tanks. And an electrode connected to a different power supply unit near the strip frame discharge port, and one power supply unit via the electrode to the strip frame of the plating tank in which the front end or the rear end of the strip frame exists. Power is supplied from the plurality of power supply units via electrodes to the strip-shaped frame of the plating tank in which strip-shaped frames other than the front end and the rear end are present to perform plating. .
【0007】また、短冊状フレームは、先端部若しくは
後端部の少なくとも一方に不要部分を有する。Further, the strip-shaped frame has an unnecessary portion on at least one of the front end portion and the rear end portion.
【0008】そして、メッキ槽は、短冊状フレームの搬
送方向の長さが不要部より短い。In the plating tank, the length of the strip-shaped frame in the carrying direction is shorter than that of the unnecessary portion.
【0009】次に、本発明におけるメッキ装置は、短冊
状フレームを搬送しながら複数のメッキ槽を用いて連続
的に該短冊状フレームにメッキを行うメッキ装置におい
て、メッキ槽の外側の短冊フレーム投入口付近及び短冊
フレーム排出口付近に設けられ、各々が異なる電力供給
部と接続する複数の陰極と、メッキ槽に設けられ、複数
の電力供給部と接続する陽極とを具備する。Next, the plating apparatus according to the present invention is a plating apparatus for continuously plating a strip-shaped frame using a plurality of plating tanks while transporting the strip-shaped frame. It has a plurality of cathodes provided near the mouth and near the strip frame outlet and connected to different power supply units, and an anode provided in the plating tank and connected to the plurality of power supply units.
【0010】また、陽極は、複数の電力供給部と並列に
接続している。Further, the anode is connected in parallel with a plurality of power supply units.
【0011】そして、短冊状フレームの先端部若しくは
後端部が存在するメッキ槽は、短冊状フレームに一の電
力供給部から電力を供給してメッキを行い、先端部及び
後端部以外の短冊状フレームが存在するメッキ槽は、短
冊状フレームに複数の電力供給部から電力を供給してメ
ッキを行う。In the plating tank in which the leading end portion or the trailing end portion of the strip-shaped frame exists, the strip-shaped frame is supplied with power from one power supply unit to perform plating, and strips other than the leading end portion and the trailing end portion are stripped. In the plating tank in which the strip-shaped frame is present, the strip-shaped frame is supplied with power from a plurality of power supply units to perform plating.
【0012】本発明におけるリードフレームの製造方法
は、搬送されるリードフレームの母材に複数のメッキ槽
を用いて連続的にメッキを行うリードフレームの製造方
法において、メッキ槽の外側の短冊フレーム投入口付近
及び短冊フレーム排出口付近に各々が異なる電力供給部
と接続する電極を設け、母材の先端部若しくは後端部が
存在するメッキ槽の該母材に電極を介して一の電力供給
部から電力を供給してメッキを行い、先端部及び後端部
以外の母材が存在するメッキ槽の該母材に電極を介して
複数の電力供給部から電力を供給してメッキを行う。A method of manufacturing a lead frame according to the present invention is a method of manufacturing a lead frame in which a base material of a lead frame to be conveyed is continuously plated by using a plurality of plating tanks. An electrode connected to a different power supply unit is provided near the mouth and near the strip frame outlet, and one power supply unit is provided through the electrode to the base material of the plating tank in which the front end or the rear end of the base material exists. Is used to perform plating, and plating is performed by supplying power from a plurality of power supply units to the base material of the plating tank in which the base material other than the front end portion and the rear end portion exists via electrodes.
【0013】ここで、メッキは、パラジウムメッキであ
る。Here, the plating is palladium plating.
【0014】[0014]
【0015】[0015]
【0016】[0016]
【発明の実施形態】以下、本発明の実施形態について、
図面を参照しつつ詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below.
A detailed description will be given with reference to the drawings.
【0017】本発明の実施形態のメッキ装置は、図1に
示す通り、同一金属のメッキを行う複数のメッキ槽1か
らなり、メッキされる短冊状フレーム2の先端部及び後
端部に最終的には製品となる部分が含まれない不要部分
3が形成されており、各メッキ槽のメッキする領域の搬
送方向の長さは、短冊状フレーム2の製品とならない部
分3の搬送方向の長さより短くなっている。As shown in FIG. 1, the plating apparatus according to the embodiment of the present invention comprises a plurality of plating tanks 1 for plating the same metal, and the strip-shaped frame 2 to be plated has a final end and a rear end. Is formed with an unnecessary portion 3 that does not include a product portion, and the length of the plating region of each plating tank in the transport direction is greater than the length of the strip-shaped frame 2 in the transport direction of the non-product portion 3. It's getting shorter.
【0018】本実施形態のメッキ方法は、短冊状フレー
ム2を送りロールで搬送しながら順次各メッキ槽1にお
いて連続的にメッキを行い短冊状フレーム2にメッキ層
を形成する。In the plating method of the present embodiment, the strip-shaped frame 2 is conveyed by a feed roll, and plating is successively performed in each plating tank 1 to form a plating layer on the strip-shaped frame 2.
【0019】本実施形態によれば、メッキ槽が複数に分
けられているので、各メッキ槽の送り方向の長さを短く
することができ、メッキ槽のメッキする領域に短冊状フ
レーム端部のどちらか一方のみがあるとき、つまりメッ
キ面積が小さいときにメッキされる短冊状フレーム2の
面積が小さくなるので、メッキ面積の差により電流密度
に差ができ、メッキ厚の差ができる範囲を短くすること
ができる。According to this embodiment, since the plating tank is divided into a plurality of parts, the length of each plating tank in the feeding direction can be shortened, and the strip-shaped frame end portion is formed in the plating area of the plating tank. When only one of them is present, that is, when the plating area is small, the area of the strip-shaped frame 2 to be plated becomes small, so that the current density can be made different due to the difference in the plating area, and the range in which the difference in the plating thickness can be made is short. can do.
【0020】また、メッキ領域の搬送方向の長さが、短
冊状フレーム2の先端部及び後端部に最終的には製品と
なる部分が含まれない不要部分3の搬送方向の長さより
短いので、メッキ厚の差ができる部分が最終的な製品と
ならないため、製品に影響を与えることがない。Further, since the length of the plating region in the transport direction is shorter than the length of the unnecessary portion 3 in the transport direction, which does not include the final product portion at the leading end and the rear end of the strip-shaped frame 2. As the final product does not have the part where the plating thickness is different, it does not affect the product.
【0021】また、メッキ槽1の搬送方向の長さを短く
すると、メッキ時間及びメッキ厚を同一にするために、
電流密度を高くするために、電流を高くしなければなら
ず、ヤケ不良などが発生する場合があるが、メッキ槽を
複数設け、本実施形態では、複数の工程でメッキしてい
るので、電流を小さくすることができ、そのような問題
も発生しない。If the length of the plating tank 1 in the conveying direction is shortened, the plating time and the plating thickness are made the same.
In order to increase the current density, the current must be increased, which may cause burn defects.However, since a plurality of plating tanks are provided and plating is performed in a plurality of steps in this embodiment, the current Can be made small and such a problem does not occur.
【0022】本発明の他の実施形態におけるメッキ装置
は、図2に示す通り、定電流源であり、同じ量の電流を
出力する第1整流器11、第2整流器12がそれぞれ独
立した電力供給部として設けられており、メッキ槽13
には第1整流器11から電力が供給される第1陰極14
と第2整流器12から電力が供給される第2陰極15が
それぞれ短冊状フレーム投入口及び短冊状フレーム排出
口に設置されており、各整流器の陽極は、メッキ槽内の
陽極16及び陽極17に接続されている。As shown in FIG. 2, the plating apparatus according to another embodiment of the present invention is a constant current source, and a first rectifier 11 and a second rectifier 12 that output the same amount of current are provided as independent power supply units. It is provided as a plating tank 13
The first cathode 14 to which power is supplied from the first rectifier 11.
And a second cathode 15 to which electric power is supplied from the second rectifier 12 are installed at the strip frame inlet and the strip frame outlet, respectively, and the anode of each rectifier is the anode 16 and the anode 17 in the plating tank. It is connected.
【0023】そして、メッキされる短冊状フレーム18
は、搬送ロール19により搬送され、短冊状フレーム投
入口において第1陰極14と接触し、短冊状フレーム排
出口において第2陰極15と接触する構造となってお
り、搬送されながら連続的にメッキされる。The strip-shaped frame 18 to be plated
Is transported by the transport roll 19, contacts the first cathode 14 at the strip frame inlet and contacts the second cathode 15 at the strip frame outlet, and is continuously plated while being transported. It
【0024】次に、本実施形態のメッキ方法は、まず、
図2に示す通り、短冊状フレーム18が搬送ロール19
により搬送され、短冊状フレーム18が短冊状フレーム
投入口において第1陰極14と接触し、短冊状フレーム
18の先端がメッキ槽13の中に投入される。Next, in the plating method of this embodiment, first,
As shown in FIG.
The strip-shaped frame 18 is brought into contact with the first cathode 14 at the strip-shaped frame loading port, and the tip of the strip-shaped frame 18 is loaded into the plating tank 13.
【0025】このとき、短冊状フレーム18は第1陰極
14のみと接触し、第1整流器11のみから電流が供給
される。At this time, the strip frame 18 contacts only the first cathode 14, and the current is supplied only from the first rectifier 11.
【0026】次に、図3に示す通り、短冊状フレーム1
8がさらに搬送され、短冊状フレーム排出口において第
2陰極15と接触し、メッキ槽13を貫通する。Next, as shown in FIG. 3, the strip-shaped frame 1
8 is further conveyed, comes into contact with the second cathode 15 at the strip-shaped frame outlet, and penetrates the plating tank 13.
【0027】このとき、短冊状フレーム18は第1陰極
14及び第2陰極15と接触し、第1整流器11及び第
2整流器12から電流が供給される。At this time, the strip-shaped frame 18 contacts the first cathode 14 and the second cathode 15, and the current is supplied from the first rectifier 11 and the second rectifier 12.
【0028】次に、図4に示す通り、短冊状フレーム1
8がさらに搬送され短冊状フレーム18の後端がメッキ
槽13内に投入される。Next, as shown in FIG. 4, the strip-shaped frame 1
8 is further conveyed and the rear end of the strip-shaped frame 18 is put into the plating tank 13.
【0029】このとき、短冊状フレーム18は第2陰極
15とのみ接触し、第2整流器12からのみ電流が供給
される。At this time, the strip-shaped frame 18 contacts only the second cathode 15, and the current is supplied only from the second rectifier 12.
【0030】次に、短冊状フレーム18がさらに搬送さ
れ、短冊状フレーム18後端が短冊状フレーム排出口か
ら排出されメッキが完了する。Next, the strip-shaped frame 18 is further conveyed, the rear end of the strip-shaped frame 18 is discharged from the strip-shaped frame discharge port, and the plating is completed.
【0031】以上の実施形態によれば、短冊状フレーム
18の端部のうち一方のみがメッキ槽13内にあると
き、つまりメッキ槽13内のメッキ面積が小さいときは
1つの陰極としか接触せず、1つの整流器からしか電流
が供給されないが、短冊状フレーム18がメッキ槽13
を貫通しているとき、つまりメッキ槽13内のメッキ面
積が最大のときのみ2つの陰極と接触し、2つの整流器
から電流が供給される。According to the above embodiment, when only one of the ends of the strip-shaped frame 18 is in the plating tank 13, that is, when the plating area in the plating tank 13 is small, only one cathode is brought into contact. However, current is supplied from only one rectifier, but the strip-shaped frame 18 is used for the plating tank 13
Only when it penetrates, that is, when the plating area in the plating tank 13 is maximum, the two cathodes come into contact with each other, and current is supplied from the two rectifiers.
【0032】よって、第1整流器11及び第2整流器1
2から出力される電流の量が等しいとすると、メッキ槽
13内のメッキ面積が小さいときは、メッキ槽13内の
メッキ面積が最大のときに比べ1/2倍の電流しか流れ
ないので、メッキ面積が最大のときとメッキ面積が小さ
いときの電流密度の差を小さくすることができ、短冊状
フレーム8先端部及び短冊状フレーム18後端部と他の
部分のメッキ厚の差を小さくすることができる。Therefore, the first rectifier 11 and the second rectifier 1
Assuming that the amounts of currents output from 2 are equal, when the plating area in the plating tank 13 is small, only half the current flows when the plating area in the plating tank 13 is maximum. The difference in current density between the maximum area and the small plating area can be reduced, and the difference in plating thickness between the leading end of the strip frame 8 and the rear end of the strip frame 18 and other portions can be reduced. You can
【0033】また、従来の装置と同じメッキ厚を得よう
とするとき、送り速度やメッキ液濃度等のその他の条件
が同じであれば、各整流器の電流を低くすることができ
るので、短冊状フレーム18投入時及び短冊状フレーム
18排出時に流れる電流も低くなるり、極めてメッキ面
積が小さいときに流れる電流も低くなり、電流密度が著
しく高くなることを防止することができ、ヤケ不良を防
止することができる。Further, when trying to obtain the same plating thickness as in the conventional apparatus, the current of each rectifier can be lowered if other conditions such as the feed rate and the concentration of the plating solution are the same. The current that flows when the frame 18 is charged and when the strip-shaped frame 18 is discharged becomes low, and the current that flows when the plating area is extremely small becomes low, so that it is possible to prevent the current density from becoming extremely high, and prevent burn defects. be able to.
【0034】[0034]
【実施例】以下、本発明を、半導体装置に用いるリード
フレーム製造方法においてリードフレームの全面にパラ
ジウムを電解メッキする工程に用いた実施例について、
図面を参照しつつ詳細に説明する。EXAMPLES Examples of using the present invention in a step of electrolytically plating palladium on the entire surface of a lead frame in a method for manufacturing a lead frame used for a semiconductor device will be described below.
A detailed description will be given with reference to the drawings.
【0035】まず最初に、プレス加工もしくはエッチン
グにより所定形状のリードフレームを形成し、搬送しな
がら連続的にメッキするメッキ工程によりリードフレー
ムの全面にパラジウムをメッキし、リードフレームを完
成させる。First, a lead frame having a predetermined shape is formed by press working or etching, and palladium is plated on the entire surface of the lead frame by a plating process of continuously plating while transporting to complete the lead frame.
【0036】本実施例のメッキ工程に用いるメッキ装置
は、図5に示す通り、同一の電流量の第1整流器21、
第2整流器22、第3整流器23が独立した電力供給部
として備えられており、メッキ槽24のフレーム投入口
に第1整流器21から電流が供給される第1陰極25が
設けられ、第1メッキ槽24のフレーム排出口と第2メ
ッキ槽26のフレーム投入口の間に第2陰極27が設け
られ、第2メッキ槽26のフレーム排出口に第3陰極2
8が設けられており、各メッキ槽内の陽極29と各整流
器の陽極が並列に接続されている。As shown in FIG. 5, the plating apparatus used in the plating process of the present embodiment has a first rectifier 21 of the same current amount,
The second rectifier 22 and the third rectifier 23 are provided as independent power supply units, the frame inlet of the plating tank 24 is provided with the first cathode 25 to which the current is supplied from the first rectifier 21, and the first plating is performed. A second cathode 27 is provided between the frame outlet of the bath 24 and the frame inlet of the second plating bath 26, and the third cathode 2 is provided at the frame outlet of the second plating bath 26.
8 is provided, and the anode 29 in each plating tank and the anode of each rectifier are connected in parallel.
【0037】そして、本実施例において、リードフレー
ム30は送りロール31により搬送され、第1陰極2
5、第2陰極27及び第3陰極28と順次接触する構造
になっており、各メッキ槽において搬送されながら連続
的にメッキされる。Then, in the present embodiment, the lead frame 30 is conveyed by the feed roll 31, and the first cathode 2
5, the second cathode 27 and the third cathode 28 are sequentially contacted, and the plating is continuously performed while being transported in each plating tank.
【0038】次に、本実施例のメッキ方法は、まず、図
5に示す通り、送りロール31によりリードフレーム3
0が搬送され、第1陰極25と接触し、リードフレーム
30先端が第1メッキ槽24に投入される。Next, in the plating method of this embodiment, first, as shown in FIG.
0 is conveyed, comes into contact with the first cathode 25, and the tip of the lead frame 30 is put into the first plating tank 24.
【0039】このとき、リードフレーム30は第1陰極
25のみと接触し、第1整流器21からのみ電流が供給
される。At this time, the lead frame 30 contacts only the first cathode 25, and the current is supplied only from the first rectifier 21.
【0040】次に、図6に示す通り、リードフレーム3
0がさらに搬送され、第2陰極27と接触し、リードフ
レーム30先端部が第2メッキ槽26に投入される。Next, as shown in FIG. 6, the lead frame 3
0 is further conveyed, comes into contact with the second cathode 27, and the leading end of the lead frame 30 is put into the second plating tank 26.
【0041】このとき、リードフレーム30は第1陰極
25及び第2陰極27と接触し、第1整流器21及び第
2整流器22から電流が供給される。At this time, the lead frame 30 contacts the first cathode 25 and the second cathode 27, and the current is supplied from the first rectifier 21 and the second rectifier 22.
【0042】次に図7に示す通り、リードフレーム30
がさらに搬送され、第3陰極28と接触し、第2メッキ
槽26を貫通する。Next, as shown in FIG. 7, the lead frame 30
Is further conveyed, comes into contact with the third cathode 28, and penetrates the second plating tank 26.
【0043】このとき、リードフレーム30は、第1陰
極25、第2陰極27及び第3陰極28と接触し、第1
整流器21、第2整流器22及び第3整流器23から電
流が供給される。At this time, the lead frame 30 contacts the first cathode 25, the second cathode 27 and the third cathode 28, and the first frame 25
Current is supplied from the rectifier 21, the second rectifier 22, and the third rectifier 23.
【0044】次に、図8に示す通り、リードフレーム3
0がさらに搬送され、リードフレーム30後端部が第1
メッキ槽24に投入される。Next, as shown in FIG. 8, the lead frame 3
0 is further transported, and the rear end of the lead frame 30 is the first
It is put into the plating tank 24.
【0045】このとき、リードフレーム30は第2陰極
27および第3陰極28と接触し、第2整流器22及び
第3整流器23から電流が供給される。At this time, the lead frame 30 comes into contact with the second cathode 27 and the third cathode 28, and current is supplied from the second rectifier 22 and the third rectifier 23.
【0046】次に、図9に示す通り、リードフレーム3
0がさらに搬送され、リードフレーム30後端部が第2
メッキ槽26に投入される。Next, as shown in FIG. 9, the lead frame 3
0 is further conveyed, and the rear end of the lead frame 30 is in the second position.
It is put into the plating tank 26.
【0047】このとき、リードフレーム30は第3陰極
28のみと接触し、第3整流器23からのみ電流が供給
される。At this time, the lead frame 30 contacts only the third cathode 28, and the current is supplied only from the third rectifier 23.
【0048】次に、リードフレーム30がさらに搬送さ
れ、リードフレーム30後端部が第2メッキ槽26から
排出されメッキが完了する。Next, the lead frame 30 is further conveyed, the rear end of the lead frame 30 is discharged from the second plating tank 26, and the plating is completed.
【0049】以上の実施例によれば、リードフレーム3
0先端部が第1メッキ槽24内にあるとき及びリードフ
レーム30後端部が第2メッキ槽26内にあるとき、つ
まりメッキ面積が小さいとき、リードフレーム30は1
つの陰極としか接触せず、1つの整流器からしか電流が
供給されないが、フレームが第1メッキ槽24及び第2
メッキ槽26を貫通しているとき、つまりメッキ面積が
最大のとき、3つの整流器から電流が供給される。According to the above embodiments, the lead frame 3
When the front end is in the first plating tank 24 and the rear end of the lead frame 30 is in the second plating tank 26, that is, when the plating area is small, the lead frame 30 is 1
Only the two cathodes are in contact and the current is supplied only from one rectifier, but the frame is the first plating tank 24 and the second plating tank.
When passing through the plating tank 26, that is, when the plating area is maximum, current is supplied from the three rectifiers.
【0050】よって、第1整流器21、第2整流器22
及び第3整流器23から出力される電流の量が等しいと
すると、メッキ面積が小さいときは、メッキ面積が最大
のときに比べて1/3倍の電流しか供給されないので、
メッキ面積が小さいときの電流密度とメッキ面積が最大
のときの電流密度の差をさらに小さくすることができ、
リードフレーム30先端部及びリードフレーム30後端
部と他の部分のメッキ厚の差をさらに小さくすることが
できる。Therefore, the first rectifier 21 and the second rectifier 22
And the amount of current output from the third rectifier 23 is equal, when the plating area is small, only 1/3 times the current is supplied as compared to when the plating area is maximum,
The difference between the current density when the plating area is small and the current density when the plating area is maximum can be further reduced,
It is possible to further reduce the difference in plating thickness between the leading end portion of the lead frame 30 and the trailing end portion of the lead frame 30 and other portions.
【0051】また、従来例と同じメッキ厚を得ようとす
るとき、送り速度やメッキ液濃度等のその他の条件が同
じであれば、各整流器の電流量を従来例の整流器の電流
量よりさらに小さくすることができるので、リードフレ
ーム30投入時及びリードフレーム30排出時に流れる
電流もさらに小さくなるので、極めてメッキ面積が小さ
いときに流れる電流もさらに小さくなり、電流密度が著
しく高くなることを防止することができるので、ヤケ不
良を防止する効果も大きくなる。Further, when trying to obtain the same plating thickness as in the conventional example, if the other conditions such as the feed rate and the concentration of the plating solution are the same, the current amount of each rectifier is further increased than the current amount of the rectifier of the conventional example. Since the current can be made smaller, the current flowing when the lead frame 30 is charged and when the lead frame 30 is discharged is further reduced, so that the current flowing when the plating area is extremely small is further reduced and the current density is prevented from becoming extremely high. As a result, the effect of preventing burn defects can be enhanced.
【0052】また、本実施例のように、複数のメッキ槽
を用いれば、送り速度やメッキ液濃度等その他の条件が
同じとき、各メッキ槽の搬送方向の長さを短くすること
ができ、メッキ面が小さいときにメッキされる面積を小
さくすることができ、メッキ厚が差が出る搬送方向の範
囲を小さくすることができる。If a plurality of plating baths are used as in this embodiment, the length of each plating bath in the transport direction can be shortened when the feed rate, the plating solution concentration, and other conditions are the same. When the plating surface is small, the area to be plated can be reduced, and the range in the transport direction where the plating thickness is different can be reduced.
【0053】本実施例では、2つのメッキ槽と独立した
整流器からから電力が供給される3つの陰極を用いた
が、それぞれの数をさらに増やせば、各メッキ槽の搬送
方向の長さを短くすることができ、メッキ厚が差が出る
範囲をさらに小さくすることができる。In the present embodiment, the three cathodes supplied with electric power from the rectifiers independent of the two plating baths were used. However, if the number of each cathode is further increased, the length of each plating bath in the transport direction is shortened. Therefore, it is possible to further reduce the range in which the plating thickness is different.
【0054】また、フレームが一度に貫通するメッキ槽
の数およびメッキ槽のフレーム投入部およびフレーム排
出部において接触するのそれぞれが独立した陰極の数を
増やせば、メッキ面積が小さいときにフレームに流れる
電流を、メッキ面積が最大のときのフレームに流れる電
流に比べてさらに小さくすることができるので、電流密
度の差をさらに小さくすることができ、メッキ厚の差を
さらに小さくすることができる。Further, if the number of plating baths through which the frame penetrates at once and the number of independent cathodes that come into contact with each other in the frame input portion and the frame discharge portion of the plating bath are increased, the flow into the frame when the plating area is small. Since the current can be made smaller than the current flowing through the frame when the plating area is maximum, the difference in current density can be further reduced and the difference in plating thickness can be further reduced.
【0055】また、本実施例の説明図においてはメッキ
槽間の距離を大きく開けてあるが、これは説明をし易く
するためであり、実際は極めて短い距離であり、また、
短い程装置を小さくでき、一度に貫通するメッキ槽の数
も多くできる。Further, in the explanatory view of this embodiment, the distance between the plating tanks is wide, but this is for the purpose of facilitating the explanation, and the distance is actually extremely short.
The shorter the size, the smaller the device, and the more plating tanks that can penetrate at one time.
【0056】また、本実施例では、各メッキ槽の間に1
つの陰極を配置したが、メッキ槽間の距離が長い場合に
は、メッキ槽の間に2の陰極を設け、それぞれをフレー
ム投入口付近およびフレーム排出口付近に設置してもよ
い。In addition, in this embodiment, one space is provided between each plating tank.
Although two cathodes are arranged, if the distance between the plating tanks is long, two cathodes may be provided between the plating tanks, and each cathode may be installed near the frame inlet and the frame outlet.
【0057】[0057]
【発明の効果】本発明の、複数回に分けメッキする方法
により、各メッキ槽の送り方向の長さを短くすることが
でき、メッキ槽のメッキする領域にフレーム端部がある
とき、つまりメッキ面積が小さいときにメッキされる送
り方向の長さが短くなるので、メッキ面積の差により電
流密度に差ができ、メッキ厚の差ができる範囲を短くす
ることができる。According to the method of the present invention in which plating is performed a plurality of times, the length of each plating tank in the feed direction can be shortened, and when the frame end is in the plating area of the plating tank, that is, plating is performed. When the area is small, the length in the feeding direction to be plated becomes short, so that the current density can be made different due to the difference in the plating area, and the range where the difference in the plating thickness can be made can be shortened.
【0058】また、メッキ装置のメッキ領域の搬送方向
の長さが、フレームの先端部及び後端部の不要部分の搬
送方向の長さより短いメッキ方法によれば、メッキ厚の
差ができる部分が最終的な製品とならないため、製品に
影響を与えることがない。According to the plating method in which the length of the plating area of the plating device in the transport direction is shorter than the length of the unnecessary portions of the front end and the rear end of the frame in the transport direction, there is a difference in the plating thickness. Since it is not the final product, it does not affect the product.
【0059】また、メッキ槽のメッキ領域を小さくして
も、複数回のメッキ工程でメッキする構成によれり、電
流を高くしなくても搬送速度を変更せずに、必要なメッ
キ厚を得ることができ、ヤケ不良などの問題も発生しな
い。Further, even if the plating area of the plating tank is made small, the required plating thickness can be obtained without changing the transfer speed without increasing the current, due to the structure of performing plating in a plurality of plating steps. Therefore, problems such as defective coloring do not occur.
【0060】また、メッキ槽内のメッキ面積が小さいと
き、メッキ槽内のメッキ面積が最大のときに比べ低い電
流しか流さないメッキ方法により、メッキ面積が大きい
ときとメッキ面積が小さいときの電流密度の差を小さく
することができ、フレーム先端部及びフレーム後端部と
他の部分のメッキ厚の差を小さくすることができる。Further, when the plating area in the plating tank is small, the current density when the plating area is large and when the plating area is small is set by the plating method in which a lower current is passed than when the plating area in the plating tank is maximum. Can be reduced, and the difference in plating thickness between the frame front end and the frame rear end and other portions can be reduced.
【0061】また、メッキ槽のフレーム投入口付近およ
びフレーム排出口付近において、それぞれ独立した電力
供給部から電力が供給される陰極とフレームの接触によ
り陰極からフレームに電流を流すことにより、メッキ槽
内のフレーム面積が小さいとき、どちらかの陰極としか
接触せず、フレームと接触していない陰極に電力を供給
する電力供給部からはメッキ槽に電力が供給されないの
で、簡単な構成で電流密度の差を小さくすることがで
き、電流密度の差によるメッキ厚の差を小さくする。Further, in the vicinity of the frame inlet and the frame outlet of the plating tank, the cathode is supplied with electric power from an independent power supply unit and the frame is brought into contact with each other to cause an electric current to flow from the cathode to the frame. When the frame area of is small, it contacts only one of the cathodes, and power is not supplied to the plating tank from the power supply unit that supplies power to the cathode that is not in contact with the frame, so the current density can be reduced with a simple configuration. The difference can be reduced, and the difference in plating thickness due to the difference in current density can be reduced.
【0062】また、各電力供給部の電流量を小さくする
ことができるので、極めてメッキ面積が小さいときに流
れる電流も小さくなり、電流密度が著しく高くなること
を防止することができるので、ヤケ不良を防止すること
ができる。Further, since the current amount of each power supply unit can be made small, the current flowing when the plating area is extremely small can be made small and the current density can be prevented from being remarkably increased. Can be prevented.
【0063】また、フレーム投入口付近およびフレーム
排出口付近において、それぞれ独立した電力供給部から
電力が供給される陰極を備えたメッキ槽を複数設けれ
ば、各メッキ槽の搬送方向の長さを短くすることができ
るので、メッキ厚の差が出る範囲を小さくすることがで
きる。If a plurality of plating tanks provided with cathodes to which power is respectively supplied from independent power supply units are provided near the frame inlet and the frame outlet, the length of each plating tank in the transport direction can be increased. Since it can be shortened, it is possible to reduce the range in which the difference in plating thickness appears.
【0064】また、フレームが複数のメッキ槽を貫通す
るとき、各メッキ槽のフレーム投入口およびフレーム排
出口の陰極であって、それぞれが異なる電力供給部から
電力が供給される陰極からフレームに電流を流す構造に
より、メッキ面積が小さいときにフレームに流れる電流
を、メッキ面積が最大のときのフレームに流れる電流に
比べてさらに小さくすることができるので、電流密度の
差をさらに小さくすることができ、メッキ厚の差を小さ
くする効果をさらに高めることができる。When the frame penetrates a plurality of plating tanks, the cathodes of the frame inlet and the frame outlet of each plating tank, each of which is supplied with power from a different power supply unit, supply current to the frame. The current flowing structure allows the current flowing in the frame when the plating area is small to be smaller than the current flowing in the frame when the plating area is maximum, so that the difference in current density can be further reduced. The effect of reducing the difference in plating thickness can be further enhanced.
【図1】 本発明の実施形態のメッキ装置を示す図であ
る。FIG. 1 is a diagram showing a plating apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】 本発明の実施形態のメッキ装置およびメッキ
工程を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a plating apparatus and a plating process according to an embodiment of the present invention.
【図3】 本発明の実施形態によるメッキ工程を示す図
である。FIG. 3 is a diagram showing a plating process according to an embodiment of the present invention.
【図4】 本発明の実施形態によるメッキ工程を示す図
である。FIG. 4 is a diagram showing a plating process according to an embodiment of the present invention.
【図5】 本発明の実施例のメッキ装置およびメッキ工
程を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a plating apparatus and a plating process according to an embodiment of the present invention.
【図6】 本発明の実施例によるメッキ工程を示す図で
ある。FIG. 6 is a diagram showing a plating process according to an embodiment of the present invention.
【図7】 本発明の実施例によるメッキ工程を示す図で
ある。FIG. 7 is a diagram showing a plating process according to an embodiment of the present invention.
【図8】 本本発明の実施例によるメッキ工程を示す図
である。FIG. 8 is a diagram showing a plating process according to an embodiment of the present invention.
【図9】 本発明の実施例によるメッキ工程を示す図で
ある。FIG. 9 is a diagram showing a plating process according to an embodiment of the present invention.
【図10】従来のメッキ装置を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a conventional plating apparatus.
1 メッキ槽 2 フレーム 3 不要部分 11 第1整流器 12 第2整流器 13 メッキ槽 14 第1陰極 15 第2陰極 16 陽極 17 陽極 18 フレーム 19 送りロール 21 第1整流器 22 第2整流器 23 第3整流器 24 第1メッキ槽 25 第1陰極 26 第2メッキ槽 27 第2陰極 28 第3陰極 29 陽極 30 リードフレーム 31 送りロール 40 陽極 41 メッキ槽 42 フレーム 43 電力供給部 44 陰極 1 plating tank 2 frames 3 unnecessary parts 11 First rectifier 12 Second rectifier 13 plating tank 14 First cathode 15 Second cathode 16 Anode 17 Anode 18 frames 19 Feed roll 21 First Rectifier 22 Second rectifier 23 Third Rectifier 24 1st plating tank 25 First cathode 26 Second plating tank 27 Second cathode 28 Third cathode 29 Anode 30 lead frame 31 Feed roll 40 anode 41 plating tank 42 frames 43 Power supply unit 44 cathode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−103095(JP,A) 特開 昭63−11693(JP,A) 特開 平10−226899(JP,A) 特開 平10−226897(JP,A) 特開 平1−287299(JP,A) 特開 平1−172590(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C25D 7/00 C25D 7/06 C25D 7/12 H01L 23/50 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP 63-103095 (JP, A) JP 63-11693 (JP, A) JP 10-226899 (JP, A) JP 10- 226897 (JP, A) JP-A-1-287299 (JP, A) JP-A-1-172590 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) C25D 7/00 C25D 7 / 06 C25D 7/12 H01L 23/50
Claims (7)
キ槽を用いて連続的にメッキを行うメッキ方法におい
て、 前記メッキ槽の外側の短冊フレーム投入口付近及び短冊
フレーム排出口付近に各々が異なる電力供給部と接続す
る電極を設け、 前記短冊状フレームの先端部若しくは後端部が存在する
前記メッキ槽の該短冊状フレームに前記電極を介して一
の電力供給部から電力を供給してメッキを行い、 前記先端部及び前記後端部以外の短冊状フレームが存在
する前記メッキ槽の該短冊状フレームに前記電極を介し
て複数の電力供給部から電力を供給してメッキを行うこ
とを特徴とするメッキ方法。1. A plating method for continuously plating a conveyed strip-shaped frame using a plurality of plating tanks, wherein a strip frame inlet and a strip frame outlet on the outside of the plating tank are different from each other. An electrode connected to a power supply unit is provided, and plating is performed by supplying power from one power supply unit via the electrode to the strip-shaped frame of the plating tank in which the leading end or the rear end of the strip-shaped frame exists. And performing plating by supplying power from a plurality of power supply units to the strip-shaped frame of the plating tank in which strip-shaped frames other than the front end portion and the rear end portion are present via the electrodes. And the plating method.
部分を有し、 前記メッキ槽は、 前記短冊状フレームの搬送方向の長さが前記不要部より
短いことを特徴とする請求項1記載のメッキ方法。2. The strip frame has an unnecessary portion on at least one of the front end portion and the rear end portion, and the plating bath has a length in the carrying direction of the strip frame shorter than the unnecessary portion. The plating method according to claim 1, wherein:
ッキ槽を用いて連続的に該短冊状フレームにメッキを行
うメッキ装置において、 前記メッキ槽の外側の短冊フレーム投入口付近及び短冊
フレーム排出口付近に設けられ、各々が異なる電力供給
部と接続する複数の陰極と、 前記メッキ槽に設けられ、複数の前記電力供給部と接続
する陽極とを具備することを特徴とするメッキ装置。3. A plating device for continuously plating a strip-shaped frame using a plurality of plating baths while transporting the strip-shaped frame, wherein a strip frame inlet near the strip frame and a strip frame outlet outside the plating bath. A plating apparatus comprising: a plurality of cathodes provided in the vicinity and connected to different power supply units, and an anode provided in the plating tank and connected to the plurality of power supply units.
とする請求項3記載のメッキ装置。4. The plating apparatus according to claim 3, wherein the anode is connected in parallel with a plurality of the power supply units.
端部が存在する前記メッキ槽は、 前記短冊状フレームに一の電力供給部から電力を供給し
てメッキを行い、 前記先端部及び前記後端部以外の前記短冊状フレームが
存在する前記メッキ槽は、 前記短冊状フレームに複数の電力供給部から電力を供給
してメッキを行うことを特徴とする請求項3または4記
載のメッキ装置。5. The plating tank in which the front end or the rear end of the strip-shaped frame is present performs plating by supplying power to the strip-shaped frame from one power supply unit, The plating apparatus according to claim 3 or 4, wherein the plating tank in which the strip-shaped frame other than the end portion is present performs plating by supplying power to the strip-shaped frame from a plurality of power supply units.
のメッキ槽を用いて連続的にメッキを行うリードフレー
ムの製造方法において、 前記メッキ槽の外側の短冊フレーム投入口付近及び短冊
フレーム排出口付近に各々が異なる電力供給部と接続す
る電極を設け、 前記母材の先端部若しくは後端部が存在する前記メッキ
槽の該母材に前記電極を介して一の電力供給部から電力
を供給してメッキを行い、 前記先端部及び前記後端部以外の前記母材が存在する前
記メッキ槽の該母材に前記電極を介して複数の電力供給
部から電力を供給してメッキを行うことを特徴とするリ
ードフレームの製造方法。6. A method of manufacturing a lead frame in which a base material of a lead frame to be conveyed is continuously plated by using a plurality of plating tanks, wherein a strip frame inlet and a strip frame outlet outside the plating tank are provided. Electrodes are provided in the vicinity, each of which is connected to a different power supply unit, and power is supplied from one power supply unit to the base material of the plating tank in which the front end portion or the rear end portion of the base material exists through the electrode. Plating is performed, and the plating is performed by supplying power from a plurality of power supply units to the base material of the plating tank having the base material other than the front end portion and the rear end portion through the electrodes. And a method for manufacturing a lead frame.
ことを特徴とする請求項6記載のリードフレームの製造
方法。7. The method of manufacturing a lead frame according to claim 6, wherein the plating is palladium plating.
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|---|---|---|---|
| JP24195497A JP3417809B2 (en) | 1997-08-22 | 1997-08-22 | Plating method, plating apparatus and lead frame manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP24195497A JP3417809B2 (en) | 1997-08-22 | 1997-08-22 | Plating method, plating apparatus and lead frame manufacturing method |
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1997
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