JP3461242B2 - 焦電型赤外線薄膜素子とその製造方法 - Google Patents
焦電型赤外線薄膜素子とその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、焦電体薄膜と、
その上面および下面にそれぞれ設けられる上部電極およ
び下部電極とからなる赤外線検出部が表層部に凹部を有
する基板の前記凹部の上部に形成されている赤外線検出
用の焦電型赤外線薄膜素子とその製造方法に関する。
その上面および下面にそれぞれ設けられる上部電極およ
び下部電極とからなる赤外線検出部が表層部に凹部を有
する基板の前記凹部の上部に形成されている赤外線検出
用の焦電型赤外線薄膜素子とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】前記焦電型赤外線薄膜素子の一つに、特
開平７−５５５７７号公報に示されるものがある。この
焦電型赤外線薄膜素子は、図９（Ａ），（Ｂ）に示すよ
うに、基板５１としてＭｇＯ（１００）単結晶基板を用
い、その上層に下部電極５２としてＰｔ（白金）薄膜を
設け、その上層に焦電体薄膜５３を設け、さらに、それ
らの上層の少なくとも一部に、上部電極５４として赤外
光の反射率の小さいＮｉＣｒ（ニクロム）薄膜を設け、
その後、焦電体薄膜５３側からエッチング用マスクを介
して微小空洞５５を設けたものである。なお、５６は層
間絶縁膜である。
開平７−５５５７７号公報に示されるものがある。この
焦電型赤外線薄膜素子は、図９（Ａ），（Ｂ）に示すよ
うに、基板５１としてＭｇＯ（１００）単結晶基板を用
い、その上層に下部電極５２としてＰｔ（白金）薄膜を
設け、その上層に焦電体薄膜５３を設け、さらに、それ
らの上層の少なくとも一部に、上部電極５４として赤外
光の反射率の小さいＮｉＣｒ（ニクロム）薄膜を設け、
その後、焦電体薄膜５３側からエッチング用マスクを介
して微小空洞５５を設けたものである。なお、５６は層
間絶縁膜である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記構成の焦電型赤外
線薄膜素子によれば、下部電極５２、焦電体薄膜５３お
よび上部電極５４が互いに重なり合うところの赤外線検
出部の下部に微小空洞５５が形成されているので、基板
５１の熱容量が小さくなり、熱応答性に優れるといった
効果があるものの、次のような欠点がある。
線薄膜素子によれば、下部電極５２、焦電体薄膜５３お
よび上部電極５４が互いに重なり合うところの赤外線検
出部の下部に微小空洞５５が形成されているので、基板
５１の熱容量が小さくなり、熱応答性に優れるといった
効果があるものの、次のような欠点がある。
【０００４】すなわち、前記図９（Ｂ）から理解される
ように、その赤外線検出部において、焦電体薄膜５３の
上部に僅かに覆われた層間絶縁膜５６が上部電極５４と
下部電極５２との間に介在し、これが焦電体薄膜５３の
僅かな領域に密着している。また、この焦電型赤外線薄
膜素子の製造方法は、焦電体薄膜５３を成膜した後、こ
の焦電体薄膜５３をパターニングし、層間絶縁膜５６を
形成し、その後、上部電極５４を成膜している。その結
果、焦電体薄膜５３のパターニングおよび下部電極５２
のパターニングに焦電体薄膜５３の表面に、異物など低
誘電率の不純物が付着するおそれがある。
ように、その赤外線検出部において、焦電体薄膜５３の
上部に僅かに覆われた層間絶縁膜５６が上部電極５４と
下部電極５２との間に介在し、これが焦電体薄膜５３の
僅かな領域に密着している。また、この焦電型赤外線薄
膜素子の製造方法は、焦電体薄膜５３を成膜した後、こ
の焦電体薄膜５３をパターニングし、層間絶縁膜５６を
形成し、その後、上部電極５４を成膜している。その結
果、焦電体薄膜５３のパターニングおよび下部電極５２
のパターニングに焦電体薄膜５３の表面に、異物など低
誘電率の不純物が付着するおそれがある。
【０００５】ところで、一般に、焦電体薄膜５３を構成
する強誘電体材料は、非常に高い誘電率を有している
が、焦電体薄膜５３と上部電極５４および下部電極５２
との間に低誘電率の不純物が存在することは、その性能
の低下につながる。
する強誘電体材料は、非常に高い誘電率を有している
が、焦電体薄膜５３と上部電極５４および下部電極５２
との間に低誘電率の不純物が存在することは、その性能
の低下につながる。
【０００６】したがって、上述した従来の焦電型赤外線
薄膜素子の構造や製造方法においては、焦電体薄膜５３
の表面に低誘電率の不純物が存在しやすい構造および製
造方法であるため、焦電体薄膜本来の優れた特性を十分
に発揮し得る焦電型赤外線薄膜素子を得ることが困難で
あった。
薄膜素子の構造や製造方法においては、焦電体薄膜５３
の表面に低誘電率の不純物が存在しやすい構造および製
造方法であるため、焦電体薄膜本来の優れた特性を十分
に発揮し得る焦電型赤外線薄膜素子を得ることが困難で
あった。
【０００７】この発明は、上述の事柄に留意してなされ
たもので、焦電体薄膜そのものの特性を十二分に発揮さ
せることができる焦電型赤外線薄膜素子とその製造方法
を提供することを目的としている。
たもので、焦電体薄膜そのものの特性を十二分に発揮さ
せることができる焦電型赤外線薄膜素子とその製造方法
を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明では、焦電体薄膜と、その上面および下面
にそれぞれ設けられる上部電極および下部電極とからな
る赤外線検出部が表層部に凹部を有する基板の前記凹部
の上部に形成されてなる焦電型赤外線薄膜素子におい
て、前記焦電体薄膜と上部電極および下部電極との間に
他の部材が介在しないようにしてあり、更に、前記赤外
線検出部の周囲および前記基板の上面にわたって絶縁体
薄膜が形成され、この絶縁体薄膜には、前記凹部を形成
するためのエッチング用の孔が開設されている。
め、この発明では、焦電体薄膜と、その上面および下面
にそれぞれ設けられる上部電極および下部電極とからな
る赤外線検出部が表層部に凹部を有する基板の前記凹部
の上部に形成されてなる焦電型赤外線薄膜素子におい
て、前記焦電体薄膜と上部電極および下部電極との間に
他の部材が介在しないようにしてあり、更に、前記赤外
線検出部の周囲および前記基板の上面にわたって絶縁体
薄膜が形成され、この絶縁体薄膜には、前記凹部を形成
するためのエッチング用の孔が開設されている。
【０００９】そして、この発明の焦電型赤外線薄膜素子
の製造方法は、基板上に下部電極を形成し、その上面に
焦電体薄膜を成膜した後、前記焦電体薄膜の上面に上部
電極を成膜し、その後、上部電極、焦電体薄膜および下
部電極をこの順でそれぞれパターニングして赤外線検出
部を形成し、更に、前記赤外線検出部の周囲および前記
基板の上面にわたって絶縁体薄膜を形成し、この絶縁体
薄膜に開設されたエッチング用の孔からエッチング液を
注入し、前記基板をエッチングにより除去して前記基板
の表層部に凹部を形成するようにした点に特徴がある。
の製造方法は、基板上に下部電極を形成し、その上面に
焦電体薄膜を成膜した後、前記焦電体薄膜の上面に上部
電極を成膜し、その後、上部電極、焦電体薄膜および下
部電極をこの順でそれぞれパターニングして赤外線検出
部を形成し、更に、前記赤外線検出部の周囲および前記
基板の上面にわたって絶縁体薄膜を形成し、この絶縁体
薄膜に開設されたエッチング用の孔からエッチング液を
注入し、前記基板をエッチングにより除去して前記基板
の表層部に凹部を形成するようにした点に特徴がある。
【００１０】この発明の焦電型赤外線薄膜素子において
は、焦電体薄膜と上部電極および下部電極との間に、低
誘電率の不純物など他の部材が存在しないので、焦電体
薄膜そのものの特性を十二分に発揮させることができ、
したがって、高感度並びに高速応答性を有する焦電型赤
外線薄膜素子を得ることができる。
は、焦電体薄膜と上部電極および下部電極との間に、低
誘電率の不純物など他の部材が存在しないので、焦電体
薄膜そのものの特性を十二分に発揮させることができ、
したがって、高感度並びに高速応答性を有する焦電型赤
外線薄膜素子を得ることができる。
【００１１】そして、この発明の焦電型赤外線薄膜素子
の製造方法においては、焦電体薄膜と上部電極および下
部電極との間に、低誘電率の不純物など他の部材を介在
させることなく、所望の赤外線検出部を形成することが
できる。したがって、高感度並びに高速応答性を有する
焦電型赤外線薄膜素子を得ることができる。
の製造方法においては、焦電体薄膜と上部電極および下
部電極との間に、低誘電率の不純物など他の部材を介在
させることなく、所望の赤外線検出部を形成することが
できる。したがって、高感度並びに高速応答性を有する
焦電型赤外線薄膜素子を得ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の詳細を、図を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１３】図１〜図３は、この発明の焦電型赤外線薄
膜素子Ｓの一例を示し、図１は、焦電型赤外線薄膜素子
Ｓの平面形状を示す図であり、図２は、図１におけるＩ
−Ｉ線断面形状を拡大図とともに示す断面図であり、図
３は、焦電型赤外線薄膜素子Ｓの分解斜視図である。
膜素子Ｓの一例を示し、図１は、焦電型赤外線薄膜素子
Ｓの平面形状を示す図であり、図２は、図１におけるＩ
−Ｉ線断面形状を拡大図とともに示す断面図であり、図
３は、焦電型赤外線薄膜素子Ｓの分解斜視図である。
【００１４】これらの図において、１はＭｇＯ（酸化マ
グネシウム）よりなる単結晶基板で、２はこの基板１の
表層部にエッチングによって形成される微小な凹部であ
る。３は焦電体薄膜で、例えばＰＺＴ系強誘電体薄膜ま
たはＰＬＺＴ系強誘電体薄膜からなる。この焦電体薄膜
３の上下両面には、例えばＰｔ（白金）よりなる上部電
極４と下部電極５とが互いに対応するように設けられて
いる。４ａは上部電極４に形成されるエッチング用の複
数の孔、５ａは下部電極５に形成された突起部である。
なお、両電極４，５および焦電体薄膜３が互いに重なり
合う部分を赤外線検出部６というものとする。
グネシウム）よりなる単結晶基板で、２はこの基板１の
表層部にエッチングによって形成される微小な凹部であ
る。３は焦電体薄膜で、例えばＰＺＴ系強誘電体薄膜ま
たはＰＬＺＴ系強誘電体薄膜からなる。この焦電体薄膜
３の上下両面には、例えばＰｔ（白金）よりなる上部電
極４と下部電極５とが互いに対応するように設けられて
いる。４ａは上部電極４に形成されるエッチング用の複
数の孔、５ａは下部電極５に形成された突起部である。
なお、両電極４，５および焦電体薄膜３が互いに重なり
合う部分を赤外線検出部６というものとする。
【００１５】７は赤外線検出部６の受光電極としての上
部電極４の上面を被覆するように設けられる赤外線吸収
膜で、フォトリソグラフが可能な感光性有機薄膜にカー
ボンブラックのような赤外線吸収材料を適宜混入してな
るものである。８は赤外線検出部６の周辺に形成され、
赤外線検出部６を基板１に対して保持させる絶縁体薄膜
で、ポリイミド系樹脂薄膜のような有機絶縁体薄膜また
はＳｉＯ2 薄膜のような無機絶縁体薄膜よりなる。８ａ
は絶縁体薄膜８に開設されるエッチング用の孔で、上部
電極４の孔４ａに対応して設けられるもののほか、赤外
線検出部６を囲むようにして設けられている。９，１０
は上部電極４、下部電極５にそれぞれ連なる上部引出し
電極、下部引出し電極である。
部電極４の上面を被覆するように設けられる赤外線吸収
膜で、フォトリソグラフが可能な感光性有機薄膜にカー
ボンブラックのような赤外線吸収材料を適宜混入してな
るものである。８は赤外線検出部６の周辺に形成され、
赤外線検出部６を基板１に対して保持させる絶縁体薄膜
で、ポリイミド系樹脂薄膜のような有機絶縁体薄膜また
はＳｉＯ2 薄膜のような無機絶縁体薄膜よりなる。８ａ
は絶縁体薄膜８に開設されるエッチング用の孔で、上部
電極４の孔４ａに対応して設けられるもののほか、赤外
線検出部６を囲むようにして設けられている。９，１０
は上部電極４、下部電極５にそれぞれ連なる上部引出し
電極、下部引出し電極である。
【００１６】上記焦電型赤外線薄膜素子Ｓの形成方法に
ついて、図４〜図８を参照しながら説明する。なお、図
６〜図８においては、それぞれ断面形状を概略的に示す
図と、平面形状を概略的に示す図を並列的に示してい
る。また、最終形状前の各部材に対応する部分を表す符
号には’（ダッシュ）を付している。
ついて、図４〜図８を参照しながら説明する。なお、図
６〜図８においては、それぞれ断面形状を概略的に示す
図と、平面形状を概略的に示す図を並列的に示してい
る。また、最終形状前の各部材に対応する部分を表す符
号には’（ダッシュ）を付している。
【００１７】（１）適宜厚さ（例えば５００μｍ）のＭ
ｇＯ（１００）単結晶基板１を用意する（図５（Ａ）参
照）。
ｇＯ（１００）単結晶基板１を用意する（図５（Ａ）参
照）。
【００１８】（２）前記基板１の上面に、例えばスパッ
リングによって、下部電極５’としてＰｔを０．２μｍ
の厚みに成膜する（図４のステップＳ１および図５
（Ｂ）参照）。
リングによって、下部電極５’としてＰｔを０．２μｍ
の厚みに成膜する（図４のステップＳ１および図５
（Ｂ）参照）。
【００１９】（３）前記下部電極５’の上面に、例えば
ＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）によって、焦
電体薄膜３’としてＰＺＴ系強誘電体薄膜（またはＰＬ
ＺＴ系強誘電体薄膜）を約２μｍの厚みに成膜する（図
４のステップＳ２および図５（Ｃ）参照）。
ＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）によって、焦
電体薄膜３’としてＰＺＴ系強誘電体薄膜（またはＰＬ
ＺＴ系強誘電体薄膜）を約２μｍの厚みに成膜する（図
４のステップＳ２および図５（Ｃ）参照）。
【００２０】（４）前記焦電体薄膜３’の上面に、スパ
ッリングによって、上部電極４’としてＰｔを０．２μ
ｍの厚みに成膜する（図４のステップＳ３、図５（Ｄ）
および図６（Ａ），（Ｂ）参照）。
ッリングによって、上部電極４’としてＰｔを０．２μ
ｍの厚みに成膜する（図４のステップＳ３、図５（Ｄ）
および図６（Ａ），（Ｂ）参照）。
【００２１】（５）前記上部電極４’にレジストを塗布
し、フォトリソグラフでレジストをパターニングする。
その後、エッチングにより上部電極４をパターニングし
た後、レジストを除去し、複数の孔４ａを有する形状に
形成する（図４のステップＳ４および図６（Ｃ），
（Ｄ）参照）。
し、フォトリソグラフでレジストをパターニングする。
その後、エッチングにより上部電極４をパターニングし
た後、レジストを除去し、複数の孔４ａを有する形状に
形成する（図４のステップＳ４および図６（Ｃ），
（Ｄ）参照）。
【００２２】（６）次いで、焦電体薄膜３’にレジスト
を塗布し、フォトリソグラフでレジストをパターニング
する。その後、エッチングにより焦電体薄膜３をパター
ニングした後、レジストを除去し、上部電極４の孔４ａ
に対応した位置に複数の孔を有する形状に形成する（図
５のステップＳ５および図６（Ｅ），（Ｆ）参照）。な
お、この実施例では、焦電体薄膜３は上部電極４よりも
やや大径に形成されている。
を塗布し、フォトリソグラフでレジストをパターニング
する。その後、エッチングにより焦電体薄膜３をパター
ニングした後、レジストを除去し、上部電極４の孔４ａ
に対応した位置に複数の孔を有する形状に形成する（図
５のステップＳ５および図６（Ｅ），（Ｆ）参照）。な
お、この実施例では、焦電体薄膜３は上部電極４よりも
やや大径に形成されている。
【００２３】（７）次いで、下部電極５’にレジストを
塗布し、フォトリソグラフでレジストをパターニングす
る。その後、エッチングにより下部電極５’をパターニ
ングした後、レジストを除去し、下部電極５およびこれ
に連なる下部電極突起部５ａを形成する（図５のステッ
プＳ６および図７（Ａ），（Ｂ）参照）。なお、この実
施例では、下部電極５は焦電体薄膜３と同径に形成され
ているが、これよりやや大径にしてもよい。
塗布し、フォトリソグラフでレジストをパターニングす
る。その後、エッチングにより下部電極５’をパターニ
ングした後、レジストを除去し、下部電極５およびこれ
に連なる下部電極突起部５ａを形成する（図５のステッ
プＳ６および図７（Ａ），（Ｂ）参照）。なお、この実
施例では、下部電極５は焦電体薄膜３と同径に形成され
ているが、これよりやや大径にしてもよい。
【００２４】（８）赤外線検出部６周辺および基板１の
上面にわたって、金属より小さい熱伝導率を有する絶縁
体薄膜８を形成する（図５のステップＳ７および図７
（Ｃ），（Ｄ）参照）。絶縁体薄膜８は、有機絶縁体薄
膜、無機絶縁体薄膜のいずれでもよく、有機絶縁体薄膜
としてはポリイミド系樹脂薄膜が、また、無機絶縁体薄
膜としてはＳｉＯ2 薄膜が好適である。そして、８ａは
上部電極４の孔４ａに対応した位置および赤外線検出部
６の外周に設けられる孔である。
上面にわたって、金属より小さい熱伝導率を有する絶縁
体薄膜８を形成する（図５のステップＳ７および図７
（Ｃ），（Ｄ）参照）。絶縁体薄膜８は、有機絶縁体薄
膜、無機絶縁体薄膜のいずれでもよく、有機絶縁体薄膜
としてはポリイミド系樹脂薄膜が、また、無機絶縁体薄
膜としてはＳｉＯ2 薄膜が好適である。そして、８ａは
上部電極４の孔４ａに対応した位置および赤外線検出部
６の外周に設けられる孔である。
【００２５】（９）例えばスパッタリングによってＡｕ
よりなる上部電極引出し部９および下部引出し部１０を
形成する（図５のステップＳ８および図７（Ｅ），
（Ｆ）参照）。
よりなる上部電極引出し部９および下部引出し部１０を
形成する（図５のステップＳ８および図７（Ｅ），
（Ｆ）参照）。
【００２６】（１０）そして、例えばネガレジスト材料
のような感光性有機薄膜に３ｗｔ％程度のカーボンブラ
ックのような赤外線吸収材料を混入したものを、赤外線
検出部６の上部電極４の上面に適宜厚さ塗布した後、パ
ターニングすることにより、上部電極４の上面を赤外線
吸収膜７によって被覆する（図５のステップＳ９および
図８（Ａ），（Ｂ）参照）。
のような感光性有機薄膜に３ｗｔ％程度のカーボンブラ
ックのような赤外線吸収材料を混入したものを、赤外線
検出部６の上部電極４の上面に適宜厚さ塗布した後、パ
ターニングすることにより、上部電極４の上面を赤外線
吸収膜７によって被覆する（図５のステップＳ９および
図８（Ａ），（Ｂ）参照）。
【００２７】絶縁体薄膜８の孔８ａから所定濃度のリン
酸液をエッチング液として注入して、赤外線検出部６の
直下の基板１をエッチングにより除去し、凹部（微小空
洞）２を形成する（図５のステップＳ１０および図８
（Ｃ），（Ｄ）参照）。この場合、凹部２は、赤外線検
出部６よりも大きくなるように形成されるが、赤外線検
出部６の周囲および基板１の上面にわたって絶縁体薄膜
８が形成されているので、赤外線検出部６は絶縁体薄膜
８によって凹部２の上面に浮揚した状態で保持される。
つまり、図１〜図３および図８（Ｃ），（Ｄ）に示すよ
うな焦電型赤外線薄膜素子Ｓが得られる。
酸液をエッチング液として注入して、赤外線検出部６の
直下の基板１をエッチングにより除去し、凹部（微小空
洞）２を形成する（図５のステップＳ１０および図８
（Ｃ），（Ｄ）参照）。この場合、凹部２は、赤外線検
出部６よりも大きくなるように形成されるが、赤外線検
出部６の周囲および基板１の上面にわたって絶縁体薄膜
８が形成されているので、赤外線検出部６は絶縁体薄膜
８によって凹部２の上面に浮揚した状態で保持される。
つまり、図１〜図３および図８（Ｃ），（Ｄ）に示すよ
うな焦電型赤外線薄膜素子Ｓが得られる。
【００２８】上記構成の焦電型赤外線薄膜素子Ｓの製造
工程においては、図４に示したフローチャートからも理
解されるように、基板１に下部電極５を成膜した（ステ
ップＳ１）後、下部電極５の上面に焦電体薄膜３を成膜
し（ステップＳ２）、その後、上部電極４を成膜し（ス
テップＳ３）、これらの成膜を順次行った後に、上部電
極４、焦電体薄膜３、下部電極５をこの順でそれぞれパ
ターニングするようにしているので、焦電体薄膜３の成
膜後に、この焦電体薄膜３と上部電極４および下部電極
５との間に不純物が介在するといったことがない。
工程においては、図４に示したフローチャートからも理
解されるように、基板１に下部電極５を成膜した（ステ
ップＳ１）後、下部電極５の上面に焦電体薄膜３を成膜
し（ステップＳ２）、その後、上部電極４を成膜し（ス
テップＳ３）、これらの成膜を順次行った後に、上部電
極４、焦電体薄膜３、下部電極５をこの順でそれぞれパ
ターニングするようにしているので、焦電体薄膜３の成
膜後に、この焦電体薄膜３と上部電極４および下部電極
５との間に不純物が介在するといったことがない。
【００２９】したがって、前記従来技術のような問題が
生ずることがなく、焦電体薄膜３の性能を十二分に発揮
させることができる赤外線検出部構造が得られ、したが
って、高感度並びに高速応答性を有する焦電型赤外線薄
膜素子Ｓを得ることができる。
生ずることがなく、焦電体薄膜３の性能を十二分に発揮
させることができる赤外線検出部構造が得られ、したが
って、高感度並びに高速応答性を有する焦電型赤外線薄
膜素子Ｓを得ることができる。
【００３０】
【発明の効果】この発明は、以上のような形態で実施さ
れ、以下のような効果を奏する。
れ、以下のような効果を奏する。
【００３１】焦電体薄膜と上部電極および下部電極との
間に、低誘電率の不純物など他の部材が存在させること
なく所望の赤外線検出部を構成することができるので、
焦電体薄膜そのものの特性を十二分に発揮させることが
できる。したがって、高感度並びに高速応答性を有する
焦電型赤外線薄膜素子を得ることができる。
間に、低誘電率の不純物など他の部材が存在させること
なく所望の赤外線検出部を構成することができるので、
焦電体薄膜そのものの特性を十二分に発揮させることが
できる。したがって、高感度並びに高速応答性を有する
焦電型赤外線薄膜素子を得ることができる。
【図１】この発明の焦電型赤外線薄膜素子の一例を示す
平面図である。
平面図である。
【図２】図１におけるＩ−Ｉ線断面形状図とその部分拡
大図である。
大図である。
【図３】前記焦電型赤外線薄膜素子Ｓの分解斜視図であ
る。
る。
【図４】前記焦電型赤外線薄膜素子の製造方法を示すフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図５】図６〜図８とともに前記焦電型赤外線薄膜素子
の製造工程を示し、このうちの始めの部分を示してい
る。
の製造工程を示し、このうちの始めの部分を示してい
る。
【図６】図５に続く製造工程を示す図である。
【図７】図６に続く製造工程を示す図である。
【図８】図７に続く製造工程を示す図である。
【図９】従来技術を説明するための図で、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）は断面図である。
図、（Ｂ）は断面図である。
１…基板、２…凹部、３…焦電体薄膜、４…上部電極、
５…下部電極、６…赤外線検出部、８…絶縁体薄膜、８
ａ…エッチング用の孔、Ｓ…焦電型赤外線薄膜素子。
５…下部電極、６…赤外線検出部、８…絶縁体薄膜、８
ａ…エッチング用の孔、Ｓ…焦電型赤外線薄膜素子。
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(56)参考文献 特開 平５−90553（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−55577（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01J 5/00 - 5/62
G01J 1/00 - 1/60
H01L 37/02
Claims (2)
- 【請求項１】 焦電体薄膜と、その上面および下面にそ
れぞれ設けられる上部電極および下部電極とからなる赤
外線検出部が表層部に凹部を有する基板の前記凹部の上
部に形成されてなる焦電型赤外線薄膜素子において、前
記焦電体薄膜と上部電極および下部電極との間に他の部
材が介在しないようにしてあり、更に、前記赤外線検出
部の周囲および前記基板の上面にわたって絶縁体薄膜が
形成され、この絶縁体薄膜には、前記凹部を形成するた
めのエッチング用の孔が開設されていることを特徴とす
る焦電型赤外線薄膜素子。 - 【請求項２】 基板上に下部電極を形成し、その上面に
焦電体薄膜を成膜した後、前記焦電体薄膜の上面に上部
電極を成膜し、その後、上部電極、焦電体薄膜および下
部電極をこの順でそれぞれパターニングして赤外線検出
部を形成し、更に、前記赤外線検出部の周囲および前記
基板の上面にわたって絶縁体薄膜を形成し、この絶縁体
薄膜に開設されたエッチング用の孔からエッチング液を
注入し、前記基板をエッチングにより除去して前記基板
の表層部に凹部を形成することを特徴とする焦電型赤外
線薄膜素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14821396A JP3461242B2 (ja) | 1996-05-18 | 1996-05-18 | 焦電型赤外線薄膜素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14821396A JP3461242B2 (ja) | 1996-05-18 | 1996-05-18 | 焦電型赤外線薄膜素子とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09304183A JPH09304183A (ja) | 1997-11-28 |
| JP3461242B2 true JP3461242B2 (ja) | 2003-10-27 |
Family
ID=15447807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14821396A Expired - Fee Related JP3461242B2 (ja) | 1996-05-18 | 1996-05-18 | 焦電型赤外線薄膜素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3461242B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4912964B2 (ja) * | 2007-06-07 | 2012-04-11 | 住友化学株式会社 | 熱電変換モジュール |
-
1996
- 1996-05-18 JP JP14821396A patent/JP3461242B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09304183A (ja) | 1997-11-28 |
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