JP4123666B2

JP4123666B2 - Semiconductor ceramic powder and multilayer semiconductor ceramic electronic parts

Info

Publication number: JP4123666B2
Application number: JP2000008945A
Authority: JP
Inventors: 雅弘児玉; 光俊川本; 秀明新見; 敦司岸本
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-01-18
Filing date: 2000-01-18
Publication date: 2008-07-23
Anticipated expiration: 2020-01-18
Also published as: JP2001203102A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体セラミック粉末および積層型半導体セラミック電子部品に関し、特に、チタン酸バリウム系の半導体セラミック粉末、および、これを焼結して形成した半導体セラミック層を備え、正の抵抗温度係数を有する積層型半導体セラミック電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、チタン酸バリウム系の半導体セラミックは、常温では比抵抗が低く、ある温度（キュリー温度）を超えると急激に抵抗が上昇するという、正の抵抗温度特性（ＰＴＣ特性）を有しており、温度制御、過電流保護、定温度発熱などの用途に広く用いられている。中でも、回路用として用いられている過電流保護用の電子部品において、室温での低抵抗化が要望されている。特に、ＵＳＢ対応のパソコン周辺機器においては、小型で低抵抗、高耐圧の半導体セラミック電子部品が切に望まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来、上述のＰＴＣ特性を有するチタン酸バリウム系の半導体セラミックは、チタン酸バリウム粉体に、または、炭酸バリウムおよび二酸化チタンの混合粉に、半導体化剤としての金属イオンまたは金属酸化物を混合させ、その粉体より成形した成形物を焼結させることにより、作製されていた。しかしながら、半導体セラミックを作製する際に、チタン酸バリウム粉体を十分に半導体化させずに焼結体を作製したために室温での抵抗が高くなったり、または、室温での抵抗を低くする目的で焼結の温度を高くしたために室温での抵抗は低くなるもののキュリー点以上での抵抗の変化率が低くなったりする場合がある。さらに、チタン酸バリウム粉体を十分に半導体化させるために粉体を高温で焼成したために、セラミック電子部品を作製したときに焼結が進まず室温での抵抗が高くなるなどの問題があった。
【０００４】
それゆえに、この発明の主たる目的は、室温での抵抗が低くキュリー温度以上での抵抗の変化率が高い半導体セラミックを得ることができる半導体セラミック粉末を提供することである。
また、この発明の他の目的は、室温での抵抗が低くキュリー温度以上での抵抗の変化率が高い半導体セラミック層を備える積層半導体セラミック電子部品を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、ある限定された物性を有するチタン酸バリウム系の半導体セラミック粉末を用いることによって、小型化かつ低抵抗で、十分な抵抗の変化率を有し、さらには、耐電圧の高い積層型半導体セラミック電子部品が得られることを見出し、この発明を完成するに至った。
すなわち、この発明にかかる半導体セラミック粉末は、チタン酸バリウム粉体１００ｗｔ％に対して、チタン酸バリウム粉体のＴｉ³⁺の濃度が０．０００３ｗｔ％以上であり、Ｂａサイト／Ｔｉサイト比が１．０００以上で１．０１０以下であり、一次粒子径が１．０μｍ以下であり、ドナー元素が固溶している、半導体セラミック粉末である。なお、以下、Ｂａ／Ｔｉ比と表しているものは、Ｂａサイト／Ｔｉサイト比を意味する。
この発明にかかる積層型半導体セラミック電子部品は、交互に積層される複数の半導体セラミック層および複数の内部電極を備える積層型半導体セラミック電子部品であって、半導体セラミック層は、この発明にかかる半導体セラミック粉末を焼結して形成される、正の抵抗温度特性を有する積層型半導体セラミック電子部品である。なお、内部電極は、たとえばニッケルを含有する。
【０００６】
チタン酸バリウム粉体の一次粒子径が１．０μｍよりも大きいと、焼結が進まず室温での抵抗が高くなり、また、室温での抵抗を下げようとしてより高い温度で焼成すると室温での抵抗は下がるもののキュリー温度以上での抵抗の変化率は低くなってしまう。
また、チタン酸バリウム粉体１００ｗｔ％に対して、チタン酸バリウム粉体のＴｉ³⁺の濃度が０．０００３ｗｔ％未満であると、室温での抵抗が高く、キュリー温度以上での抵抗の変化率が低くなってしまう。
さらに、チタン酸バリウム粉体のＢａ／Ｔｉ比が１．０００未満または１．０１０を超えると、Ｔｉ³⁺がチタン酸バリウム内に十分に存在しかつ平均粒径が１．０μｍ以下であっても、室温での抵抗が高く、キュリー温度以上での抵抗の変化率が低くなってしまう。
また、チタン酸バリウム粉体の一次粒子径が１．０μｍよりも大きいと、半導体セラミック層を薄くすることができず、さらに焼結する際に高温で焼成しなければならない。
【０００７】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【０００８】
【発明の実施の形態】
図１はこの発明にかかる積層型半導体セラミック電子部品の一例を示す図解図である。図１に示す積層型半導体セラミック電子部品１０は積層体１２を含む。積層体１２では、複数の半導体セラミック層１４と複数の内部電極１６とが交互に重ね合わされている。この場合、１つおきの内部電極１６は積層体１２の１つの側面にまで形成され、残りの内部電極１６は積層体１２の他の１つの側面にまで形成される。さらに、積層体１２の１つの側面および他の１つの側面には、外部電極１８ａおよび１８ｂがそれぞれ形成される。この場合、一方の外部電極１８ａは１つおきの内部電極１６に接続され、他方の外部電極１８ｂは残りの内部電極１６に接続される。
【０００９】
上述の積層型半導体セラミック電子部品１０の半導体セラミック層１４は、チタン酸バリウム系の半導体セラミック粉末を焼結して形成される。このチタン酸バリウム系の半導体セラミック粉末としては、チタン酸バリウム粉体１００ｗｔ％に対して、チタン酸バリウム粉体のＴｉ³⁺の濃度が０．０００３ｗｔ％以上であり、Ｂａ／Ｔｉ比が１．０００以上で１．０１０以下であり、一次粒子径が１．０μｍ以下であり、ドナー元素が固溶している、半導体セラミック粉末が用いられる。
このチタン酸バリウム系の半導体セラミック粉末において、必要に応じて、Ｂａの一部がＣａやＳｒなどのアルカリ土類金属およびＰｂなどで置換されてもよく、また、Ｔｉの一部がＳｎ，ＺｒおよびＨｆなどのチタン族の元素で置換されてもよい。
また、このチタン酸バリウム系の半導体セラミック粉末に含まれる半導体化剤は、ドナー元素と呼ばれるものであるが、このようなドナー元素としては、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｙなどの希土類元素や、Ｎｂ，Ｔａ，Ｂｉ，Ｓｂ，Ｗなどの遷移金属を用いることができる。
また、このほかにも、このチタン酸バリウム系の半導体セラミック粉末には、必要に応じて、ＳｉＯ₂やＭｎなどが添加されてもよい。
上記の半導体セラミック層１４を形成するために用いられるチタン酸バリウム系の半導体セラミック粉末は、チタン酸バリウム粉体中にＴｉ³⁺が重量比で０．０００３ｗｔ％以上存在し、ドナーが固溶したものであるが、このようなチタン酸バリウム系の半導体セラミック粉末の合成方法については、特に限定するものではないが、たとえば水熱法、加水分解法、共沈法、固相法、ゾルゲル法を用いることができ、必要に応じて仮焼が施される。
また、上述の内部電極１６に含まれる導電成分としては、Ｎｉ系金属、Ｍｏ系金属、Ｃｒ系金属、または、これらの合金などを用いることができるが、半導体セラミック層１４との間での確実なオーミック接触を可能とする点から、特にＮｉ系金属を用いることが好ましい。
次に、この発明を実施例に基づいてさらに詳細かつ具体的に説明する。
【００１０】
【実施例】
出発原料として、ＢａＣＯ₃、ＴｉＯ₂、硝酸サマリウム（Ｓｍ）溶液を用い、各元素のモル比として、Ｓｍ／Ｔｉ＝０．００１２となるように秤量を行い、純水およびＰＳＺ製の直径５ｍｍの玉石を用いて５時間ボールミルによる混合を行った。なお、上記の調合（秤量）時においては、種々のＢａ／Ｔｉ比となるように秤量を行っている。その後、蒸発乾燥を行い、得られた混合粉を１０００〜１４００℃で２時間仮焼した。この仮焼粉（チタン酸バリウム粉体）に対して、分散剤および純水を混合して５〜８０時間粉砕した後、バインダーなどを添加して、スラリーとした後、ドクターブレード法により成形し、グリーンシートを得た。このグリーンシート上にＮｉ電極ペーストをスクリーン印刷して内部電極とした。さらに、内部電極がグリーンシートの一端側および他端側で交互に露出するように複数のグリーンシートを積層し、加圧圧着後、切断して積層体とした。なお、この積層体には、その上下に内部電極を印刷していないダミーのグリーンシートを重ねて圧着している。
次に、この積層体を大気中で脱バインダー処理した後、水素／窒素＝３／１００の強還元雰囲気中にて２時間焼成を行った。その後、オーミック銀ペーストを塗布して大気中で５００〜１０００℃で１時間再酸化処理を施し、外部電極を形成して、積層型半導体セラミック電子部品（試料）とした。
【００１１】
そして、各試料について、仮焼粉の平均粒径（μｍ）、仮焼粉のＴｉ³⁺の濃度（ｗｔ％）、室温抵抗（Ω）および抵抗変化率（桁）を測定した。
この場合、仮焼粉の平均粒径は、ＳＥＭにより撮影した写真の粒子をデジタイザーを用いて直接測定し、その測定値を対数正規分布により算出した。したがって、この仮焼粉の平均粒径は、仮焼により凝集した二次粒子径ではなく一次粒子径を表している。
また、仮焼粉のＴｉ³⁺の濃度の測定は、仮焼粉を酸溶解し、溶出したＴｉ³⁺をＦｅ³⁺で置換して生成したＦｅ²⁺を吸光光度計で測定した値である。
さらに、室温抵抗は、デジタルボルトメーターを用いて４端子法で測定した。また、抵抗変化率は、室温（２５℃）から２５０℃までにおける最大抵抗値を室温抵抗値で除し、その常用対数で算出した。
これらの測定結果などを表１に示す。
【００１２】
【表１】

【００１３】
表１に示す結果から明らかなように、実施例１〜４では、仮焼粉（チタン酸バリウム粉体）の平均粒径が１．０μｍ以下で、Ｔｉ³⁺の濃度が０．０００３ｗｔ％以上で、Ｂａ／Ｔｉ比が１．０００以上で１．０１０以下であり、得られた積層型半導体セラミック電子部品（試料）について、室温抵抗が０．２Ω以下で、抵抗変化率が２．７桁以上の特性が得られている。
これに対して、比較例１のようにチタン酸バリウム粉体の平均粒径が０．３μｍと微粒であってもＴｉ³⁺が検出できないようなチタン酸バリウム粉体を用いて作製した積層型半導体セラミック電子部品（試料）については、室温抵抗が０．５０Ωと高く、抵抗変化率も２．５桁と低くなる。
また、比較例２および３のようにＴｉ³⁺が十分にチタン酸バリウム粉体内に存在してもチタン酸バリウム粉体の平均粒径が１．０μｍを超えると、室温抵抗が高く、抵抗変化率も低くなる。
さらに、比較例４および５のようにＢａ／Ｔｉ比が１．０００未満または１．０１０を超えると、Ｔｉ³⁺がチタン酸バリウム粉体内に十分に存在しかつ平均粒径が１．０μｍ以下であっても、室温抵抗は１Ω以上と高く、抵抗変化率は２．２以下と低くなる。
【００１４】
【発明の効果】
この発明によれば、室温での抵抗が低くキュリー温度以上での抵抗の変化率が高い半導体セラミックを得ることができる。
また、この発明にかかる半導体セラミック粉末を用いれば、室温での抵抗が低くキュリー温度以上での抵抗の変化率が高い半導体セラミック層を備える積層半導体セラミック電子部品が得られる。そのため、この発明にかかる積層半導体セラミック電子部品では、小型かつ低抵抗で高い抵抗変化率を有し得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１はこの発明にかかる積層型半導体セラミック電子部品の一例を示す図解図である。
【符号の説明】
１０積層型半導体セラミック電子部品
１２積層体
１４半導体セラミック層
１６内部電極
１８ａ、１８ｂ外部電極[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor ceramic powder and a multilayer semiconductor ceramic electronic component, and more particularly, to a barium titanate-based semiconductor ceramic powder, and a multilayer having a positive resistance temperature coefficient, including a semiconductor ceramic layer formed by sintering the semiconductor ceramic powder. The present invention relates to a type semiconductor ceramic electronic component.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, barium titanate-based semiconductor ceramics have a positive resistance-temperature characteristic (PTC characteristic) in which the specific resistance is low at room temperature and the resistance rapidly increases when a certain temperature (Curie temperature) is exceeded. Widely used in applications such as temperature control, overcurrent protection, and constant temperature heating. In particular, there is a demand for low resistance at room temperature in electronic components for overcurrent protection used for circuits. In particular, in a USB-compatible personal computer peripheral device, a semiconductor ceramic electronic component having a small size, a low resistance, and a high withstand voltage is highly desired.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
Conventionally, a barium titanate-based semiconductor ceramic having the above-described PTC characteristics is obtained by mixing metal ions or metal oxides as a semiconducting agent into barium titanate powder or mixed powder of barium carbonate and titanium dioxide. It was produced by sintering a molded product formed from the powder. However, when producing a semiconductor ceramic, the sintered body was produced without sufficiently converting the barium titanate powder into a semiconductor, so that the resistance at room temperature is increased or the resistance at room temperature is decreased. Although the resistance at room temperature decreases because the sintering temperature is increased, the rate of change in resistance at or above the Curie point may decrease. Furthermore, since the powder was fired at a high temperature in order to fully convert the barium titanate powder into a semiconductor, there was a problem that, when a ceramic electronic component was manufactured, sintering did not proceed and resistance at room temperature was increased. .
[0004]
Therefore, a main object of the present invention is to provide a semiconductor ceramic powder capable of obtaining a semiconductor ceramic having a low resistance at room temperature and a high rate of change in resistance at or above the Curie temperature.
Another object of the present invention is to provide a laminated semiconductor ceramic electronic component including a semiconductor ceramic layer having a low resistance at room temperature and a high rate of change in resistance at the Curie temperature or higher.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
As a result of intensive research to achieve the above object, by using a barium titanate semiconductor ceramic powder having limited physical properties, it has a small size, low resistance, and sufficient resistance change rate. Furthermore, the inventors have found that a laminated semiconductor ceramic electronic component having a high withstand voltage can be obtained, and have completed the present invention.
That is, in the semiconductor ceramic powder according to the present invention, the concentration of Ti ^{3+ in} the barium titanate powder is 0.0003 wt% or more with respect to 100 wt% of the barium titanate powder, and the Ba site / Ti site ratio is 1 The semiconductor ceramic powder has a primary particle size of 1.0 μm or less and a donor element in a solid solution. Hereinafter, the expression Ba / Ti ratio means the Ba site / Ti site ratio.
A multilayer semiconductor ceramic electronic component according to the present invention is a multilayer semiconductor ceramic electronic component comprising a plurality of semiconductor ceramic layers and a plurality of internal electrodes that are alternately stacked, and the semiconductor ceramic layer is a semiconductor ceramic according to the present invention. It is a laminated semiconductor ceramic electronic component having a positive resistance temperature characteristic formed by sintering powder. The internal electrode contains nickel, for example.
[0006]
When the primary particle size of the barium titanate powder is larger than 1.0 μm, sintering does not proceed and the resistance at room temperature increases, and when firing at a higher temperature to lower the resistance at room temperature, Although the resistance is lowered, the rate of change in resistance above the Curie temperature becomes low.
Further, when the concentration of Ti ^{3+ in} the barium titanate powder is less than 0.0003 wt% with respect to 100 wt% of the barium titanate powder, the resistance at room temperature is high, and the rate of change in resistance at the Curie temperature or higher. Will be lower.
Further, when the Ba / Ti ratio of the barium titanate powder is less than 1.000 or exceeds 1.010, Ti ³⁺ is sufficiently present in the barium titanate and the average particle diameter is 1.0 μm or less. However, the resistance at room temperature is high, and the rate of change in resistance above the Curie temperature is low.
If the primary particle size of the barium titanate powder is larger than 1.0 μm, the semiconductor ceramic layer cannot be thinned and must be fired at a high temperature during sintering.
[0007]
The above object, other objects, features, and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the embodiments of the present invention with reference to the drawings.
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is an illustrative view showing one example of a laminated semiconductor ceramic electronic component according to the present invention. A multilayer semiconductor ceramic electronic component 10 shown in FIG. In the laminate 12, a plurality of semiconductor ceramic layers 14 and a plurality of internal electrodes 16 are alternately stacked. In this case, every other internal electrode 16 is formed up to one side surface of the laminate 12, and the remaining internal electrodes 16 are formed up to the other side surface of the laminate 12. Furthermore,

external electrodes

18a and 18b are formed on one side surface and the other one side surface of the laminate 12, respectively. In this case, one external electrode 18 a is connected to every other internal electrode 16, and the other external electrode 18 b is connected to the remaining internal electrodes 16.
[0009]
The semiconductor ceramic layer 14 of the multilayer semiconductor ceramic electronic component 10 described above is formed by sintering a barium titanate semiconductor ceramic powder. As this barium titanate semiconductor ceramic powder, the concentration of Ti ^{3+ in} the barium titanate powder is 0.0003 wt% or more with respect to 100 wt% of the barium titanate powder, and the Ba / Ti ratio is 1. A semiconductor ceramic powder having a primary particle size of 1.0 μm or less and a donor element in solid solution is used.
In this barium titanate-based semiconductor ceramic powder, a part of Ba may be substituted with an alkaline earth metal such as Ca or Sr and Pb, if necessary, and a part of Ti is Sn, Zr. And may be substituted with a titanium group element such as Hf.
The semiconducting agent contained in the barium titanate-based semiconductor ceramic powder is called a donor element. Examples of such a donor element include La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Rare earth elements such as Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, and Y, and transition metals such as Nb, Ta, Bi, Sb, and W can be used.
In addition, SiO ₂ , Mn, or the like may be added to the barium titanate-based semiconductor ceramic powder as necessary.
In the barium titanate-based semiconductor ceramic powder used to form the semiconductor ceramic layer 14, Ti ³⁺ is present in a barium titanate powder in a weight ratio of 0.0003 wt% or more, and the donor is in a solid solution. However, the method for synthesizing such a barium titanate-based semiconductor ceramic powder is not particularly limited. For example, a hydrothermal method, a hydrolysis method, a coprecipitation method, a solid phase method, and a sol-gel method are used. It can be used and calcined as necessary.
Further, as the conductive component contained in the internal electrode 16 described above, a Ni-based metal, a Mo-based metal, a Cr-based metal, or an alloy thereof can be used. In particular, it is preferable to use a Ni-based metal from the viewpoint of enabling ohmic contact.
Next, the present invention will be described in more detail and specifically based on examples.
[0010]
【Example】
BaCO ₃ , TiO ₂ , samarium nitrate (Sm) solution was used as a starting material and weighed so that the molar ratio of each element was Sm / Ti = 0.0012. Using a cobblestone, mixing was performed by a ball mill for 5 hours. In addition, at the time of said preparation (weighing), it measures so that it may become various Ba / Ti ratio. Then, evaporation drying was performed, and the obtained mixed powder was calcined at 1000 to 1400 ° C. for 2 hours. The calcined powder (barium titanate powder) is mixed with a dispersant and pure water and pulverized for 5 to 80 hours, and then added with a binder to form a slurry, which is then molded by a doctor blade method. A green sheet was obtained. Ni electrode paste was screen-printed on this green sheet to form internal electrodes. Furthermore, a plurality of green sheets were laminated so that the internal electrodes were alternately exposed on one end side and the other end side of the green sheet, and after pressure-bonding, the laminate was cut into a laminate. It should be noted that dummy green sheets on which no internal electrodes are printed are stacked and pressure-bonded on the laminated body.
Next, this laminate was debindered in the air, and then fired in a strong reducing atmosphere of hydrogen / nitrogen = 3/100 for 2 hours. Thereafter, an ohmic silver paste was applied, reoxidation treatment was performed in the atmosphere at 500 to 1000 ° C. for 1 hour, external electrodes were formed, and a multilayer semiconductor ceramic electronic component (sample) was obtained.
[0011]
And about each sample, the average particle diameter (micrometer) of calcining powder, the density | concentration (wt%) of Ti3 ⁺ of calcining powder, room temperature resistance (ohm), and resistance change rate (digit) were measured.
In this case, the average particle diameter of the calcined powder was directly measured by using a digitizer for photographic particles taken by SEM, and the measured value was calculated by a lognormal distribution. Therefore, the average particle size of the calcined powder represents the primary particle size, not the secondary particle size aggregated by calcining.
Moreover, the measurement of the Ti ³⁺ concentration of the calcined powder is a value obtained by measuring the Fe ²⁺ generated by dissolving the calcined powder with acid and substituting the eluted Ti ³⁺ with Fe ³⁺ with an absorptiometer. is there.
Furthermore, room temperature resistance was measured by a four-terminal method using a digital voltmeter. The rate of change in resistance was calculated by dividing the maximum resistance value from room temperature (25 ° C.) to 250 ° C. by the room temperature resistance value and using the common logarithm.
These measurement results are shown in Table 1.
[0012]
[Table 1]

[0013]
As is clear from the results shown in Table 1, in Examples 1 to 4, the average particle diameter of the calcined powder (barium titanate powder) is 1.0 μm or less and the concentration of Ti ³⁺ is 0.0003 wt% or more. The Ba / Ti ratio is 1.000 or more and 1.010 or less, and the obtained multilayer semiconductor ceramic electronic component (sample) has a room temperature resistance of 0.2Ω or less and a resistance change rate of 2.7 digits. The above characteristics are obtained.
On the other hand, as in Comparative Example 1, a laminated type manufactured using a barium titanate powder in which Ti ³⁺ cannot be detected even if the average particle diameter of the barium titanate powder is 0.3 μm and fine particles. For the semiconductor ceramic electronic component (sample), the room temperature resistance is as high as 0.50Ω and the resistance change rate is as low as 2.5 digits.
Further, even when Ti ³⁺ is sufficiently present in the barium titanate powder as in Comparative Examples 2 and 3, if the average particle diameter of the barium titanate powder exceeds 1.0 μm, the room temperature resistance is high, and the resistance change The rate is also low.
Further, when the Ba / Ti ratio is less than 1.000 or exceeds 1.010 as in Comparative Examples 4 and 5, Ti ³⁺ is sufficiently present in the barium titanate powder and the average particle size is 1.0 μm or less. Even so, the room temperature resistance is as high as 1Ω or more, and the resistance change rate is as low as 2.2 or less.
[0014]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to obtain a semiconductor ceramic that has a low resistance at room temperature and a high rate of change in resistance at the Curie temperature or higher.
Further, by using the semiconductor ceramic powder according to the present invention, a laminated semiconductor ceramic electronic component including a semiconductor ceramic layer having a low resistance at room temperature and a high rate of change in resistance at the Curie temperature or higher is obtained. Therefore, the laminated semiconductor ceramic electronic component according to the present invention can be small and have a low resistance and a high resistance change rate.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an illustrative view showing one example of a laminated semiconductor ceramic electronic component according to the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Multilayer semiconductor ceramic electronic component 12 Laminated body 14 Semiconductor ceramic layer 16

Internal electrode

18a, 18b External electrode

Claims

The concentration of Ti ³⁺ of the barium titanate powder is 0.0003 wt% or more with respect to 100 wt% of the barium titanate powder, and the Ba site / Ti site ratio is 1.000 or more and 1.010 or less. A semiconductor ceramic powder having a primary particle diameter of 1.0 μm or less and a donor element dissolved therein.

A multilayer semiconductor ceramic electronic component comprising a plurality of alternately laminated semiconductor ceramic layers and a plurality of internal electrodes,
The multilayer ceramic ceramic electronic component having positive resistance temperature characteristics, wherein the semiconductor ceramic layer is formed by sintering the semiconductor ceramic powder according to claim 1.

The multilayer semiconductor ceramic electronic component according to claim 2, wherein the internal electrode contains nickel.