JP4174941B2 - 薄膜製造方法及び薄膜製造装置 - Google Patents
薄膜製造方法及び薄膜製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4174941B2 JP4174941B2 JP2000032620A JP2000032620A JP4174941B2 JP 4174941 B2 JP4174941 B2 JP 4174941B2 JP 2000032620 A JP2000032620 A JP 2000032620A JP 2000032620 A JP2000032620 A JP 2000032620A JP 4174941 B2 JP4174941 B2 JP 4174941B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- pressure
- exhaust
- thin film
- source gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜が成膜される成膜室に対して、原料ガスの供給と原料ガスを成膜室から排気するためのパージガスの供給とを交互に繰り返して行う薄膜の製造方法及びそのような薄膜の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の薄膜製造方法及び薄膜製造装置に関するものとしては、例えば特表平９−５０８８９０号公報に記載のものが提案されている。これは、薄膜が成膜される成膜室、原料ガス及びパージガス供給系統、成膜室の排気系統を備える製造装置を用い、原料ガスの供給とパージガスの供給とを交互に繰り返して基板上にて原子層成長をさせることにより薄膜を製造するものである。また、成膜室内の余剰ガスは減圧排気することにより除去するようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者等が従来技術について検討したところ、従来の製造方法及び製造装置においては、原料ガスの供給時（成膜時）とパージガスの供給（パージ時）とで、例えば同一の排気ポンプを用いる等、成膜室の排気能力を同じとしているため、以下のような問題が生じることがわかった。
【０００４】
このような薄膜製造に用いられる原料ガスは、そもそも、ＡｌＣｌ3、ＺｎＣｌ2、ＴａＣｌ5等の塩化物、あるいは固体有機金属などの凝集しやすいガスが採用される。また、パージガスとしては窒素ガス等の原料ガスの反応に関与しないガスが採用される。ここにおいて、生産性を上げるべくパージ時間を短くするために、排気能力の大きいポンプを使用した場合、原料ガスを供給する成膜時に、成膜室の圧力が低くなり、原料ガスの供給と停止を制御するバルブの下流側が低い圧力となる。
【０００５】
この状態でバルブを開けると、バルブの上流と下流との間に大きな圧力差が生じ、原料ガスが膨張して温度が下がり、バルブ内部またはバルブ下流側の配管あるいは成膜室内にて原料ガスが凝集してしまう。この原料ガスの凝集が発生すると、例えば、原料ガスの凝集粉が成膜された膜に付着して膜性能に影響を与える等の不具合が発生する。
【０００６】
また、逆に、バルブの下流側の圧力を高めるためにポンプの排気能力を小さくすると、上記した原料ガスの凝集という問題は防止できるが、パージガスを供給するパージ時にパージガスの流量が減少するため、パージに要する時間が長くなり、薄膜製造における生産性が落ちることとなってしまう。このように、従来では、成膜時とパージ時とで、成膜室の排気能力を同じとしているため、原料ガスの凝集の防止と良好な生産性とを両立させることができなかった。
【０００７】
本発明は、上記したような本発明者等が独自に見出した問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、成膜室に対して原料ガスの供給とパージガスの供給とを交互に繰り返して行うことにより製造される薄膜において、原料ガスの凝集の防止と良好な生産性とを両立させるような薄膜製造方法及びそのような製造方法に適した薄膜製造装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１〜請求項４記載の発明は薄膜製造方法に係るものであり、原料ガスの供給を行うときは、成膜室（１０）内の圧力をパージガスの供給を行うときよりも大きく、パージガスの供給を行うときは、成膜室内の圧力を原料ガスの供給を行うときよりも小さくすることを特徴としている。
【０００９】
それにより、原料ガスの供給時には、原料ガスを供給するバルブの下流側の圧力を高め、該バルブを開けたときに伴う原料ガスの急激な温度低下による凝集を抑制することができ、一方、パージ中は短時間で確実にパージを行うことのできるように、成膜室の圧力を小さくすることができる。よって、本発明によれば、原料ガスの凝集の防止と良好な生産性とを両立させるような薄膜製造方法を提供することができる。
【００１０】
また、請求項１の製造方法のより具体的な方法としては、請求項２の製造方法のように、原料ガスの供給を行うときは、パージガスの供給を行うときに比べて、成膜室（１０）の排気能力を小さくする方法や、請求項３の製造方法のように、原料ガスの供給を行うときは、同時に成膜室（１０）へ原料ガスの反応に関与しないガスを導入することにより、パージガスの供給を行うときよりも成膜室内の圧力を大きくする方法を採用することができる。
【００１１】
また、請求項５〜請求項８記載の発明は薄膜製造装置に係るものであり、原料ガスの供給を行うときは、成膜室内の圧力をパージガスの供給を行うときよりも大きく、パージガスの供給を行うときは、成膜室内の圧力を原料ガスの供給を行うときよりも小さくなるように、成膜室（１０）内の圧力を可変とする圧力可変手段（３５、５５、６５）を設け、さらに、原料ガスの供給と停止とを行う原料ガス用バルブ手段（２３４）を備え、圧力可変手段（６５）は、原料ガス用バルブ手段の下流側の圧力を検知する圧力検知手段（６０）と、この圧力検知手段によって検知される圧力に基づいて成膜室（１０）へ原料ガスの反応に関与しないガスを導入するガス導入手段（６１〜６３）とを備えたものとしたことを特徴としている。
【００１２】
本製造装置を用いれば、圧力可変手段によって成膜室内の圧力を可変とできるため、上記製造方法と同様に、原料ガスの供給時とパージガスの供給時とで、成膜室内の圧力を大きくしたり小さくしたりできる。よって、原料ガスの凝集の防止と良好な生産性とを両立させるような薄膜製造方法に適した薄膜製造装置を提供することができる。また、上記圧力可変手段としては、原料ガスの供給と停止とを行う原料ガス用バルブ手段（２３４）の下流側の圧力を検知する圧力検知手段（６０）と、この圧力検知手段によって検知される圧力に基づいて成膜室（１０）へ原料ガスの反応に関与しないガスを導入するガス導入手段（６１〜６３）とを備えたものとしており、本製造装置を用いれば、請求項３の製造方法を適切に実行することができる。
【００１３】
特に、請求項６の発明のように、圧力可変手段を、成膜室（１０）を排気するときの排気能力を可変とする排気能力可変手段（３５、５５）を備えた薄膜製造装置を用いれば、請求項２の製造方法を適切に実行することができる。
【００１４】
その排気能力可変手段としては、成膜室（１０）に対して別々に設けられた排気用の２個の排気通路（３０、４０）と、個々の該排気通路に設けられた互いに排気能力の異なるポンプ手段（３１、４１）とを備えたものとしたり（請求項７の発明）、成膜室（１０）に対して設けられた排気用の排気通路（５０）と、この排気通路に設けられ該排気通路の通路面積を可変とする可変バルブ手段（５２）とを備えたものとする（請求項８の発明）ことができる。
【００１６】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
本発明は、薄膜が成膜される成膜室を排気しながら、該成膜室に対して原料ガスの供給とパージガスの供給とを交互に繰り返して基板上にて原子層成長をさせることにより薄膜を製造するものである。
【００１８】
以下、限定するものではないが、原料ガスとしてＡｌＣｌ3（塩化アルミニウム）とＨ2Ｏを用い、パージガスとしてＮ2（窒素）を用い、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）を成膜する場合について説明する。成膜方法は、公知の如く、ＡｌＣｌ3導入＋Ｎ2パージ（第１パージ）＋Ｈ2Ｏ導入＋Ｎ2パージ（第２パージ）を１サイクルとしてこれを複数サイクル繰り返すことにより、所望の厚さのアルミナ薄膜を得るものである。
【００１９】
図１に、本発明の第１実施形態に係る薄膜製造装置を模式的に示す。図１において、１０はチタン等の金属やガラス等よりなる成膜室であり、この成膜室１０には、成膜室１０へ原料ガスやパージガスを交互に導入するためのガス供給通路２０、及び成膜室１０内の余剰ガスを排気するための２個の排気通路３０、４０が設けられている。各通路２０〜４０は、例えばステンレスやガラス等よりなる配管より構成されている。
【００２０】
図示されるガス供給通路２０は、原料ガスとしてのＡｌＣｌ3ガスを成膜室１０へ導入するとともに、第１パージを行うためのものである。このガス供給通路２０の上流側は、図示しないキャリアガス（パージ時にはパージガスにもなる）であるＮ2ガスが収納されたタンクやボンベ等につながっている。
【００２１】
また、ガス供給通路２０の途中には原料供給通路２１が設けられ、原料供給通路２１の途中部には原料ガスであるＡｌＣｌ3ガスが収納された耐食性金属等よりなる原料容器２２が介在している。この原料容器２２には、ＡｌＣｌ3が固体Ｓで収納されており、ヒータやオーブン等にて加熱することにより、該容器２２内部においては、ＡｌＣｌ3が一部昇華してＡｌＣｌ3ガスＧが存在した状態となっている。
【００２２】
また、ガス供給通路２０における原料供給通路２１の分岐点と合流点との間（バイパス通路）には第１供給バルブ２３１が、原料供給通路２１におけるガス供給通路２０の分岐点と原料容器２２との間には第２供給バルブ２３２が、原料供給通路２１における原料容器２２とガス供給通路２０の合流点との間には第３供給バルブ２３３が、ガス供給通路２０における原料供給通路２１の合流点と成膜室１０との間には第４供給バルブ２３４が、それぞれ介在設定されている。また、原料ガスが流れる第３及び第４供給バルブ２３３、２３４及び通路部分は、原料のガス状態を維持すべくヒータやオーブン等にて加熱可能となっている。
【００２３】
そして、ＡｌＣｌ3ガスを成膜室１０内へ導入するときは、第１供給バルブ２３１を閉状態、第２〜第４供給バルブ２３２〜２３４を開状態とする。すると、図１中の実線矢印に示す様に、ガス供給通路２０の上流からキャリアガスとしてのＮ2ガスが流れ、このガスは原料供給通路２１から原料容器２２内のＡｌＣｌ3ガスＧを搬送し、成膜室１０内へ導入する。このＡｌＣｌ3ガスの流量は、原料容器２２の温度即ちＡｌＣｌ3の昇華温度で決められる。
【００２４】
一方、第１パージ時に、パージガスとしてのＮ2ガスを成膜室１０内へ導入するときは、第１及び第４供給バルブ２３１及び２３４を開状態、第２及び第３供給バルブ２３２及び２３３を閉状態とする。すると、図１中の破線矢印に示す様に、ガス供給通路２０の上流から、上記バイパス通路を介してパージガスとしてのＮ2ガスが流れ、成膜室１０内へ導入される。
【００２５】
なお、上記ガス供給通路２０とは別に、図示しないが、上記した原料供給通路、原料容器及び各供給バルブを有するガス供給通路が、もう１系統設けられており、このガス供給通路は、原料ガスとしてのＨ2Ｏガスを成膜室１０へ導入するとともに、第２パージを行うためのものである。その構成は、上記ガス供給通路２０と比べて、原料容器にＡｌＣｌ3の代わりに水が入っている以外は同様である。
【００２６】
こうして、ＡｌＣｌ3ガスの導入、第１パージ、水ガスの導入、第２パージにおける各パルスは、予め決められたパルス時間にて上記各供給バルブ２３１〜２３４を切り替えることにより、成膜室１０へ順次交互に導入される。なお、上記の各供給バルブ２３１〜２３４は、特に限定しないが、例えば、電磁弁から送られるエアによって駆動されるダイヤフラム式のものを採用できる。そして、各バルブ２３１〜２３４は、上記各パルス時間に基づいて図示しない制御回路から送られる信号により電磁弁を作動制御するようになっている。
【００２７】
一方、２個の排気通路３０、４０は、成膜室１０に対して別々に設けられており、個々の排気通路３０、４０には、互いに排気能力の異なる電動式の真空ポンプ（ポンプ手段）３１、４１が介在設定されている。ここで、排気能力の小さいポンプ（第１のポンプ）３１を有する方を第１の排気通路３０、排気能力の大きいポンプ（第２のポンプ）４１を有する方を第２の排気通路４０とする。各排気通路３０及び４０において、成膜室とポンプとの間には、それぞれ第１排気バルブ３２及び第２排気バルブ４２が介在設定されている。
【００２８】
ここで、ＡｌＣｌ3ガスの導入及び水ガスの導入時（つまり、原料ガスの供給時）には、第１及び第２パージ時（つまり、パージガスの供給時）に比べて、成膜室１０の排気能力を小さくするようにしている。それにより、原料ガスの供給時には、成膜室１０内の圧力をパージガスの供給時よりも大きく、パージガスの供給時には、成膜室１０内の圧力を原料ガスの供給時よりも小さくすることができる。
【００２９】
具体的には、両ポンプ３１、４１を駆動状態としたまま、原料ガスの供給時には、第１排気バルブ３２を開状態、第２排気バルブ４２を閉状態として、排気能力の小さい第１の排気通路３０のみで排気する。一方、パージガスの供給時には、第１排気バルブ３２を閉状態、第２排気バルブ４２を開状態として、排気能力の大きい第２の排気通路４０のみで排気するか、両排気バルブ３２、４２をともに開状態として、両排気通路３０、４０で排気を行う。また、各排気バルブ３２、４２及び排気通路は、排気されるガスのガス状態を維持すべくヒータやオーブン等にて加熱可能となっている。
【００３０】
なお、上記の各排気３２、４２は、特に限定しないが、例えば、上記供給バルブと同様に、電磁弁から送られるエアによって駆動されるダイヤフラム式のものを採用でき、上記各パルス時間に基づいて各バルブ３２、４２の作動を制御できるようになっている。これら各排気通路３０、４０、各ポンプ３１、４１及び各排気バルブ３２、４２により、本発明でいう圧力可変手段としての排気能力可変手段３５が構成されている。
【００３１】
次に、この薄膜製造装置を用いた本実施形態の薄膜製造方法について述べる。基本的には、成膜室１０に対して原料ガスの供給とパージガスの供給とを交互に繰り返して行うのであるが、本実施形態の主たる特徴は、原料ガスの供給時（成膜中）には、排気能力の小さい第１のポンプ３２で排気することにより、成膜室１０を高圧力にし、バルブ動作に伴うガスの急激な温度低下による凝集を抑制し、一方、パージガスの供給時（パージ中）には、排気能力の大きい第２のポンプ４２で排気することにより、短時間で確実にパージを行うことにある。
【００３２】
例えば、第１のポンプ３２の排気能力を４００Ｌ／ｍｉｎ（リットル／分）、第２のポンプ４２の排気能力を１６００Ｌ／ｍｉｎとする。まず、成膜室１０内に成膜用の図示しない基板（ガラス基板やシリコン基板等）を設置し、ヒータ（図示せず）等により、該基板を成膜可能な温度（例えば５００℃）に昇温する。
【００３３】
次に、ＡｌＣｌ3ガス導入工程を行う。第１供給バルブ２３１を閉状態、第２〜第４供給バルブ２３２〜２３４を開状態とし、図１中の実線矢印に示す様に、キャリアガスとしてのＮ2ガスとともにＡｌＣｌ3ガスを成膜室１０内へ導入する。こうして、成膜室１０内の上記基板上にＡｌＣｌ3ガスが吸着する。このとき同時に、第１排気バルブ３２を開状態、第２排気バルブ４２を閉状態として、排気能力の小さい第１の排気通路３０のみで成膜室１０を排気する。
【００３４】
ここで、ＡｌＣｌ3の昇華温度（原料容器２２の温度）を実用的な昇華量が確保できる１４０℃、第３及び第４供給バルブ２３３及び２３４の温度を市販バルブの耐熱保証温度上限の１５０℃、キャリアガスのＮ2流量を標準状態で３Ｌ／ｍｉｎ（３ＳＬＭ）としたとき、排気能力が４００Ｌ／ｍｉｎである第１のポンプ３１で排気した場合、成膜室１０の圧力が８００Ｐａとなる。このとき、第４供給バルブ２３４の上流側と下流側との圧力差は１０ｋＰａであり、温度低下も１０℃以下となり、第４供給バルブ２３４下流側でのＡｌＣｌ3の凝集はほとんど発生しない。
【００３５】
次に、第１パージ工程を行う。第１及び第４供給バルブ２３１及び２３４を開状態、第２及び第３供給バルブ２３２及び２３３を閉状態とし、図１中の破線矢印に示す様に、パージガスとしてのＮ2ガスを成膜室１０内へ導入する。そして、成膜室１０内の余剰ガスを除去する。このとき同時に、第１排気バルブ３２を閉状態、第２排気バルブ４２を開状態として、排気能力の大きい第２の排気通路４０のみで排気するか、両排気バルブ３２、４２をともに開状態として、両排気通路３０、４０で排気を行う。
【００３６】
この第１パージ工程において、排気能力が１６００Ｌ／ｍｉｎである第２のポンプ４２に切り替えて排気することにより、排気能力が４００Ｌ／ｍｉｎである第１のポンプ３２で排気する場合に比べて、４分の１のパージ時間で同等のパージ効果が得られる。なお、両排気通路３０、４０で排気を行えば、いっそうパージ時間を短縮できる。
【００３７】
仮に、ＡｌＣｌ3ガス導入工程（成膜中）にて、排気能力が１６００Ｌ／ｍｉｎである第２のポンプ４１を使用して第２の排気通路４０から排気を行うと、成膜室１０の圧力は２００Ｐａとなり、第４供給バルブ２３４の上流側と下流側との圧力差が２５ｋＰａと大きくなり、温度低下は２０℃以上となり、ＡｌＣｌ3は第４供給バルブ２３４下流側で凝集してしまうことが確認された。
【００３８】
次に、Ｈ2Ｏ導入工程を行い、基板に吸着されたＡｌＣｌ3とＨ2Ｏとを反応させ、アルミナ薄膜を形成する。なお、Ｈ2ＯガスはＡｌＣｌ3ガスと比べて凝集を起こしにくいので、成膜室１０の排気は両排気通路３０、４０のどちらで行っても良い。次に、第２パージ工程を上記第１パージ工程と同様に行う。こうして、アルミナ薄膜の成膜の１サイクルが終了する。この１サイクルを複数回繰り返して所望の膜厚を得る。
【００３９】
以上述べてきたように、本実施形態の薄膜製造装置によれば、成膜室１０を排気するときの排気能力を可変とする排気能力可変手段３５を備えており、この排気能力可変手段３５は、原料ガスの供給とパージガスの供給とで成膜室１０内の圧力（真空度）を可変とする圧力可変手段として機能する。
【００４０】
そして、本薄膜製造装置を用いた上記製造方法によれば、原料ガスの供給を行うときは、パージガスの供給を行うときに比べて、成膜室１０の排気能力を小さくすることができるため、原料ガスの供給を行うときは、成膜室１０内の圧力をパージガスの供給を行うときよりも大きく、パージガスの供給を行うときは、成膜室１０内の圧力を原料ガスの供給を行うときよりも小さくすることができる。
【００４１】
それにより、原料ガスの供給時には、原料ガスを供給するバルブの下流側の圧力を高め、該バルブを開けたときに伴う原料ガスの急激な温度低下による凝集を抑制することができ、一方、パージ中は短時間で確実にパージを行うことのできるように、成膜室１０の圧力を小さくすることができる。よって、本実施形態によれば、原料ガスの凝集の防止と良好な生産性とを両立させるような薄膜製造方法及びそのような製造方法に適した薄膜製造装置を提供することができる。
【００４２】
（第２実施形態）
図２に、本発明の第２実施形態に係る薄膜製造装置を模式的に示す。図２中、上記第１実施形態（図１）と同一部分には同一符号を付し、以下、第１実施形態と異なるところについて主として説明することとする。
【００４３】
本実施形態においても、上記第１実施形態と同様、基本的には、製造装置における圧力可変手段を、成膜室１０を排気するときの排気能力を可変とする排気能力可変手段５５を備えたものとし、原料ガスの供給を行うときは、パージガスの供給を行うときに比べて、成膜室１０の排気能力を小さくする製造方法を採用している。
【００４４】
しかし、本実施形態においては、排気能力可変手段５５として、図２に示す様に、成膜室１０に対して設けられた排気用の配管（ステンレス等）である１個の排気通路５０と、この排気通路５０における成膜室１０とポンプ５１との間に設けられ排気通路５０の通路面積を可変とする可変バルブ（可変バルブ手段）５２とを備えたものを採用している。
【００４５】
この可変バルブ５２は、特に限定しないが、例えば板状の弁体をサーボモータ等により回動可能に制御する通常のバルブを採用することができ、ポンプ５１は所定の排気能力を有する通常の電動式の真空ポンプを採用できる。また、可変バルブ５２及び排気通路は、排気されるガスのガス状態を維持すべくヒータやオーブン等にて加熱可能となっている。
【００４６】
この可変バルブ５２により、ポンプ５１を駆動状態としたまま、原料ガスの供給時には、成膜室１０の圧力がＡｌＣｌ3の凝集が起こらない程度になるようにバルブ５２の開度を小さくし、一方、パージガスの供給時には、短時間でパージ効果を得るためにバルブ５２の開度を大きくする。
【００４７】
これにより、排気通路５０の開度を変えることができ、実効的な排気能力を変え、成膜中とパージ中とで成膜室１０の圧力（真空度）を可変とすることができる。このように、本実施形態においても、上記第１実施形態と同様の効果を有する薄膜製造方法及び薄膜製造装置を提供することができる。また、本実施形態の排気能力可変手段５５は、排気通路を１系統とできるため、上記第１実施形態に比べて、排気系統の構成を簡略化することができる。
【００４８】
（第３実施形態）
図３に、本発明の第３実施形態に係る薄膜製造装置を模式的に示す。図３中、上記第１実施形態（図１）と同一部分には同一符号を付し、以下、第１実施形態と異なるところについて主として説明することとする。本実施形態は、原料ガスの供給を行うときは、同時に成膜室１０へ原料ガスの反応に関与しないガスを導入することにより、パージガスの供給を行うときよりも成膜室１０内の圧力を大きくする製造方法を採用するものである。
【００４９】
本実施形態の薄膜製造装置は、圧力可変手段６５として、ＡｌＣｌ3ガス（原料ガス）の供給と停止とを行う第４供給バルブ（原料ガス用バルブ手段）２３４の下流側の圧力を検知する圧力計（圧力検知手段）６０と、この圧力計６０によって検知される圧力に基づいて成膜室１０へ原料ガスの反応に関与しないガスを導入するガス導入手段６１〜６３とを備えている。
【００５０】
第４供給バルブ２３４と成膜室１０との間のガス供給通路１０には、ガス導入用配管６１の一端が合流して接続されており、このガス導入用配管６１には、合流点側から順に、上記圧力計６０、導入バルブ６２、流量制御器６３が設けられており、ガス導入用配管６１の他端側は、原料ガスの反応に関与しないガス（ＨｅやＮｅ等の不活性ガス等）が収納されたタンクやボンベ等につながっている。本例では、原料ガスの反応に関与しないガスとして、キャリアガス及びパージガスと同じＮ2ガスを用いている。
【００５１】
そして、原料ガスの供給時には、導入バルブ６２を開け、第４供給バルブ２３４の下流側にてＡｌＣｌ3が凝集しない圧力になるように圧力計６０の数値を読み取りながら、Ｎ2ガスの流量を流量制御器６３により適正値に設定する。この流量値の設定は、図示しない制御回路によって圧力計６０の計測値をフィードバックしながら流量制御器６３を連動させて可変的に制御しても良いし、予め適正な流量を決めておいて一定にしておいても良い。
【００５２】
これによって、原料ガスの供給時には、ガス導入用配管６１から導入されたＮ2ガスによって、成膜室１０内を含む第４供給バルブ２３４の下流側の圧力を高めることができる。そのため、原料ガスの供給を行うときは、成膜室１０内の圧力をパージガスの供給を行うときよりも大きく、パージガスの供給を行うときは、成膜室１０内の圧力を原料ガスの供給を行うときよりも小さくすることができる。
【００５３】
このように、本実施形態においても、上記第１実施形態と同様の効果を有する薄膜製造方法及び薄膜製造装置を提供することができる。特に、本実施形態によれば、原料ガスの反応に関与しないガスであるＮ2ガスの流量を、流量制御器６３によって細かく調整することができ、なおかつ、圧力計６０に基づいて第４供給バルブ２３４下流近傍の圧力を直接把握できることにより、高精度に圧力を設定できる。
【００５４】
なお、原料ガスの反応に関与しないガスであるＮ2ガスの導入は、原料ガスの供給時のみでなく、パージガスの供給時にも行って良い。パージガスの供給時にも行うことにより、パージが促進される。このＮ2ガスの導入は、図示しない制御回路等にて作動制御される導入バルブ６２の開閉により、自由に行うことができる。
【００５５】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態では、ＡｌＣｌ3を用いてＡｌ2Ｏ3（アルミナ）薄膜を成膜する場合について主として述べたが、これに限定されるものでは勿論ない。例えば、ＺｎＣｌ2、ＴａＣｌ5等の塩化物、あるいは固体有機金属などの凝集しやすいガスを用いて、これらの酸化膜等を成膜する場合であっても、本発明は適用できることは勿論である。さらには、液体材料を蒸発させて原料ガスとして用いる場合にも、上記凝集の問題が起こりうるので、本発明は適用可能である。
【００５６】
要するに、本発明は、薄膜が成膜される成膜室に対して原料ガスの供給と該原料ガスを前記成膜室から排気するためのパージガスの供給とを交互に繰り返して行う薄膜製造方法及び薄膜製造装置に適用することができる。
【００５７】
また、上記実施形態では、成膜室を排気しながら原料ガスの供給を行っているが、成膜室全体にガスが行き渡るように、原料ガスを供給するときに成膜室の排気を一時的に停止しても良い。この場合でも、パージ中の減圧排気により成膜室内は低圧となっているため、原料ガスの供給バルブを開けたときには、圧力差による凝集の問題が起こりうる。そのような場合でも、本発明のように、原料ガス供給時にパージガス供給時よりも成膜室内の圧力を大きくするという製造方法及び製造装置を用いれば、問題はない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る薄膜製造装置の模式的構成図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る薄膜製造装置の模式的構成図である。
【図３】本発明の第３実施形態に係る薄膜製造装置の模式的構成図である。
【符号の説明】
１０…成膜室、３０…第１排気通路、３１…第１のポンプ、
３５、５５…排気能力可変手段、４０…第２排気通路、４１…第２のポンプ、
５０…排気通路、５２…可変バルブ、６０…圧力計、６１…ガス導入用配管、
６２…導入バルブ、６３…流量制御器、６５…圧力可変手段、
２３４…第４供給バルブ（原料ガス用バルブ手段）。
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜が成膜される成膜室に対して、原料ガスの供給と原料ガスを成膜室から排気するためのパージガスの供給とを交互に繰り返して行う薄膜の製造方法及びそのような薄膜の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の薄膜製造方法及び薄膜製造装置に関するものとしては、例えば特表平９−５０８８９０号公報に記載のものが提案されている。これは、薄膜が成膜される成膜室、原料ガス及びパージガス供給系統、成膜室の排気系統を備える製造装置を用い、原料ガスの供給とパージガスの供給とを交互に繰り返して基板上にて原子層成長をさせることにより薄膜を製造するものである。また、成膜室内の余剰ガスは減圧排気することにより除去するようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者等が従来技術について検討したところ、従来の製造方法及び製造装置においては、原料ガスの供給時（成膜時）とパージガスの供給（パージ時）とで、例えば同一の排気ポンプを用いる等、成膜室の排気能力を同じとしているため、以下のような問題が生じることがわかった。
【０００４】
このような薄膜製造に用いられる原料ガスは、そもそも、ＡｌＣｌ3、ＺｎＣｌ2、ＴａＣｌ5等の塩化物、あるいは固体有機金属などの凝集しやすいガスが採用される。また、パージガスとしては窒素ガス等の原料ガスの反応に関与しないガスが採用される。ここにおいて、生産性を上げるべくパージ時間を短くするために、排気能力の大きいポンプを使用した場合、原料ガスを供給する成膜時に、成膜室の圧力が低くなり、原料ガスの供給と停止を制御するバルブの下流側が低い圧力となる。
【０００５】
この状態でバルブを開けると、バルブの上流と下流との間に大きな圧力差が生じ、原料ガスが膨張して温度が下がり、バルブ内部またはバルブ下流側の配管あるいは成膜室内にて原料ガスが凝集してしまう。この原料ガスの凝集が発生すると、例えば、原料ガスの凝集粉が成膜された膜に付着して膜性能に影響を与える等の不具合が発生する。
【０００６】
また、逆に、バルブの下流側の圧力を高めるためにポンプの排気能力を小さくすると、上記した原料ガスの凝集という問題は防止できるが、パージガスを供給するパージ時にパージガスの流量が減少するため、パージに要する時間が長くなり、薄膜製造における生産性が落ちることとなってしまう。このように、従来では、成膜時とパージ時とで、成膜室の排気能力を同じとしているため、原料ガスの凝集の防止と良好な生産性とを両立させることができなかった。
【０００７】
本発明は、上記したような本発明者等が独自に見出した問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、成膜室に対して原料ガスの供給とパージガスの供給とを交互に繰り返して行うことにより製造される薄膜において、原料ガスの凝集の防止と良好な生産性とを両立させるような薄膜製造方法及びそのような製造方法に適した薄膜製造装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１〜請求項４記載の発明は薄膜製造方法に係るものであり、原料ガスの供給を行うときは、成膜室（１０）内の圧力をパージガスの供給を行うときよりも大きく、パージガスの供給を行うときは、成膜室内の圧力を原料ガスの供給を行うときよりも小さくすることを特徴としている。
【０００９】
それにより、原料ガスの供給時には、原料ガスを供給するバルブの下流側の圧力を高め、該バルブを開けたときに伴う原料ガスの急激な温度低下による凝集を抑制することができ、一方、パージ中は短時間で確実にパージを行うことのできるように、成膜室の圧力を小さくすることができる。よって、本発明によれば、原料ガスの凝集の防止と良好な生産性とを両立させるような薄膜製造方法を提供することができる。
【００１０】
また、請求項１の製造方法のより具体的な方法としては、請求項２の製造方法のように、原料ガスの供給を行うときは、パージガスの供給を行うときに比べて、成膜室（１０）の排気能力を小さくする方法や、請求項３の製造方法のように、原料ガスの供給を行うときは、同時に成膜室（１０）へ原料ガスの反応に関与しないガスを導入することにより、パージガスの供給を行うときよりも成膜室内の圧力を大きくする方法を採用することができる。
【００１１】
また、請求項５〜請求項８記載の発明は薄膜製造装置に係るものであり、原料ガスの供給を行うときは、成膜室内の圧力をパージガスの供給を行うときよりも大きく、パージガスの供給を行うときは、成膜室内の圧力を原料ガスの供給を行うときよりも小さくなるように、成膜室（１０）内の圧力を可変とする圧力可変手段（３５、５５、６５）を設け、さらに、原料ガスの供給と停止とを行う原料ガス用バルブ手段（２３４）を備え、圧力可変手段（６５）は、原料ガス用バルブ手段の下流側の圧力を検知する圧力検知手段（６０）と、この圧力検知手段によって検知される圧力に基づいて成膜室（１０）へ原料ガスの反応に関与しないガスを導入するガス導入手段（６１〜６３）とを備えたものとしたことを特徴としている。
【００１２】
本製造装置を用いれば、圧力可変手段によって成膜室内の圧力を可変とできるため、上記製造方法と同様に、原料ガスの供給時とパージガスの供給時とで、成膜室内の圧力を大きくしたり小さくしたりできる。よって、原料ガスの凝集の防止と良好な生産性とを両立させるような薄膜製造方法に適した薄膜製造装置を提供することができる。また、上記圧力可変手段としては、原料ガスの供給と停止とを行う原料ガス用バルブ手段（２３４）の下流側の圧力を検知する圧力検知手段（６０）と、この圧力検知手段によって検知される圧力に基づいて成膜室（１０）へ原料ガスの反応に関与しないガスを導入するガス導入手段（６１〜６３）とを備えたものとしており、本製造装置を用いれば、請求項３の製造方法を適切に実行することができる。
【００１３】
特に、請求項６の発明のように、圧力可変手段を、成膜室（１０）を排気するときの排気能力を可変とする排気能力可変手段（３５、５５）を備えた薄膜製造装置を用いれば、請求項２の製造方法を適切に実行することができる。
【００１４】
その排気能力可変手段としては、成膜室（１０）に対して別々に設けられた排気用の２個の排気通路（３０、４０）と、個々の該排気通路に設けられた互いに排気能力の異なるポンプ手段（３１、４１）とを備えたものとしたり（請求項７の発明）、成膜室（１０）に対して設けられた排気用の排気通路（５０）と、この排気通路に設けられ該排気通路の通路面積を可変とする可変バルブ手段（５２）とを備えたものとする（請求項８の発明）ことができる。
【００１６】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
本発明は、薄膜が成膜される成膜室を排気しながら、該成膜室に対して原料ガスの供給とパージガスの供給とを交互に繰り返して基板上にて原子層成長をさせることにより薄膜を製造するものである。
【００１８】
以下、限定するものではないが、原料ガスとしてＡｌＣｌ3（塩化アルミニウム）とＨ2Ｏを用い、パージガスとしてＮ2（窒素）を用い、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）を成膜する場合について説明する。成膜方法は、公知の如く、ＡｌＣｌ3導入＋Ｎ2パージ（第１パージ）＋Ｈ2Ｏ導入＋Ｎ2パージ（第２パージ）を１サイクルとしてこれを複数サイクル繰り返すことにより、所望の厚さのアルミナ薄膜を得るものである。
【００１９】
図１に、本発明の第１実施形態に係る薄膜製造装置を模式的に示す。図１において、１０はチタン等の金属やガラス等よりなる成膜室であり、この成膜室１０には、成膜室１０へ原料ガスやパージガスを交互に導入するためのガス供給通路２０、及び成膜室１０内の余剰ガスを排気するための２個の排気通路３０、４０が設けられている。各通路２０〜４０は、例えばステンレスやガラス等よりなる配管より構成されている。
【００２０】
図示されるガス供給通路２０は、原料ガスとしてのＡｌＣｌ3ガスを成膜室１０へ導入するとともに、第１パージを行うためのものである。このガス供給通路２０の上流側は、図示しないキャリアガス（パージ時にはパージガスにもなる）であるＮ2ガスが収納されたタンクやボンベ等につながっている。
【００２１】
また、ガス供給通路２０の途中には原料供給通路２１が設けられ、原料供給通路２１の途中部には原料ガスであるＡｌＣｌ3ガスが収納された耐食性金属等よりなる原料容器２２が介在している。この原料容器２２には、ＡｌＣｌ3が固体Ｓで収納されており、ヒータやオーブン等にて加熱することにより、該容器２２内部においては、ＡｌＣｌ3が一部昇華してＡｌＣｌ3ガスＧが存在した状態となっている。
【００２２】
また、ガス供給通路２０における原料供給通路２１の分岐点と合流点との間（バイパス通路）には第１供給バルブ２３１が、原料供給通路２１におけるガス供給通路２０の分岐点と原料容器２２との間には第２供給バルブ２３２が、原料供給通路２１における原料容器２２とガス供給通路２０の合流点との間には第３供給バルブ２３３が、ガス供給通路２０における原料供給通路２１の合流点と成膜室１０との間には第４供給バルブ２３４が、それぞれ介在設定されている。また、原料ガスが流れる第３及び第４供給バルブ２３３、２３４及び通路部分は、原料のガス状態を維持すべくヒータやオーブン等にて加熱可能となっている。
【００２３】
そして、ＡｌＣｌ3ガスを成膜室１０内へ導入するときは、第１供給バルブ２３１を閉状態、第２〜第４供給バルブ２３２〜２３４を開状態とする。すると、図１中の実線矢印に示す様に、ガス供給通路２０の上流からキャリアガスとしてのＮ2ガスが流れ、このガスは原料供給通路２１から原料容器２２内のＡｌＣｌ3ガスＧを搬送し、成膜室１０内へ導入する。このＡｌＣｌ3ガスの流量は、原料容器２２の温度即ちＡｌＣｌ3の昇華温度で決められる。
【００２４】
一方、第１パージ時に、パージガスとしてのＮ2ガスを成膜室１０内へ導入するときは、第１及び第４供給バルブ２３１及び２３４を開状態、第２及び第３供給バルブ２３２及び２３３を閉状態とする。すると、図１中の破線矢印に示す様に、ガス供給通路２０の上流から、上記バイパス通路を介してパージガスとしてのＮ2ガスが流れ、成膜室１０内へ導入される。
【００２５】
なお、上記ガス供給通路２０とは別に、図示しないが、上記した原料供給通路、原料容器及び各供給バルブを有するガス供給通路が、もう１系統設けられており、このガス供給通路は、原料ガスとしてのＨ2Ｏガスを成膜室１０へ導入するとともに、第２パージを行うためのものである。その構成は、上記ガス供給通路２０と比べて、原料容器にＡｌＣｌ3の代わりに水が入っている以外は同様である。
【００２６】
こうして、ＡｌＣｌ3ガスの導入、第１パージ、水ガスの導入、第２パージにおける各パルスは、予め決められたパルス時間にて上記各供給バルブ２３１〜２３４を切り替えることにより、成膜室１０へ順次交互に導入される。なお、上記の各供給バルブ２３１〜２３４は、特に限定しないが、例えば、電磁弁から送られるエアによって駆動されるダイヤフラム式のものを採用できる。そして、各バルブ２３１〜２３４は、上記各パルス時間に基づいて図示しない制御回路から送られる信号により電磁弁を作動制御するようになっている。
【００２７】
一方、２個の排気通路３０、４０は、成膜室１０に対して別々に設けられており、個々の排気通路３０、４０には、互いに排気能力の異なる電動式の真空ポンプ（ポンプ手段）３１、４１が介在設定されている。ここで、排気能力の小さいポンプ（第１のポンプ）３１を有する方を第１の排気通路３０、排気能力の大きいポンプ（第２のポンプ）４１を有する方を第２の排気通路４０とする。各排気通路３０及び４０において、成膜室とポンプとの間には、それぞれ第１排気バルブ３２及び第２排気バルブ４２が介在設定されている。
【００２８】
ここで、ＡｌＣｌ3ガスの導入及び水ガスの導入時（つまり、原料ガスの供給時）には、第１及び第２パージ時（つまり、パージガスの供給時）に比べて、成膜室１０の排気能力を小さくするようにしている。それにより、原料ガスの供給時には、成膜室１０内の圧力をパージガスの供給時よりも大きく、パージガスの供給時には、成膜室１０内の圧力を原料ガスの供給時よりも小さくすることができる。
【００２９】
具体的には、両ポンプ３１、４１を駆動状態としたまま、原料ガスの供給時には、第１排気バルブ３２を開状態、第２排気バルブ４２を閉状態として、排気能力の小さい第１の排気通路３０のみで排気する。一方、パージガスの供給時には、第１排気バルブ３２を閉状態、第２排気バルブ４２を開状態として、排気能力の大きい第２の排気通路４０のみで排気するか、両排気バルブ３２、４２をともに開状態として、両排気通路３０、４０で排気を行う。また、各排気バルブ３２、４２及び排気通路は、排気されるガスのガス状態を維持すべくヒータやオーブン等にて加熱可能となっている。
【００３０】
なお、上記の各排気３２、４２は、特に限定しないが、例えば、上記供給バルブと同様に、電磁弁から送られるエアによって駆動されるダイヤフラム式のものを採用でき、上記各パルス時間に基づいて各バルブ３２、４２の作動を制御できるようになっている。これら各排気通路３０、４０、各ポンプ３１、４１及び各排気バルブ３２、４２により、本発明でいう圧力可変手段としての排気能力可変手段３５が構成されている。
【００３１】
次に、この薄膜製造装置を用いた本実施形態の薄膜製造方法について述べる。基本的には、成膜室１０に対して原料ガスの供給とパージガスの供給とを交互に繰り返して行うのであるが、本実施形態の主たる特徴は、原料ガスの供給時（成膜中）には、排気能力の小さい第１のポンプ３２で排気することにより、成膜室１０を高圧力にし、バルブ動作に伴うガスの急激な温度低下による凝集を抑制し、一方、パージガスの供給時（パージ中）には、排気能力の大きい第２のポンプ４２で排気することにより、短時間で確実にパージを行うことにある。
【００３２】
例えば、第１のポンプ３２の排気能力を４００Ｌ／ｍｉｎ（リットル／分）、第２のポンプ４２の排気能力を１６００Ｌ／ｍｉｎとする。まず、成膜室１０内に成膜用の図示しない基板（ガラス基板やシリコン基板等）を設置し、ヒータ（図示せず）等により、該基板を成膜可能な温度（例えば５００℃）に昇温する。
【００３３】
次に、ＡｌＣｌ3ガス導入工程を行う。第１供給バルブ２３１を閉状態、第２〜第４供給バルブ２３２〜２３４を開状態とし、図１中の実線矢印に示す様に、キャリアガスとしてのＮ2ガスとともにＡｌＣｌ3ガスを成膜室１０内へ導入する。こうして、成膜室１０内の上記基板上にＡｌＣｌ3ガスが吸着する。このとき同時に、第１排気バルブ３２を開状態、第２排気バルブ４２を閉状態として、排気能力の小さい第１の排気通路３０のみで成膜室１０を排気する。
【００３４】
ここで、ＡｌＣｌ3の昇華温度（原料容器２２の温度）を実用的な昇華量が確保できる１４０℃、第３及び第４供給バルブ２３３及び２３４の温度を市販バルブの耐熱保証温度上限の１５０℃、キャリアガスのＮ2流量を標準状態で３Ｌ／ｍｉｎ（３ＳＬＭ）としたとき、排気能力が４００Ｌ／ｍｉｎである第１のポンプ３１で排気した場合、成膜室１０の圧力が８００Ｐａとなる。このとき、第４供給バルブ２３４の上流側と下流側との圧力差は１０ｋＰａであり、温度低下も１０℃以下となり、第４供給バルブ２３４下流側でのＡｌＣｌ3の凝集はほとんど発生しない。
【００３５】
次に、第１パージ工程を行う。第１及び第４供給バルブ２３１及び２３４を開状態、第２及び第３供給バルブ２３２及び２３３を閉状態とし、図１中の破線矢印に示す様に、パージガスとしてのＮ2ガスを成膜室１０内へ導入する。そして、成膜室１０内の余剰ガスを除去する。このとき同時に、第１排気バルブ３２を閉状態、第２排気バルブ４２を開状態として、排気能力の大きい第２の排気通路４０のみで排気するか、両排気バルブ３２、４２をともに開状態として、両排気通路３０、４０で排気を行う。
【００３６】
この第１パージ工程において、排気能力が１６００Ｌ／ｍｉｎである第２のポンプ４２に切り替えて排気することにより、排気能力が４００Ｌ／ｍｉｎである第１のポンプ３２で排気する場合に比べて、４分の１のパージ時間で同等のパージ効果が得られる。なお、両排気通路３０、４０で排気を行えば、いっそうパージ時間を短縮できる。
【００３７】
仮に、ＡｌＣｌ3ガス導入工程（成膜中）にて、排気能力が１６００Ｌ／ｍｉｎである第２のポンプ４１を使用して第２の排気通路４０から排気を行うと、成膜室１０の圧力は２００Ｐａとなり、第４供給バルブ２３４の上流側と下流側との圧力差が２５ｋＰａと大きくなり、温度低下は２０℃以上となり、ＡｌＣｌ3は第４供給バルブ２３４下流側で凝集してしまうことが確認された。
【００３８】
次に、Ｈ2Ｏ導入工程を行い、基板に吸着されたＡｌＣｌ3とＨ2Ｏとを反応させ、アルミナ薄膜を形成する。なお、Ｈ2ＯガスはＡｌＣｌ3ガスと比べて凝集を起こしにくいので、成膜室１０の排気は両排気通路３０、４０のどちらで行っても良い。次に、第２パージ工程を上記第１パージ工程と同様に行う。こうして、アルミナ薄膜の成膜の１サイクルが終了する。この１サイクルを複数回繰り返して所望の膜厚を得る。
【００３９】
以上述べてきたように、本実施形態の薄膜製造装置によれば、成膜室１０を排気するときの排気能力を可変とする排気能力可変手段３５を備えており、この排気能力可変手段３５は、原料ガスの供給とパージガスの供給とで成膜室１０内の圧力（真空度）を可変とする圧力可変手段として機能する。
【００４０】
そして、本薄膜製造装置を用いた上記製造方法によれば、原料ガスの供給を行うときは、パージガスの供給を行うときに比べて、成膜室１０の排気能力を小さくすることができるため、原料ガスの供給を行うときは、成膜室１０内の圧力をパージガスの供給を行うときよりも大きく、パージガスの供給を行うときは、成膜室１０内の圧力を原料ガスの供給を行うときよりも小さくすることができる。
【００４１】
それにより、原料ガスの供給時には、原料ガスを供給するバルブの下流側の圧力を高め、該バルブを開けたときに伴う原料ガスの急激な温度低下による凝集を抑制することができ、一方、パージ中は短時間で確実にパージを行うことのできるように、成膜室１０の圧力を小さくすることができる。よって、本実施形態によれば、原料ガスの凝集の防止と良好な生産性とを両立させるような薄膜製造方法及びそのような製造方法に適した薄膜製造装置を提供することができる。
【００４２】
（第２実施形態）
図２に、本発明の第２実施形態に係る薄膜製造装置を模式的に示す。図２中、上記第１実施形態（図１）と同一部分には同一符号を付し、以下、第１実施形態と異なるところについて主として説明することとする。
【００４３】
本実施形態においても、上記第１実施形態と同様、基本的には、製造装置における圧力可変手段を、成膜室１０を排気するときの排気能力を可変とする排気能力可変手段５５を備えたものとし、原料ガスの供給を行うときは、パージガスの供給を行うときに比べて、成膜室１０の排気能力を小さくする製造方法を採用している。
【００４４】
しかし、本実施形態においては、排気能力可変手段５５として、図２に示す様に、成膜室１０に対して設けられた排気用の配管（ステンレス等）である１個の排気通路５０と、この排気通路５０における成膜室１０とポンプ５１との間に設けられ排気通路５０の通路面積を可変とする可変バルブ（可変バルブ手段）５２とを備えたものを採用している。
【００４５】
この可変バルブ５２は、特に限定しないが、例えば板状の弁体をサーボモータ等により回動可能に制御する通常のバルブを採用することができ、ポンプ５１は所定の排気能力を有する通常の電動式の真空ポンプを採用できる。また、可変バルブ５２及び排気通路は、排気されるガスのガス状態を維持すべくヒータやオーブン等にて加熱可能となっている。
【００４６】
この可変バルブ５２により、ポンプ５１を駆動状態としたまま、原料ガスの供給時には、成膜室１０の圧力がＡｌＣｌ3の凝集が起こらない程度になるようにバルブ５２の開度を小さくし、一方、パージガスの供給時には、短時間でパージ効果を得るためにバルブ５２の開度を大きくする。
【００４７】
これにより、排気通路５０の開度を変えることができ、実効的な排気能力を変え、成膜中とパージ中とで成膜室１０の圧力（真空度）を可変とすることができる。このように、本実施形態においても、上記第１実施形態と同様の効果を有する薄膜製造方法及び薄膜製造装置を提供することができる。また、本実施形態の排気能力可変手段５５は、排気通路を１系統とできるため、上記第１実施形態に比べて、排気系統の構成を簡略化することができる。
【００４８】
（第３実施形態）
図３に、本発明の第３実施形態に係る薄膜製造装置を模式的に示す。図３中、上記第１実施形態（図１）と同一部分には同一符号を付し、以下、第１実施形態と異なるところについて主として説明することとする。本実施形態は、原料ガスの供給を行うときは、同時に成膜室１０へ原料ガスの反応に関与しないガスを導入することにより、パージガスの供給を行うときよりも成膜室１０内の圧力を大きくする製造方法を採用するものである。
【００４９】
本実施形態の薄膜製造装置は、圧力可変手段６５として、ＡｌＣｌ3ガス（原料ガス）の供給と停止とを行う第４供給バルブ（原料ガス用バルブ手段）２３４の下流側の圧力を検知する圧力計（圧力検知手段）６０と、この圧力計６０によって検知される圧力に基づいて成膜室１０へ原料ガスの反応に関与しないガスを導入するガス導入手段６１〜６３とを備えている。
【００５０】
第４供給バルブ２３４と成膜室１０との間のガス供給通路１０には、ガス導入用配管６１の一端が合流して接続されており、このガス導入用配管６１には、合流点側から順に、上記圧力計６０、導入バルブ６２、流量制御器６３が設けられており、ガス導入用配管６１の他端側は、原料ガスの反応に関与しないガス（ＨｅやＮｅ等の不活性ガス等）が収納されたタンクやボンベ等につながっている。本例では、原料ガスの反応に関与しないガスとして、キャリアガス及びパージガスと同じＮ2ガスを用いている。
【００５１】
そして、原料ガスの供給時には、導入バルブ６２を開け、第４供給バルブ２３４の下流側にてＡｌＣｌ3が凝集しない圧力になるように圧力計６０の数値を読み取りながら、Ｎ2ガスの流量を流量制御器６３により適正値に設定する。この流量値の設定は、図示しない制御回路によって圧力計６０の計測値をフィードバックしながら流量制御器６３を連動させて可変的に制御しても良いし、予め適正な流量を決めておいて一定にしておいても良い。
【００５２】
これによって、原料ガスの供給時には、ガス導入用配管６１から導入されたＮ2ガスによって、成膜室１０内を含む第４供給バルブ２３４の下流側の圧力を高めることができる。そのため、原料ガスの供給を行うときは、成膜室１０内の圧力をパージガスの供給を行うときよりも大きく、パージガスの供給を行うときは、成膜室１０内の圧力を原料ガスの供給を行うときよりも小さくすることができる。
【００５３】
このように、本実施形態においても、上記第１実施形態と同様の効果を有する薄膜製造方法及び薄膜製造装置を提供することができる。特に、本実施形態によれば、原料ガスの反応に関与しないガスであるＮ2ガスの流量を、流量制御器６３によって細かく調整することができ、なおかつ、圧力計６０に基づいて第４供給バルブ２３４下流近傍の圧力を直接把握できることにより、高精度に圧力を設定できる。
【００５４】
なお、原料ガスの反応に関与しないガスであるＮ2ガスの導入は、原料ガスの供給時のみでなく、パージガスの供給時にも行って良い。パージガスの供給時にも行うことにより、パージが促進される。このＮ2ガスの導入は、図示しない制御回路等にて作動制御される導入バルブ６２の開閉により、自由に行うことができる。
【００５５】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態では、ＡｌＣｌ3を用いてＡｌ2Ｏ3（アルミナ）薄膜を成膜する場合について主として述べたが、これに限定されるものでは勿論ない。例えば、ＺｎＣｌ2、ＴａＣｌ5等の塩化物、あるいは固体有機金属などの凝集しやすいガスを用いて、これらの酸化膜等を成膜する場合であっても、本発明は適用できることは勿論である。さらには、液体材料を蒸発させて原料ガスとして用いる場合にも、上記凝集の問題が起こりうるので、本発明は適用可能である。
【００５６】
要するに、本発明は、薄膜が成膜される成膜室に対して原料ガスの供給と該原料ガスを前記成膜室から排気するためのパージガスの供給とを交互に繰り返して行う薄膜製造方法及び薄膜製造装置に適用することができる。
【００５７】
また、上記実施形態では、成膜室を排気しながら原料ガスの供給を行っているが、成膜室全体にガスが行き渡るように、原料ガスを供給するときに成膜室の排気を一時的に停止しても良い。この場合でも、パージ中の減圧排気により成膜室内は低圧となっているため、原料ガスの供給バルブを開けたときには、圧力差による凝集の問題が起こりうる。そのような場合でも、本発明のように、原料ガス供給時にパージガス供給時よりも成膜室内の圧力を大きくするという製造方法及び製造装置を用いれば、問題はない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る薄膜製造装置の模式的構成図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る薄膜製造装置の模式的構成図である。
【図３】本発明の第３実施形態に係る薄膜製造装置の模式的構成図である。
【符号の説明】
１０…成膜室、３０…第１排気通路、３１…第１のポンプ、
３５、５５…排気能力可変手段、４０…第２排気通路、４１…第２のポンプ、
５０…排気通路、５２…可変バルブ、６０…圧力計、６１…ガス導入用配管、
６２…導入バルブ、６３…流量制御器、６５…圧力可変手段、
２３４…第４供給バルブ（原料ガス用バルブ手段）。
Claims (8)
- 薄膜が成膜される成膜室（１０）に対して原料ガスの供給と該原料ガスを前記成膜室から排気するためのパージガスの供給とを交互に繰り返して行う薄膜製造方法において、
前記原料ガスの供給を行うときは、前記成膜室内の圧力を前記パージガスの供給を行うときよりも大きく、前記パージガスの供給を行うときは、前記成膜室内の圧力を前記原料ガスの供給を行うときよりも小さくすることを特徴とする薄膜製造方法。 - 前記原料ガスの供給を行うときは、前記パージガスの供給を行うときに比べて、前記成膜室（１０）の排気能力を小さくすることを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造方法。
- 前記原料ガスの供給を行うときは、同時に前記成膜室（１０）へ前記原料ガスの反応に関与しないガスを導入することにより、前記パージガスの供給を行うときよりも前記成膜室内の圧力を大きくすることを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造方法。
- 前記成膜室（１０）を排気しながら、前記原料ガスの供給と前記パージガスの供給とを交互に繰り返して行うことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の薄膜製造方法。
- 薄膜が成膜される成膜室（１０）に対して原料ガスの供給と該原料ガスを前記成膜室から排気するためのパージガスの供給とを交互に繰り返して行うようにした薄膜製造装置において、
前記原料ガスの供給を行うときは、前記成膜室内の圧力を前記パージガスの供給を行うときよりも大きく、前記パージガスの供給を行うときは、前記成膜室内の圧力を前記原料ガスの供給を行うときよりも小さくなるように、前記成膜室内の圧力を可変とする圧力可変手段（３５、５５、６５）を備え、
前記原料ガスの供給と停止とを行う原料ガス用バルブ手段（２３４）を備え、
前記圧力可変手段（６５）は、前記原料ガス用バルブ手段の下流側の圧力を検知する圧力検知手段（６０）と、この圧力検知手段によって検知される圧力に基づいて前記成膜室（１０）へ前記原料ガスの反応に関与しないガスを導入するガス導入手段（６１〜６３）とを備えたものであることを特徴とする薄膜製造装置。 - 前記圧力可変手段は、前記成膜室（１０）を排気するときの排気能力を可変とする排気能力可変手段（３５、５５）を備えたものであることを特徴とする請求項５に記載の薄膜製造装置。
- 前記排気能力可変手段（３５）は、前記成膜室（１０）に対して別々に設けられた排気用の２個の排気通路（３０、４０）と、個々の前記排気通路に設けられた互いに排気能力の異なるポンプ手段（３１、４１）とを備えたものであることを特徴とする請求項６に記載の薄膜製造装置。
- 前記排気能力可変手段（５５）は、前記成膜室（１０）に対して設けられた排気用の排気通路（５０）と、この排気通路に設けられ前記排気通路の通路面積を可変とする可変バルブ手段（５２）とを備えたものであることを特徴とする請求項６に記載の薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000032620A JP4174941B2 (ja) | 2000-02-03 | 2000-02-03 | 薄膜製造方法及び薄膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000032620A JP4174941B2 (ja) | 2000-02-03 | 2000-02-03 | 薄膜製造方法及び薄膜製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001220677A JP2001220677A (ja) | 2001-08-14 |
| JP4174941B2 true JP4174941B2 (ja) | 2008-11-05 |
Family
ID=18557192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000032620A Expired - Fee Related JP4174941B2 (ja) | 2000-02-03 | 2000-02-03 | 薄膜製造方法及び薄膜製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4174941B2 (ja) |
Families Citing this family (350)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6893506B2 (en) | 2002-03-11 | 2005-05-17 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition apparatus and method |
| KR20030081144A (ko) * | 2002-04-11 | 2003-10-17 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 종형 반도체 제조 장치 |
| JP5208128B2 (ja) * | 2007-12-04 | 2013-06-12 | フルテック株式会社 | 加圧ガスパルス制御処理方法及び加圧ガスパルス制御処理装置 |
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| JP5357083B2 (ja) * | 2010-02-24 | 2013-12-04 | 三井造船株式会社 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
| US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| JP5699980B2 (ja) * | 2011-06-16 | 2015-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US8911826B2 (en) * | 2012-08-02 | 2014-12-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method of parallel shift operation of multiple reactors |
| US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| JP6167673B2 (ja) | 2013-05-31 | 2017-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| KR102762543B1 (ko) | 2016-12-14 | 2025-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| TWI815813B (zh) | 2017-08-04 | 2023-09-21 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 | 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成 |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| TWI791689B (zh) | 2017-11-27 | 2023-02-11 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 | 包括潔淨迷你環境之裝置 |
| JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| KR102695659B1 (ko) | 2018-01-19 | 2024-08-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| TWI871083B (zh) | 2018-06-27 | 2025-01-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI866480B (zh) | 2019-01-17 | 2024-12-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR102727227B1 (ko) | 2019-01-22 | 2024-11-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
| TWI873122B (zh) | 2019-02-20 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR102858005B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| KR102762833B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-02-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR102782593B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-03-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
| KR102809999B1 (ko) | 2019-04-01 | 2025-05-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| KR102897355B1 (ko) | 2019-04-19 | 2025-12-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR102929471B1 (ko) | 2019-05-07 | 2026-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR102869364B1 (ko) | 2019-05-07 | 2025-10-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR102929472B1 (ko) | 2019-05-10 | 2026-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP7598201B2 (ja) | 2019-05-16 | 2024-12-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP7612342B2 (ja) | 2019-05-16 | 2025-01-14 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
| KR102918757B1 (ko) | 2019-06-10 | 2026-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR102911421B1 (ko) | 2019-07-03 | 2026-01-12 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646B (zh) | 2019-07-10 | 2026-02-10 | Asmip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR102895115B1 (ko) | 2019-07-16 | 2025-12-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| TWI826704B (zh) | 2019-07-17 | 2023-12-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 自由基輔助引燃電漿系統和方法 |
| KR102860110B1 (ko) | 2019-07-17 | 2025-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| KR102903090B1 (ko) | 2019-07-19 | 2025-12-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| CN112309843B (zh) | 2019-07-29 | 2026-01-23 | Asmip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309899B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-14 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| KR20210015655A (ko) | 2019-07-30 | 2021-02-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 방법 |
| CN112309900B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-04 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
| KR20210018761A (ko) | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| JP7810514B2 (ja) | 2019-08-21 | 2026-02-03 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR102928101B1 (ko) | 2019-08-23 | 2026-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| KR102868968B1 (ko) | 2019-09-03 | 2025-10-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치 |
| KR102806450B1 (ko) | 2019-09-04 | 2025-05-12 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR102733104B1 (ko) | 2019-09-05 | 2024-11-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US12469693B2 (en) | 2019-09-17 | 2025-11-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| TW202128273A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法 |
| KR102948143B1 (ko) | 2019-10-08 | 2026-04-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| TWI846966B (zh) | 2019-10-10 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR102845724B1 (ko) | 2019-10-21 | 2025-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| US11996292B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR102890638B1 (ko) | 2019-11-05 | 2025-11-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| JP7516742B2 (ja) | 2019-11-05 | 2024-07-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板を処理する装置、処理ガスを濃縮する装置、及び基板を処理する方法 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR102861314B1 (ko) | 2019-11-20 | 2025-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| CN112951697B (zh) | 2019-11-26 | 2025-07-29 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
| CN120432376A (zh) | 2019-11-29 | 2025-08-05 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692B (zh) | 2019-11-29 | 2025-08-15 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
| KR102943768B1 (ko) | 2019-12-19 | 2026-03-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| TWI887322B (zh) | 2020-01-06 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 反應器系統、抬升銷、及處理方法 |
| JP7730637B2 (ja) | 2020-01-06 | 2025-08-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR102882467B1 (ko) | 2020-01-16 | 2025-11-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TWI889744B (zh) | 2020-01-29 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 污染物捕集系統、及擋板堆疊 |
| TW202513845A (zh) | 2020-02-03 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體裝置結構及其形成方法 |
| KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| KR102916725B1 (ko) | 2020-02-13 | 2026-01-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법 |
| KR20210103953A (ko) | 2020-02-13 | 2021-08-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| TWI895326B (zh) | 2020-02-28 | 2025-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| KR102943116B1 (ko) | 2020-03-04 | 2026-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 정렬 고정구 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| KR102775390B1 (ko) | 2020-03-12 | 2025-02-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
| US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
| KR102755229B1 (ko) | 2020-04-02 | 2025-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TWI887376B (zh) | 2020-04-03 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| TWI888525B (zh) | 2020-04-08 | 2025-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| KR102901748B1 (ko) | 2020-04-21 | 2025-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 방법 |
| KR102934380B1 (ko) | 2020-04-24 | 2026-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 보라이드 및 바나듐 포스파이드 층을 포함한 구조체를 형성하는 방법 |
| KR102866804B1 (ko) | 2020-04-24 | 2025-09-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| TW202539998A (zh) | 2020-04-24 | 2025-10-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 包含釩化合物之組成物與容器及用於穩定釩化合物之方法及系統 |
| CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
| KR102783898B1 (ko) | 2020-04-29 | 2025-03-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| JP7736446B2 (ja) | 2020-05-07 | 2025-09-09 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同調回路を備える反応器システム |
| KR102788543B1 (ko) | 2020-05-13 | 2025-03-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| KR102936676B1 (ko) | 2020-05-15 | 2026-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다중 전구체를 사용하여 실리콘 게르마늄 균일도를 제어하기 위한 방법 |
| KR102905441B1 (ko) | 2020-05-19 | 2025-12-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR102795476B1 (ko) | 2020-05-21 | 2025-04-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR20210145079A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치 |
| TWI873343B (zh) | 2020-05-22 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
| KR20210146802A (ko) | 2020-05-26 | 2021-12-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| TWI876048B (zh) | 2020-05-29 | 2025-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| KR20210156219A (ko) | 2020-06-16 | 2021-12-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| TWI908816B (zh) | 2020-06-24 | 2025-12-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TWI873359B (zh) | 2020-06-30 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12431354B2 (en) | 2020-07-01 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor |
| KR102707957B1 (ko) | 2020-07-08 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
| TWI878570B (zh) | 2020-07-20 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| KR20220011092A (ko) | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TW202219303A (zh) | 2020-07-27 | 2022-05-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 薄膜沉積製程 |
| KR20220020210A (ko) | 2020-08-11 | 2022-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법 |
| KR102915124B1 (ko) | 2020-08-14 | 2026-01-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| TWI911263B (zh) | 2020-08-25 | 2026-01-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統 |
| TW202534193A (zh) | 2020-08-26 | 2025-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法 |
| TWI911265B (zh) | 2020-08-27 | 2026-01-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、及裝置結構 |
| TWI904232B (zh) | 2020-09-10 | 2025-11-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| KR20220036866A (ko) | 2020-09-16 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물 증착 방법 |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TWI889903B (zh) | 2020-09-25 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| TW202229612A (zh) | 2020-10-06 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 在部件的側壁上形成氮化矽的方法及系統 |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| KR102855834B1 (ko) | 2020-10-14 | 2025-09-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법 |
| KR102873665B1 (ko) | 2020-10-15 | 2025-10-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202229620A (zh) | 2020-11-12 | 2022-08-01 | 特文特大學 | 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法 |
| TW202229795A (zh) | 2020-11-23 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具注入器之基板處理設備 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| KR20220077875A (ko) | 2020-12-02 | 2022-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구 |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| US12159788B2 (en) | 2020-12-14 | 2024-12-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures for threshold voltage control |
| CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
| TW202232639A (zh) | 2020-12-18 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具有可旋轉台的晶圓處理設備 |
| TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
| KR20220090435A (ko) | 2020-12-22 | 2022-06-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전구체 캡슐, 용기 및 방법 |
| KR20220090438A (ko) | 2020-12-22 | 2022-06-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이금속 증착 방법 |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1099184S1 (en) | 2021-11-29 | 2025-10-21 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
| JP7804791B2 (ja) * | 2022-04-12 | 2026-01-22 | エイチピエスピ カンパニー リミテッド | 高圧基板処理装置及びそれを用いた基板用高圧化学的気相蒸着方法 |
-
2000
- 2000-02-03 JP JP2000032620A patent/JP4174941B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001220677A (ja) | 2001-08-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4174941B2 (ja) | 薄膜製造方法及び薄膜製造装置 | |
| US7482283B2 (en) | Thin film forming method and thin film forming device | |
| US7622396B2 (en) | Method of producing a semiconductor device | |
| JP3140111U (ja) | 半導体製造装置用ガス供給装置 | |
| US7713582B2 (en) | Substrate processing method for film formation | |
| JP3332053B2 (ja) | チャンバーへのガス供給方法 | |
| US6677250B2 (en) | CVD apparatuses and methods of forming a layer over a semiconductor substrate | |
| JP2712367B2 (ja) | 薄膜の形成方法およびその装置 | |
| US20160047047A1 (en) | Raw material gas supply apparatus | |
| JPH0645256A (ja) | ガスパルスの供給方法およびこれを用いた成膜方法 | |
| JP4399517B2 (ja) | 成膜装置と成膜方法 | |
| JP2717972B2 (ja) | 薄膜の形成方法およびその装置 | |
| JP3670524B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| WO2023277920A1 (en) | System and method for delivering precursor to a process chamber | |
| KR102789782B1 (ko) | 몰리브덴 원자층 박막 형성 방법 | |
| JP6531487B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
| JP2004063902A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH04214867A (ja) | 薄膜成長方法および装置 | |
| JP6720650B2 (ja) | 薄膜製造方法および薄膜製造装置 | |
| JPH0663095B2 (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JPS5943988B2 (ja) | 超微粒子膜の製造方法および製造装置 | |
| JP2001284285A (ja) | Ｃｕ又はＣｕ含有膜の形成方法、及び装置 | |
| JP4067792B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| WO2006085447A1 (ja) | 薄膜の積層構造、その形成方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
| JP3070130B2 (ja) | 縦型減圧気相成長装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060228 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080513 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080520 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080624 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080729 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080811 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120829 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130829 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |