JP4679139B2 - プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 - Google Patents
プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4679139B2 JP4679139B2 JP2004373472A JP2004373472A JP4679139B2 JP 4679139 B2 JP4679139 B2 JP 4679139B2 JP 2004373472 A JP2004373472 A JP 2004373472A JP 2004373472 A JP2004373472 A JP 2004373472A JP 4679139 B2 JP4679139 B2 JP 4679139B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- solder
- thickness
- alloy
- content
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
本発明は、半導体素子が搭載される半導体搭載用のプリント配線板及びその製造方法に関するものである。
一般的にプリント配線板の最外層は、導体回路を保護するために、ソルダーレジスト層を施されている。半田バンプを形成する際には、導体回路との接続のためにソルダーレジスト層の一部を開口し露出させた半田パッド形成する。半田パッドとなる部分にニッケル層、金層を施した上に半田ペーストを印刷して、リフローを行うことで半田バンプを形成している。それらの従来技術として、特開平１０−１５４８７６号等が提案されている。
特開平１０−１５４８７６号公報
しかしながら、半田パッドの開口径が小さく（例えば、半田パッドの開口径が２００μｍ以下）なるにつれて、半田パッドと半田バンプとの接触面積が小さくなるために密着性が低下してしまう。そのために、半田バンプの剥がれ等を引き起こしやすくなるのである。
また、従来の半田パッド構造（ニッケル−金）よりも、熱応力を緩衝することが求められている。そもそも熱を起因とする材料の伸縮に伴う熱応力が発生した際には、半田バンプにも熱応力が掛かってしまうのである。半田パッドの開口径が小さくなるにつれて、熱応力は半田バンプに集中しやすくなる。そのため半田バンプ、半田パッド部で熱応力を緩衝されない場合には、半田バンプ（もしくは半田層）の破損や亀裂するなど不具合が発生してしまう。その結果として、プリント配線板としての電気接続性や信頼性を低下してしまうのである。特に、ヒートサイクル条件下や高温高湿下での信頼性試験においては、長期間のプリント配線板としての信頼性を確保することを困難にさせていた。
また、従来の半田パッド構造（ニッケル−金）よりも、熱応力を緩衝することが求められている。そもそも熱を起因とする材料の伸縮に伴う熱応力が発生した際には、半田バンプにも熱応力が掛かってしまうのである。半田パッドの開口径が小さくなるにつれて、熱応力は半田バンプに集中しやすくなる。そのため半田バンプ、半田パッド部で熱応力を緩衝されない場合には、半田バンプ（もしくは半田層）の破損や亀裂するなど不具合が発生してしまう。その結果として、プリント配線板としての電気接続性や信頼性を低下してしまうのである。特に、ヒートサイクル条件下や高温高湿下での信頼性試験においては、長期間のプリント配線板としての信頼性を確保することを困難にさせていた。
さらに、半田バンプに鉛レスの半田を用いると、鉛半田よりも靱性が低いと共に、応力を内部で吸収しないため、その不具合の傾向が顕著になる傾向になった。
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、強度、密着性に優れる半田パッド構造にすることによって密着性、電気接続性、信頼性に優れるプリント配線板及びその製造方法を提案することにある。
発明者が鋭意研究した結果、ソルダーレジスト層の一部を開口させることにより露出した導体回路の表層に複合層を施し、該複合層上に半田層を形成して加熱することによって、前記導体回路が合金層を介して外部接続用の半田バンプと接合したプリント配線板であって、
前記複合層は、前記導体回路側から順に積層されたＮｉ層（ニッケル層）およびＰｄ層（パラジウム層）を有していることを技術的特徴とする。
前記複合層は、前記導体回路側から順に積層されたＮｉ層（ニッケル層）およびＰｄ層（パラジウム層）を有していることを技術的特徴とする。
また、ソルダーレジスト層の一部が開口されることにより露出した導体回路の表層には複合層が施され、複合層上には外部接続用の半田バンプが形成されるプリント配線板であって、
前記複合層は、Ｎｉ層、Ｐｄ層からなり、
前記半田層は、無鉛半田からなることを技術的特徴とする。
前記複合層は、Ｎｉ層、Ｐｄ層からなり、
前記半田層は、無鉛半田からなることを技術的特徴とする。
本願発明における複合層とは、導体回路側から順にＮｉ層、Ｐｄ層で積層させているのである。つまり、導体回路上に、Ｎｉ層、Ｐｄ層からなる複合層を積層して、その上に半田層を形成させているのである。
Ｐｄ層（パラジウム層）が半田をハジク現象などを低下させることができるのである。そのために、結果として半田との密着性は、従来からの半田パッド構造と比べると向上させることができるのである。
その理由として、めっきにより形成されたパラジウムは、未析出などの不具合が形成され難いし、パラジウム層の表層は、酸化皮膜の形成の割合がＡｕ層（金層）に比べて、小さい。そのために、半田を実装させても、半田をハジクなどの不都合を発生することが少ない。また、所望の大きさの半田バンプもしくは半田層を形成することができるのである。そのために、結果として半田バンプもしくは半田層と導体回路との密着性が低下しにくくなっているからである。
また、パラジウム層を用いることにより、熱応力を緩衝させやすくなり、その結果として、半田バンプもしくは半田層への不具合を低減させることができるので、電気接続性や信頼性を向上させることができるのである。
その理由として、パラジウム層は、金と比較して剛性に優れている。そのために、熱応力がＰｄ層内で吸収されて、緩衝されるのである。そのために、熱応力により半田バンプもしくは半田層への応力を伝達させることを低減させる。故に、半田バンプもしくは半田層の損傷などを引き起こしにくくなるのである。そのために、半田バンプもしくは半田層を起因とする電気的な接続に不具合を起こし難いし、信頼性試験を行っても長期間における信頼性が確保されるのである。
この複合層の構成にすることにより、従来の半田パッド構造（ニッケル層−金層）と比べて、電気接続性や信頼性を向上させることができるのである。
さらに、半田バンプもしくは半田層に鉛が含まれない（鉛フリー）半田を用いた場合には、その効果が顕著になる。鉛フリーの半田は、鉛含有半田と比較して、熱応力を緩衝することに対して劣っている。そもそも鉛含有半田（例えば、Ｓｎ／Ｐｄ＝６：４）は、発生した熱応力に対して、半田内での応力が緩衝されるのである。含有された鉛が応力を吸収するからである。しかしながら、鉛フリー半田は、鉛含有半田と比較して、応力を緩衝する力が乏しい。そのために、Ｎｉ層、Ｐｄ層からなる複合層を設けることにより、応力を緩衝させるのである。そのために、従来の半田パッド構造（Ｎｉ層−Ａｕ層）を比べて、半田自体の密着性がよいし、熱応力に対する応力を緩衝されやすくなり、形成された半田バンプもしくは半田層の破損や亀裂などの不具合を抑えることができるのである。そのために、従来の半田パッド構造に鉛フリー半田を実装したものよりも、電気接続性や信頼性を確保することができるのである。
また、Ｎｉ層、Ｐｄ層からなる複合層が導体回路上に設けられて、該複合層上に、リフローなどを経て、半田バンプもしくは半田層が形成される。その際、導体回路上には、Ｎｉ層−（Ｎｉ−Ｓｎ）合金層−半田層もしくは半田バンプという構造となる。ここで、Ｎｉ−Ｓｎ合金層が、半田層との密着性を向上させることができるのである。つまり、Ｎｉ−Ｓｎ合金層が剛性を高めるため、引っ張りに対する耐性が高められるのである。その結果として、ピール強度を向上させることができるのである。
このＮｉ−Ｓｎ合金層は、その大きさに関わりなく、引っ張りに対する耐性が高められるのである。つまり、この場合には、Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、ピール強度を向上させることができるのである。
複合層として、Ｎｉ層、Ｐｄ層、貴金属層を形成させてもよい。例えば、その一例として、ニッケル層（Ｎｉ層）−パラジウム層（Ｐｄ層）−金層（Ａｕ層）、ニッケル層（Ｎｉ層）−パラジウム層（Ｐｄ層）−、銀層（Ａｇ層）などがある。
これらの複合層を設け、該複合層上に、リフローして半田バンプを設けると、Ｐｄ層及び貴金属層の大半は、半田側に拡散してしまう。そのため、ニッケル層と半田バンプとの界面に、Ｎｉと半田組成金属からなるＮｉ−Ｓｎ合金層が形成されるのである。
これらの複合層を設け、該複合層上に、リフローして半田バンプを設けると、Ｐｄ層及び貴金属層の大半は、半田側に拡散してしまう。そのため、ニッケル層と半田バンプとの界面に、Ｎｉと半田組成金属からなるＮｉ−Ｓｎ合金層が形成されるのである。
ここで、Ｎｉ−Ｓｎ合金層が、半田層との密着性を向上させることができるのである。つまり、Ｎｉ−Ｓｎ合金層が剛性を高めるため、引っ張りに対する耐性が高められるのである。その結果として、ピール強度を向上させることができるのである。
このＮｉ−Ｓｎ合金層は、その大きさに関わりなく、引っ張りに対する耐性が高められるのである。つまり、この場合には、半田パッドの大きさに関わりなく、Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、ピール強度を向上させることができるのである。
このＮｉ−Ｓｎ合金層は、その大きさに関わりなく、引っ張りに対する耐性が高められるのである。つまり、この場合には、半田パッドの大きさに関わりなく、Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、ピール強度を向上させることができるのである。
Ｎｉ−Ｓｎ合金層としては、例えば、Ｎｉ−Ｓｎ−Ｃｕ、Ｎｉ−Ｓｎ−Ｂｉ等が含有されている合金層等である。これらのＮｉ−Ｓｎ合金層により、剛性を向上させることができるのである。
Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを調整することで、ニッケル層と半田バンプとの接合強度がより高められ、引っ張り強度を、より向上させることができる。
Ｎｉ−Ｓｎ合金層の平均厚みは、１．０〜２．５μｍであることがより望ましい。この範囲内にすることにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の剛性が高められ、その結果、引っ張り強度を向上させることができるからである。また、Ｎｉ、Ｓｎ以外の金属の組み合わせに関係なく、引っ張り強度を向上させることができるのである。
ここで、平均厚みを１．０μｍ未満にする。あるいは、平均厚みが２．５μｍを越えると、Ｎｉ−Ｓｎ合金層として剛性は確保されるが、上記のＮｉ−Ｓｎ合金層の厚みの範囲内にあるものと比べて、剛性が劣るため、引っ張り強度も劣ってしまうのである。
また、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の平均厚みを１．０〜２．５μｍにするためには、複合層である中間層の厚みを調整することにより行えることが実験から分かった。つまり、半田バンプ形成の際、複合層がＮｉ層、Ｐｄ層もしくはＮｉ層、Ｐｄ層、貴金属層であると、Ｐｄ層もしくはＰｄ層、貴金属層が拡散して、Ｎｉ−Ｓｎ合金層が形成されるのであるが、このときに、Ｐｄ層に厚みによりＮｉ−Ｓｎ合金層の厚みが調整されるのである。そのために、Ｐｄ層の厚みを調整することが、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを変えて、その結果として、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の剛性が変わり、引っ張り強度も変化させるのである。
Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、この粒子の形状が板状体、柱状体、粒状体から選ばれるいずれかで構成されているのである。これらの単独での構成であってもよいし（例えば、板状体だけが積み重ねられた積層体）、それぞれ複合された構成であってもよい（例えば、板状体と柱状体とが混在する積層体）。これらの中で、主として板状体で構成される合金層であることが望ましい。板状体は、それぞれの板状体間での隙間が形成され難く、積層しやすい。そのために主として板状体で構成された合金層は、剛性が確保されやすい。半田との引っ張り強度に対しても、強度が確保されやすい。板状体だけで構成される合金層であることが特に望ましい。
また、Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、（例えばＮｉ、Ｓｎ、Ｃｕ）三成分系からなる合金層であることが望ましい。これらの三成分系からなる合金層は、均一に混ざりやすくなり、形状が均一になりやすい。そのため合金層内で剥離などを引き起こしにくく、剛性を確保しやすい。また、この合金層は、粒子の形状が板状体になりやすく、剛性が高められやすい。
また、三成分系からなる合金層は、Ｓｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝３０〜９０：１０〜５０：１〜３０の範囲内であれば、剛性が低下し難いのである。特に、半田バンプもしくは半田層に鉛が含有されない（鉛フリー）半田を用いた場合には、熱応力により発生した応力が緩衝されやすいのである。そのために、鉛フリー半田内での損傷や亀裂を引き起こしにくくなり、電気接続性や信頼性が向上されるのである。特に、Ｓｎが４０〜７０ｗｔ％であるＮｉ−Ｃｕ−Ｓｎ合金層において、もっとも剛性を高めらやすいのである。
また、三成分系からなる合金層は、Ｓｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝３０〜９０：１０〜５０：１〜３０の範囲内であれば、剛性が低下し難いのである。特に、半田バンプもしくは半田層に鉛が含有されない（鉛フリー）半田を用いた場合には、熱応力により発生した応力が緩衝されやすいのである。そのために、鉛フリー半田内での損傷や亀裂を引き起こしにくくなり、電気接続性や信頼性が向上されるのである。特に、Ｓｎが４０〜７０ｗｔ％であるＮｉ−Ｃｕ−Ｓｎ合金層において、もっとも剛性を高めらやすいのである。
Ｐｄ層の厚みを０．０１〜１．０μｍにすれば、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の平均厚みを１．０〜２．５μｍにしやすいのである。
ここで、Ｐｄ層は、Ｎｉ拡散を抑制しＮｉ−Ｓｎ合金層の形成を阻害する働きを持つ。
このため、Ｐｄ層の厚みが０．０１μｍ未満では、Ｎｉ拡散を十分に抑制し得ず、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを厚くしやすいのである。この場合、Ｎｉ合金層の平均厚みが２．５μｍを越えてしまいやすく、そのために、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の剛性が向上されにくくなるのである。
ここで、Ｐｄ層は、Ｎｉ拡散を抑制しＮｉ−Ｓｎ合金層の形成を阻害する働きを持つ。
このため、Ｐｄ層の厚みが０．０１μｍ未満では、Ｎｉ拡散を十分に抑制し得ず、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを厚くしやすいのである。この場合、Ｎｉ合金層の平均厚みが２．５μｍを越えてしまいやすく、そのために、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の剛性が向上されにくくなるのである。
反対に、Ｐｄ層厚みが１．０μｍを越えると、Ｎｉ拡散を抑制されるので、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の形成が阻害されるため、Ｎｉ合金層の厚みを薄くしやすいのである。この場合、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の平均厚みが０．０１μｍ未満になりやすく、そのために、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の剛性が向上されにくくなるのである。
特に、Ｐｄ層の厚みは、０．０３〜０．２μｍであることがより望ましい。この範囲内にすることにより、局所的な厚みのばらつきになったとしても、Ｐｄ層の厚みが、０．０１〜１．０μｍの範囲内となるからである。そのために、形成されたＮｉ−Ｓｎ合金層が上述の所望の範囲内にしやすく、そのために、Ｎｉ−Ｓｎ合金層としての剛性を高めるのである。
Ｐｄ層内のリン（Ｐ）の含有量により、Ｎｉ合金層の厚みを制御することもできるし、Ｐｄ層の剛性を高めることができるのである。
Ｐｄ層内のＰの含有量がＰの含有量を２〜７ｗｔ％にすることが望ましい。これにより、形成されたＰｄ層は、ポーラスとなりにくいし、皮膜が均一になりやすいし、表層の酸化皮膜を形成されにくくなる。さらに、形成されたＰｄ層は剛性が確保されやすくなる。さらに形成されたＮｉ−Ｓｎ合金層が形成されやすくなるので、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の剛性を確保しやすいからである。
Ｐｄ層内のＰの含有量がＰの含有量を２〜７ｗｔ％にすることが望ましい。これにより、形成されたＰｄ層は、ポーラスとなりにくいし、皮膜が均一になりやすいし、表層の酸化皮膜を形成されにくくなる。さらに、形成されたＰｄ層は剛性が確保されやすくなる。さらに形成されたＮｉ−Ｓｎ合金層が形成されやすくなるので、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の剛性を確保しやすいからである。
ここで、Ｐｄ層のＰの含有量が２％未満あるいは、Ｐｄ層のＰの含有量が７％を越えると、Ｐｄ層を均一にＮｉ層に被覆できず、Ｐｄ層にポーラスが残る。Ｐｄ層の表層には酸化皮膜が形成されやすくなり、半田を形成したとしても密着性が低下しやすくなる。また、Ｐｄ層自体の剛性を低下してしまうことがあり、熱応力を緩衝しにくくなる。そのために、半田バンプもしくは半田層へ応力が集中してしまうことがあり、半田への破損や亀裂などの不具合を引き起こしやすくなる。また、信頼性試験を行うと長期間の信頼性を確保することが困難となることがある。
また、半田をリフローさせた後に形成されるＮｉ−Ｓｎ合金層が厚くなりやすくなり、その結果として形成されたＮｉ―Ｓｎ合金層は、その機能を果たすことができるが、剛性を向上させにくくなるのである。その端的な例として、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の平均厚みが２．５μｍを越えてしまうことがある。
更に、Ｐｄ層のＰの含有量が４〜６ｗｔ％にすることが特に望ましい。Ｐ含有量を範囲内にすることにより、局所的なバラつきが発生したとしても、Ｐの含有量を２〜７ｗｔ％から大きく逸脱することがない。形成されたＰｄ層の表層には、酸化皮膜が形成されにくくなり、半田を形成するときもハジクなどの不都合が起こり難くなり、密着性が確保されるのである。さらに、Ｐｄ層自体の剛性も確保されることとなり、熱応力に対する応力緩衝させやすくなるからである。そのために、Ｐｄ層上に形成された半田への破損や亀裂などの不具合が引き起こされにくくなり、電気接続性や信頼性を低下させることがない。ヒートサイクル条件下や高温高湿条件下などの熱に関する信頼性試験を行っても、機能の劣化がゆっくりと発生し、長期間に渡り、信頼性を確保しやすくなるのである。
また、半田のリフローを経て形成されたＮｉ―Ｓｎ合金層の厚みが所望の範囲に収まる。その結果として、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の剛性をより向上させやすくなるのである。
また、半田のリフローを経て形成されたＮｉ―Ｓｎ合金層の厚みが所望の範囲に収まる。その結果として、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の剛性をより向上させやすくなるのである。
ここで、Ｐｄ層に適量のＰを含有するとポーラスの無いＰｄ膜が形成できる理由について、図１５を参照して説明する。
図１５（Ａ）は、適量のＰを含有する場合を示している。ここでは、Ｐｄ膜の形成には、無電解めっき処理により行われ、そのめっき液には還元剤として次亜リン酸系の薬液を用いる。その一例として、次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ２）を用いる。まず、次亜リン酸イオン（Ｈ２ＰＯ２ −）６３がニッケル層上に吸着される（図１５（Ａ）中（１））。次に、Ｎｉが触媒となり、次亜リン酸イオンに脱水素分解（Ｈ２ＰＯ２−＋２Ｈ→Ｐｄ＋２Ｈ＋）を起こさせる。この脱水素分解により発生した水素原子６５は、Ｎｉ表面に吸着され活性化される（図１５（Ａ）中（２））。めっき浴中のＰｄイオン（Ｐｄ２＋）がＮｉ表面の水素から電子をもらいＰｄ金属に還元（Ｐｄ２＋＋２Ｈ→Ｐｄ＋２Ｈ＋）される（図１５（Ａ）中（３））。析出したＰｄ金属が触媒になって、Ｎｉ表面に同じメカニズムでＰｄが析出していく（図１５（Ａ）中（４））。ここで、Ｐｄ−ＰのＰは還元剤である次亜リン酸が共析出したものである。次亜リン酸がＮｉを触媒活性する働きがあるためＮｉ表層上で選択性なくめっき、即ち、緻密なＰｄ層を形成することができる。さらに、このとき、次亜リン酸の濃度を調整することにより、Ｐｄ層である皮膜内に、Ｐの含有量を調整することができるのである。
図１５（Ｂ）は、Ｐを含有しない純Ｐｄの場合を示している。ここでは、Ｐｄ膜の形成には、無電解めっき処理により行われ、そのめっき液には還元剤としてＰを含まないギ酸（ＨＣＯＯＨ）を用いる。まず、Ｎｉ表面にはＮｉめっき反応中に発生する水素原子６５が吸着される（図１５（Ｂ）中（１））。次に、めっき浴中のＰｄイオンがＮｉ表面の水素と触れるとＰｄイオンが金属に還元される（図１５（Ｂ）中（２））。Ｐｄ析出反応の影響でギ酸がＨ２とＣＯ２との分解される（図１５（Ｂ）中（３））。Ｐｄイオンはギ酸の分解で発生した水素から電子を貰い金属に還元される（図１５（Ｂ）中（４））。このときに形成されたＰｄ層は、還元剤としてギ酸を使用している。しかしながら、初期析出時にはギ酸は還元剤として働けないためＮｉ表層の水素が還元剤となる。しかし、Ｎｉ表層には多くの水素が存在する訳ではないので、選択性のあるめっき皮膜となる、即ち、ポーラスな形状となるＰｄめっき層を形成することになる。
なお、前述の各金属の定量は、エネルギー分散法（ＥＤＳ）にて行った。その方法では、ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）、また、ＴＥＭ（透過電子顕微鏡）の励起源である電子線を資料の表面に照射することで、種々の信号を発生させる。その中で、主に特性Ｘ線をＳｉ（Ｌｉ）半導体検出器で検出し、そのエネルギーに比例した数の電子・正孔対を半導体中に作り、電気信号を発生させ、増幅、アナログ、デジタル変換後、マルチチャンネルアナライザを用いて識別することにより、Ｘ線スペクトルを得て、そのピークエネルギーから元素の同定をそのピークの量から定量分析する。その測定、定量には、エネルギー分散形Ｘ線分析装置（日本電子（株）製形式ＪＥＤ−２１４０）を用いた。形成した金属層を直接照射させて行い、金属の定量測定を行った。
複合層のＰｄ上には、耐食層を設けることもできる。耐食層を設けることで、中間層に上述したＮｉ層上にＮｉ−Ｓｎ合金層の形成を助長する働きを行わせるからである。
ここで、耐食層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の貴金属、又は、Ｓｎの中から少なくとも１種類以上で形成されるのがよい。これらの金属を用いるとＮｉ合金層の形成が助長されるからである。
また、同一金属で置換めっき、無電解めっきあるいは置換めっき、無電解めっきによって２段階を経て耐食層を形成してもよい。それにより、下層のＮｉ層の影響を受けることのない金属膜を形成できて、耐食性が向上され、半田バンプの形状、機能の低下などの影響を抑えることができるのである。
耐食層は、特にＡｕで形成されたものでは、比率によって形成される半田パッドが異なり、それによっても半田パッドの耐食性、密着性や半田バンプの形状、機能を向上させることも分かった。
Ｐｄ層の厚みは０．０１〜１．０μｍの範囲で形成するのがよい。特に０．０３〜０．７μｍの範囲で形成するのがよい。Ｐｄ層の厚みが０．０１μｍ未満では、Ｎｉ−Ｓｎ合金層を形成することが助長されない。そのために、局所的にでもＮｉ−Ｓｎ合金層を形成されないところがあり、そのために、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の剛性が向上させにくくなり、その結果として、Ｎｉ−Ｓｎ合金層のピール強度も向上にくくなるからである。逆に、Ｐｄ層の厚みが１μｍを越えると、その厚みにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の形成の助長が阻害されてしまうことがある。そのために、局所的にでもＮｉ−Ｓｎ合金層を形成されないところがあり、そのために、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の剛性が向上させにくくなり、その結果として、Ｎｉ−Ｓｎ合金層のピール強度も向上にくくなるからである。
本願発明における複合層を構成するＮｉ層は、Ｎｉ−Ｃｕ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ等が含有した合金金属で形成するのがよい。
特に、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐの合金金属で形成するのがよい。つまり、いかえると、Ｎｉ層にはＰ（リン）が含有されていることが望ましい。その理由としては、導体回路表面に凹凸が形成されていても、その凹凸を相殺し、表層を平坦にした皮膜を形成することができる。また、めっきで形成された場合には、形成されたＮｉ層では、未析出、反応停止などによる金属層の未形成、形成異常を起こし難いからである。また、Ｎｉ層上に形成されるＰｄ層の形成を助長させることができ、Ｐｄ層の未形成や形成異常を起こしにくくなる。そのために、形成したＰｄ層は所望のものとなり、複合層としても剛性を確保させることができるのである。
特に、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐの合金金属で形成するのがよい。つまり、いかえると、Ｎｉ層にはＰ（リン）が含有されていることが望ましい。その理由としては、導体回路表面に凹凸が形成されていても、その凹凸を相殺し、表層を平坦にした皮膜を形成することができる。また、めっきで形成された場合には、形成されたＮｉ層では、未析出、反応停止などによる金属層の未形成、形成異常を起こし難いからである。また、Ｎｉ層上に形成されるＰｄ層の形成を助長させることができ、Ｐｄ層の未形成や形成異常を起こしにくくなる。そのために、形成したＰｄ層は所望のものとなり、複合層としても剛性を確保させることができるのである。
Ｎｉ層の厚みは、２〜１０μｍの範囲で形成されることが望ましい。Ｎｉ層の厚みが２μｍ未満、もしくは、Ｎｉ層の厚みが１０μｍを越えると、Ｎｉ層上に形成されるＰｄ層の未形成や形成異常等の不具合を引き起こすことがある。
Ｎｉ層中のＰ（リン）の含有量が０．５〜５．０ｗｔ％にすることが特に望ましい。Ｐの含有量が０．５ｗｔ％未満もしくは５.０ｗｔ％を越えると、Ｎｉ層の形成を阻害しやすくなる。また、Ｎｉ層上のＰｄ層の形成を助長されにくくなることがあり、結果として形成されたＰｄ層の未形成や形成異常等の不具合を引き起こしたりするし、Ｐｄ層の剛性を確保されないことがある。そのために、電気接続性や信頼性を確保されないということがある。
また、Ｎｉ層中のＰ（リン）の含有量は、Ｐｄ層中のＰ（リン）の含有量よりも低くすることがより望ましい。それにより、Ｐｄ層がＮｉ層を被覆させていることとなり、Ｐｄ層とＮｉ層との界面での剥離を引き起こしにくくなる。その結果として、該半田パッドの界面での不具合を起因とする電気接続性や信頼性を低下することがない。
本願発明に用いられる半田としては、二成分系半田、三成分系半田、あるいは四成分以上多成分系半田を用いることができる。これらの組成に含有される金属としては、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｉｎ等を用いることができるのである。
二成分系半田としては、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｚｎなどである。また、三成分系半田としては、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ｃｕ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓｂ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｉｎ、Ｓｎ／Ｓｂ／Ｉｎ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｂｉ、Ｓｎ／Ｓｂ／Ｂｉ等を用いることができるのである。これら三成分系半田としては、三成分が１０ｗｔ％以上となるものでもよいし、主となる２つ成分で９５ｗｔ％以上を占めて、残が１成分からなる半田であってもよい。（例えば、Ｓｎ、Ａｇの合計が９７．５ｗｔ％、残がＣｕとなる三成分系半田）
鉛含有されてない（鉛フリー）半田としては、Ｓｎ／Ａｇ系半田、Ｓｎ／Ｂｉ系半田、Ｓｎ／Ｚｎ系半田、Ｓｎ／Ｃｕ系半田等がある。これらの半田は、Ｓｎ／Ｐｂに比べると、熱応力に対しての半田内での応力緩衝することが劣っている。そのために、半田内に応力が残留しやすいのである。
また、これ以外にも四成分以上からなる多成分系半田を用いてもよい。多成分系半田としては、例えば、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ／Ｂｉ等がある。α線量を調整した半田を用いてもよい。
半田の成分とＮｉ層の界面でＮｉ−Ｓｎ合金層を形成し得るものであれば用いることができる。このＮｉ−Ｓｎ合金層により、剛性が高められ、その結果として、半田のピール強度を向上させることができるのである。
その中でもＮｉ−Ｓｎ−ＣｕからなるＮｉ−Ｓｎ合金層であることが望ましい。この合金にすることで剛性が高められるのである。また、該合金層にはＮｉ、Ｓｎ、Ｃｕの三種類以外にもＡｇ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｚｎなどが含有されていてもよい。これらが含有されていたとしてもＮｉ−Ｓｎ−Ｃｕ合金層自体の剛性を劣化させるものではない。ただし、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｕのいずれかの金属よりも含有量が増えると剛性が劣化することがある。
また、これらの半田の融点としては、１５０〜３５０℃の間であることが望ましい。半田の融点が１５０℃未満であっても、逆に、半田の融点が３５０℃以上であっても、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の形成し難い場合がある。つまり、温度が低くてもＮｉ−Ｓｎ合金が形成され難いし、温度が高いとＮｉが分離してしまうので、Ｎｉ−Ｓｎ合金となりにくくなるからである。それ故に、上記の温度のものであれば、Ｎｉ−Ｓｎ合金が形成されやすいのである。
本発明のプリント配線板においては、導体回路を施したプリント配線板の表層の導体回路に粗化層を形成することもできる。その平均粗度（Ｒａ）は、０．０２〜７μｍが望ましい。その粗化層によって導体回路とソルダーレジスト層との密着性を向上させている。特に、望ましい範囲の平均粗度は、１〜５μｍである。その範囲であれば、ソルダーレジスト層の組成、厚み等に関係なく所望の密着性が得られる。
粗化層の形成方法としては、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐからなる合金層などの無電解めっき形成する方法、第二銅錯体と有機酸塩によってエッチングによって形成する方法や酸化還元によって形成する方法がある。場合によっては粗化層をＳｎ、Ｚｎなどによって被覆してもよい。
最外層の導体回路は、ソルダーレジスト層で被覆保護されている。
ソルダーレジスト層としては、種々の樹脂を使用でき、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂の一部に（メタ）アクリル化した樹脂、これらの２種類以上用いた樹脂複合体であってもよい。樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、フェノキシ樹脂、オレフィン樹脂などである。
ソルダーレジスト層としては、種々の樹脂を使用でき、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂の一部に（メタ）アクリル化した樹脂、これらの２種類以上用いた樹脂複合体であってもよい。樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、フェノキシ樹脂、オレフィン樹脂などである。
ソルダーレジスト層の形成には、予め粘度を調整してワニス上にしたものを塗布する。あるいは半硬化状態（Ｂステージ）にしたフィルム状にしたものを貼り付ける。もしくは、塗布した後に、フィルムを貼り付ける方法などによって行われてもよい。また、異なる２種類以上の樹脂により、複数層で形成してもよい。
また、ソルダーレジスト層には、その一部を開口して半田パッドを設ける。このとき、開口方法には、開口パッドが描画されたマスクをソルダーレジスト層上に載置して、露光・現像を経て形成される方法（フォトレジスト法）、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザなどのレーザにより開口する方法のいずれかを用いることができる。また、直接描画法により半田パッドの開口を形成する方法でもよい。
露光・現像を経て形成するソルダーレジストでは、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のアクリレート、ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤などで硬化させた樹脂を使用できる。
特に、ソルダーレジスト層に開口を設けて半田バンプを形成する場合には、「ノボラック型エポキシ樹脂もしくはノボラック型エポキシ樹脂のアクリレート」からなり、「イミダゾール硬化剤」を硬化剤として含むものが好ましい。
特に、ソルダーレジスト層に開口を設けて半田バンプを形成する場合には、「ノボラック型エポキシ樹脂もしくはノボラック型エポキシ樹脂のアクリレート」からなり、「イミダゾール硬化剤」を硬化剤として含むものが好ましい。
次いで、当該導体回路上にソルダ−レジスト層を形成する。本願発明におけるソルダーレジスト層の厚さは、５〜４０μｍがよい。薄すぎるとソルダーダムとして機能せず、厚すぎると開口しにくくなる上、半田体と接触し半田体に生じるクラックの原因となるからである。
このような構成のソルダーレジスト層は、鉛のマイグレーション（鉛イオンがソルダーレジスト層内を拡散する現象）が少ないという利点を持つ。しかも、このソルダーレジスト層は、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをイミダゾール硬化剤で硬化した樹脂層であり、耐熱性、耐アルカリ性に優れ、半田が溶融する温度（200 ℃前後）でも劣化しないし、ニッケルめっき、パラジウムめっき、金めっきのような強塩基性のめっき液で分解することもない。
しかしながら、このようなソルダーレジスト層は、剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生じやすい。粗化層は、このような剥離を防止するために有効である。
上記ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸やメタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用いることができる。
上記イミダゾール硬化剤は、25℃で液状であることが望ましい。液状であれば均一混合できるからである。
上記イミダゾール硬化剤は、25℃で液状であることが望ましい。液状であれば均一混合できるからである。
このような液状イミダゾール硬化剤としては、1-ベンジル−2-メチルイミダゾール（品名：1B2MZ ）、1-シアノエチル−2-エチル−4-メチルイミダゾール（品名：2E4MZ-CN）、4-メチル−2-エチルイミダゾール（品名：2E4MZ ）を用いることができる。
このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して１〜10重量％とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの範囲内にあれば均一に混合しやすいからである。
上記ソルダーレジストの硬化前組成物は、溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用することが望ましい。
このような組成物を用いたソルダーレジスト層は、遊離酸素が発生せず、銅パッド表面を酸化させない。また、人体に対する有害性も少ない。
このような組成物を用いたソルダーレジスト層は、遊離酸素が発生せず、銅パッド表面を酸化させない。また、人体に対する有害性も少ない。
このようなグリコールエーテル系溶媒としては、下記構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）およびトリエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＴＧ）から選ばれるいずれか少なくとも１種を用いる。これらの溶剤は、30〜50℃程度の加温により反応開始剤であるベンゾフェノンやミヒラーケトンを完全に溶解させることができるからである。
CH３Ｏ-(CH２CH２Ｏ) ｎ −CH３ （ｎ＝１〜５）
このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト組成物の全重量に対して10〜40wt％がよい。
CH３Ｏ-(CH２CH２Ｏ) ｎ −CH３ （ｎ＝１〜５）
このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト組成物の全重量に対して10〜40wt％がよい。
以上説明したようなソルダーレジスト組成物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、解像度改善のために感光性モノマーなどを添加することができる。
例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤としては、チバガイギー製のイルガキュアＩ９０７、光増感剤としては日本化薬製のＤＥＴＸ−Ｓがよい。
さらに、ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加してもよい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色素としてはフタロシアニングリーンを用いることが望ましい。
例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤としては、チバガイギー製のイルガキュアＩ９０７、光増感剤としては日本化薬製のＤＥＴＸ−Ｓがよい。
さらに、ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加してもよい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色素としてはフタロシアニングリーンを用いることが望ましい。
添加成分としての上記熱硬化性樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができる。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘度化が要求される場合（塗布性を重視する場合）には後者がよい。
添加成分としての上記感光性モノマーとしては、多価アクリル系モノマーを用いることができる。多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることができるからである。例えば、日本化薬製のＤＰＥ−６Ａ又は、共栄社化学製のＲ−６０４のような多価アクリル系モノマーが望ましい。
また、これらのソルダーレジスト組成物は、２５℃で０．５〜１０Ｐａ・ｓ、より望ましくは１〜１０Ｐａ・ｓがよい。ロールコータで塗布しやすい粘度だからである。ソルダ−レジスト形成後、開口部を形成する。その開口は、露光、現像処理により形成する。
ソルダ−レジスト層形成後、ソルダーレジスト層の開口部にＮｉ層−Ｐｄ層からなる複合層を形成させる。
その一例として、半田パッドから露出した導体回路上に無電解めっきにてＮｉを含有した金属層を形成させる。めっき液の組成の例として硫酸ニッケル４．５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム４０ｇ／ｌ、ホウ酸１２ｇ／ｌ、チオ尿素０．１ｇ／ｌ（ＰＨ＝１１）がある。脱脂液により、ソルダ−レジスト層開口部、表面を洗浄し、パラジウムなどの触媒を開口部に露出した導体部分に付与し、活性化させた後、めっき液に浸漬し、ニッケルめっき層を形成させた。
その一例として、半田パッドから露出した導体回路上に無電解めっきにてＮｉを含有した金属層を形成させる。めっき液の組成の例として硫酸ニッケル４．５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム４０ｇ／ｌ、ホウ酸１２ｇ／ｌ、チオ尿素０．１ｇ／ｌ（ＰＨ＝１１）がある。脱脂液により、ソルダ−レジスト層開口部、表面を洗浄し、パラジウムなどの触媒を開口部に露出した導体部分に付与し、活性化させた後、めっき液に浸漬し、ニッケルめっき層を形成させた。
ニッケル層形成後、Ｐｄ層をＮｉ層上に形成させる。
必要に応じて、Ｐｄ層上にＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｓｎの中から選ばれる金属で耐食層を形成させる。特に金で形成させるのがよい。場合によっては同一金属で置換めっき、無電解めっきを経て２層で形成してもよい。厚みは、０．０１〜２μｍであるのが望ましい。
必要に応じて、Ｐｄ層上にＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｓｎの中から選ばれる金属で耐食層を形成させる。特に金で形成させるのがよい。場合によっては同一金属で置換めっき、無電解めっきを経て２層で形成してもよい。厚みは、０．０１〜２μｍであるのが望ましい。
開口部に耐食層を施し半田パッドとした後、開口部内に二成分系半田、三成分系半田もしくは多成分系半田である半田ペーストを印刷により充填する。その後、温度２５０〜３５０℃にした窒素リフローを通し、半田バンプを開口部内の半田パッドに固定させる。鉛を含有しない（鉛フリー）半田を用いてもよい。
[実施例１]
Ａ．層間樹脂絶縁層の樹脂フィルムの作製
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製 エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製 フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製 デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製した。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
Ａ．層間樹脂絶縁層の樹脂フィルムの作製
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製 エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製 フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製 デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製した。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
Ｂ．樹脂充填材の調製
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ2 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製 ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４４〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ2 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製 ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４４〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
Ｃ．多層プリント配線板の製造
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とした（図２（Ａ））。まず、この銅張積層板３０Ａをドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板の両面に下層導体回路３４とスルーホール３６を形成した（図２（Ｂ））。
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とした（図２（Ａ））。まず、この銅張積層板３０Ａをドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板の両面に下層導体回路３４とスルーホール３６を形成した（図２（Ｂ））。
（２）スルーホールおよび下層導体回路を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール３６を含む下層導体回路３４の全表面に粗化面３６α、３４αを形成した（図２（Ｃ））。
（３）上記Ｂに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スルーホール３６内、および、基板の片面の下層導体回路非形成部と下層導体回路の外縁部とに樹脂充填材４０の層を形成した。即ち、スルーホール３６および下層導体回路３４の非形成部に相当する部分が開口した版を有する樹脂充填用マスクを基板上に載置し、スキージを用いてスルーホール内、凹部となっている下層導体回路非形成部、および、下層導体回路の外縁部に樹脂充填材４０を充填し、１００℃／２０分の条件で乾燥させた（図２（Ｄ））。
（４）上記（３）の処理を終えた基板の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路３４の外縁部やスルーホール３６のランドの外縁部に樹脂充填材４０が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くため、下層導体回路の全表面（スルーホールのランド表面を含む）にバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行って樹脂充填材４０を硬化した（図３（Ａ））。
このようにして、スルーホール３６や下層導体回路非形成部に形成された樹脂充填材４０の表層部および下層導体回路３４の表面を平坦化し、樹脂充填材と下層導体回路の側面とが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール３６の内壁面と樹脂充填材４０とが粗化面を介して強固に密着した基板を得た。即ち、この工程により、樹脂充填材の表面と下層導体回路の表面とが略同一平面となる。
このようにして、スルーホール３６や下層導体回路非形成部に形成された樹脂充填材４０の表層部および下層導体回路３４の表面を平坦化し、樹脂充填材と下層導体回路の側面とが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール３６の内壁面と樹脂充填材４０とが粗化面を介して強固に密着した基板を得た。即ち、この工程により、樹脂充填材の表面と下層導体回路の表面とが略同一平面となる。
（５）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路３４の表面とスルーホール３６のランド表面と内壁とをエッチングすることにより、下層導体回路３４の全表面に粗化面３６βを形成した（図３（Ｂ））。エッチング液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。
（６）基板の両面に、Ａで作製した基板より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に載置し、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて貼り付けることにより層間樹脂絶縁層５０を形成した（図３（Ｃ））。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６７Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させた。
（７）次に、層間樹脂絶縁層上に、厚さ１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で層間樹脂絶縁層５０に、直径８０μｍのバイアホール用開口５０ａを形成した（図３（Ｄ））。
（８）バイアホール用開口５０ａを形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口５０ａの内壁を含む層間樹脂絶縁層５０の表面を粗面とした（図３（Ｅ））。
（９）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層２の表面およびバイアホール用開口の内壁面に触媒核を付着させた（図示せず）。すなわち、上記基板を塩化パラジウム（ＰｂＣｌ2 ）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ2 ）とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与した。
（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に、触媒を付与した基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜を形成し、バイアホール用開口５０ａの内壁を含む層間樹脂絶縁層５０の表面に無電解銅めっき膜５２が形成された基板を得た（図４（Ａ））。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4 ０．００３ ｍｏｌ／ｌ
酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル １００ ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３４℃の液温度で４０分
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4 ０．００３ ｍｏｌ／ｌ
酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル １００ ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３４℃の液温度で４０分
（１１）無電解銅めっき膜５２が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２０μｍのめっきレジスト５４を設けた（図４（Ｂ））。
（１２）ついで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施した。
〔電解めっき液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度 １ Ａ／ｄｍ2
時間 ６５ 分
温度 ２２±２ ℃
めっきレジスト５４の非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜５６を形成した（図４（Ｃ））。
〔電解めっき液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度 １ Ａ／ｄｍ2
時間 ６５ 分
温度 ２２±２ ℃
めっきレジスト５４の非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜５６を形成した（図４（Ｃ））。
（１３）さらに、めっきレジスト３を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５４下の無電解銅めっき膜５２を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、独立の上層導体回路５８（バイアホール６０を含む）とした（図４（Ｄ））。
（１４）ついで、上記（５）と同様の処理を行い、バイアホール６０、上層導体回路５８の表面に粗化面６０α、５８αを形成した（図５（Ａ））。
（１５）上記（６）〜（１４）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路１５８、バイアホール１６０を有する層間絶縁層１５０を形成し、多層配線板を得た（図５（Ｂ））。
（１５）上記（６）〜（１４）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路１５８、バイアホール１６０を有する層間絶縁層１５０を形成し、多層配線板を得た（図５（Ｂ））。
（１６）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである２官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）４．５重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えることにより、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｍｉｎ-1の場合はローターＮｏ．４、６ｍｉｎ-1の場合はローターＮｏ．３によった。
（１７）次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物７０を３０μｍの厚さで塗布し（図５（Ｃ））、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて８００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、１５０μｍの直径の開口部７１を形成した（図６（Ａ））。
そして、さらに、１００℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口を有し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層１４を形成した。上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を使用することもできる。
そして、さらに、１００℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口を有し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層１４を形成した。上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を使用することもできる。
（１８）次に、ソルダーレジスト層１４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１にニッケルめっき層７２を形成した（図６（Ｂ））。実施例１では、ニッケルめっき層７２の厚みを２〜１０μｍになるように設定し、Ｐを０．５〜５ｗｔ％含有させた。
（１９） 次に、その基板を塩化パラジウム１．０×１０−２ｍｏｌ／ｌ、エチレンジアミン８．０×１０−２ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム６．０×１０−２ｍｏｌ／ｌ、チオジグリコール酸３０ｍｇ／ｌでＰＨ＝８、温度５５℃の無電解パラジウムめっき液に５分間浸積して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０８μｍのパラジウム層７３を形成した（図７（Ａ））。実施例１では、パラジウム層７３の厚みを０．０１〜１．０μｍになるように設定し、Ｐを２〜７ｗｔ％含有させた。
（２０）そして、ソルダーレジスト層７０の開口部７１中の半田パッド７７Ｕ、７７Ｄに、半田ペースト７６αを印刷した（図７（Ｂ））。図８（Ａ）に、図７（Ｂ）中の円Ａで囲んだ半田パッド７７Ｕを拡大して示す。半田パッド７７Ｕは、導体回路１５８上に順次形成されるニッケルめっき層７２−パラジウム層７３の２層の複合層から成る。
（２１） 次に、窒素雰囲気中に２５０℃でリフローすることにより、半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄを形成した（図１）。図８（Ｂ）に、図１中の円Ｂで囲んだ半田パッド７７Ｕを拡大して示す。このリフローの際に、パラジウム層７３は、半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄ側に大半が拡散され、図１及び図８（Ｂ）に示すようにニッケルめっき層７２と半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄとの界面に、Ｎｉ層合金層であるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層７５が出来る。ここで、実施例１では、ニッケルめっき層７２の厚みを２〜１０μｍになるように設定し、Ｐをパラジュウム層のＰ濃度よりも低い０．５〜５ｗｔ％含有させ、パラジウム層７３を、０．０１μｍ〜１．０μｍになるように設定し、Ｐを２〜７ｗｔ％含有させることで、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層７５の平均厚みを１．０〜２．５μｍの範囲内に調整した。
[実施例１−１−１]
実施例１−１−１では、半田バンプを構成する半田として、Ｃｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み ５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定し、Ｐｄ層を厚み０．５μｍ、Ｐ含有量 ５ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．５μｍに調整した。実施例１−１−１のニッケル層、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層、半田の電子顕微鏡写真を図１６〜図１９に示す。図１６中の左側の電子顕微鏡写真（×２０Ｋ）が実施例１−１−１である。図１７中の左側、図１８中の左側の電子顕微鏡写真では倍率（×１００Ｋ）を更に拡大している。ここで、図１６、図１７、図１８中の右側は、後述するＰを含有しないＰｄ層の比較例１−１−１の電子顕微鏡写真である。ここで、下側がニッケル層で、上側が半田、ニッケル層と半田層の界面に介在しているのがＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層である。図１６の左側の電子顕微鏡写真から、実施例１では、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が連続的、即ち、起伏が小さくＮｉ層の表面に形成されていることが分かる。更に、倍率を上げた図１７、図１８の左側の電子顕微鏡写真から、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層の表面に、Ｓｎのスキン層を介してＡｇ粒子が均一に並んでいることが分かる。図１９左側は実施例１−１−１の透過型の電子顕微鏡写真である。この電子顕微鏡写真から、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が板状、即ち、ニッケル層に沿って平行に形成されていることが分かる。
実施例１−１−１では、半田バンプを構成する半田として、Ｃｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み ５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定し、Ｐｄ層を厚み０．５μｍ、Ｐ含有量 ５ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．５μｍに調整した。実施例１−１−１のニッケル層、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層、半田の電子顕微鏡写真を図１６〜図１９に示す。図１６中の左側の電子顕微鏡写真（×２０Ｋ）が実施例１−１−１である。図１７中の左側、図１８中の左側の電子顕微鏡写真では倍率（×１００Ｋ）を更に拡大している。ここで、図１６、図１７、図１８中の右側は、後述するＰを含有しないＰｄ層の比較例１−１−１の電子顕微鏡写真である。ここで、下側がニッケル層で、上側が半田、ニッケル層と半田層の界面に介在しているのがＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層である。図１６の左側の電子顕微鏡写真から、実施例１では、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が連続的、即ち、起伏が小さくＮｉ層の表面に形成されていることが分かる。更に、倍率を上げた図１７、図１８の左側の電子顕微鏡写真から、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層の表面に、Ｓｎのスキン層を介してＡｇ粒子が均一に並んでいることが分かる。図１９左側は実施例１−１−１の透過型の電子顕微鏡写真である。この電子顕微鏡写真から、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が板状、即ち、ニッケル層に沿って平行に形成されていることが分かる。
[実施例１−１−２]
実施例１−１−２では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−１−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−１−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．８μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
実施例１−１−２では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−１−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−１−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．８μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例１−１−３]
実施例１−１−３では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−１−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−１−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．８μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
実施例１−１−３では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−１−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−１−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．８μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例１−１−４]
実施例１−１−４では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−１−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−１−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
実施例１−１−４では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−１−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−１−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例１−１−５]
実施例１−１−３では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−１−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み１０μｍ、Ｐ含有量０．５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
実施例１−１−３では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−１−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み１０μｍ、Ｐ含有量０．５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例１−１−６]
実施例１−１−６では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−１−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み１０μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．７μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
実施例１−１−６では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−１−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み１０μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．７μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例１−２−１]
実施例１−１−１〜実施例１−１−６では、半田バンプを構成する半田として鉛レスのＣｕ／Ａｇ／Ｓｎ半田を用いた。これに対して、実施例１−２−１〜実施例１−２−６では、半田バンプを構成する半田として、Ｓｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．５μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
実施例１−１−１〜実施例１−１−６では、半田バンプを構成する半田として鉛レスのＣｕ／Ａｇ／Ｓｎ半田を用いた。これに対して、実施例１−２−１〜実施例１−２−６では、半田バンプを構成する半田として、Ｓｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．５μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例１−２−２]
実施例１−２−２では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−２−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．８μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
実施例１−２−２では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−２−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．８μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例１−２−３]
実施例１−２−３では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−２−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．８μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
実施例１−２−３では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−２−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．８μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例１−２−４]
実施例１−２−４では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−２−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
実施例１−２−４では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−２−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例１−２−５]
実施例１−２−５では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み１０μｍ、Ｐ含有量０．５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
実施例１−２−５では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み１０μｍ、Ｐ含有量０．５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例１−２−６]
実施例１−２−６では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み１０μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．７μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
実施例１−２−６では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み１０μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．７μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例１−３−１]
実施例１−３−１〜実施例１−３−６では、実施例１−１−１〜実施例１−１−６と同様に半田バンプを構成する半田として、Ｃｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−１−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００９μｍ、Ｐ含有量８ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：４５：１３に、厚みを２．５μｍに調整した。実施例１−３−１では、後述する参考例１−１−１と同様に、図１９右側の電子顕微鏡写真に示されるようＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が柱状、即ち、ニッケル層に沿って垂直に柱状合金結晶が形成されている。
実施例１−３−１〜実施例１−３−６では、実施例１−１−１〜実施例１−１−６と同様に半田バンプを構成する半田として、Ｃｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−１−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００９μｍ、Ｐ含有量８ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：４５：１３に、厚みを２．５μｍに調整した。実施例１−３−１では、後述する参考例１−１−１と同様に、図１９右側の電子顕微鏡写真に示されるようＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が柱状、即ち、ニッケル層に沿って垂直に柱状合金結晶が形成されている。
[実施例１−３−２]
実施例１−３−２では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−３−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−３−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００８μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：４５：１３に、厚みを２．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、実施例１−３−１と同様に柱状に形成した。
実施例１−３−２では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−３−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−３−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００８μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：４５：１３に、厚みを２．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、実施例１−３−１と同様に柱状に形成した。
[実施例１−３−３]
実施例１−３−３では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−３−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−３−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００９μｍ、Ｐ含有量１ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：４５：１３に、厚みを２．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、実施例１−３−１と同様に柱状に形成した。
実施例１−３−３では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−３−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−３−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００９μｍ、Ｐ含有量１ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：４５：１３に、厚みを２．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、実施例１−３−１と同様に柱状に形成した。
[実施例１−３−４]
実施例１−３−４では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−３−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−３−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝６６：２９：５に、厚みを１．３μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
実施例１−３−４では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−３−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−３−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝６６：２９：５に、厚みを１．３μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[実施例１−３−５]
実施例１−３−５では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−３−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み１０μｍ、Ｐ含有量０．５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝６６：２９：５に、厚みを１．３μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体（粒状の結晶）となってニッケル層の界面に形成された。
実施例１−３−５では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−３−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み１０μｍ、Ｐ含有量０．５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝６６：２９：５に、厚みを１．３μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体（粒状の結晶）となってニッケル層の界面に形成された。
[実施例１−３−６]
実施例１−３−６では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−３−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み１０μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝６６：２９：５に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
実施例１−３−６では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−３−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み１０μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝６６：２９：５に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[実施例１−４−１]
実施例１−４−１〜実施例１−４−６では、実施例１−２−１〜実施例１−２−６と同様に半田バンプを構成する半田としてＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−２−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００９μｍ、Ｐ含有量８ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを２．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、実施例１−３−１と同様に柱状に形成した。
実施例１−４−１〜実施例１−４−６では、実施例１−２−１〜実施例１−２−６と同様に半田バンプを構成する半田としてＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−２−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００９μｍ、Ｐ含有量８ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを２．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、実施例１−３−１と同様に柱状に形成した。
[実施例１−４−２]
実施例１−４−２では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−４−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−４−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００８μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを２．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、実施例１−４−１と同様に柱状に形成した。
実施例１−４−２では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−４−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−４−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００８μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを２．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、実施例１−４−１と同様に柱状に形成した。
[実施例１−４−３]
実施例１−４−３では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−４−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−４−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００９μｍ、Ｐ含有量１ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを２．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、実施例１−４−１と同様に柱状に形成した。
実施例１−４−３では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−４−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−４−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００９μｍ、Ｐ含有量１ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを２．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、実施例１−４−１と同様に柱状に形成した。
[実施例１−４−４]
実施例１−４−４では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−４−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−４−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．３μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
実施例１−４−４では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−４−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例１−４−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．３μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[実施例１−４−５]
実施例１−４−５では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−４−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み１０μｍ、Ｐ含有量０．５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．３μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
実施例１−４−５では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−４−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み１０μｍ、Ｐ含有量０．５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．３μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[実施例１−４−６]
実施例１−４−６では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−４−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み１０μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
実施例１−４−６では、半田バンプを構成する半田として、実施例１−４−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み１０μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[実施例１−５−１]
実施例１−５−１では、半田バンプを構成する半田として、Ｓｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０３μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した（このＰｄ層の顕微鏡写真を図２０に示す。写真から分かるように、Ｐｂが部分的に析出し、ポーラスで下地のＮｉ層が見えている）。ここで、半田をリフローする際に、銅入りのフラックスを用いた。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
実施例１−５−１では、半田バンプを構成する半田として、Ｓｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０３μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した（このＰｄ層の顕微鏡写真を図２０に示す。写真から分かるように、Ｐｂが部分的に析出し、ポーラスで下地のＮｉ層が見えている）。ここで、半田をリフローする際に、銅入りのフラックスを用いた。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例１−５−２]
実施例１−５−２では、半田バンプを構成する半田として、Ｓｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０７μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した（このＰｄ層の顕微鏡写真を図２１に示す。写真から分かるようにＰｂ層が均一に形成できている）。ここで、半田をリフローする際に、銅入りのフラックスを用いた。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
実施例１−５−２では、半田バンプを構成する半田として、Ｓｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０７μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した（このＰｄ層の顕微鏡写真を図２１に示す。写真から分かるようにＰｂ層が均一に形成できている）。ここで、半田をリフローする際に、銅入りのフラックスを用いた。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照した実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例２]
図１〜図７を参照して上述した実施例１では、ビルドアップ多層配線板を対象としたが、実施例２では、積層式の多層プリント配線板を対象とする。
実施例２のプリント配線板の製造工程について、図９〜図１３を参照して説明する。
図９は実施例２のプリント配線板３０の断面図を示している。多層プリント配線板３０は、ＩＣチップ８０を搭載する半導体搭載用のプリント配線板である。多層プリント配線板３０は、複数の基板３１を積層してなり、各基板３１には、スルーホール３６、バイアホール３８及び導体回路３４が設けられている。多層プリント配線板３０の上面側には、導体回路３４Ｕが設けられ、下面側には、導体回路３４Ｄが設けられている。上面側の導体回路３４Ｕの表面側にはソルダーレジスト層７０が設けられ、ソルダーレジスト層７０の開口７１により導体回路３４Ｕの一部が露出され、ボンディングパッド４２を構成している。一方、下面側の導体回路３４Ｄの表面側にはソルダーレジスト層７０が設けられ、ソルダーレジスト層７０の開口７１により導体回路３４Ｄの一部が露出され、半田パッド４４を構成している。半田パッド４４上には、外部のプリント配線板への接続用の半田層４６が形成されている。多層プリント配線板の上面には、接着剤８４を介してＩＣチップ８０が配置され、ＩＣチップ８０の端子８６と、多層プリント配線板側のボンディングパッド４２とはワイヤ８２によりボンディング接続されている。
図１〜図７を参照して上述した実施例１では、ビルドアップ多層配線板を対象としたが、実施例２では、積層式の多層プリント配線板を対象とする。
実施例２のプリント配線板の製造工程について、図９〜図１３を参照して説明する。
図９は実施例２のプリント配線板３０の断面図を示している。多層プリント配線板３０は、ＩＣチップ８０を搭載する半導体搭載用のプリント配線板である。多層プリント配線板３０は、複数の基板３１を積層してなり、各基板３１には、スルーホール３６、バイアホール３８及び導体回路３４が設けられている。多層プリント配線板３０の上面側には、導体回路３４Ｕが設けられ、下面側には、導体回路３４Ｄが設けられている。上面側の導体回路３４Ｕの表面側にはソルダーレジスト層７０が設けられ、ソルダーレジスト層７０の開口７１により導体回路３４Ｕの一部が露出され、ボンディングパッド４２を構成している。一方、下面側の導体回路３４Ｄの表面側にはソルダーレジスト層７０が設けられ、ソルダーレジスト層７０の開口７１により導体回路３４Ｄの一部が露出され、半田パッド４４を構成している。半田パッド４４上には、外部のプリント配線板への接続用の半田層４６が形成されている。多層プリント配線板の上面には、接着剤８４を介してＩＣチップ８０が配置され、ＩＣチップ８０の端子８６と、多層プリント配線板側のボンディングパッド４２とはワイヤ８２によりボンディング接続されている。
次に図１４を参照して半田パッドについて説明する。図１４（Ｂ）は図９中の多層プリント配線板３０の円Ｂで囲んだ部分を拡大して示している。導体回路３４Ｄ上にはニッケルめっき層７２が設けられ、ニッケルめっき層７２上のＮｉ−Ｓｎ合金層７５を介して半田層４６が接続されている。ここで、実施例２では、半田（半田層）を構成する半田として、Ｃｕ１ｗｔ％、Ａｇ２ｗｔ％、Ｓｎ９７ｗｔ％の鉛レス半田を用いている。Ｎｉ−Ｓｎ合金層７５は、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎから成る。実施例２では、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層７５の平均厚みを調整することで、ニッケルめっき層７２と半田層４６との界面において破断が生じ難くしてある。これにより、半田層４６の強度、密着性が向上される。
引き続き、上記多層プリント配線板３０の製造方法について図１０〜図１３を参照して説明する。
回路パターン３４及びバイアホール３８の形成されたプリント配線板３１を用意する（図１０（Ａ））。プリント配線板３１を接着剤３３を介して接着する（図１０（Ｂ））。プリント配線板３１を積層してなる多層プリント配線板に通孔を穿設してスルーホール３６を形成する（図１０（Ｃ））。その後、開口７１を有するソルダーレジスト層７０を形成する（図１１（Ａ））。
回路パターン３４及びバイアホール３８の形成されたプリント配線板３１を用意する（図１０（Ａ））。プリント配線板３１を接着剤３３を介して接着する（図１０（Ｂ））。プリント配線板３１を積層してなる多層プリント配線板に通孔を穿設してスルーホール３６を形成する（図１０（Ｃ））。その後、開口７１を有するソルダーレジスト層７０を形成する（図１１（Ａ））。
図１１（Ａ）に示すように多層プリント配線板３０は、上面側に導体回路３４Ｕが設けられ、ソルダーレジスト層７０の開口７１により導体回路３４Ｕの一部が露出されている。同様に、下面側には、導体回路３４Ｄが設けられている。ソルダーレジスト層７０の開口７１により導体回路３４Ｄの一部が露出されている。導体回路３４Ｕ及び導体回路３４Ｄの表面には好適には粗化層が設けられ、ソルダーレジスト層７０との密着性を高めてある。
(1) 先ず、塩化ニッケル2.3 ×10−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10−１ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.6 ×10−1ｍｏｌ／ｌ、からなるｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に、２０分間浸漬して、開口７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成した（図１１（Ｂ））。これにより、導体回路３４Ｕ、導体回路３４Ｄに粗化層が施されたものであってもその凹凸部分を完全に被覆し、ニッケルめっき層７２の表面状態を均一にすることができる。
(2) 次に、その基板を塩化パラジウム１．０×１０−２ｍｏｌ／ｌ、エチレンジアミン８．０×１０−２ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム６．０×１０−２ｍｏｌ／ｌ、チオジグリコール酸３０ｍｇ／ｌでＰＨ＝８、温度５５℃の無電解パラジウムめっき液に５分間浸積して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０１〜１．０μｍのパラジウム層７３を形成した（図１２（Ａ））。これにより、上面の導体回路３４Ｕ側にボンディングパッド４２を、下面の導体回路３４Ｄ側に半田パッド４４を形成した。ここで、耐食層として更にＡｕ層を形成することもできる。実施例２では、パラジウム層７３の厚みを０．０１〜１．０μｍになるように設定し、Ｐを２〜７ｗｔ％含有させた。
(3) そして、ソルダーレジスト層７０の開口７１中の半田パッド４４に、半田ペースト４６αを印刷した（図１２（Ｂ））。図１４（Ａ）に、図１２（Ｂ）中の半田パッド４４を拡大して示す。半田パッド４４は、導体回路３４Ｄ上に順次形成されるニッケルめっき層７２−パラジウム層７３の２層の複合層から成る。
(4) 次に、窒素雰囲気中に２５０℃でリフローすることにより、半田層４６を形成した（図１３（Ａ））。このリフローの際に、パラジウム層７３及びＡｕ層６４は、半田層４６側に大半が拡散し、図９及び図１４（Ｂ）を参照して上述したようにニッケルめっき層７２と半田層４６との界面に、Ｎｉ層と半田組成金属とのＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層７５が出来る。ここで、実施例２では、パラジウム層７３を、０．０１μｍ〜１．０μｍになるように設定し、Ｐを２〜７ｗｔ％含有させることで、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層７５の平均厚みを調整した。これにより、上述したようにニッケルめっき層７２と半田層４６との界面において破断が生じ難くしてある。
(5) 完成した多層プリント配線板３０の上面に接着剤８４を介してＩＣチップ８０を搭載した（図１３（Ｂ））。その後、ＩＣチップ８０の端子８６と多層プリント配線板３０側のボンディングパッド４２との間にボンディングワイヤ８２をボンディングした（図９参照）。
[実施例２−１−１]
実施例２−１−１では、半田（半田層）を構成する半田として、Ｃｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み ５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定し、Ｐｄ層を厚み０．５μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．５μｍに調整した。実施例２−１−１では、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照して上述した実施例１−１−１と同様にＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が板状、即ち、ニッケル層に沿って平行に形成されている。
実施例２−１−１では、半田（半田層）を構成する半田として、Ｃｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み ５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定し、Ｐｄ層を厚み０．５μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．５μｍに調整した。実施例２−１−１では、図１９左側の電子顕微鏡写真を参照して上述した実施例１−１−１と同様にＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が板状、即ち、ニッケル層に沿って平行に形成されている。
[実施例２−１−２]
実施例２−１−２では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−１−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−１−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．８μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−１−１と同様に板状に形成した。
実施例２−１−２では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−１−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−１−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．８μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例２−１−３]
実施例２−１−３では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−１−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−１−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．８μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−１−１と同様に板状に形成した。
実施例２−１−３では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−１−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−１−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．８μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例２−１−４]
実施例２−１−４では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−１−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−１−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−１−１と同様に板状に形成した。
実施例２−１−４では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−１−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−１−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例２−１−５]
実施例２−１−３では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−１−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み１０μｍ、Ｐ含有量０．５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−１−１と同様に板状に形成した。
実施例２−１−３では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−１−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み１０μｍ、Ｐ含有量０．５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例２−１−６]
実施例２−１−６では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−１−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み１０μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．７μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−１−１と同様に板状に形成した。
実施例２−１−６では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−１−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み１０μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．７μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例２−２−１]
実施例２−１−１〜実施例２−１−６では、半田（半田層）を構成する半田として鉛レスのＣｕ／Ａｇ／Ｓｎ半田を用いた。これに対して、実施例２−２−１〜実施例２−２−６では、半田（半田層）を構成する半田として、Ｓｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．５μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−１−１と同様に板状に形成した。
実施例２−１−１〜実施例２−１−６では、半田（半田層）を構成する半田として鉛レスのＣｕ／Ａｇ／Ｓｎ半田を用いた。これに対して、実施例２−２−１〜実施例２−２−６では、半田（半田層）を構成する半田として、Ｓｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．５μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例２−２−２]
実施例２−２−２では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−２−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．８μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−１−１と同様に板状に形成した。
実施例２−２−２では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−２−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．８μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例２−２−３]
実施例２−２−３では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−２−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．８μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−１−１と同様に板状に形成した。
実施例２−２−３では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−２−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．８μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例２−２−４]
実施例２−２−４では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−２−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−１−１と同様に板状に形成した。
実施例２−２−４では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−２−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例２−２−５]
実施例２−２−５では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み１０μｍ、Ｐ含有量０．５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−１−１と同様に板状に形成した。
実施例２−２−５では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み１０μｍ、Ｐ含有量０．５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例２−２−６]
実施例２−２−６では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み１０ｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．７μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−１−１と同様に板状に形成した。
実施例２−２−６では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み１０ｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０１μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．７μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例２−３−１]
実施例２−３−１〜実施例２−３−６では、実施例２−１−１〜実施例２−１−６と同様に半田（半田層）を構成する半田として、Ｃｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−１−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００９μｍ、Ｐ含有量８ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：４５：１３に、厚みを２．５μｍに調整した。実施例２−３−１では、実施例１−３−１−と同様に、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が柱状、即ち、ニッケル層に沿って垂直に柱状合金結晶が形成されている。
実施例２−３−１〜実施例２−３−６では、実施例２−１−１〜実施例２−１−６と同様に半田（半田層）を構成する半田として、Ｃｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−１−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００９μｍ、Ｐ含有量８ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：４５：１３に、厚みを２．５μｍに調整した。実施例２−３−１では、実施例１−３−１−と同様に、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が柱状、即ち、ニッケル層に沿って垂直に柱状合金結晶が形成されている。
[実施例２−３−２]
実施例２−３−２では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−３−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−３−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００８μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：４５：１３に、厚みを２．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−３−１と同様に柱状に形成した。
実施例２−３−２では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−３−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−３−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００８μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：４５：１３に、厚みを２．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−３−１と同様に柱状に形成した。
[実施例２−３−３]
実施例２−３−３では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−３−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−３−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００９μｍ、Ｐ含有量１ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：４５：１３に、厚みを２．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−３−１と同様に柱状に形成した。
実施例２−３−３では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−３−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−３−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００９μｍ、Ｐ含有量１ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：４５：１３に、厚みを２．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−３−１と同様に柱状に形成した。
[実施例２−３−４]
実施例２−３−４では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−３−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−３−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝６６：２９：５に、厚みを１．３μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
実施例２−３−４では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−３−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−３−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝６６：２９：５に、厚みを１．３μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[実施例２−３−５]
実施例２−３−５では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−３−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み１０μｍ、Ｐ含有量０．５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝６６：２９：５に、厚みを１．３μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体（粒状の結晶）となってニッケル層の界面に形成された。
実施例２−３−５では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−３−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み１０μｍ、Ｐ含有量０．５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝６６：２９：５に、厚みを１．３μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体（粒状の結晶）となってニッケル層の界面に形成された。
[実施例２−３−６]
実施例２−３−６では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−３−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み１０μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝６６：２９：５に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
実施例２−３−６では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−３−１と同様にＣｕ：０．５ｗｔ％、Ａｇ：３．５ｗｔ％、Ｓｎ：９５ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み１０μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝６６：２９：５に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[実施例２−４−１]
実施例２−４−１〜実施例２−４−６では、実施例２−２−１〜実施例２−２−６と同様に半田（半田層）を構成する半田としてＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−２−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００９μｍ、Ｐ含有量８ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを２．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−３−１と同様に柱状に形成した。
実施例２−４−１〜実施例２−４−６では、実施例２−２−１〜実施例２−２−６と同様に半田（半田層）を構成する半田としてＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−２−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００９μｍ、Ｐ含有量８ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを２．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−３−１と同様に柱状に形成した。
[実施例２−４−２]
実施例２−４−２では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−４−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−４−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００８μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを２．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−４−１と同様に柱状に形成した。
実施例２−４−２では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−４−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−４−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００８μｍ、Ｐ含有量７ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを２．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−４−１と同様に柱状に形成した。
[実施例２−４−３]
実施例２−４−３では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−４−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−４−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００９μｍ、Ｐ含有量１ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを２．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−４−１と同様に柱状に形成した。
実施例２−４−３では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−４−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−４−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．００９μｍ、Ｐ含有量１ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを２．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例２−４−１と同様に柱状に形成した。
[実施例２−４−４]
実施例２−４−４では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−４−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−４−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．３μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
実施例２−４−４では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−４−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、実施例２−４−１と同じ厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．３μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[実施例２−４−５]
実施例２−４−５では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−４−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み１０μｍ、Ｐ含有量０．５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．３μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
実施例２−４−５では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−４−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み１０μｍ、Ｐ含有量０．５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．３μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[実施例２−４−６]
実施例２−４−６では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−４−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み１０μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
実施例２−４−６では、半田（半田層）を構成する半田として、実施例２−４−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み１０μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み２．０μｍ、Ｐ含有量９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｎｉ＝６７：３３に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、粒状体となってニッケル層の界面に形成された。
[実施例２−５−１]
実施例２−５−１では、半田（半田層）を構成する半田として、Ｓｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０３μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。ここで、半田をリフローする際に、銅入りのフラックスを用いた。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
実施例２−５−１では、半田（半田層）を構成する半田として、Ｓｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０３μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。ここで、半田をリフローする際に、銅入りのフラックスを用いた。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
[実施例２−５−２]
実施例２−５−２では、半田（半田層）を構成する半田として、Ｓｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０７μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。ここで、半田をリフローする際に、銅入りのフラックスを用いた。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
実施例２−５−２では、半田（半田層）を構成する半田として、Ｓｎ：Ｐｂ＝６３：３７（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．０７μｍ、Ｐ含有量５ｗｔ％に設定した。ここで、半田をリフローする際に、銅入りのフラックスを用いた。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の組成をＳｎ：Ｃｕ：Ｎｉ＝４２：３７：２１に、厚みを１．５μｍに調整した。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は実施例１−１−１と同様に板状に形成した。
[参考例１−１−１]
参考例１−１−１〜参考例１−１−３、参考例１−２−１〜参考例１−２−３では、図１〜図８を参照して上述した実施例１と同様にビルドアップ多層配線板を形成し、半田バンプを形成した。
そして、半田バンプを構成する半田として、Ｃｕ：２ｗｔ％、Ａｇ：１ｗｔ％、Ｓｎ：９７ｗｔ％合金を用いた。Ｎｉ層は、厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。但し、Ｐｄ層は、厚み０．５μｍでＰ含有しないよう（Ｐ含有量＝ほぼ０％）に形成した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを０．８μｍに調整した。参考例１−１−１のニッケル層、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層、半田の電子顕微鏡写真を図１６〜図１９に示す。図１６中の右側の電子顕微鏡写真（×２０Ｋ）が参考例１−１−１である。図１７中の右側、図１８中の右側の電子顕微鏡写真では倍率（×１００Ｋ）を更に拡大している。ここで、下側がニッケル層で、上側が半田、ニッケル層と半田層の界面に介在しているのがＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層である。図１６の右側の電子顕微鏡写真から、参考例１−１−１では、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が非連続的、即ち、起伏が大きくＮｉ層の表面に形成されていることが分かる。更に、倍率を上げた図１７、図１８の右側の電子顕微鏡写真から、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層の表面に、Ｓｎのスキン層を介してＡｇ粒子が不均一に点在でいることが分かる。参考例１−１−１では、図１９右側の電子顕微鏡写真に示されるようＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が柱状、即ち、ニッケル層に沿って垂直に柱状合金結晶が形成されている。
参考例１−１−１〜参考例１−１−３、参考例１−２−１〜参考例１−２−３では、図１〜図８を参照して上述した実施例１と同様にビルドアップ多層配線板を形成し、半田バンプを形成した。
そして、半田バンプを構成する半田として、Ｃｕ：２ｗｔ％、Ａｇ：１ｗｔ％、Ｓｎ：９７ｗｔ％合金を用いた。Ｎｉ層は、厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。但し、Ｐｄ層は、厚み０．５μｍでＰ含有しないよう（Ｐ含有量＝ほぼ０％）に形成した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを０．８μｍに調整した。参考例１−１−１のニッケル層、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層、半田の電子顕微鏡写真を図１６〜図１９に示す。図１６中の右側の電子顕微鏡写真（×２０Ｋ）が参考例１−１−１である。図１７中の右側、図１８中の右側の電子顕微鏡写真では倍率（×１００Ｋ）を更に拡大している。ここで、下側がニッケル層で、上側が半田、ニッケル層と半田層の界面に介在しているのがＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層である。図１６の右側の電子顕微鏡写真から、参考例１−１−１では、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が非連続的、即ち、起伏が大きくＮｉ層の表面に形成されていることが分かる。更に、倍率を上げた図１７、図１８の右側の電子顕微鏡写真から、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層の表面に、Ｓｎのスキン層を介してＡｇ粒子が不均一に点在でいることが分かる。参考例１−１−１では、図１９右側の電子顕微鏡写真に示されるようＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層が柱状、即ち、ニッケル層に沿って垂直に柱状合金結晶が形成されている。
[参考例１−１−２]
参考例１−１−２では、半田バンプを構成する半田として、参考例１−１−１と同様にＣｕ：２ｗｔ％、Ａｇ：１ｗｔ％、Ｓｎ：９７ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量 ４ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍでＰ含有量をＮｉ層よりも少ない２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを０．９μｍに調整した。
参考例１−１−２では、半田バンプを構成する半田として、参考例１−１−１と同様にＣｕ：２ｗｔ％、Ａｇ：１ｗｔ％、Ｓｎ：９７ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量 ４ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍでＰ含有量をＮｉ層よりも少ない２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを０．９μｍに調整した。
[参考例１−１−３]
参考例１−１−３では、半田バンプを構成する半田として、参考例１−１−１と同様にＣｕ：２ｗｔ％、Ａｇ：１ｗｔ％、Ｓｎ：９７ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量４ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍでＰ含有量を９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを２．７μｍに調整した。
参考例１−１−３では、半田バンプを構成する半田として、参考例１−１−１と同様にＣｕ：２ｗｔ％、Ａｇ：１ｗｔ％、Ｓｎ：９７ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量４ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍでＰ含有量を９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを２．７μｍに調整した。
[参考例１−１−４]
参考例１−１−４では、半田バンプを構成する半田として、参考例１−１−１と同様にＣｕ：２ｗｔ％、Ａｇ：１ｗｔ％、Ｓｎ：９７ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量４ｗｔ％に設定した。一方、一方、Ｐｄ層は、厚み１．５μｍでＰ含有量を９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを２．９μｍに調整した。
参考例１−１−４では、半田バンプを構成する半田として、参考例１−１−１と同様にＣｕ：２ｗｔ％、Ａｇ：１ｗｔ％、Ｓｎ：９７ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量４ｗｔ％に設定した。一方、一方、Ｐｄ層は、厚み１．５μｍでＰ含有量を９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを２．９μｍに調整した。
[参考例１−２−１]
参考例１−１−１〜参考例１−１−３では、半田バンプを構成する半田として鉛レスのＣｕ／Ａｇ／Ｓｎ半田を用いた。これに対して、参考例１−２−１〜参考例１−２−３では、半田バンプを構成する半田として、Ｓｎ：Ｐｂ＝６４：３６（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．５μｍでＰを含有しないよう（Ｐ含有率＝ほぼ０％）に形成した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを０．９μｍに調整した。
参考例１−１−１〜参考例１−１−３では、半田バンプを構成する半田として鉛レスのＣｕ／Ａｇ／Ｓｎ半田を用いた。これに対して、参考例１−２−１〜参考例１−２−３では、半田バンプを構成する半田として、Ｓｎ：Ｐｂ＝６４：３６（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．５μｍでＰを含有しないよう（Ｐ含有率＝ほぼ０％）に形成した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを０．９μｍに調整した。
[参考例１−２−２]
参考例１−２−２では、半田バンプを構成する半田として、参考例１−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６４：３６（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量４ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍでＰ含有量をＮｉ層よりも少ない２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを０．９μｍに調整した。
参考例１−２−２では、半田バンプを構成する半田として、参考例１−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６４：３６（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量４ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍでＰ含有量をＮｉ層よりも少ない２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを０．９μｍに調整した。
[参考例１−２−３]
参考例１−２−３では、半田バンプを構成する半田として、参考例１−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６４：３６（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量４ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍでＰ含有量を９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを２．６μｍに調整した。
参考例１−２−３では、半田バンプを構成する半田として、参考例１−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６４：３６（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量４ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍでＰ含有量を９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを２．６μｍに調整した。
[参考例１−２−４]
参考例１−２−４では、半田バンプを構成する半田として、参考例１−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６４：３６（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量４ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．５μｍでＰ含有量を９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを２．７μｍに調整した。
参考例１−２−４では、半田バンプを構成する半田として、参考例１−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６４：３６（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量４ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．５μｍでＰ含有量を９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを２．７μｍに調整した。
[参考例２−１−１]
参考例２−１−１〜参考例２−１−３、参考例２−２−１〜参考例２−２−３では、図９〜図１４を参照して上述した実施例２と同様に積層プリント配線板を形成し、半田層を形成した。そして、半田（半田層）を構成する半田として、Ｃｕ：２ｗｔ％、Ａｇ：１ｗｔ％、Ｓｎ：９７ｗｔ％合金を用いた。Ｎｉ層は、厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。但し、Ｐｄ層は、厚み０．５μｍでＰ含有しないように形成した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを０．９μｍに調整した。
参考例２−１−１〜参考例２−１−３、参考例２−２−１〜参考例２−２−３では、図９〜図１４を参照して上述した実施例２と同様に積層プリント配線板を形成し、半田層を形成した。そして、半田（半田層）を構成する半田として、Ｃｕ：２ｗｔ％、Ａｇ：１ｗｔ％、Ｓｎ：９７ｗｔ％合金を用いた。Ｎｉ層は、厚み５μｍ、Ｐ含有量 １．２ｗｔ％に設定した。但し、Ｐｄ層は、厚み０．５μｍでＰ含有しないように形成した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを０．９μｍに調整した。
[参考例２−１−２]
参考例２−１−２では、半田（半田層）を構成する半田として、参考例２−１−１と同様にＣｕ：２ｗｔ％、Ａｇ：１ｗｔ％、Ｓｎ：９７ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量４ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍでＰ含有量をＮｉ層よりも少ない２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを０．９μｍに調整した。
参考例２−１−２では、半田（半田層）を構成する半田として、参考例２−１−１と同様にＣｕ：２ｗｔ％、Ａｇ：１ｗｔ％、Ｓｎ：９７ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量４ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍでＰ含有量をＮｉ層よりも少ない２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを０．９μｍに調整した。
[参考例２−１−３]
参考例２−１−３では、半田（半田層）を構成する半田として、参考例２−１−１と同様にＣｕ：２ｗｔ％、Ａｇ：１ｗｔ％、Ｓｎ：９７ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量４ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍでＰ含有量を９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを２．６μｍに調整した。
参考例２−１−３では、半田（半田層）を構成する半田として、参考例２−１−１と同様にＣｕ：２ｗｔ％、Ａｇ：１ｗｔ％、Ｓｎ：９７ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量４ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍでＰ含有量を９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを２．６μｍに調整した。
[参考例２−１−４]
参考例２−１−４では、半田（半田層）を構成する半田として、参考例２−１−１と同様にＣｕ：２ｗｔ％、Ａｇ：１ｗｔ％、Ｓｎ：９７ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量４ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．５μｍでＰ含有量を９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを２．７μｍに調整した。
参考例２−１−４では、半田（半田層）を構成する半田として、参考例２−１−１と同様にＣｕ：２ｗｔ％、Ａｇ：１ｗｔ％、Ｓｎ：９７ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量４ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．５μｍでＰ含有量を９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを２．７μｍに調整した。
[参考例２−２−１]
参考例２−１−１〜参考例２−１−３では、半田（半田層）を構成する半田として鉛レスのＣｕ／Ａｇ／Ｓｎ半田を用いた。これに対して、参考例２−２−１〜参考例２−２−３では、半田（半田層）を構成する半田として、Ｓｎ：Ｐｂ＝６４：３６（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．５μｍでＰを含有しないように形成した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを０．８μｍに調整した。
参考例２−１−１〜参考例２−１−３では、半田（半田層）を構成する半田として鉛レスのＣｕ／Ａｇ／Ｓｎ半田を用いた。これに対して、参考例２−２−１〜参考例２−２−３では、半田（半田層）を構成する半田として、Ｓｎ：Ｐｂ＝６４：３６（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み０．５μｍでＰを含有しないように形成した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを０．８μｍに調整した。
[参考例２−２−２]
参考例２−２−２では、半田（半田層）を構成する半田として、参考例２−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６４：３６（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量４ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍでＰ含有量をＮｉ層よりも少ない２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを０．９μｍに調整した。
参考例２−２−２では、半田（半田層）を構成する半田として、参考例２−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６４：３６（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量４ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍでＰ含有量をＮｉ層よりも少ない２ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを０．９μｍに調整した。
[参考例２−２−３]
参考例２−２−３では、半田（半田層）を構成する半田として、参考例２−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６４：３６（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量４ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍでＰ含有量を９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを２．７μｍに調整した。
参考例２−２−３では、半田（半田層）を構成する半田として、参考例２−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６４：３６（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量４ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．０μｍでＰ含有量を９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを２．７μｍに調整した。
[参考例２−２−４]
参考例２−２−４では、半田（半田層）を構成する半田として、参考例２−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６４：３６（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量４ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．５μｍでＰ含有量を９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを２．７μｍに調整した。
参考例２−２−４では、半田（半田層）を構成する半田として、参考例２−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６４：３６（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量４ｗｔ％に設定した。一方、Ｐｄ層は、厚み１．５μｍでＰ含有量を９ｗｔ％に設定した。これにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚みを２．７μｍに調整した。
比較例として、半田パッド部分における導体層に従来技術におけるニッケル（Ｎｉ層）−金（Ａｕ層）を形成させた。
[比較例１−１−１]
比較例１−１−１では、半田バンプを構成する半田として、参考例１−１−１と同様にＣｕ：２ｗｔ％、Ａｇ：１ｗｔ％、Ｓｎ：９７ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｎｉ層の上にはＰｄ層の代わりに、厚み０．０３μｍでＡｕ層を設けた。リフロー後には、Ｎｉ−Ｓｎ合金層が形成されなかった。
[比較例１−１−１]
比較例１−１−１では、半田バンプを構成する半田として、参考例１−１−１と同様にＣｕ：２ｗｔ％、Ａｇ：１ｗｔ％、Ｓｎ：９７ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｎｉ層の上にはＰｄ層の代わりに、厚み０．０３μｍでＡｕ層を設けた。リフロー後には、Ｎｉ−Ｓｎ合金層が形成されなかった。
[比較例１−２−１]
比較例１−２−１では、半田バンプを構成する半田として、参考例１−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６４：３６（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｎｉ層の上にはＰｄ層の代わりに、厚み０．０３μｍでＡｕ層を設けた。リフロー後には、Ｎｉ−Ｓｎ合金層が形成されなかった。
比較例１−２−１では、半田バンプを構成する半田として、参考例１−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６４：３６（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｎｉ層の上にはＰｄ層の代わりに、厚み０．０３μｍでＡｕ層を設けた。リフロー後には、Ｎｉ−Ｓｎ合金層が形成されなかった。
[比較例２−１−１]
比較例２−１−１では、半田（半田層）を構成する半田として、参考例２−１−１と同様にＣｕ：２ｗｔ％、Ａｇ：１ｗｔ％、Ｓｎ：９７ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｎｉ層の上にはＰｄ層の代わりに、厚み０．０３μｍでＡｕ層を設けた。リフロー後には、Ｎｉ−Ｓｎ合金層が形成されなかった。
比較例２−１−１では、半田（半田層）を構成する半田として、参考例２−１−１と同様にＣｕ：２ｗｔ％、Ａｇ：１ｗｔ％、Ｓｎ：９７ｗｔ％合金を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｎｉ層の上にはＰｄ層の代わりに、厚み０．０３μｍでＡｕ層を設けた。リフロー後には、Ｎｉ−Ｓｎ合金層が形成されなかった。
[比較例２−２−１]
比較例２−２−１では、半田（半田層）を構成する半田として、参考例２−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６４：３６（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｎｉ層の上にはＰｄ層の代わりに、厚み０．０３μｍでＡｕ層を設けた。リフロー後には、Ｎｉ−Ｓｎ合金層が形成されなかった。
比較例２−２−１では、半田（半田層）を構成する半田として、参考例２−２−１と同様にＳｎ：Ｐｂ＝６４：３６（ｗｔ％）の鉛半田を用いた。そして、Ｎｉ層を、厚み５μｍ、Ｐ含有量１．２ｗｔ％に設定した。一方、Ｎｉ層の上にはＰｄ層の代わりに、厚み０．０３μｍでＡｕ層を設けた。リフロー後には、Ｎｉ−Ｓｎ合金層が形成されなかった。
（評価項目）
該基板は、ピース毎に個片加工したものを１０ピース用いて行った。実施例１の評価結果を図２２中に、実施例２の評価結果を図２３中に、参考例、比較例の評価結果を図２４中に示す。
１．半田剥離試験
半田ペースト実装後に、半田ペーストの剥離試験を行った。ここで、引っ張り強度で４．０Ｋｇ／pin（半田バンプもしくは半田層）を上回る数値が得られた場合を◎で、引っ張り強度で２．０〜４．０Ｋｇ／pinの数値が得られた場合を○で、１．０〜２．０Ｋｇ／pinの数値が得られた場合を△で、１．０Ｋｇ／pin未満の数値が得られた場合を×で表した。
該基板は、ピース毎に個片加工したものを１０ピース用いて行った。実施例１の評価結果を図２２中に、実施例２の評価結果を図２３中に、参考例、比較例の評価結果を図２４中に示す。
１．半田剥離試験
半田ペースト実装後に、半田ペーストの剥離試験を行った。ここで、引っ張り強度で４．０Ｋｇ／pin（半田バンプもしくは半田層）を上回る数値が得られた場合を◎で、引っ張り強度で２．０〜４．０Ｋｇ／pinの数値が得られた場合を○で、１．０〜２．０Ｋｇ／pinの数値が得られた場合を△で、１．０Ｋｇ／pin未満の数値が得られた場合を×で表した。
２．信頼性試験
実施例１群：ＩＣチップ実装後に抵抗測定を実施
実施例２群：マザーボードに実装後に抵抗測定を実施
ヒートサイクル条件下（１３５℃／３min.⇔−５５℃／３min.を１サイクルとして、２５００サイクルから５００サイクル毎に、５０００サイクルまで信頼性試験を行った。
このとき、信頼性試験機からの装置から出して、二時間放置した後に、該基板の導通の有無、抵抗値を測定した。ここで、導通の有り、抵抗値の変化が２％未満のものを◎で、導通が有り、抵抗値の変化が２％を越え５％未満のものを○で、抵抗値の変化が５％を越えるものを△で、導通が無くなったものを×で表す。
実施例１群：ＩＣチップ実装後に抵抗測定を実施
実施例２群：マザーボードに実装後に抵抗測定を実施
ヒートサイクル条件下（１３５℃／３min.⇔−５５℃／３min.を１サイクルとして、２５００サイクルから５００サイクル毎に、５０００サイクルまで信頼性試験を行った。
このとき、信頼性試験機からの装置から出して、二時間放置した後に、該基板の導通の有無、抵抗値を測定した。ここで、導通の有り、抵抗値の変化が２％未満のものを◎で、導通が有り、抵抗値の変化が２％を越え５％未満のものを○で、抵抗値の変化が５％を越えるものを△で、導通が無くなったものを×で表す。
３．信頼性試験後のチップ／マザーボードとの剥離試験
４．実装完了後と信頼性試験で５０００サイクルを完了した基板を引っ張り強度測定を行った。ここで、引っ張り強度で１．０〜２．０Ｋｇ／pin（半田バンプもしくは半田層）の数値が得られた場合を○で、１．０Ｋｇ／pin未満の数値が得られた場合を×で表した。
４．実装完了後と信頼性試験で５０００サイクルを完了した基板を引っ張り強度測定を行った。ここで、引っ張り強度で１．０〜２．０Ｋｇ／pin（半田バンプもしくは半田層）の数値が得られた場合を○で、１．０Ｋｇ／pin未満の数値が得られた場合を×で表した。
以上の試験結果から、Ａｕ層よりもＰｄ層の方が信頼性が高いことが明確になった。そして、Ｐｄ層の厚みは０．０１〜１．０μｍの範囲で形成するのがよく、特に０．０３〜０．７μｍの範囲で形成するのが特によいことが分かった。Ｐｄ層のＰの含有量が、２〜７ｗｔ％から大きく逸脱しないように４〜６ｗｔ％にすることが望ましいことも分かった。Ｎｉ層の厚みは、２〜１０μｍの範囲で形成されることが望ましく、Ｎｉ層中のＰ（リン）の含有量が０．５〜５．０ｗｔ％で、Ｐｄ層中のＰ含有量よりも低くすることがより望ましいことが明らかになった。
３０ 多層プリント配線板
７０ ソルダーレジスト層
７０ａ 開口
７２ ニッケル層
７３ パラジウム層
７５ Ｎｉ−Ｓｎ合金層
７６Ｕ、７６Ｄ 半田バンプ
７０ ソルダーレジスト層
７０ａ 開口
７２ ニッケル層
７３ パラジウム層
７５ Ｎｉ−Ｓｎ合金層
７６Ｕ、７６Ｄ 半田バンプ
Claims (11)
- ソルダーレジスト層の一部を開口させることにより露出した導体回路の表層に複合層を施し、該複合層上に半田層を形成して加熱することによって、前記導体回路が合金層を介して外部接続用の半田バンプと接合したプリント配線板であって、
前記複合層は、前記導体回路側から順に積層されたＮｉ層およびＰｄ層を有し、
前記半田層および前記半田バンプは、ＣｕおよびＳｎが含有された無鉛半田で構成され、
前記合金層は、Ｎｉ−Ｓｎ−Ｃｕからなる三成分で構成されていることを特徴とするプリント配線板。 - 前記半田層には、０．５≦Ｃｕ／Ｓｎ≦１．０でＣｕ、Ｓｎが含有されている請求項１に記載のプリント配線板。
- 前記Ｐｄ層を２〜７ｗｔ％のＰが含有されるように設ける請求項１または２に記載のプリント配線板。
- 前記Ｎｉ層を、Ｐｄ層中のＰの含有量よりも少ない０．５〜５．０ｗｔ％のＰが含有されるように設ける請求項１〜３のいずれか１に記載のプリント配線板。
- 前記Ｐｄ層を０．０１〜１．０μｍの厚みに設ける請求項１〜４のいずれか１に記載のプリント配線板。
- ソルダーレジスト層の一部を開口させることにより露出した導体回路の表層に複合層を施し、該複合層上に半田層を形成して加熱することによって、前記導体回路が合金層を介して外部接続用の半田バンプと接合したプリント配線板の製造方法であって：
前記ソルダーレジスト層の開口から露出した前記導体回路の表層に、該導体回路側から順に積層されたＮｉ層およびＰｄ層を有する複合層を設ける工程と；
該複合層の上に、ＣｕおよびＳｎが含有された無鉛半田で構成された半田層を設ける工程と；
該半田層をリフローして前記半田バンプを形成すると共に、前記Ｎｉ層と前記半田バンプとの界面に、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ合金で構成された前記合金層を作る工程と；
からなるプリント配線板の製造方法。 - 前記Ｐｄ層を２〜７ｗｔ％のＰが含有されるように設ける請求項６に記載のプリント配線板の製造方法。
- 前記Ｎｉ層を、Ｐｄ層中のＰの含有量よりも少ない０．５〜５．０ｗｔ％のＰが含有されるように設ける請求項６または７に記載のプリント配線板の製造方法。
- 前記Ｐｄ層を０．０１〜１．０μｍの厚みに設ける請求項６〜８のいずれか１に記載のプリント配線板の製造方法。
- 前記半田層には、Ｃｕが含有されている請求項６〜９のいずれか１に記載のプリント配線板の製造方法。
- 前記半田層には、０．５≦Ｃｕ／Ｓｎ≦１．０でＣｕおよびＳｎが含有されている請求項６〜１０のいずれか１に記載のプリント配線板の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004373472A JP4679139B2 (ja) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
| PCT/JP2005/004558 WO2006040847A1 (ja) | 2004-10-14 | 2005-03-15 | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
| US11/576,987 US7943861B2 (en) | 2004-10-14 | 2005-03-15 | Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board |
| TW094115550A TW200612797A (en) | 2004-10-14 | 2005-05-13 | PCB and method for manufacturing PCB |
| US12/494,948 US8156646B2 (en) | 2004-10-14 | 2009-06-30 | Method for manufacturing printed wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004373472A JP4679139B2 (ja) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006179798A JP2006179798A (ja) | 2006-07-06 |
| JP4679139B2 true JP4679139B2 (ja) | 2011-04-27 |
Family
ID=36733586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004373472A Expired - Fee Related JP4679139B2 (ja) | 2004-10-14 | 2004-12-24 | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4679139B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4547411B2 (ja) | 2007-10-05 | 2010-09-22 | 富士通株式会社 | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
| JP5530859B2 (ja) * | 2010-08-23 | 2014-06-25 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板の製造方法 |
| JP5929722B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2016-06-08 | Tdk株式会社 | 端子構造、プリント配線板、モジュール基板、電子デバイス及び端子構造の製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4094074B2 (ja) * | 1996-03-22 | 2008-06-04 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置 |
| JPH11121529A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-04-30 | Sumitomo Metal Smi Electron Devices Inc | Ｉｃパッケージ用の半田ボールパッド及びその製造方法 |
| JP2000022027A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-21 | Sony Corp | 半導体装置、その製造方法およびパッケージ用基板 |
| JP3866503B2 (ja) * | 2000-10-18 | 2007-01-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JP3910363B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2007-04-25 | 富士通株式会社 | 外部接続端子 |
| JP2004079891A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板、及び、配線基板の製造方法 |
-
2004
- 2004-12-24 JP JP2004373472A patent/JP4679139B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006179798A (ja) | 2006-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8156646B2 (en) | Method for manufacturing printed wiring board | |
| EP1796446B1 (en) | Printed circuit board | |
| EP0952762B1 (en) | Printed wiring board and method for manufacturing the same | |
| JP4475875B2 (ja) | プリント配線板 | |
| JP4493923B2 (ja) | プリント配線板 | |
| JP4812296B2 (ja) | プリント配線板およびプリント配線板の製造方法 | |
| JP5066783B2 (ja) | 多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP4679139B2 (ja) | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 | |
| JP4592889B2 (ja) | 多層回路基板 | |
| JP4036564B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP2001217356A (ja) | 多層回路基板および半導体装置 | |
| JP4566335B2 (ja) | 多層プリント配線板 | |
| JP4869461B2 (ja) | プリント配線板 | |
| JP4592890B2 (ja) | 多層回路基板 | |
| JP4017451B2 (ja) | 多層化回路基板およびその製造方法 | |
| JP2004335505A (ja) | 多層プリント配線板 | |
| JP4037697B2 (ja) | 多層化回路基板およびその製造方法 | |
| JP4794154B2 (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP4017450B2 (ja) | 多層化回路基板およびその製造方法 | |
| JP2011146742A (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP3850260B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JP2001024322A (ja) | プリント配線板およびその製造方法 | |
| JP2004311705A (ja) | 多層プリント配線板 | |
| JP4484350B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP2004079554A (ja) | 片面回路基板およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071115 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100824 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101022 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101116 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110114 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110201 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110201 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |