JP5282404B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法、電気光学装置ならびに電子機器 - Google Patents
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Description
上記した適用例によれば、有機機能層が射出する光のピーク波長は、555nm以上となるよう構成されているため、発光波長が長波長側にシフトした場合、視感度は低下する。有効発光領域の厚さが薄い領域では、発光層の電気抵抗が低くなることで高強度に点灯するが、この領域では層間絶縁層の屈折率が高いため、発光波長は長波長側にシフトし、視感度が低下する。一方、有効発光領域の厚さが厚い領域では、有効発光領域の電気抵抗が高くなることで低強度に点灯するが、この領域では層間絶縁層の屈折率が低いため、発光波長は短波長側にシフトし、視感度が向上する。そのため、有効発光領域内での視覚的強度の均一性を向上させることが可能となる。
以下、本実施形態にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子(以下有機EL素子と記す)を用いる場合の構成について、図面を参照して説明する。図1は、本実施形態の有機EL素子を表示装置として用いる場合の配線構造を示す模式図である。表示装置1に用いられる有機EL素子17は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下TFTと記す)を用いたアクティブマトリクス方式で駆動される。この方法では、複数の走査線101と、各走査線101に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線102と、各信号線102と並列に配置される複数の電源線103とからなる配線構成を有するとともに、走査線101及び信号線102の各交点付近に、画素40が設けられている。
以下、本実施形態にかかる有機EL素子について、その構造及び製造方法について説明する。図3(a)は、有機EL素子200の平面図、(b)は(a)のA−A’線断面図である。ガラス基板201上には、平面視にて有効発光領域211の中央部が窪んだ凹形状(領域A)を有する、層間絶縁層202が配置されている。ここで有機発光領域は、第1隔壁205によって区画された領域である。領域Aは、平面視にて、直径40μm程度の円形形状を有している。この形状としては、円形形状に限定されることはなく、例えば矩形、長方形、その他不定形を用いても良く、後述する第1隔壁205内部に配置されていれば良い。なお、領域Aは第1隔壁205の内側にあることが好ましいが、その一部が第1隔壁205と重なっていても差し支えはない。
図5(a)〜(c)は有機EL素子200を形成する工程を説明するための工程断面図である。
以下、本実施形態にかかる有機EL素子について、その製造方法及び構造について説明する。図6(a)は、有機EL素子200の平面図、(b)は(a)のA−A’線断面図である。(有機EL素子の構造及び製造方法−1)との相違は、(1)平面視にて有効発光領域211の内側に凸形状を有する層間絶縁層202が配置されており、層間絶縁層202の層厚が、凸形状の厚い領域(領域A)では400nm程度であり、凸形状での薄い領域(領域B)では100nm程度である点。(2)有機機能層208(有効発光領域211)の断面形状が、領域Aに対応する中央部では薄く(100nm程度)、領域Bに対応する周辺部では厚く(120nm程度)構成されている点。の2点である。ここで領域Aは、平面視にて、例えば直径40μmの円形形状を有している。なお、レイアウト等の条件については、(有機EL素子の構造及び製造方法−1)に準ずる。
有機機能層208の中央部を薄く形成する条件としては、例えば、有機機能層前駆体を液滴吐出法を用いて隔壁206内に吐出した後、大気圧から減圧させることで行われる減圧乾燥を5分未満、より好ましくは1分以下で行う工程を含む条件を用いることができる。減圧雰囲気の真空度は、乾燥に要する時間が上記した値に収まるよう設定されていれば良い。具体例としては例えば数Pa程度の値を用いることができるが、これは一例であり、この値に制約されるものではない。
以下、本実施形態にかかる有機EL素子について、その製造方法及び構造について説明する。図9(a)は、有機EL素子200の平面図、(b)は(a)のA−A’線断面図である。(有機EL素子の構造及び製造方法−1)との相違は平面視にて有効発光領域211の内側に、屈折率が低い(1.45)酸化珪素を用いた中心層間絶縁層202A(領域A)を配置することで実効光路長を短くし、平面視にて酸化珪素領域を囲うように屈折率が高い(2.0)窒化珪素を用いた周辺層間絶縁層202B(領域B)を配置した層間絶縁層202が400nm程度配置されている点である。ここで領域Aは、平面視にて、例えば直径40μmの円形形状を有している。なお、レイアウト等の条件については、(有機EL素子の構造及び製造方法−1)に準じる。
以下、本実施形態にかかる有機EL素子について、その製造方法及び構造について説明する。図11(a)は、有機EL素子200の平面図、(b)は(a)のA−A’線断面図である。(有機EL素子の構造及び製造方法−1)との相違は、平面視にて有効発光領域211の内側に、屈折率が高い(2.0)窒化珪素を用いた中心層間絶縁層202A(領域A)を配置することで実効光路長を長くし、平面視にて中心層間絶縁層202Aを囲うように屈折率が低い(1.45)酸化珪素を用いた周辺層間絶縁層202B(領域B)を配置した層間絶縁層202が400nm程度配置されている点である。ここで領域Aは、平面視にて、例えば直径40μmの円形形状を有している。なお、レイアウト等の条件については、(有機EL素子の構造及び製造方法−1)に準じる。
上記した実施形態では、層間絶縁層は絶縁性を備える、光学的に透明な材料を用いることが可能である。例えば酸化アルミニウム等の金属酸化物や、プラスチックを用いても良い。また、酸化珪素や窒化珪素、窒化酸化珪素に副原料を添加したガラスを用いても良い。
以下、図14を参照して、上述した有機EL素子200を含む表示装置1(電気光学装置)を用いる電子機器について説明する。図14(a)には、表示装置1を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001及びスクロールボタン3002と表示装置1を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、表示装置1に表示される画面がスクロールされる。図14(b)は表示装置1を備えた、情報携帯端末(PDA)の構成を示す概略図である。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001及び電源スイッチ4002、ならびに有機EL素子200を備えた表示装置1を備える。操作ボタン4001を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が表示装置1に表示される。
Claims (19)
- 基板と、
前記基板上に配置される、光透過性を有する第1電極と、
前記第1電極上に配置され、平面視にて少なくとも一部が前記第1電極と重なる位置に形成された有機機能層と、
前記有機機能層上であって、平面視にて少なくとも一部が前記第1電極および前記有機機能層と重なる位置に形成され、光透過性を有する第2電極と、
前記基板と前記第1電極との間に配置された光透過性の層間絶縁層と、
を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の有効発光領域内において、前記層間絶縁層は前記有効発光領域の中央部と周辺部とにおいて屈折率が異なる屈折率分布を有し、
前記有効発光領域において、前記有機機能層は、前記層間絶縁層の屈折率が高い領域には薄く、屈折率が低い領域には厚い層厚を有することを特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。 - 請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記有機機能層が555nm以上のピーク波長を有する光を発することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記層間絶縁層が酸化珪素、窒化珪素、又は酸化窒化珪素のいずれか、又はこれらの積層構造によって形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記基板と前記層間絶縁層との間に光反射層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項1から4のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記第2電極の上部に光反射層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項1から5のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記有機機能層は液滴吐出法を用いて形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機機能層は隔壁により仕切られていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- (1)基板上に配置され、有効発光領域内において実効光路長に分布を有する光透過性の層間絶縁層を形成する工程と、
(2)前記層間絶縁膜上であって、平面視にて少なくとも前記有効発光領域と重なる領域に、光透過性を有する第1電極を形成する工程と、
(3)前記第1電極上であって、平面視にて少なくとも前記有効発光領域と重なる領域に有機機能層を形成する工程と、
(4)前記有機機能層上であって、平面視にて少なくとも前記有効発光領域と重なる領域に光透過性の第2電極を形成する工程と、
を含み、
前記層間絶縁層は前記有効発光領域の中央部と周辺部とにおいて屈折率が異なる屈折率分布を有し、前記有効発光領域において、前記有機機能層は、前記層間絶縁層の屈折率が高い領域には薄く、屈折率が低い領域には厚い層厚を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記(3)の工程において、前記有機機能層は555nm以上のピーク波長で発光するように形成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 請求項8又は9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記(2)の工程と前記(3)の工程との間に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を仕切る隔壁を形成する工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 請求項10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記(1)の工程の前に、
(A)平坦なモニタ層間絶縁層と、前記モニタ層間絶縁膜上に前記隔壁と同一形状のモニタ隔壁と、を有する、モニタ用基板を用意する工程と、
(B)前記モニタ隔壁内に、前記有機機能層を形成するための有機機能層前駆体を塗布・乾燥させモニタ有機機能層を形成する工程と、
(C)前記モニタ有機機能層の層厚分布を測定する工程と、
(D)前記モニタ有機機能層の層厚分布に起因する視覚的強度変動を緩和すべく前記層間絶縁層の実効光路長の分布を決定する工程と、
を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 請求項11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記モニタ隔壁内での前記モニタ有機機能層の層厚分布が中央部で厚い場合には、前記有効発光領域内において、前記層間絶縁層の中央部における実効光路長を周辺部における実効光路長よりも短くすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 請求項12に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記有効発光領域内において、前記層間絶縁層の中央部における実効光路長を周辺部における実効光路長よりも短くする手段として、前記層間絶縁層の中央部における層厚を周辺部における層厚よりも薄くすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 請求項13に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記有効発光領域内において、前記層間絶縁層の中央部における実効光路長を周辺部における実効光路長よりも短くする手段として、前記層間絶縁層の中央部における屈折率を周辺部における屈折率よりも下げることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 請求項11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記モニタ隔壁内での前記モニタ有機機能層の層厚分布が中央部で薄い場合には、前記有効発光領域内において、前記層間絶縁層の中央部における実効光路長を周辺部における実効光路長と比べ長くすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 請求項15に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記有効発光領域内において、前記層間絶縁層の中央部における実効光路長を周辺部における実効光路長よりも長くする手段として、前記層間絶縁層の中央部における層厚を周辺部における層厚よりも厚くすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 請求項15に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記有効発光領域内において、前記層間絶縁層の中央部における実効光路長を周辺部における実効光路長よりも長くする手段として、前記層間絶縁層の中央部における屈折率を周辺部における屈折率よりも上げることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む電気光学装置であって、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも一部は、赤色を発光する有機エレクトロルミネッセンス素子であり、前記赤色を発光する有機エレクトロルミネッセンス素子は請求項1から7のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から7のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含むことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008014568A JP5282404B2 (ja) | 2008-01-25 | 2008-01-25 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法、電気光学装置ならびに電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008014568A JP5282404B2 (ja) | 2008-01-25 | 2008-01-25 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法、電気光学装置ならびに電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009176589A JP2009176589A (ja) | 2009-08-06 |
| JP5282404B2 true JP5282404B2 (ja) | 2013-09-04 |
Family
ID=41031468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008014568A Expired - Fee Related JP5282404B2 (ja) | 2008-01-25 | 2008-01-25 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法、電気光学装置ならびに電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5282404B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5170020B2 (ja) * | 2008-10-03 | 2013-03-27 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置及び電子機器 |
| CN102960065B (zh) * | 2010-08-25 | 2016-03-16 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机发光元件及其制造方法以及有机显示面板和有机显示装置 |
| JP5276222B2 (ja) * | 2010-08-25 | 2013-08-28 | パナソニック株式会社 | 有機発光素子とその製造方法、および有機表示パネルと有機表示装置 |
| JP2012074237A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el素子及びその製造方法 |
| GB2514401B (en) * | 2013-05-23 | 2017-08-23 | Cambridge Display Tech Ltd | Inkjet Devices |
| JP6221418B2 (ja) | 2013-07-01 | 2017-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
| GB2521000A (en) * | 2013-12-07 | 2015-06-10 | Ct De Inova Μes Csem Brasil | Electroluminescent device and manufacturing method thereof |
| KR101664007B1 (ko) * | 2014-12-31 | 2016-10-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
| CN107863451B (zh) * | 2017-10-30 | 2019-06-25 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种oled阳极的制备方法及oled显示装置的制备方法 |
| KR102792046B1 (ko) * | 2020-03-17 | 2025-04-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| WO2025088750A1 (ja) * | 2023-10-26 | 2025-05-01 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 発光素子、表示装置、発光素子の製造方法 |
| US20250295011A1 (en) * | 2023-11-17 | 2025-09-18 | Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. | Display panel and display device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005062400A (ja) * | 2003-08-11 | 2005-03-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 平面表示装置およびその製造方法 |
| CN100525558C (zh) * | 2004-04-30 | 2009-08-05 | 三洋电机株式会社 | 发光显示器 |
-
2008
- 2008-01-25 JP JP2008014568A patent/JP5282404B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2009176589A (ja) | 2009-08-06 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |