JP5710398B2 - 回路基板実装部品の検査装置および回路基板実装部品の検査方法 - Google Patents

Description

本発明は、回路基板に実装された検査対象部品を検査する回路基板実装部品の検査装置および検査方法に関するものである。

この種の回路基板についての検査装置として、本願出願人は、下記特許文献に開示された回路基板検査装置を既に提案している。この回路基板検査装置は、２つのプローブと、これらのプローブが接続される計測部とを備えている。この回路基板検査装置では、回路基板に実装されている電子部品（一例としてバイパスコンデンサ）の各電極に各プローブを接触させ、この状態における各プローブ間の静電容量を計測部で計測する。この場合、バイパスコンデンサが正常に実装されているときには、計測部は、このバイパスコンデンサの静電容量を測定し、正常に実装されていないとき（例えば、ハンダ付け不良などにより、少なくとも一方の電極がパターン（導体パターン）から浮いているとき）には、浮遊容量を測定する。このため、この回路基板検査装置によれば、測定された静電容量に基づいて、バイパスコンデンサのハンダ付けの良否を検査することが可能となっている。

特開２００４−２７１２９４号公報（第６−７頁、第３図）

ところが、この従来の回路基板検査装置には、以下の改善すべき課題が存在している。すなわち、この回路基板検査装置では、静電容量値や抵抗値などの電気的特性値を計測すべき電子部品（検査対象部品）が例えば他の電子部品に近接して配置されていることが原因となって、一方の電極およびこの電極に接続されている導体パターンのいずれかと、他方の電極およびこの電極に接続されている導体パターンのいずれかとにプローブを同時に接触させることができないときには、この検査対象部品の電気的特性値を計測できない。このため、回路基板検査装置には、このような検査対象部品について検査を実行するのが困難であるという課題が存在している。

本発明は、かかる課題を改善すべくなされたものであり、プローブを各電極に同時に接触させることが困難な検査対象部品についての検査を可能とする回路基板実装部品の検査装置、および回路基板実装部品の検査方法を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載の回路基板実装部品の検査装置は、電子部品が実装された回路基板における任意の２点間の電気的特性値を測定する測定部と、前記測定された電気的特性値に基づいて前記２点間に実装された前記電子部品を検査対象部品として検査する処理部とを備えている回路基板実装部品の検査装置であって、一方の電極が前記回路基板に実装されたシリーズレギュレータの出力端子に接続され、かつ他方の電極が前記回路基板に形成された導体パターンに接続された前記検査対象部品の検査に際し、前記測定部は、前記シリーズレギュレータの作動用直流電圧に当該シリーズレギュレータのリップル除去率が基準値以下となる周波数の交流電圧を重畳させた測定信号を当該シリーズレギュレータの入力端子と前記他方の電極に接続されている前記導体パターンとの２点間に供給した状態において、当該２点間の前記電気的特性値を測定し、前記処理部は、前記測定された電気的特性値に基づいて前記検査対象部品を検査する。

また、請求項２記載の回路基板実装部品の検査装置は、電子部品が実装された回路基板における任意の２点間の電気的特性値を測定する測定部と、前記測定された電気的特性値に基づいて前記２点間に実装された前記電子部品を検査対象部品として検査する処理部とを備えている回路基板実装部品の検査装置であって、一方の電極が前記回路基板に実装された増幅器の出力端子に接続され、かつ他方の電極が前記回路基板に形成された導体パターンに接続された前記検査対象部品の検査に際し、前記測定部は、前記増幅器の作動用直流電圧に予め規定された周波数の交流電圧を重畳させた測定信号を当該増幅器の電源端子と前記他方の電極に接続されている前記導体パターンとの２点間に供給して作動状態を維持した状態において、当該２点間の前記電気的特性値を測定し、前記処理部は、前記測定された電気的特性値に基づいて前記検査対象部品を検査する。

また、請求項３記載の回路基板実装部品の検査装置は、電子部品が実装された回路基板における任意の２点間の電気的特性値を測定する測定部と、前記測定された電気的特性値に基づいて前記２点間に実装された前記電子部品を検査対象部品として検査する処理部とを備えている回路基板実装部品の検査装置であって、一方の電極が前記回路基板に実装されたゲート素子の出力端子に接続され、かつ他方の電極が前記回路基板に形成された導体パターンに接続された前記検査対象部品としての第１部品の検査に際し、前記測定部は、前記ゲート素子の作動用直流電圧に予め規定された周波数の交流電圧を重畳させた第１測定信号を当該ゲート素子の電源端子と前記他方の電極に接続されている前記導体パターンとの２点間に供給して作動状態を維持した状態において、当該２点間の前記電気的特性値を第１電気的特性値として測定し、前記処理部は、前記測定された第１電気的特性値に基づいて前記第１部品の電気的特性値を算出し、当該算出した電気的特性値に基づいて当該第１部品を検査する。

また、請求項４記載の回路基板実装部品の検査装置は、請求項３記載の回路基板実装部品の検査装置において、前記回路基板には、前記第１部品と同種の他の前記電子部品であって、一方の電極が前記電源端子に接続されると共に他方の電極が前記導体パターンに接続された第２部品が実装され、前記処理部は、前記電源端子と前記第１部品および前記第２部品の前記各他方の電極に接続されている前記導体パターンとの２点間に前記第１測定信号を供給した状態において前記測定部によって測定される前記第１電気的特性値としての前記第１部品および前記第２部品の合成電気的特性値と、前記ゲート素子を非作動状態に移行させ、かつ前記２点間に交流電圧で構成される第２測定信号を供給した状態において前記測定部によって測定される第２電気的特性値としての前記第２部品の電気的特性値とに基づいて、当該第１部品の前記電気的特性値を算出し、当該算出した電気的特性値に基づいて当該第１部品を検査する。

また、請求項５記載の回路基板実装部品の検査方法は、回路基板における任意の２点間の電気的特性値を測定すると共に当該測定された電気的特性値に基づいて当該２点間に実装された電子部品を検査対象部品として検査する回路基板実装部品の検査方法であって、一方の電極が前記回路基板に実装されたシリーズレギュレータの出力端子に接続され、かつ他方の電極が前記回路基板に形成された導体パターンに接続された前記検査対象部品の検査に際し、前記シリーズレギュレータの作動用直流電圧に当該シリーズレギュレータのリップル除去率が基準値以下となる周波数の交流電圧を重畳させた測定信号を当該シリーズレギュレータの入力端子と前記他方の電極に接続されている前記導体パターンとの２点間に供給した状態において、当該２点間の前記電気的特性値を測定し、前記測定された電気的特性値に基づいて前記検査対象部品を検査する。

また、請求項６記載の回路基板実装部品の検査方法は、回路基板における任意の２点間の電気的特性値を測定すると共に当該測定された電気的特性値に基づいて当該２点間に実装された電子部品を検査対象部品として検査する回路基板実装部品の検査方法であって、一方の電極が前記回路基板に実装された増幅器の出力端子に接続され、かつ他方の電極が前記回路基板に形成された導体パターンに接続された前記検査対象部品の検査に際し、前記増幅器の作動用直流電圧に予め規定された周波数の交流電圧を重畳させた測定信号を当該増幅器の電源端子と前記他方の電極に接続されている前記導体パターンとの２点間に供給して作動状態を維持した状態において、当該２点間の前記電気的特性値を測定し、前記測定された電気的特性値に基づいて前記検査対象部品を検査する。

また、請求項７記載の回路基板実装部品の検査方法は、回路基板における任意の２点間の電気的特性値を測定すると共に当該測定された電気的特性値に基づいて当該２点間に実装された電子部品を検査対象部品として検査する回路基板実装部品の検査方法であって、一方の電極が前記回路基板に実装されたゲート素子の出力端子に接続され、かつ他方の電極が前記回路基板に形成された導体パターンに接続された前記検査対象部品としての第１部品の検査に際し、前記ゲート素子の作動用直流電圧に予め規定された周波数の交流電圧を重畳させた第１測定信号を当該ゲート素子の電源端子と前記他方の電極に接続されている前記導体パターンとの２点間に供給して作動状態を維持した状態において、当該２点間の前記電気的特性値を第１電気的特性値として測定し、前記測定された第１電気的特性値に基づいて前記第１部品の電気的特性値を算出し、当該算出した電気的特性値に基づいて当該第１部品を検査する。

また、請求項８記載の回路基板実装部品の検査方法は、請求項７記載の回路基板実装部品の検査方法において、前記回路基板には、前記第１部品と同種の他の前記電子部品であって、一方の電極が前記電源端子に接続されると共に他方の電極が前記導体パターンに接続された第２部品が実装され、前記電源端子と前記第１部品および前記第２部品の前記各他方の電極に接続されている前記導体パターンとの２点間に前記第１測定信号を供給した状態において測定される前記第１電気的特性値としての前記第１部品および前記第２部品の合成電気的特性値と、前記ゲート素子を非作動状態に移行させ、かつ前記２点間に交流電圧で構成される第２測定信号を供給した状態において測定される第２電気的特性値としての前記第２部品の電気的特性値とに基づいて、当該第１部品の前記電気的特性値を算出し、前記算出した電気的特性値に基づいて当該第１部品を検査する。

請求項１記載の回路基板実装部品の検査装置および請求項５記載の回路基板実装部品の検査方法によれば、シリーズレギュレータの入力端子と検査対象部品の他方の電極に接続されている導体パターンとの２点間に測定信号を供給して、この２点間の電気的特性値を測定することにより、シリーズレギュレータの出力端子に接続されている検査対象部品の状態（正常か異常か（以下、「異常」には、部品の未実装、または実装されていても本来の静電容量値でない状態を含むものとする））によって変化する電気的特性値を測定することができる。このため、この検査対象部品がプローブをその各電極に同時に接触させることが困難な電子部品であっても、測定した電気的特性値に基づいて、この検査対象部品を検査することができる。

請求項２記載の回路基板実装部品の検査装置および請求項６記載の回路基板実装部品の検査方法によれば、増幅器の電源端子と検査対象部品の他方の電極に接続されている導体パターンとの２点間に測定信号を供給して、この２点間の電気的特性値を測定することにより、増幅器の出力端子に接続されている検査対象部品の状態（正常か異常か）によって変化する電気的特性値を測定することができる。このため、この検査対象部品がプローブをその各電極に同時に接触させることが困難な電子部品であっても、測定した電気的特性値に基づいて、この検査対象部品を検査することができる。

請求項３記載の回路基板実装部品の検査装置および請求項７記載の回路基板実装部品の検査方法によれば、ゲート素子の電源端子と第１部品の他方の電極に接続されている導体パターンとの２点間に第１測定信号を供給して、この２点間の第１電気的特性値を測定することにより、ゲート素子の出力端子に接続されている第１部品の状態（正常か異常か）によって変化する第１電気的特性値を測定することができる。このため、この第１部品がプローブをその各電極に同時に接触させることが困難な電子部品であっても、測定した第１電気的特性値に基づいて、この第１部品を検査することができる。

請求項４記載の回路基板実装部品の検査装置および請求項８記載の回路基板実装部品の検査方法によれば、第１部品と同種の他の電子部品であって、一方の電極がゲート素子の電源端子に接続されると共に他方の電極が上記の導体パターンに接続された第２部品が実装されているときには、第１測定信号を供給したときに測定される第１電気的特性値としての第１部品および第２部品の合成電気的特性値と、第２測定信号を供給したときに測定される第２電気的特性値としての第２部品の電気的特性値とに基づいて、第１部品の電気的特性値を算出することができ、この算出した電気的特性値に基づいて第１部品を検査することができる。

回路基板実装部品の検査装置１および回路基板２の構成図である。 三端子レギュレータ２１，２２のリップル除去率の周波数特性図である。 増幅器２３の出力段の構成図である。 ゲート素子２５の出力段の構成図である。

以下、添付図面を参照して、回路基板実装部品の検査装置および回路基板実装部品の検査方法の実施の形態について説明する。

最初に、検査装置１の構成について、図１を参照して説明する。

検査装置１は、一例として、回路基板２に予め規定された接触ポイント３に接触させられる複数（本例では一例として２本）のプローブ４、プローブ４を移動させる移動機構（不図示）、測定部５、処理部６および出力部７を備え、回路基板２に実装されている電子部品（実装部品）のうちの検査対象部品に対する検査を実行する。

２本のプローブ４は、処理部６によって制御された移動機構によって移動させられて、回路基板２に規定された複数の接触ポイント３のうちから選択された任意の２つの接触ポイント３に接触させられる。

測定部５は、直流電圧に交流電圧を重畳させた信号（電圧信号）、および交流電圧のみで構成される信号（電圧信号）のいずれかを選択的に測定信号Ｖｓとして、２本のプローブ４を介して接続された回路基板２の任意の２点（つまり、２つの接触ポイント３）間に出力する。また、測定部５は、この測定信号Ｖｓの供給によってこの２点間に発生する電流信号Ｉｓを検出し、出力した測定信号Ｖｓと検出した電流信号Ｉｓとに基づいて、この２点間のインピーダンスを電気的特性値Ｄｍとして測定する。

また、上記した直流電圧は、回路基板２に実装されている後述の三端子レギュレータ（シリーズレギュレータの一例）の入力端子とグランド端子間に供給されたときに、三端子レギュレータを規定の出力電圧を出力する作動状態にさせる電圧（作動用直流電圧）に予め規定されている。具体的には、三端子レギュレータが７ボルト以上２６ボルト以下の入力電圧の範囲内で作動して規定の５ボルトを出力電圧として出力する電気的特性を有するものである場合には、作動用直流電圧とは、７ボルト以上２６ボルト以下の範囲内の任意の電圧である。

また、測定部５は、上記した交流電圧として、周波数ｆ１の交流電圧と、周波数ｆ１よりも低い周波数ｆ２の交流電圧とを選択的に出力可能に構成されている。また、測定部５は、処理部６によって制御されることにより、測定信号Ｖｓの仕様（直流電圧に交流電圧を重畳させるか否か、交流電圧の周波数をｆ１，ｆ２のいずれにするか）を選択して出力する。

この場合、交流電圧の周波数ｆ１は、回路基板２に実装されている三端子レギュレータについてのリップル除去率が図２に示すように予め規定された基準値Ａ１以下となる任意の周波数に規定されている。この例では、一例として、交流電圧の周波数ｆ１は、リップル除去率が基準値Ａ１としての１０［ｄＢ］となる基準周波数ｆｒｅｆ以上の周波数（例えば、５００ｋＨｚ）に規定されている。この構成により、直流電圧（作動用直流電圧）にこの交流電圧を重畳させた信号を測定信号Ｖｓとして、三端子レギュレータの入力端子に供給したときには、三端子レギュレータは作動状態に移行して、測定信号Ｖｓに含まれる直流電圧については、この直流電圧未満の予め規定された電圧値に降下させて（安定化させて）出力する。また、三端子レギュレータは、測定信号Ｖｓに含まれている交流電圧については、減衰させるものの十分には減衰させることはできず、この交流電圧（入力される交流電圧）の振幅を１としたときに、少なくとも０．３程度の振幅の交流電圧を出力する。また、交流電圧の周波数ｆ２は、回路基板２に実装されている後述の増幅器２３の動作周波数範囲に含まれる任意の周波数（例えば、数ｋＨｚ）に予め規定されている。

処理部６は、一例として、ＣＰＵおよびメモリ（いずれも図示せず）を備え、移動機構および測定部５に対する制御処理、検査対象部品に対する検査処理、および検査処理の結果を出力部７に出力させる出力処理を実行する。メモリには、検査対象部品毎の接触ポイント３についての位置情報と、測定に使用する測定信号Ｖｓの仕様情報と、検査対象部品毎の基準電気的特性値が予め記憶されている。

出力部７は、一例として、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）などの表示装置で構成されている。また、出力部７は、処理部６が実行した検査処理での結果を処理部６から入力して、画面に表示する。

次に、検査装置１の動作と併せて回路基板実装部品の検査方法について、図面を参照して説明する。

最初に、回路基板２の構成について説明する。本例では、一例として、図１に示すように、回路基板２には，電子部品として、９個のコンデンサ１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８，１９、シリーズレギュレータとしての３つの三端子レギュレータ２１，２２，２４、１つの増幅器２３および１つのゲート素子（本例では一例としてインバータ）２５が実装されている。なお、各コンデンサ１１〜１９は検査対象部品であるため、処理部６のメモリには、検査対象部品毎の基準電気的特性値として、コンデンサ１１〜１９のそれぞれに対する基準容量値が予め記憶されている。本例では、各コンデンサ１１〜１９の基準電気的特性値の一例として、各コンデンサ１１〜１９として正規の静電容量のコンデンサが正常な状態で実装されているときに、測定部５によって測定される静電容量値の範囲を示す上限容量値および下限容量値が記憶されている。

コンデンサ１１は、一方の電極が接触ポイント３として規定されると共に導体パターン３１に接続され、他方の電極は導体パターン３２（本例では一例として回路基板２内の基準電位導体パターン（いわゆるグランドパターン））に接続されている。この導体パターン３２の一部は、接触ポイント３として規定されている。コンデンサ１２は、一方の電極が接触ポイント３として規定されて導体パターン３３に接続され、かつ他方の電極が導体パターン３２に接続されている。

コンデンサ１３（第２部品）は、一方の電極１３ａが導体パターン３４に接続されると共にこの導体パターン３４を介して三端子レギュレータ２１の入力端子２１ａに接続され、かつ他方の電極１３ｂが導体パターン３２に接続されている。コンデンサ１４（第１部品）は、一方の電極１４ａが導体パターン３５に接続されると共にこの導体パターン３５を介して三端子レギュレータ２１の出力端子２１ｂに接続され、かつ他方の電極１４ｂが導体パターン３２に接続されている。

この場合、コンデンサ１３および三端子レギュレータ２１のそれぞれの構造上、コンデンサ１３の一方の電極１３ａおよび三端子レギュレータ２１の入力端子２１ａにはプローブ４を直接接触させることが不能であるものの、一方の電極１３ａおよび入力端子２１ａを接続する導体パターン３４にはプローブ４を直接接触させることが可能となっている。このため、導体パターン３４におけるプローブ４の接触可能な部位上に接触ポイント３が規定されている。一方、コンデンサ１４の一方の電極１４ａ、三端子レギュレータ２１の出力端子２１ｂ、並びに一方の電極１４ａおよび出力端子２１ｂを接続する導体パターン３５については、コンデンサ１３および三端子レギュレータ２１のそれぞれの構造上、および導体パターン３５の引き回しの構造上、いずれにもプローブ４を直接接触させることが不能となっている。このため、コンデンサ１４の一方の電極１４ａ、三端子レギュレータ２１の出力端子２１ｂ、および導体パターン３５上のいずれにも接触ポイント３は規定されていない状態となっている。

コンデンサ１５は、一方の電極１５ａが導体パターン３６に接続されると共にこの導体パターン３６を介して三端子レギュレータ２２の入力端子２２ａに接続され、かつ他方の電極１５ｂが導体パターン３２に接続されている。コンデンサ１６は、一方の電極１６ａが導体パターン３７に接続されると共にこの導体パターン３７を介して三端子レギュレータ２２の出力端子２２ｂに接続され、かつ他方の電極１６ｂが導体パターン３２に接続されている。

この場合、コンデンサ１５および三端子レギュレータ２２のそれぞれの構造上、コンデンサ１５の一方の電極１５ａおよび三端子レギュレータ２２の入力端子２２ａにはプローブ４を直接接触させることが不能であるものの、一方の電極１５ａおよび入力端子２２ａを接続する導体パターン３６にはプローブ４を直接接触させることが可能となっている。このため、導体パターン３６におけるプローブ４の接触可能な部位上に接触ポイント３が規定されている。また、コンデンサ１６および三端子レギュレータ２２のそれぞれの構造上、コンデンサ１６の一方の電極１６ａおよび三端子レギュレータ２２の出力端子２２ｂにはプローブ４を直接接触させることが不能であるものの、一方の電極１６ａおよび出力端子２２ｂを接続する導体パターン３７にはプローブ４を直接接触させることが可能となっている。このため、導体パターン３７におけるプローブ４の接触可能な部位上に接触ポイント３が規定されている。

コンデンサ１７は、一方の電極１７ａが導体パターン３８に接続されると共にこの導体パターン３８を介して増幅器２３の出力端子２３ｃに接続され、かつ他方の電極１７ｂが導体パターン３２に接続されている。この場合、コンデンサ１７の一方の電極１７ａ、増幅器２３の出力端子２３ｃ、並びに一方の電極１７ａおよび出力端子２３ｃを接続する導体パターン３８については、コンデンサ１７および増幅器２３のそれぞれの構造上、および導体パターン３８の引き回しの構造上、いずれにもプローブ４を直接接触させることが不能となっている。このため、コンデンサ１７の一方の電極１７ａ、増幅器２３の出力端子２３ｃ、および導体パターン３８上のいずれにも接触ポイント３は規定されていない状態となっている。

コンデンサ１８は、一方の電極１８ａが導体パターン３９に接続されると共にこの導体パターン３９を介して三端子レギュレータ２４の出力端子２４ｂに接続され、かつ他方の電極１８ｂが導体パターン３２に接続されている。

この場合、コンデンサ１８および三端子レギュレータ２４のそれぞれの構造上、コンデンサ１８の一方の電極１８ａおよび三端子レギュレータ２４の出力端子２４ｂにはプローブ４を直接接触させることが不能であるものの、一方の電極１８ａおよび出力端子２４ｂを接続する導体パターン３９にはプローブ４を直接接触させることが可能となっている。このため、導体パターン３９におけるプローブ４の接触可能な部位上に接触ポイント３が規定されている。

コンデンサ１９は、一方の電極１９ａが導体パターン４０に接続されると共にこの導体パターン４０を介してゲート素子２５の出力端子２５ｃに接続され、かつ他方の電極１９ｂが導体パターン３２に接続されている。この場合、コンデンサ１９の一方の電極１９ａ、ゲート素子２５の出力端子２５ｃ、並びに一方の電極１９ａおよび出力端子２５ｃを接続する導体パターン４０については、コンデンサ１９およびゲート素子２５のそれぞれの構造上、および導体パターン４０の引き回しの構造上、いずれにもプローブ４を直接接触させることが不能となっている。このため、コンデンサ１９の一方の電極１９ａ、ゲート素子２５の出力端子２５ｃ、および導体パターン４０上のいずれにも接触ポイント３は規定されていない状態となっている。

三端子レギュレータ２１は、上記したように、入力端子２１ａが導体パターン３４に接続され、出力端子２１ｂが導体パターン３５に接続され、グランド端子２１ｃが導体パターン３２に接続されている。この構成により、三端子レギュレータ２１は、導体パターン３４を介して入力する第１入力電圧Ｖ１ｉｎを第１出力電圧Ｖ１ｏｕｔに変換すると共に、変換した第１出力電圧Ｖ１ｏｕｔを導体パターン３５へ出力する。

三端子レギュレータ２２は、上記したように、入力端子２２ａが導体パターン３６に接続され、出力端子２２ｂが導体パターン３７に接続され、グランド端子２２ｃが導体パターン３２に接続されている。この構成により、三端子レギュレータ２２は、導体パターン３６を介して入力する第２入力電圧Ｖ２ｉｎ（第１入力電圧Ｖ１ｉｎとは異なる電圧）を第２出力電圧Ｖ２ｏｕｔ（第１出力電圧Ｖ１ｏｕｔとは異なる電圧）に変換すると共に、変換した第２出力電圧Ｖ２ｏｕｔを導体パターン３７へ出力する。

三端子レギュレータ２４は、出力端子２４ｂが導体パターン３９に接続され、グランド端子２４ｃが導体パターン３２に接続されて、入力端子２４ａに入力される第３入力電圧Ｖ３ｉｎ（第１入力電圧Ｖ１ｉｎ，第２入力電圧Ｖ２ｉｎとは異なる電圧）を第３出力電圧Ｖ３ｏｕｔ（第１出力電圧Ｖ１ｏｕｔ，第２出力電圧Ｖ２ｏｕｔとは異なる電圧）に変換すると共に、変換した第３出力電圧Ｖ３ｏｕｔを導体パターン３９へ出力する。

増幅器２３は、その電源端子２３ａが導体パターン３７に接続され、その接地端子２３ｂが導体パターン３２に接続され、その出力端子２３ｃが導体パターン３８に接続されている。この構成により、増幅器２３は、三端子レギュレータ２２から出力される第２出力電圧Ｖ２ｏｕｔを作動用電圧として作動する。また、増幅器２３の出力段は、図３に示すように、一例として２つのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２を用いたコンプリメンタリ型のバッファ回路で構成されている。

ゲート素子２５は、その電源端子２５ａが導体パターン３９に接続され、その接地端子２５ｂが導体パターン３２に接続され、その出力端子２５ｃが導体パターン４０に接続されている。この構成により、ゲート素子２５は、三端子レギュレータ２４から出力される第３出力電圧Ｖ３ｏｕｔを作動用電圧として作動する。また、ゲート素子２５の出力段は、図４に示すように、一例として２つの電界効果型トランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２およびバイアス抵抗Ｒ１を用いた反転バッファ回路で構成されている。このように構成されたゲート素子２５の出力段では、作動用電圧である第３出力電圧Ｖ３ｏｕｔが供給されている状態において、電界効果型トランジスタＦＥＴ１はオン状態（オン抵抗が数Ω程度と極めて小さい値でのオン状態）に移行して、ソース端子Ｓから入力した電流をドレイン端子Ｄから出力する。一方、電界効果型トランジスタＦＥＴ２はオフ状態に移行する。なお、図４中において各電界効果型トランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２に付した符号Ｇはゲート端子を示し、符号Ｄはドレイン端子を示し、符号Ｓはソース端子を示している。

また、各導体パターン３１〜４０は互いに接続されておらず、また、各導体パターン３１〜４０には図示したコンデンサ以外のコンデンサは接続されていないものとする。さらに、回路基板２には、検査実行の際にプローブ４を介して供給される電圧以外の電圧は供給されていないものとする。

以上のようにして回路基板２に実装されている各コンデンサ１１〜１９に対して検査を実行する際には、検査装置１では、処理部６が、メモリに記憶されているコンデンサ１１〜１９（以下、単に、「検査対象部品」ともいう）毎の２つの接触ポイント３についての位置情報を順次読み出して、移動機構に対する制御処理を実行することにより、検査を実施する検査対象部品に対応する２つの接触ポイント３（読み出した位置情報で規定される２つの接触ポイント３）に２つのプローブ４を接触させる。

次いで、処理部６は、メモリに記憶されている検査対象部品毎の仕様情報に基づいて使用する測定信号Ｖｓを特定すると共に、測定部５に対する制御処理を実行することにより、この特定した測定信号Ｖｓを測定部５に対して選択的に出力させる。また、処理部６は、測定部５から処理部６に対して出力される２つの接触ポイント３間の電気的特性値（静電容量値）Ｄｍに基づいて、各接触ポイント３に対応する検査対象部品に対する検査処理を実行する。

まず、常態において、他のコンデンサと並列接続されておらず、かつ自らの一方の電極に直接規定された接触ポイント３（または一方の電極に接続された導体パターン上に規定された接触ポイント３）と、それぞれの他方の電極が接続された導体パターン３２に規定されている共通の接触ポイント３とが、それぞれの２つの接触ポイント３として規定されているコンデンサ１１，１２，１３，１５，１６，１８に対する検査処理について説明する。

このコンデンサ１１，１２，１３，１５，１６，１８の検査処理では、処理部６は、上記した各コンデンサに対応する２つの接触ポイント３を使用することにより、各コンデンサ１１，１２，１３，１５，１６，１８の両電極にプローブ４を接触させた状態において、メモリから読み出した各コンデンサ１１，１２，１３，１５，１６，１８についての仕様情報に基づいて測定部５に対する制御処理を実行することにより、測定部５に対して周波数ｆ２の交流電圧のみで構成される測定信号（第２測定信号）Ｖｓを選択させて２つの接触ポイント３間に出力させる。

この場合、コンデンサ１３が入力端子２１ａに接続された三端子レギュレータ２１、およびコンデンサ１５が入力端子２２ａに接続された三端子レギュレータ２２については、各入力端子２１ａ，２２ａと導体パターン３２との間に供給される測定信号Ｖｓに直流電圧が含まれていないため、測定信号Ｖｓによっては作動状態に移行せず、非作動状態に維持される。このため、測定信号Ｖｓの印加に起因する電流信号Ｉｓの三端子レギュレータ２１，２２への流入も殆ど発生しない。

また、三端子レギュレータ２２の出力端子２２ｂに接続されたコンデンサ１６、および三端子レギュレータ２４の出力端子２４ｂに接続されたコンデンサ１８についても、各コンデンサ１６，１８に対応する２つの接触ポイント３（コンデンサ１６については、導体パターン３７，３２にそれぞれ規定された接触ポイント３、コンデンサ１８については、導体パターン３９，３２にそれぞれ規定された接触ポイント３）間に測定信号Ｖｓが供給された場合に、測定信号Ｖｓによって各三端子レギュレータ２２，２４が作動状態に移行せず、非作動状態に維持される。また、非作動状態の各三端子レギュレータ２２，２４からは、第２出力電圧Ｖ２ｏｕｔおよび第３出力電圧Ｖ３ｏｕｔは出力されない。これにより、増幅器２３およびゲート素子２５もまた非作動状態に維持される。このため、測定信号Ｖｓの印加に起因する電流信号Ｉｓの三端子レギュレータ２２，２４の流入、増幅器２３への流入、およびゲート素子２５への流入も殆ど発生しない。

したがって、測定部５は、コンデンサ１３，１５，１６，１８についても、２つの導体パターン間に単独で接続されているコンデンサ１１，１２と同様にして、各コンデンサの静電容量値を測定して電気的特性値Ｄｍとして出力する。

処理部６は、測定部５によって測定される電気的特性値（静電容量値）Ｄｍを測定部５から取得（入力）し、この取得した電気的特性値Ｄｍをメモリから読み出した基準電気的特性値（基準容量値）と比較することにより、コンデンサ１１，１２，１３，１５，１６，１８についての検査を実行する。

上記したように、各コンデンサ１１〜１９の電気的特性値Ｄｍに対する基準電気的特性値として、各コンデンサ１１〜１９として正規の静電容量のコンデンサが正常な状態で実装されているときに測定される２つの接触ポイント３間のインピーダンスについての上限容量値および下限容量値が記憶されている。このため、処理部６は、取得した電気的特性値Ｄｍをメモリから読み出した基準電気的特性値と比較して、取得した電気的特性値Ｄｍが基準電気的特性値の範囲内（下限容量値以上であって上限容量値以下の範囲内）に含まれているときには、検査を実施しているコンデンサは正常であると判別し、基準電気的特性値の範囲内に含まれていないときには、検査を実施しているコンデンサに異常が生じている判別する。また、処理部６は、この判別結果をコンデンサの識別情報と共にメモリに記憶する。

次に、他方の電極については、導体パターン３２に規定されている共通の接触ポイント３にプローブ４を直接接触させることができるものの、一方の電極については、この電極およびこの電極に接続された導体パターンのいずれにもプローブ４を接触させるための接触ポイント３が規定されていないコンデンサ１４，１７，１９に対する検査処理について説明する。

なお、コンデンサ１４，１７については、後述するように他のコンデンサとの合成電気的特性値を使用して検査処理を実行する。このため、この他のコンデンサ（コンデンサ１４では、コンデンサ１３が他のコンデンサとなり、コンデンサ１７では、コンデンサ１６が他のコンデンサとなる）が異常のときには、コンデンサ１４，１７に対する正確な検査が行えない。したがって、コンデンサ１４，１７については、この他のコンデンサが正常である場合にのみ検査処理を実行する。

まず、コンデンサ１４については、導体パターン３４に規定された接触ポイント３、および導体パターン３２に規定された接触ポイント３、つまりコンデンサ１３の各電極１３ａ，１３ｂに接続される２つの接触ポイント３が、プローブ４を接触させる２つの接触ポイント３として規定されている。このため、処理部６は、メモリに記憶されている検査対象部品としてのコンデンサ１４に対する２つの接触ポイント３についての位置情報を読み出して、２つのプローブ４をこの２つの接触ポイント３に接触させる。

次いで、処理部６は、メモリから読み出したこのコンデンサ１４についての仕様情報に基づいて測定部５に対する制御処理を実行することにより、測定部５に対して周波数ｆ１の交流電圧に直流電圧を重畳させた測定信号Ｖｓを選択させて２つの接触ポイント３間に出力させる。また、処理部６は、この状態において測定部５によって測定される電気的特性値Ｄｍを取得（入力）する。

この場合、直流電圧（作動用直流電圧）を含む測定信号Ｖｓが入力端子２１ａに第１入力電圧Ｖ１ｉｎとして供給されることにより、三端子レギュレータ２１は、作動状態、すなわち等価的に抵抗体として機能する状態に移行して、第１出力電圧Ｖ１ｏｕｔを出力する。この際に、測定信号Ｖｓに含まれる交流電圧の周波数ｆ１は上記したように三端子レギュレータ２１のリップル除去率が基準値Ａ１（本例では１０［ｄＢ］）となる基準周波数ｆｒｅｆ以上の周波数（例えば、５００ｋＨｚ）に規定されているため、測定信号Ｖｓの交流電圧は、その振幅が減衰させられるものの、コンデンサ１４に対して交流電圧として作用し得る振幅を維持したまま（本例では上記したように、入力される交流電圧の少なくとも３０％程度の振幅を確保した状態で）三端子レギュレータ２１を通過し、その出力端子２１ｂからコンデンサ１４に印加される。

この際に、電流信号Ｉｓのうちのこの交流電圧に起因する電流信号は、コンデンサ１３を経由して導体パターン３２に流れると共に、三端子レギュレータ２１およびコンデンサ１４を経由して導体パターン３２に流れる。これにより、この周波数ｆ１の交流電圧に対しては、三端子レギュレータ２１の入力端子２１ａに接続されているコンデンサ１３と、等価的に抵抗体となる三端子レギュレータ２１およびコンデンサ１４の直列回路とが、並列接続された状態となる。したがって、処理部６が測定部５から取得した電気的特性値Ｄｍは、コンデンサ１３とこの直列回路とで構成される並列回路についての合成電気的特性値（合成インピーダンス）、すなわち、コンデンサ１４の状態（正常か異常か）によって変化する電気的特性値Ｄｍとなる。

このため、処理部６は、この電気的特性値Ｄｍで示される上記並列回路の合成電気的特性値と、既に測定したこの並列回路の合成電気的特性値（各コンデンサ１３，１４が正常なときの電気的特性値）とに基づいて、コンデンサ１４の検査を実行する。具体的には、処理部６は、メモリからコンデンサ１４についての基準電気的特性値（基準容量値）を読み出すと共に、算出した電気的特性値Ｄｍをこの基準電気的特性値と比較して、取得した電気的特性値Ｄｍが基準電気的特性値の範囲内に含まれているときには、コンデンサ１３が正常であることから、検査を実施しているコンデンサ１４についても正常であると判別し、基準電気的特性値の範囲内に含まれていないときには、コンデンサ１３が正常であることから、コンデンサ１４に異常が生じていると判別して、判別結果をコンデンサ１４の識別情報と共にメモリに記憶する。

また、コンデンサ１７については、導体パターン３７に規定された接触ポイント３、および導体パターン３２に規定された接触ポイント３、つまりコンデンサ１６の各電極１６ａ，１６ｂに接続される２つの接触ポイント３が、プローブ４を接触させる２つの接触ポイント３として規定されている。このため、処理部６は、メモリに記憶されている検査対象部品としてのコンデンサ１７に対する２つの接触ポイント３についての位置情報を読み出して、２つのプローブ４をこの２つの接触ポイント３に接触させる。

次いで、処理部６は、メモリから読み出したこのコンデンサ１７についての仕様情報に基づいて測定部５に対する制御処理を実行することにより、測定部５に対して周波数ｆ２（または周波数ｆ１）の交流電圧に直流電圧を重畳させた測定信号Ｖｓを選択させて２つの接触ポイント３間に出力させる。また、処理部６は、この状態において測定部５によって測定される電気的特性値Ｄｍを取得（入力）する。

この場合、増幅器２３の出力段は図３に示す構成となっているため、直流電圧を含む測定信号Ｖｓが導体パターン３７を介して増幅器２３の電源端子２３ａと、導体パターン３２に接続された接地端子２３ｂとの間に供給されることにより、増幅器２３の出力段を構成する２つのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のうちの少なくともトランジスタＴｒ１側は作動状態に移行する（等価的に抵抗体として機能する状態に移行する）。このため、測定信号Ｖｓに含まれている交流電圧は、トランジスタＴｒ１の抵抗値に応じて減衰しつつ作動状態の出力段を通過し、その出力端子２３ｃからコンデンサ１７に印加される。

この際に、電流信号Ｉｓのうちのこの交流電圧に起因する電流信号は、導体パターン３７に接続されているコンデンサ１６を経由して導体パターン３２に流れると共に、増幅器２３の出力段およびコンデンサ１７を経由して導体パターン３２に流れる。これにより、この周波数ｆ２の交流電圧に対しては、導体パターン３７に接続されているコンデンサ１６と、等価的に抵抗体となる増幅器２３の出力段およびコンデンサ１７の直列回路とが、並列接続された状態となる。したがって、処理部６が測定部５から取得した電気的特性値Ｄｍは、コンデンサ１６とこの直列回路とで構成される並列回路についての合成電気的特性値（合成インピーダンス）、すなわち、コンデンサ１７の状態（正常か異常か）によって変化する電気的特性値Ｄｍとなる。

このため、処理部６は、この電気的特性値Ｄｍで示される上記並列回路の合成電気的特性値と、既に測定したこの並列回路の合成電気的特性値（各コンデンサ１６，１７が正常なときの電気的特性値）とに基づいて、コンデンサ１７の検査を実行する。具体的には、処理部６は、メモリからコンデンサ１７についての基準電気的特性値（基準容量値）を読み出すと共に、算出した電気的特性値Ｄｍをこの基準電気的特性値と比較して、取得した電気的特性値Ｄｍが基準電気的特性値の範囲内に含まれているときには、コンデンサ１６が正常であることから、検査を実施しているコンデンサ１７についても正常であると判別し、基準電気的特性値の範囲内に含まれていないときには、コンデンサ１６が正常であることから、コンデンサ１７に異常が生じていると判別して、判別結果をコンデンサ１７の識別情報と共にメモリに記憶する。

一方、コンデンサ１９（第１部品）については、後述するように他のコンデンサ（本例ではコンデンサ１８（第２部品））との合成電気的特性値を使用するが、ゲート素子２５における出力段の電界効果型トランジスタＦＥＴ１は極めて小さいオン抵抗の状態で、両コンデンサ１８，１９を接続する。このため、上記したコンデンサ１４，１７とは異なり、コンデンサ１８，１９同士は直接接続された状態に近い状態で並列接続される。これにより、このコンデンサ１９については、算出した合成電気的特性値（合成静電容量）からコンデンサ１８の静電容量値を減算して、電気的特性値（静電容量）を算出し、この算出した電気的特性値（静電容量）に基づいて検査処理が行われる。

コンデンサ１９については、導体パターン３９に規定された接触ポイント３、および導体パターン３２に規定された接触ポイント３がプローブ４を接触させる２つの接触ポイント３として規定されている。このため、処理部６は、メモリに記憶されている検査対象部品としてのコンデンサ１９に対する２つの接触ポイント３についての位置情報を読み出して、２つのプローブ４をこの２つの接触ポイント３に接触させる。

次いで、処理部６は、メモリから読み出したこのコンデンサ１９についての仕様情報に基づいて測定部５に対する制御処理を実行することにより、測定部５に対して周波数ｆ２（または周波数ｆ１）の交流電圧に直流電圧を重畳させた測定信号（第１測定信号）Ｖｓを選択させて２つの接触ポイント３間に出力させる。また、処理部６は、この状態において測定部５によって測定される電気的特性値Ｄｍを取得（入力）する。

この場合、ゲート素子２５の出力段は図４に示す構成となっているため、直流電圧を含む測定信号Ｖｓが導体パターン３９を介してゲート素子２５の電源端子２５ａと、導体パターン３２に接続された接地端子２５ｂとの間に供給されることにより、ゲート素子２５の出力段を構成する２つの電界効果型トランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２のうちの電界効果型トランジスタＦＥＴ１が作動状態に移行する。また、この状態での電界効果型トランジスタＦＥＴ１のオン抵抗は数Ω程度と極めて小さい値となる。

このため、測定信号Ｖｓに含まれている交流電圧は、殆ど減衰することなく作動状態の電界効果型トランジスタＦＥＴ１を通過し、出力端子２５ｃからコンデンサ１９に印加される。この際に、電流信号Ｉｓのうちのこの交流電圧に起因する電流信号は、導体パターン３９に接続されているコンデンサ１８を経由して導体パターン３２に流れると共に、ゲート素子２５の出力段およびコンデンサ１９を経由して導体パターン３２に流れる。これにより、コンデンサ１８およびコンデンサ１９は、実質的に、直接接続された状態に極めて近い状態で並列接続される。したがって、処理部６が測定部５から取得した電気的特性値Ｄｍ（第１電気的特性値Ｄｍ１）は、両コンデンサ１８，１９の並列合成容量（合成電気的特性値）となる。

次いで、処理部６は、この第１電気的特性値Ｄｍ１で示される両コンデンサ１８，１９の並列合成容量と、既に測定したコンデンサ１８の静電容量（この場合の静電容量は、正常時の静電容量であってもよいし、異常時（取付けなしの状態時を含む異常時）の静電容量であってもよい。第２電気的特性値Ｄｍ２）とに基づいて、コンデンサ１９の電気的特性値Ｄｍを算出する。具体的には、並列合成容量の容量値からコンデンサ１８の静電容量を減算して、コンデンサ１９の電気的特性値Ｄｍ（＝Ｄｍ１−Ｄｍ２）を算出する。

続いて、処理部６は、メモリからコンデンサ１９についての基準電気的特性値（基準容量値）を読み出すと共に、算出した電気的特性値Ｄｍをこの基準電気的特性値と比較して、取得した電気的特性値Ｄｍが基準電気的特性値の範囲内に含まれているときには、検査を実施しているコンデンサ１９は正常であると判別し、基準電気的特性値の範囲内に含まれていないときには、コンデンサ１９に異常が生じていると判別して、判別結果をコンデンサ１９の識別情報と共にメモリに記憶する。これにより、検査対象部品として回路基板２に実装されているコンデンサ１１〜１９に対する検査が完了する。

なお、コンデンサ１９についての電気的特性値Ｄｍの算出に際して、ゲート素子２５の電源端子２５ａおよびこの電源端子２５ａに接続されている導体パターン３９のいずれにもコンデンサが接続されていないときには、処理部６は、測定部５によって測定された電気的特性値Ｄｍをコンデンサ１９の静電容量値を示す電気的特性値として、コンデンサ１９に対する検査を実施する。

最後に、処理部６は、出力処理を実行して、メモリに記憶している検査対象部品であるコンデンサ１１〜１９についての検査結果を表示装置で構成されている出力部７に表示させる。

このように、この検査装置１およびこの検査方法では、三端子レギュレータ２１の出力端子２１ｂと導体パターン３２との間に接続されて、両電極１４ａ，１４ｂにプローブ４を同時に直接接触させてその電気的特性値Ｄｍを測定できないコンデンサ１４については、作動用直流電圧に交流電圧（周波数ｆ１）を重畳させた測定信号Ｖｓを三端子レギュレータ２１の入力端子２１ａと導体パターン３２との２点間に供給して、この２点間の電気的特性値Ｄｍを測定する。この場合、測定信号Ｖｓの交流電圧に起因する電流信号は、三端子レギュレータ２１を経由してコンデンサ１４に流れるため、測定される電気的特性値Ｄｍは、コンデンサ１４の状態（正常か異常か）によって変化する電気的特性値Ｄｍとして測定される。したがって、この検査装置１およびこの検査方法によれば、この測定された電気的特性値Ｄｍに基づいて、このコンデンサ１４を検査することができる。また、回路基板２に実装されている検査対象部品（検査すべき電子部品）に占める実際に検査し得る検査対象部品の割合を十分に高めることができる。

また、三端子レギュレータ２１の入力端子２１ａに他のコンデンサ１３が接続されているときには、電気的特性値Ｄｍは、両コンデンサ１３，１４の合成電気的特性値として測定されるが、この場合であっても、コンデンサ１３が正常であるときには、コンデンサ１４の状態（正常か異常か）の如何によって、電気的特性値Ｄｍが変化するため、この電気的特性値Ｄｍに基づいてコンデンサ１４を検査することができる。

また、この検査装置１およびこの検査方法では、増幅器２３の出力端子２３ｃと導体パターン３２との間に接続されて、両電極１７ａ，１７ｂにプローブ４を同時に直接接触させてその電気的特性値Ｄｍを測定できないコンデンサ１７については、作動用直流電圧に交流電圧（周波数ｆ２（またはｆ１））を重畳させた測定信号Ｖｓを増幅器２３の電源端子２３ａと導体パターン３２との２点間に供給して、この２点間の電気的特性値Ｄｍを測定する。この場合、測定信号Ｖｓの交流電圧に起因する電流信号は、増幅器２３を経由してコンデンサ１７に流れるため、測定される電気的特性値Ｄｍは、コンデンサ１７の状態（正常か異常か）によって変化する電気的特性値Ｄｍとして測定される。したがって、この検査装置１およびこの検査方法によれば、この測定された電気的特性値Ｄｍに基づいて、このコンデンサ１７を検査することができる。また、回路基板２に実装されている検査対象部品（検査すべき電子部品）に占める実際に検査し得る検査対象部品の割合をさらに高めることができる。

また、増幅器２３の電源端子２３ａに他のコンデンサ１６が接続されているときには、電気的特性値Ｄｍは、両コンデンサ１６，１７の合成電気的特性値として測定されるが、この場合であっても、コンデンサ１６が正常であるときには、コンデンサ１７の状態（正常か異常か）の如何によって、電気的特性値Ｄｍが変化するため、この電気的特性値Ｄｍに基づいてコンデンサ１７を検査することができる。

また、この検査装置１およびこの検査方法では、ゲート素子２５の出力端子２５ｃと導体パターン３２との間に接続されて、両電極１９ａ，１９ｂにプローブ４を同時に直接接触させてその電気的特性値Ｄｍを測定できないコンデンサ１９については、作動用直流電圧に交流電圧（周波数ｆ２（またはｆ１））を重畳させた測定信号Ｖｓをゲート素子２５の電源端子２５ａと導体パターン３２との２点間に供給して、この２点間の電気的特性値Ｄｍを測定する。この場合、測定信号Ｖｓの交流電圧に起因する電流信号は、ゲート素子２５を経由してコンデンサ１９に流れるため、測定される電気的特性値Ｄｍは、コンデンサ１９の状態（正常か異常か）によって変化する電気的特性値Ｄｍとして測定される。したがって、この検査装置１およびこの検査方法によれば、この測定された電気的特性値Ｄｍに基づいて、このコンデンサ１９を検査することができる。また、回路基板２に実装されている検査対象部品（検査すべき電子部品）に占める実際に検査し得る検査対象部品の割合を一層高めることができる。

また、ゲート素子２５の電源端子２５ａに他のコンデンサ１８が接続されているときには、電気的特性値Ｄｍは、両コンデンサ１６，１７の合成電気的特性値（コンデンサ１６，１７の並列回路の合成電気的特性値）として測定される。このため、この合成電気的特性値からコンデンサ１６の電気的特性値（静電容量値）を減算することにより、コンデンサ１７の電気的特性値が算出される。したがって、この場合であっても、算出されたコンデンサ１７の電気的特性値に基づいて、コンデンサ１７を検査することができる。

なお、上記の検査装置１および上記の検査方法では、ゲート素子２５の出力端子２５ｃに接続されているコンデンサ１９に対する検査処理において、コンデンサ１９自体の電気的特性値を算出して検査する構成を採用しているが、上記した他のコンデンサ１４、１７に対する検査処理と同様にして、ゲート素子２５の電源端子２５ａに接続されている他のコンデンサ１８が正常なときにのみ、各コンデンサ１８，１９の合成電気的特性値に基づいて検査する構成を採用することもできる。

また、上記の検査装置１および上記の検査方法では、検査対象部品としてコンデンサを例に挙げて説明したが、コンデンサに限定されるものではなく、回路基板２に実装されている抵抗やインダクタに対しても適用できるのは勿論である。また、この場合における電気的特性値は、抵抗のときには抵抗値となり、インダクタのときにはインダクタンスとなる。また、ゲート素子２５としてインバータを例に挙げて説明したが、ゲート素子２５には、ＮＡＮＤゲートやＮＯＲゲートなどインバータ以外のゲート素子が含まれるものとする。

１ 検査装置
２ 回路基板
５ 測定部
６ 処理部
１１〜１９ コンデンサ
２１，２２ 三端子レギュレータ
２３ 増幅器
２５ ゲート素子
Ｄｍ 電気的特性値
Ｄｍ１ 第１電気的特性値
Ｄｍ２ 第２電気的特性値

Claims (8)

1. 電子部品が実装された回路基板における任意の２点間の電気的特性値を測定する測定部と、
   前記測定された電気的特性値に基づいて前記２点間に実装された前記電子部品を検査対象部品として検査する処理部とを備えている回路基板実装部品の検査装置であって、
   一方の電極が前記回路基板に実装されたシリーズレギュレータの出力端子に接続され、かつ他方の電極が前記回路基板に形成された導体パターンに接続された前記検査対象部品の検査に際し、
   前記測定部は、前記シリーズレギュレータの作動用直流電圧に当該シリーズレギュレータのリップル除去率が基準値以下となる周波数の交流電圧を重畳させた測定信号を当該シリーズレギュレータの入力端子と前記他方の電極に接続されている前記導体パターンとの２点間に供給した状態において、当該２点間の前記電気的特性値を測定し、
   前記処理部は、前記測定された電気的特性値に基づいて前記検査対象部品を検査する回路基板実装部品の検査装置。
2. 電子部品が実装された回路基板における任意の２点間の電気的特性値を測定する測定部と、
   前記測定された電気的特性値に基づいて前記２点間に実装された前記電子部品を検査対象部品として検査する処理部とを備えている回路基板実装部品の検査装置であって、
   一方の電極が前記回路基板に実装された増幅器の出力端子に接続され、かつ他方の電極が前記回路基板に形成された導体パターンに接続された前記検査対象部品の検査に際し、
   前記測定部は、前記増幅器の作動用直流電圧に予め規定された周波数の交流電圧を重畳させた測定信号を当該増幅器の電源端子と前記他方の電極に接続されている前記導体パターンとの２点間に供給して作動状態を維持した状態において、当該２点間の前記電気的特性値を測定し、
   前記処理部は、前記測定された電気的特性値に基づいて前記検査対象部品を検査する回路基板実装部品の検査装置。
3. 電子部品が実装された回路基板における任意の２点間の電気的特性値を測定する測定部と、
   前記測定された電気的特性値に基づいて前記２点間に実装された前記電子部品を検査対象部品として検査する処理部とを備えている回路基板実装部品の検査装置であって、
   一方の電極が前記回路基板に実装されたゲート素子の出力端子に接続され、かつ他方の電極が前記回路基板に形成された導体パターンに接続された前記検査対象部品としての第１部品の検査に際し、
   前記測定部は、前記ゲート素子の作動用直流電圧に予め規定された周波数の交流電圧を重畳させた第１測定信号を当該ゲート素子の電源端子と前記他方の電極に接続されている前記導体パターンとの２点間に供給して作動状態を維持した状態において、当該２点間の前記電気的特性値を第１電気的特性値として測定し、
   前記処理部は、前記測定された第１電気的特性値に基づいて前記第１部品の電気的特性値を算出し、当該算出した電気的特性値に基づいて当該第１部品を検査する回路基板実装部品の検査装置。
4. 前記回路基板には、前記第１部品と同種の他の前記電子部品であって、一方の電極が前記電源端子に接続されると共に他方の電極が前記導体パターンに接続された第２部品が実装され、
   前記処理部は、前記電源端子と前記第１部品および前記第２部品の前記各他方の電極に接続されている前記導体パターンとの２点間に前記第１測定信号を供給した状態において前記測定部によって測定される前記第１電気的特性値としての前記第１部品および前記第２部品の合成電気的特性値と、前記ゲート素子を非作動状態に移行させ、かつ前記２点間に交流電圧で構成される第２測定信号を供給した状態において前記測定部によって測定される第２電気的特性値としての前記第２部品の電気的特性値とに基づいて、当該第１部品の前記電気的特性値を算出し、当該算出した電気的特性値に基づいて当該第１部品を検査する請求項３記載の回路基板実装部品の検査装置。
5. 回路基板における任意の２点間の電気的特性値を測定すると共に当該測定された電気的特性値に基づいて当該２点間に実装された電子部品を検査対象部品として検査する回路基板実装部品の検査方法であって、
   一方の電極が前記回路基板に実装されたシリーズレギュレータの出力端子に接続され、かつ他方の電極が前記回路基板に形成された導体パターンに接続された前記検査対象部品の検査に際し、
   前記シリーズレギュレータの作動用直流電圧に当該シリーズレギュレータのリップル除去率が基準値以下となる周波数の交流電圧を重畳させた測定信号を当該シリーズレギュレータの入力端子と前記他方の電極に接続されている前記導体パターンとの２点間に供給した状態において、当該２点間の前記電気的特性値を測定し、
   前記測定された電気的特性値に基づいて前記検査対象部品を検査する回路基板実装部品の検査方法。
6. 回路基板における任意の２点間の電気的特性値を測定すると共に当該測定された電気的特性値に基づいて当該２点間に実装された電子部品を検査対象部品として検査する回路基板実装部品の検査方法であって、
   一方の電極が前記回路基板に実装された増幅器の出力端子に接続され、かつ他方の電極が前記回路基板に形成された導体パターンに接続された前記検査対象部品の検査に際し、
   前記増幅器の作動用直流電圧に予め規定された周波数の交流電圧を重畳させた測定信号を当該増幅器の電源端子と前記他方の電極に接続されている前記導体パターンとの２点間に供給して作動状態を維持した状態において、当該２点間の前記電気的特性値を測定し、
   前記測定された電気的特性値に基づいて前記検査対象部品を検査する回路基板実装部品の検査方法。
7. 回路基板における任意の２点間の電気的特性値を測定すると共に当該測定された電気的特性値に基づいて当該２点間に実装された電子部品を検査対象部品として検査する回路基板実装部品の検査方法であって、
   一方の電極が前記回路基板に実装されたゲート素子の出力端子に接続され、かつ他方の電極が前記回路基板に形成された導体パターンに接続された前記検査対象部品としての第１部品の検査に際し、
   前記ゲート素子の作動用直流電圧に予め規定された周波数の交流電圧を重畳させた第１測定信号を当該ゲート素子の電源端子と前記他方の電極に接続されている前記導体パターンとの２点間に供給して作動状態を維持した状態において、当該２点間の前記電気的特性値を第１電気的特性値として測定し、
   前記測定された第１電気的特性値に基づいて前記第１部品の電気的特性値を算出し、当該算出した電気的特性値に基づいて当該第１部品を検査する回路基板実装部品の検査方法。
8. 前記回路基板には、前記第１部品と同種の他の前記電子部品であって、一方の電極が前記電源端子に接続されると共に他方の電極が前記導体パターンに接続された第２部品が実装され、
   前記電源端子と前記第１部品および前記第２部品の前記各他方の電極に接続されている前記導体パターンとの２点間に前記第１測定信号を供給した状態において測定される前記第１電気的特性値としての前記第１部品および前記第２部品の合成電気的特性値と、前記ゲート素子を非作動状態に移行させ、かつ前記２点間に交流電圧で構成される第２測定信号を供給した状態において測定される第２電気的特性値としての前記第２部品の電気的特性値とに基づいて、当該第１部品の前記電気的特性値を算出し、
   前記算出した電気的特性値に基づいて当該第１部品を検査する請求項７記載の回路基板実装部品の検査方法。

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