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JP6325852B2 - Output circuit - Google Patents
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JP6325852B2 - Output circuit - Google Patents

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Description

本発明は、バイアス回路を利用した出力回路に関する。
The present invention relates to an output circuit using a bias circuit.

トランスリニアフルスイング出力回路として、図2に示す出力回路10が知られている。この出力回路10は、電流がI1の電流源1,2、電流がI3(=2×I1)の電流源3,4、ダイオード接続(ベースとコレクタを共通接続)のPNPトランジスタQ1,Q2、ダイオード接続のNPNトランジスタQ3,Q4、PNPの出力トランジスタQ5、NPNの出力トランジスタQ6、電流源3,4によって電流I1が流れるバイアス用のPNPトランジスタQ7、同様に電流源3,4によって電流I1が流れるバイアス用のNPNトランジスタQ8からなる。5,6は同相信号が入力する入力端子、7は負荷に接続される出力端子である。トランスリニア回路として特許文献1に記載がある。   An output circuit 10 shown in FIG. 2 is known as a translinear full swing output circuit. This output circuit 10 includes current sources 1 and 2 with current I1, current sources 3 and 4 with current I3 (= 2 × I1), PNP transistors Q1 and Q2 with diode connection (base and collector are connected in common), diodes Connected NPN transistors Q3, Q4, PNP output transistor Q5, NPN output transistor Q6, bias PNP transistor Q7 through which current I1 flows through current sources 3 and 4, and similarly bias through which current I1 flows through current sources 3 and 4. And an NPN transistor Q8. Reference numerals 5 and 6 are input terminals for receiving an in-phase signal, and 7 is an output terminal connected to a load. Patent Document 1 describes a translinear circuit.

図2の出力回路では、トランジスタQ1,Q2,Q5,Q7でトランスリニア回路が構成され、I1×I1=Io5×I1が成立すれば、トランジスタQ5のコレクタに流れるアイドリング電流Io5は、
Io5=(I1×I1)/I1
=I1 (1)
となる。
In the output circuit of FIG. 2, a translinear circuit is configured by the transistors Q1, Q2, Q5, and Q7, and if I1 × I1 = Io5 × I1 is established, the idling current Io5 flowing through the collector of the transistor Q5 is
Io5 = (I1 × I1) / I1
= I1 (1)
It becomes.

また、トランジスタQ3,Q4,Q6,Q8でトランスリニア回路が構成され、I1×I1=Io6×I1が成立すれば、トランジスタQ6のコレクタに流れるアイドリング電流Io6も、
Io6=(I1×I1)/I1
=I1 (2)
となる。
Further, if a translinear circuit is configured by the transistors Q3, Q4, Q6, and Q8, and I1 × I1 = Io6 × I1 is established, the idling current Io6 flowing through the collector of the transistor Q6 is also
Io6 = (I1 × I1) / I1
= I1 (2)
It becomes.

ところで、ダイオード接続のトランジスタQ1,Q2,Q3,Q4は、そのベース・エミッタ間電圧Vbeがそのままコレクタ・エミッタ間電圧Vceであり、これが擬似飽和領域で使用されるとき、図3に示すように、動作点がP1となって、そのコレクタ電流がI1となる。   By the way, the diode-connected transistors Q1, Q2, Q3, and Q4 have the base-emitter voltage Vbe as it is as the collector-emitter voltage Vce, and when this is used in the pseudo-saturation region, as shown in FIG. The operating point is P1, and the collector current is I1.

一方、トランジスタQ5,Q6のコレクタ・エミッタ間電圧VceはVcc/2となるので、その動作点はP3となり、そのアイドリング電流Io5,Io6はI2となる。トランジスタQ7,Q8についてはそのコレクタ・エミッタ間電圧がVcc−2Vbeとなって、Vcc/2より大きくなるので、そのコレクタ電流はI2より若干大きくなるが、I2とみなすことができる。   On the other hand, since the collector-emitter voltage Vce of the transistors Q5 and Q6 is Vcc / 2, its operating point is P3, and its idling currents Io5 and Io6 are I2. The transistors Q7 and Q8 have a collector-emitter voltage of Vcc-2Vbe, which is larger than Vcc / 2, and therefore the collector current is slightly larger than I2, but can be regarded as I2.

したがって、トランジスタQ5,Q6のコレクタに流れるアイドリング電流I2は、前記した式(1)、(2)の電流I1とは異なってくる。つまり、図2の出力回路10はトランジスタQ1〜Q4が擬似飽和領域で使用されるとき、トランジスタQ1〜Q4のベース・エミッタ間電圧とトランジスタQ5〜Q8のベース・エミッタ間電圧が異なって、トランジスタQ1,Q2,Q5,Q7、トランジスタQ3,Q4,Q6,Q8は、それぞれトランスリニアループを構成しない。   Therefore, the idling current I2 flowing through the collectors of the transistors Q5 and Q6 is different from the current I1 in the above equations (1) and (2). That is, in the output circuit 10 of FIG. 2, when the transistors Q1 to Q4 are used in the pseudo saturation region, the base-emitter voltage of the transistors Q1 to Q4 and the base-emitter voltage of the transistors Q5 to Q8 are different. , Q2, Q5, Q7 and transistors Q3, Q4, Q6, Q8 do not constitute a translinear loop, respectively.

このとき、トランジスタQ5,Q6のコレクタに流れる電流I2(=Io5,Io6)は、図3から明らかなように、電流I1に対して、(I2/I1)倍に増大した電流であり、大きなアイドリング電流となり、消費電力増大を招く。   At this time, the current I2 (= Io5, Io6) flowing through the collectors of the transistors Q5 and Q6 is increased by (I2 / I1) times as large as the current I1, as is apparent from FIG. It becomes an electric current and causes an increase in power consumption.

そこで、図4に示すように、トランジスタQ5〜Q8に対して、トランジスタQ9〜Q12をそれぞれカスコード接続して、トランジスタQ5〜Q8のコレクタ・エミッタ間電圧VceがトランジスタQ1〜Q4のエミッタ・コレクタ電圧Vce(=Vbe)と同じなるように、それらのトランジスタQ9〜Q12のバイアスを設定して、出力トランジスタQ5〜Q8のコレクタに流れる電流をI1に修正する対策が採用されている。   Therefore, as shown in FIG. 4, the transistors Q9 to Q12 are cascode-connected to the transistors Q5 to Q8, respectively, so that the collector-emitter voltage Vce of the transistors Q5 to Q8 is the emitter-collector voltage Vce of the transistors Q1 to Q4. A measure is taken to correct the current flowing through the collectors of the output transistors Q5 to Q8 to I1 by setting the bias of the transistors Q9 to Q12 so as to be the same as (= Vbe).

特開2011−9906号公報JP 2011-9906 A

しかしながら、トランジスタQ5,Q6にトランジスタQ9,Q10をカスコード接続すると、出力端子7に出力する出力電圧の振幅が、トランジスタQ9,Q10のコレクタ・エミッタ間電圧の分だけ狭められ、GNDからVccまでフルスイングできないという問題があった。また、このカスコード接続するトランジスタは、大電流を出力する出力回路10ではエミッタ面積を大きくする必要があって、チップ面積増大につながり、コストアップ上昇を招く問題もあった。   However, when the transistors Q9 and Q10 are cascode-connected to the transistors Q5 and Q6, the amplitude of the output voltage output to the output terminal 7 is narrowed by the collector-emitter voltage of the transistors Q9 and Q10, and the full swing from GND to Vcc. There was a problem that I could not. Further, this cascode-connected transistor requires a large emitter area in the output circuit 10 that outputs a large current, leading to an increase in chip area and an increase in cost.

本発明の目的は、出力トランジスタのアイドリング電流を低減させる出力回路を提供することである。
An object of the present invention is to provide an output circuit that reduces an idling current of an output transistor .

上記目的を達成するために、請求項1にかかる発明の出力回路は 電流I1がコレクタ に流れるダイオード接続の第1及び第2のトランジスタが直列接続された第1の回路、電 流I1がコレクタに流れる第7のトランジスタと、ベース・エミッタが該第7のトランジ スタのベース・エミッタに直列接続されコレクタが出力端子に接続されコレクタ・エミッ タ間に電源電圧の1/2の電圧が印加されアイドリング電流Io5がコレクタに流れる第 5のトランジスタで構成された第2の回路を有し、前記第1回路と前記第2の回路により 第1のトランスリニアループが構成されるようにした出力回路において、電流I1がコレ クタに流れる第27のトランジスタと、ベース・エミッタが前記第27のトランジスタの ベース・エミッタに直列接続され電流I1がコレクタに流れる第28のトランジスタで構 成された第3の回路、電流I2がコレクタに流れる第29のトランジスタと、ベース・エ ミッタが前記第29のトランジスタのベース・エミッタと直列接続され電流Ixがコレク タに流れる第32のトランジスタで構成された第4の回路、コレクタ・エミッタ間に電源 電圧の1/2の電圧が印加され前記第29のコレクタに電流I2を流す第25のトランジ スタを有し、前記第3の回路と前記第4の回路により第2のトランスリニアループが構成 されるようにしたバイアス回路を備え、前記第1および第2のトランジスタのコレクタに 流す前記電流I1及び前記第7のトランジスタのコレクタに流す前記電流I1として、前 記バイアス回路で生成された前記電流Ixをそれぞれ流すことを特徴とする。
To achieve the above object, the output circuit of the invention according to claim 1, the first circuit the first and second diode-connected transistor in which a current I1 flows through the collector connected in series, current I1 is the collector the seventh transistor and the base-emitter voltage of 1/2 of the power supply voltage between serially connected is connected to the collector output terminal collector-emitter capacitor to the base and emitter of the transistors of said 7 is applied idling flowing In an output circuit having a second circuit composed of a fifth transistor in which the current Io5 flows to the collector , wherein a first translinear loop is composed of the first circuit and the second circuit. a 27th transistor of the current I1 flows through the collector, connected in series with the base-emitter of the base-emitter of the 27th transistor Third circuit flow I1 is made up of the 28th transistor flowing through the collector, and the 29th transistor flows current I2 to the collector, base-emitter is connected the base-emitter in series with a transistor of the first 29 fourth circuit, 25th transient 1/2 of the voltage of the power supply voltage between the collector and emitter to flow a current I2 to the applied claim 29 collector of the current Ix is constituted by a thirty-second transistor flowing through the collector The current I1 that flows through the collectors of the first and second transistors, and includes a bias circuit that includes the third circuit and the fourth circuit to form a second translinear loop. and as the current I1 flowing to the collector of the seventh transistor, to flow generated in the previous SL bias circuit the said current Ix respectively And features.

本発明のバイアス回路によれば、(I1/I2)に比例するバイアス電流を生成することができる。このため、アイドリング電流が電流I1よりも(I2/I1)だけ大きくなる従来の出力回路の出力トランジスタに対して、(I1/I2)の成分を乗算することで(I2/I1)の成分をキャンセルして、出力回路の出力トランジスタのアイドリング電流をI1に低減することができる。このとき、出力トランジスタにカスコード接続のトランジスタを接続する必要がないので、出力電圧をフルスイングさせることができると共に、チップサイズを小さくすることができ、コスト安を実現できる。また、出力回路の出力トランジスタとダイオード接続トランジスタが温度によって特性に差が生じる場合であっても、アイドリング電流に影響を与えないようにすることができる。   According to the bias circuit of the present invention, a bias current proportional to (I1 / I2) can be generated. Therefore, the component (I2 / I1) is canceled by multiplying the output transistor of the conventional output circuit in which the idling current is larger than the current I1 by (I2 / I1) by the component (I1 / I2). Thus, the idling current of the output transistor of the output circuit can be reduced to I1. At this time, since there is no need to connect a cascode-connected transistor to the output transistor, the output voltage can be fully swung, the chip size can be reduced, and the cost can be reduced. Further, even when there is a difference in characteristics between the output transistor and the diode-connected transistor of the output circuit depending on the temperature, it is possible to prevent the idling current from being affected.

本発明の1つの実施例のバイアス回路の回路図である。It is a circuit diagram of the bias circuit of one Example of this invention. 従来の出力回路の回路図である。It is a circuit diagram of the conventional output circuit. 図2の出力回路の動作特性図である。FIG. 3 is an operational characteristic diagram of the output circuit of FIG. 2. 別の従来の出力回路の回路図である。It is a circuit diagram of another conventional output circuit.

前述したように、図2の出力回路10においては、出力トランジスタQ5,Q6のアイドリング電流Io5,Io6が所望の電流I1とはならず、I2(=I1×(I2/I1))に増大していた。そこで、本発明のバイアス回路20では、その増大分(I2/I1)をキャンセルできるバイアス電流Ix((I1/I2)に比例する電流)を生成するバイアス回路20を構成し、このバイアス回路20で生成されたバイアス電流Ixをカレントミラー回路(図示せず)を利用して、図2の出力回路10の電流源1,2に供給する。電流源3,4に対してはカレントミラー回路のミラー比を2倍にして、電流源1,2の2倍の電流を供給する。   As described above, in the output circuit 10 of FIG. 2, the idling currents Io5 and Io6 of the output transistors Q5 and Q6 do not become the desired current I1, but increase to I2 (= I1 × (I2 / I1)). It was. Therefore, in the bias circuit 20 of the present invention, the bias circuit 20 that generates the bias current Ix (current proportional to (I1 / I2)) that can cancel the increase (I2 / I1) is configured. The generated bias current Ix is supplied to the current sources 1 and 2 of the output circuit 10 of FIG. 2 using a current mirror circuit (not shown). For the current sources 3 and 4, the mirror ratio of the current mirror circuit is doubled and a current twice that of the current sources 1 and 2 is supplied.

図1に1つの実施例のバイアス回路20を示す。これはトランジスタQ5〜Q8の動作点を図3のP2に移すためのものである。21,22は電流I1を流す電流源、23はVcc/2の電圧の電圧源、Q21〜Q32はNPN型のトランジスタである。トランジスタQ21とQ22、トランジスタQ23とQ24とQ25、トランジスタQ26とQ27とQ29とQ30、トランジスタQ31とQ32は、それぞれミラー比が1のカレントミラー回路を構成する。つまり、トランジスタQ21〜Q32の全ては同じエミッタ面積である。   FIG. 1 shows a bias circuit 20 of one embodiment. This is to move the operating points of the transistors Q5 to Q8 to P2 in FIG. Reference numerals 21 and 22 denote current sources for passing the current I1, 23 denotes a voltage source having a voltage of Vcc / 2, and Q21 to Q32 denote NPN transistors. Transistors Q21 and Q22, transistors Q23 and Q24 and Q25, transistors Q26 and Q27 and Q29 and Q30, and transistors Q31 and Q32 constitute a current mirror circuit with a mirror ratio of 1, respectively. That is, all of the transistors Q21 to Q32 have the same emitter area.

トランジスタQ24のコレクタ・エミッタ間電圧Vceは、トランジスタQ23のベース・エミッタ間電圧VbeとトランジスタQ21のベース・エミッタ間電圧Vbeの加算値からトランジスタQ22のベース・エミッタ間電圧Vbeを減算した値であるので、Vbeとなる。   The collector-emitter voltage Vce of the transistor Q24 is a value obtained by subtracting the base-emitter voltage Vbe of the transistor Q22 from the sum of the base-emitter voltage Vbe of the transistor Q23 and the base-emitter voltage Vbe of the transistor Q21. , Vbe.

また、トランジスタQ25のコレクタ・エミッタ間電圧Vceは、電圧源23の電圧Vcc/2にトランジスタQ32のベース・エミッタ間電圧Vbeを加算し、トランジスタQ31のベース・エミッタ間電圧Vbeを減算した値であるので、Vcc/2となる。The collector-emitter voltage Vce of the transistor Q25 is a voltage Vcc / 2 of the voltage source 23 by adding the base-emitter voltage Vbe of the transistor Q 32, a value obtained by subtracting the base-emitter voltage Vbe of the transistor Q31 Since there is, it becomes Vcc / 2.

よって、トランジスタQ24は図3の動作点P1で動作し、そのコレクタ電流はI1となる。また、トランジスタQ25は図3の動作点P3で動作しそのコレクタ電流はI2となる。   Therefore, the transistor Q24 operates at the operating point P1 in FIG. 3, and its collector current is I1. Transistor Q25 operates at operating point P3 in FIG. 3, and its collector current is I2.

一方、トランジスタQ27,Q28,Q32,Q29は特性が等しくサイズも同一であり、これらはトランスリニア回路を構成する。よって、コレクタ電流について、
Ic(Q27)×Ic(Q28)=Ic(Q29)×Ic(Q32) (3)
が成立するので、トランジスタQ32のコレクタ電流Ic(Q32)は、
Ic(Q32)=[Ic(Q27)×Ic(Q28)]/Ic(Q29) (4)
となる。
On the other hand, the transistors Q27, Q28, Q32, and Q29 have the same characteristics and the same size, and these constitute a translinear circuit. Therefore, about collector current,
Ic (Q27) × Ic (Q28) = Ic (Q29) × Ic (Q32) (3)
Therefore, the collector current Ic (Q32) of the transistor Q32 is
Ic (Q32) = [Ic (Q27) × Ic (Q28)] / Ic (Q29) (4)
It becomes.

そして、Ic(Q27)=I1、Ic(Q28)=I1、Ic(Q29)=I2であるので、
Ic(Q32)=I1×(I1/I2)
=Ix (5)
となる。
Since Ic (Q27) = I1, Ic (Q28) = I1, and Ic (Q29) = I2,
Ic (Q32) = I1 × (I1 / I2)
= Ix (5)
It becomes.

ここで、このバイアス電流Ixを、カレントミラー回路を利用して図2の電流源1〜2にそれぞれ供給すれば、図2のアイドリング電流Io5,Io6は、図2の回路動作で説明したトランジスタQ1〜Q4に流れる電流の(I2/I1)倍されたものとなる。   Here, if this bias current Ix is supplied to each of the current sources 1 and 2 in FIG. 2 using a current mirror circuit, the idling currents Io5 and Io6 in FIG. 2 are the transistors Q1 described in the circuit operation in FIG. ~ (I2 / I1) times the current flowing in Q4.

したがって、トランジスタQ5に流れるアイドリング電流Io5は、
Io5=[I1×(I1/I2)]×(I2/I1)
=I1 (6)
となり、所望の動作点P2の電流I1となる。トランジスタQ6を流れるアイドリング電流Io6についても同様である。
Therefore, the idling current Io5 flowing through the transistor Q5 is
Io5 = [I1 × (I1 / I2)] × (I2 / I1)
= I1 (6)
Thus, the current I1 at the desired operating point P2 is obtained. The same applies to the idling current Io6 flowing through the transistor Q6.

なお、図2の出力回路のトランジスタQ5,Q6のコレクタ・エミッタ間電圧Vceは、Vcc/2であるが、トランジスQ7,Q8のコレクタ・エミッタ間電圧Vceは、Vcc−2Vbeであり、そのトランジスタQ7,Q8を流れる電流の誤差は精度よく補償できない。   The collector-emitter voltage Vce of the transistors Q5 and Q6 of the output circuit of FIG. 2 is Vcc / 2, while the collector-emitter voltage Vce of the transistors Q7 and Q8 is Vcc-2Vbe, and the transistor Q7 , Q8 cannot accurately compensate for errors in the current flowing through Q8.

通常、この誤差は大きな問題とはならないが、この誤差を補償する場合は、トランジスタQ7,Q8のみに対して、図4で説明したようにトランジスタQ11,Q12でカスコード接続を行い、そのトランジスタQ7,Q8のコレクタ・エミッタ間電圧をトランジスタQ11,Q12のバイアスV1,V2を適宜設定することで、トランジスタQ7,Q8のコレクタ・エミッタ間電圧VceをVcc/2に設定すれよい。   Normally, this error is not a big problem, but when this error is compensated, only the transistors Q7 and Q8 are cascode-connected by the transistors Q11 and Q12 as described in FIG. The collector-emitter voltage Vce of the transistors Q7, Q8 may be set to Vcc / 2 by appropriately setting the biases V1, V2 of the transistors Q11, Q12 as the collector-emitter voltage of Q8.

この場合、出力トランジスタQ5,Q6にはカスコード接続のトランジスタは接続されていないので、出力電圧をGNDからVccまでの範囲でフルスイングすることが可能となり、しかも、その出力トランジスタQ5,Qのアイドリング電流Io5,Io6を精度よく所望の電流I1にすることができる。   In this case, since no cascode-connected transistors are connected to the output transistors Q5 and Q6, the output voltage can be fully swung in the range from GND to Vcc, and the idling current of the output transistors Q5 and Q can be obtained. Io5 and Io6 can be accurately set to the desired current I1.

以上のように、バイアス回路20は(I1/I2)に比例するバイアス電流Ixを生成する。このため、アイドリング電流が電流I1よりも(I2/I1)だけ大きくなる従来の出力回路10の出力トランジスタQ5,Q6に対して、(I1/I2)の成分を乗算することで(I2/I1)の成分をキャンセルして、その出力トランジスタQ5,Q6のアイドリング電流Io5,Io6をI1に低減することができる。このとき、出力トランジスタQ5,Q6にカスコード接続のトランジスタを接続する必要がないので、出力電圧をGNDからVccまでの範囲でフルスイングさせることができると共に、チップサイズを小さくすることができ、コスト安を実現できる。また、出力回路10の出力トランジスタQ5,Q6とダイオード接続トランジスタQ1〜Q4が温度によって特性に差が生じる場合であっても、出力トランジスタQ5,Q6のアイドリング電流Io5,Io6はバイアス回路20によって決まり、影響を受けることはない。   As described above, the bias circuit 20 generates the bias current Ix that is proportional to (I1 / I2). Therefore, by multiplying the output transistors Q5 and Q6 of the conventional output circuit 10 in which the idling current is larger than the current I1 by (I2 / I1), the component (I1 / I2) is multiplied (I2 / I1). The idling currents Io5 and Io6 of the output transistors Q5 and Q6 can be reduced to I1. At this time, since it is not necessary to connect a cascode-connected transistor to the output transistors Q5 and Q6, the output voltage can be fully swung in the range from GND to Vcc, the chip size can be reduced, and the cost can be reduced. Can be realized. Even when the output transistors Q5 and Q6 of the output circuit 10 and the diode-connected transistors Q1 to Q4 have a difference in characteristics depending on the temperature, the idling currents Io5 and Io6 of the output transistors Q5 and Q6 are determined by the bias circuit 20, It will not be affected.

10:出力回路、1〜4,21,22:電流源、5,6:入力端子、7:出力端子
20:バイアス回路、21、22:電流源
10: output circuit, 1-4, 21, 22: current source, 5, 6: input terminal, 7: output terminal 20: bias circuit, 21, 22: current source

Claims (1)

電流I1がコレクタに流れるダイオード接続の第1及び第2のトランジスタが直列接続 された第1の回路、
電流I1がコレクタに流れる第7のトランジスタと、ベース・エミッタが該第7のトラ ンジスタのベース・エミッタに直列接続されコレクタが出力端子に接続されコレクタ・エ ミッタ間に電源電圧の1/2の電圧が印加されアイドリング電流Io5がコレクタに流れ る第5のトランジスタで構成された第2の回路を有し、
前記第1回路と前記第2の回路により第1のトランスリニアループが構成されるように した出力回路において、
電流I1がコレクタに流れる第27のトランジスタと、ベース・エミッタが前記第27 のトランジスタのベース・エミッタに直列接続され電流I1がコレクタに流れる第28の トランジスタで構成された第3の回路、
電流I2がコレクタに流れる第29のトランジスタと、ベース・エミッタが前記第29 のトランジスタのベース・エミッタと直列接続され電流Ixがコレクタに流れる第32の トランジスタで構成された第4の回路、
コレクタ・エミッタ間に電源電圧の1/2の電圧が印加され前記第29のコレクタに電 流I2を流す第25のトランジスタを有し、
前記第3の回路と前記第4の回路により第2のトランスリニアループが構成されるよう にしたバイアス回路を備え、
前記第1および第2のトランジスタのコレクタに流す前記電流I1及び前記第7のトラ ンジスタのコレクタに流す前記電流I1として、前記バイアス回路で生成された前記電流 Ixをそれぞれ流すことを特徴とする出力回路。
A first circuit in which diode-connected first and second transistors in which a current I1 flows to a collector are connected in series ;
A seventh transistor flows current I1 in the collector, base and emitter of tiger Njisuta said 7 base-emitter to the supply voltage between the connected collector-emitter in series-connected collector output terminal half of a second circuit for idling current Io5 voltage is applied is constituted by a fifth transistor flows also collectors,
In the output circuit in which a first translinear loop is configured by the first circuit and the second circuit,
A third circuit composed of a twenty-seventh transistor in which the current I1 flows to the collector and a twenty-eighth transistor in which the base and emitter are connected in series to the base and emitter of the twenty-seventh transistor and the current I1 flows to the collector ;
A fourth circuit including a twenty-ninth transistor in which current I2 flows to the collector, and a thirty-second transistor in which the base and emitter are connected in series with the base and emitter of the twenty-ninth transistor, and current Ix flows to the collector ;
1/2 of the voltage of the power supply voltage is applied between the collector and emitter has the first 25 transistor passing a collector current I2 of the first 29,
A bias circuit configured to form a second translinear loop by the third circuit and the fourth circuit ;
As the current I1 flowing to the collector of the first and the current I1 and the seventh tiger Njisuta flow in the collector of the second transistor, an output, characterized in that flowing the current Ix generated by the bias circuit, respectively circuit.
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