JP6421048B2 - Joining apparatus, joining system, joining method, program, and information storage medium - Google Patents
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Description
本発明は、接合装置、接合システム、接合方法、プログラム、および情報記憶媒体に関する。 The present invention relates to a bonding apparatus, a bonding system, a bonding method, a program, and an information storage medium.
近年、例えば半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの基板の大口径化および薄板化が進んでいる。大口径で薄い基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがある。このため、基板に別の基板を貼り合わせて補強した後に、搬送や研磨処理を行い、その後、基板同士を剥離する処理が行われている。 In recent years, for example, in the manufacturing process of a semiconductor device, a substrate such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer has been increased in diameter and thinned. A thin substrate with a large diameter may be warped or cracked during transport or polishing. For this reason, after a different substrate is bonded to the substrate and reinforced, the substrate is transported or polished, and then the substrates are separated from each other.
接合装置は、基板同士を接合する。接合装置は、基板を保持する保持部、保持部に保持された基板を撮像する撮像部、および撮像部の画像を画像処理する画像処理部を有する(例えば特許文献1参照)。画像処理部は、撮像部によって基板の外周縁を部分的に撮像した画像を3枚以上用いて、基板の中心位置を算出する。 The bonding apparatus bonds the substrates together. The bonding apparatus includes a holding unit that holds a substrate, an imaging unit that images the substrate held by the holding unit, and an image processing unit that performs image processing on an image of the imaging unit (see, for example, Patent Document 1). The image processing unit calculates the center position of the substrate using three or more images obtained by partially capturing the outer peripheral edge of the substrate by the imaging unit.
基板の中心位置の算出に用いられる画像の1つは、基板の外周縁のうちのノッチ部が形成される部分を撮像したノッチ画像である。ノッチ画像は、基板の向きの算出にも用いられる。基板の中心位置や向きなどの情報は、基板同士の位置合わせに用いられる。 One of the images used for calculation of the center position of the substrate is a notch image obtained by imaging a portion of the outer peripheral edge of the substrate where the notch portion is formed. The notch image is also used for calculating the orientation of the substrate. Information such as the center position and orientation of the substrates is used to align the substrates.
ノッチ部の形状が規格の形状から外れることがあり、ノッチ画像を用いて算出される基板中心位置の誤差が大きいことがあった。 The shape of the notch part may deviate from the standard shape, and the error of the substrate center position calculated using the notch image may be large.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板の外周縁のうちのノッチ部が形成される部分を撮像した画像を用いて、基板の中心位置を精度良く算出できる、接合装置の提供を主な目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and is a bonding apparatus that can accurately calculate the center position of a substrate using an image obtained by imaging a portion of the outer peripheral edge of the substrate where a notch is formed. The main purpose is provision.
上記課題を解決するため、本発明の一態様によれば、
基板同士を接合する接合装置であって、
一方の基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された基板を撮像する撮像部と、
前記撮像部の画像を画像処理する画像処理部とを備え、
前記画像処理部は、前記撮像部によって前記基板の外周縁を部分的に撮像した画像を3枚以上用いて、前記基板の中心位置を算出し、
前記中心位置の算出に用いられる3枚以上の前記画像のうちの、1枚はノッチ部が形成される部分を撮像したノッチ画像であり、2枚以上は他の部分を撮像したエッジ画像であり、
前記画像処理部は、前記ノッチ画像における前記基板の外周縁の、前記ノッチ画像の外周縁と交わる両方の端点のうちの少なくとも一方の位置を基に、前記中心位置を算出する、接合装置が提供される。
In order to solve the above problems, according to one aspect of the present invention,
A joining device for joining substrates,
A holding unit for holding one substrate;
An imaging unit for imaging the substrate held by the holding unit;
An image processing unit that performs image processing on an image of the imaging unit,
The image processing unit calculates the center position of the substrate using three or more images obtained by partially capturing the outer periphery of the substrate by the imaging unit,
Of the three or more images used for calculating the center position, one is a notch image obtained by imaging a portion where a notch portion is formed, and two or more images are edge images obtained by imaging other portions. ,
The image processing unit calculates the center position based on the position of at least one of both end points of the outer peripheral edge of the substrate in the notch image that intersect the outer peripheral edge of the notch image. Is done.
本発明の一態様によれば、基板の外周縁のうちのノッチ部が形成される部分を撮像した画像を用いて、基板の中心位置を精度良く算出できる、接合装置が提供される。 According to one embodiment of the present invention, there is provided a bonding apparatus that can accurately calculate the center position of a substrate using an image obtained by imaging a portion of the outer peripheral edge of the substrate where a notch is formed.
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において、同一の又は対応する構成には、同一の又は対応する符号を付して説明を省略する。以下の説明において、X方向、Y方向、Z方向は互いに垂直な方向であり、X方向およびY方向は水平方向、Z方向は鉛直方向である。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding components are denoted by the same or corresponding reference numerals, and description thereof is omitted. In the following description, the X direction, the Y direction, and the Z direction are directions perpendicular to each other, the X direction and the Y direction are horizontal directions, and the Z direction is a vertical direction.
図1は、一実施形態による接合システムの概略を示す平面図である。図2は、一実施形態による接合システムを用いて作製される重合基板の側面図である。 FIG. 1 is a plan view schematically showing a joining system according to an embodiment. FIG. 2 is a side view of a polymerized substrate made using a bonding system according to one embodiment.
接合システム1は、被処理基板Wの接合面と支持基板Sの接合面とを向かい合わせ、接合層Gを介して被処理基板Wと支持基板Sとを接合させることで、重合基板Tを作製する。
The
被処理基板Wは、素子、回路、端子などが形成されたものである。素子、回路、端子などが形成される面が接合面とされる。被処理基板Wの接合面とは反対側の面(以下、非接合面ともいう)は接合後に研磨され、被処理基板Wは薄板化される。研磨の後、被処理基板Wの非接合面には、表面電極、貫通電極などが形成されてもよい。尚、被処理基板Wは、複数の基板を積層したものでもよい。 The substrate W to be processed is formed with elements, circuits, terminals, and the like. A surface on which elements, circuits, terminals, and the like are formed is a bonding surface. A surface opposite to the bonding surface of the substrate to be processed W (hereinafter also referred to as a non-bonding surface) is polished after bonding, and the substrate to be processed W is thinned. After polishing, a surface electrode, a through electrode, or the like may be formed on the non-joint surface of the substrate W to be processed. The substrate to be processed W may be a laminate of a plurality of substrates.
支持基板Sは、被処理基板Wと接合され、被処理基板Wを一時的に補強する。支持基板Sは、被処理基板Wの研磨後に、被処理基板Wから剥離される。剥離された支持基板Sは、洗浄された後、別の被処理基板Wと接合されてもよい。 The support substrate S is bonded to the substrate W to be processed and temporarily reinforces the substrate W to be processed. The support substrate S is peeled from the target substrate W after the target substrate W is polished. The peeled support substrate S may be bonded to another substrate to be processed W after being cleaned.
重合基板Tは、図2に示すように、被処理基板W、支持基板S、および被処理基板Wと支持基板Sとを接合する接合層Gで構成される。接合層Gは、例えば接着剤層G1、および剥離剤層G2を有する。 As shown in FIG. 2, the superposed substrate T includes a substrate W to be processed, a support substrate S, and a bonding layer G that bonds the substrate to be processed W and the support substrate S. The bonding layer G includes, for example, an adhesive layer G1 and a release agent layer G2.
接着剤層G1は、接着剤および接着剤を溶かす有機溶剤からなるコート液を、例えば被処理基板Wの接合面に塗布した後、熱処理することにより形成される。接着剤は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂のいずれでもよい。 The adhesive layer G1 is formed, for example, by applying a coating liquid made of an adhesive and an organic solvent that dissolves the adhesive to the bonding surface of the substrate to be processed W and then performing a heat treatment. The adhesive may be either a thermosetting resin or a thermoplastic resin.
剥離剤層G2は、被処理基板Wと支持基板Sの剥離を円滑に行うためのものである。剥離剤層G2は、剥離剤および剥離剤を溶かす有機溶剤からなるコート液を、例えば支持基板Sの接合面に塗布した後、熱処理することにより形成される。剥離剤は、接着剤よりも接着力の低いものである。接合層Gの接着力を高めるため、剥離剤層G2の厚さは接着剤層G1の厚さよりも著しく薄い。 The release agent layer G2 is for smoothly peeling the target substrate W and the support substrate S. The release agent layer G2 is formed, for example, by applying a coating liquid made of an organic solvent that dissolves the release agent and the release agent to the bonding surface of the support substrate S, and then performing a heat treatment. The release agent has a lower adhesive force than the adhesive. In order to increase the adhesive strength of the bonding layer G, the thickness of the release agent layer G2 is significantly thinner than the thickness of the adhesive layer G1.
接合システム1は、図1に示すように、搬入出ステーション2と、処理ステーション3と、制御装置5とを有する。
As shown in FIG. 1, the
搬入出ステーション2は、被処理基板W、支持基板S、および重合基板Tを処理ステーション3に対し搬入出する。搬入出ステーション2は、カセット載置台10、および搬送装置20を有する。
The carry-in / out
カセット載置台10は、複数(例えば4つ)の載置部12を含む。複数の載置部12はY方向に間隔をおいて並び、これらの載置部12にカセットCW、CS、CTが載置される。カセットCWは被処理基板Wを、カセットCSは支持基板Sを、カセットCTは重合基板Tをそれぞれ複数収容する。重合基板Tは、良品と不良品とに識別され、良品用のカセットCTと、不良品用のカセットCTとに分けて収容されてよい。尚、載置部12の個数は、4つに限定されない。
The cassette mounting table 10 includes a plurality of (for example, four)
搬送装置20は、載置部12上のカセットCW、CS、CTと、処理ステーション3との間で、被処理基板W、支持基板S、および重合基板Tを搬送する。搬送装置20は、搬送路21と、搬送路21に沿ってY方向に移動自在な搬送アーム22とを有する。搬送アーム22は、X方向およびZ方向に移動自在とされてよく、且つ、Z方向に平行な回転軸を中心に回転自在とされてよい。
Conveying
処理ステーション3は、第1処理ブロックB1、第2処理ブロックB2、第3処理ブロックB3、および搬送ブロックB4を有する。第1処理ブロックB1、第2処理ブロックB2、および第3処理ブロックB3は、搬送ブロックB4に対し着脱自在とされる。
The
第1処理ブロックB1は、塗布装置30、および熱処理装置50を有する。塗布装置30および熱処理装置50は、搬送ブロックB4に隣接する。
The first processing block B1 includes a
塗布装置30は、被処理基板Wおよび支持基板Sの少なくとも一方に、接合層Gの材料を塗布する。例えば、塗布装置30は、被処理基板Wに第1コート液を塗布する。第1コート液は、例えば接着剤および接着剤を溶かす有機溶剤を含む。また、塗布装置30は、支持基板Sに第2コート液を塗布する。第2コート液は、剥離剤および剥離剤を溶かす有機溶剤を含む。
The
熱処理装置50は、第1コート液が塗布された被処理基板Wを熱処理し、第1コート液に含まれる溶剤を揮発させることで、接着剤層G1を形成する。また、熱処理装置50は、第2コート液が塗布された支持基板Sを熱処理し、第2コート液に含まれる溶剤を揮発させることで、剥離剤層G2を形成する。熱処理装置50は、Z方向に4段積みされた状態で、X方向に2列配置される。各熱処理装置50は、被処理基板Wおよび支持基板Sの少なくとも一方を加熱する加熱部を有し、該加熱部によって加熱したものを冷却する冷却部をさらに有してよい。尚、熱処理装置50の数や位置は多種多様であってよい。
The
第2処理ブロックB2は、接合装置60を有する。接合装置60は、搬送ブロックB4に隣接する。
The second processing block B2 includes a joining
接合装置60は、被処理基板Wの接合面と支持基板Sの接合面とを向かい合わせ、接合層Gを介して被処理基板Wと支持基板Sとを接合させることで、重合基板Tを作製する。接合装置60は、接合時の気泡の閉じ込めを抑制するため、減圧雰囲気下で被処理基板Wと支持基板Sとを接合させる。接合装置60は、接合層Gを軟化させるため、被処理基板Wおよび支持基板Sを熱処理する。
The
第3処理ブロックB3は、トランジション装置70を有する。トランジション装置70は、Z方向に2段積みされる。トランジション装置70は、被処理基板W、支持基板S、および重合基板Tを一時的に保管し、搬送装置20やプロセス搬送装置80に対し受け渡す。尚、トランジション装置70の数や位置は多種多様であってよい。
The third processing block B3 includes a
尚、第3処理ブロックB3は、重合基板Tの欠陥(例えば気泡)の有無を検査する検査装置をさらに有してもよい。 Note that the third processing block B3 may further include an inspection device that inspects the presence or absence of defects (for example, bubbles) in the superposed substrate T.
搬送ブロックB4は、プロセス搬送装置80を有する。プロセス搬送装置80は、処理ステーション3内の装置間で、被処理基板W、支持基板S、および重合基板Tを搬送するプロセス搬送アーム81を有する。プロセス搬送アーム81は、例えばX方向、Y方向、およびZ方向に移動自在とされ、且つZ方向に平行な回転軸を中心に回転自在とされる。
The transport block B4 includes a
制御装置5は、メモリなどの記憶媒体6と、CPU(Central Processing Unit)7などを含むコンピュータで構成され、記憶媒体6に記憶されたプログラム(レシピとも呼ばれる)をCPU7に実行させることにより各種処理を実現させる。尚、制御装置5は、図1では接合装置60とは別に設けられるが、接合装置60の一部であってもよい。制御装置5が、特許請求の範囲に記載の制御部に対応する。
The
制御装置5のプログラムは、情報記憶媒体に記憶され、情報記憶媒体からインストールされる。情報記憶媒体としては、例えば、ハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどが挙げられる。尚、プログラムは、インターネットを介してサーバからダウンロードされ、インストールされてもよい。
The program of the
次に、図3を参照して、上記接合システム1を用いた接合方法について説明する。図3は、一実施形態による接合方法のフローチャートである。ここでは、被処理基板Wに着目して接合方法を説明する。
Next, a joining method using the joining
接合方法は、搬入工程S11、塗布工程S13、熱処理工程S15、接合工程S17、および搬出工程S19などを有する。これらの工程は、制御装置5による制御下で実施される。
The bonding method includes a carry-in process S11, a coating process S13, a heat treatment process S15, a bonding process S17, and a carry-out process S19. These steps are performed under the control of the
搬入工程S11では、搬送装置20が被処理基板Wを載置部12上のカセットCWからトランジション装置70に搬送し、次いで、プロセス搬送装置80が被処理基板Wをトランジション装置70から塗布装置30に搬送する。
In the carry-in process S11, the
塗布工程S13では、塗布装置30が被処理基板Wの接合面に第1コート液を塗布する。第1コート液は、例えば接着剤および接着剤を溶かす有機溶剤を含む。第1コート液の塗布後、プロセス搬送装置80が被処理基板Wを塗布装置30から熱処理装置50に搬送する。
In the coating step S <b> 13, the
熱処理工程S15では、第1コート液が塗布された被処理基板Wを熱処理装置50によって熱処理し、第1コート液に含まれる溶剤を揮発させることで、接着剤層G1を形成する。熱処理後、プロセス搬送装置80が被処理基板Wを熱処理装置50から接合装置60に搬送する。
In the heat treatment step S15, the substrate W to which the first coating liquid is applied is heat treated by the
このようにして、被処理基板Wは、カセットCWから取り出され、塗布装置30、熱処理装置50に順次搬送される。そうして、被処理基板Wの接合面に接着剤層G1が形成される。その後、被処理基板Wは、接合装置60に搬送される。
In this manner, the target substrate W is taken out of the cassette C W, the
この間、同様にして、支持基板Sが、カセットCSから取り出され、塗布装置30、熱処理装置50に順次搬送される。塗布装置30は、支持基板Sの接合面に第2コート液を塗布する。第2コート液は、例えば剥離剤および剥離剤を溶かす有機溶剤を含む。熱処理装置50は、第2コート液が塗布された支持基板Sを熱処理し、第2コート液に含まれる溶剤を揮発させることで、剥離剤層G2を形成する。その後、プロセス搬送装置80が支持基板Sを接合装置60に搬送する。
During this time, in the same manner, the supporting substrate S is taken out from the cassette C S, the
接合工程S17では、接合装置60が被処理基板Wの接合面と支持基板Sの接合面とを向かい合わせ、接合層Gを介して被処理基板Wと支持基板Sとを接合させることで、重合基板Tを作製する。
In the bonding step S <b> 17, the
搬出工程S19では、プロセス搬送装置80が重合基板Tを接合装置60からトランジション装置70に搬送し、次いで、搬送装置20が重合基板Tをトランジション装置70から載置部12上のカセットCTに搬送する。
In unloading step S19, to convey the
次に、図4〜図5を参照して、上記接合装置60の詳細について説明する。
Next, with reference to FIGS. 4-5, the detail of the said joining
図4に示すように、接合装置60は、内部を密閉可能な処理容器100を備える。処理容器100のプロセス搬送装置80側の側面には搬入出口101が形成され、搬入出口101には開閉シャッタ(図示せず)が設けられる。処理容器100の内部は、仕切壁103によって前処理領域D1と接合領域D2とに区画される。仕切壁103には搬入出口104が形成される。
As shown in FIG. 4, the joining
接合装置60は、前処理領域D1に、受渡部110、および反転部120を有する。
The joining
受渡部110は、搬入出口101を介して、プロセス搬送装置80との間で被処理基板W、支持基板Sおよび重合基板Tの受け渡しを行う。受渡部110は、受渡アーム111と支持ピン112とを備える。受渡アーム111は、プロセス搬送装置80と支持ピン112との間で、被処理基板W、支持基板Sおよび重合基板Tを受け渡す。支持ピン112は、複数(例えば3つ)設けられ、被処理基板W、支持基板Sおよび重合基板Tを支持する。
The
受渡部110は、鉛直方向に複数、例えば2段に配置され、被処理基板W、支持基板Sおよび重合基板Tのいずれか2つを同時に受け渡すことができる。例えば、一の受渡部110で接合前の被処理基板W又は支持基板Sを受け渡し、他の受渡部110で接合後の重合基板Tを受け渡してもよい。あるいは、一の受渡部110で接合前の被処理基板Wを受け渡し、他の受渡部110で接合前の支持基板Sを受け渡してもよい。
The
反転部120は、例えば被処理基板Wの上下を反転させて、被処理基板Wの接合面を下に向ける。反転部120は、被処理基板Wを保持する保持アーム部121を有する。保持アーム部121は、水平軸の周りに回転自在とされ、水平方向および鉛直方向に移動自在とされる。反転部120は、保持アーム部121を水平軸の周りに回転させることにより、保持アーム部121に保持された被処理基板Wを上下反転させる。保持アーム部121は、被処理基板Wの代わりに、支持基板Sを保持することもできる。
The reversing
反転部120は、保持アーム部121に保持される基板(被処理基板Wまたは支持基板S)のノッチ部の位置を検出する検出部122を備える。反転部120は、保持アーム部121に水平に保持された基板を水平面内で回転させながら、その基板のノッチ部の位置を検出部122によって検出することで、保持アーム部121に保持される基板の水平面内での向きを調節する。ノッチ部は、基板の結晶方位などを表す。
The reversing
接合装置60は、接合領域D2に、搬送部130、および本体部150を有する。
The joining
搬送部130は、受渡部110、反転部120および本体部150に対して、被処理基板W、支持基板Sおよび重合基板Tを搬送する。搬送部130は、2本の搬送アーム131、132を備える。これら搬送アーム131、132は、鉛直方向に下からこの順で2段に配置され、水平方向および鉛直方向に移動自在とされる。下側の搬送アーム131は、例えば支持基板Sを反転部120から本体部150に搬送する。上側の搬送アーム132は、例えば被処理基板Wを反転部120から本体部150に搬送する。
The
本体部150は、被処理基板Wと支持基板Sとを接合する。本体部150は、図5に示すように、チャンバ151、減圧機構157、下チャック161、上チャック162、加圧機構170、位置合わせ機構180、下カメラ191、および上カメラ192を備える。
The
チャンバ151は、内部を密閉可能な処理容器であり、チャンバ下部152と、チャンバ上部153とに分割されている。チャンバ下部152は下チャック161などを収容し、チャンバ上部153は上チャック162などを収容する。チャンバ上部153は、不図示の昇降機構によってチャンバ下部152に対して昇降される。チャンバ上部153をチャンバ下部152に当接させることで、チャンバ151の内部に密閉空間が形成される。この密閉空間は、真空ポンプなどの減圧機構157によって減圧される。
The
尚、本実施形態では、チャンバ上部153が昇降されるが、チャンバ下部152が昇降されてもよく、両方が昇降されてもよい。チャンバ上部153と、チャンバ下部152とは、相対的に昇降できればよい。
In the present embodiment, the chamber
下チャック161は、支持基板Sの接合面を上に向けて、支持基板Sの接合面とは反対側の面を保持する保持部である。下チャック161は、支持基板Sを静電吸着する静電吸着部、支持基板Sを所定の温度に加熱する加熱部を有する。下チャック161は、静電吸着部に加えて真空吸着部を有してもよい。
The
上チャック162は、被処理基板Wの接合面を下に向けて、被処理基板Wの接合面とは反対側の面を保持する保持部である。上チャック162は、被処理基板Wを静電吸着する静電吸着部、被処理基板Wを所定の温度に加熱する加熱部を有する。上チャック162は、静電吸着部に加えて真空吸着部を有してもよい。
The
尚、本実施形態では、下チャック161が支持基板Sを、上チャック162が被処理基板Wをそれぞれ保持するが、下チャック161が被処理基板Wを、上チャック162が支持基板Sをそれぞれ保持してもよい。
In this embodiment, the
加圧機構170は、チャンバ151内において上チャック162を下降させることにより、接合層Gを介して被処理基板Wを支持基板Sに圧着させる。加圧機構170は、例えば鉛直方向に伸縮自在な圧力容器171、圧力容器171に気体を供給する気体供給源172などを含む。圧力容器171は、例えばステンレス製のベローズなどで構成される。圧力容器171の下端部は上チャック162に固定され、圧力容器171の上端部はチャンバ上部153に固定される。加圧機構170は、圧力容器171内の気体の量を調整することで圧力容器171を伸縮させ、チャンバ上部153を昇降させる。また、加圧機構170は、圧力容器171内の気圧を調節することで、被処理基板Wと支持基板Sとの圧着力を調節する。
The
位置合わせ機構180は、下チャック161に保持される支持基板Sと、上チャック162に保持される被処理基板Wとの位置合わせを行う。この位置合わせでは、水平方向における位置(X方向位置およびY方向位置)、および鉛直軸周りの回転位置(水平面内での向き)が合わされる。
The
位置合わせ機構180は、チャンバ上部153を水平方向に移動させることで、上チャック162を水平方向に移動させる。また、位置合わせ機構180は、チャンバ上部153を鉛直軸周りに回転させることで、上チャック162を鉛直軸周りに回転させる。
The
位置合わせ機構180は、例えばカム181、シャフト182、および回転モータ183の組を複数組(例えば5組)有する。回転モータ183は、シャフト182を介して、カム181を回転させる。カム181の中心は、回転中心に対しずれている。
The
図6は、一実施形態による接合装置の位置合わせ機構を示す平面図である。2つのカム181は、チャンバ上部153をX方向両側から挟み、同時に回転させられることでチャンバ上部153をX方向に移動させる。他の2つのカム181は、チャンバ上部153をY方向両側から挟み、同時に回転させられることでチャンバ上部153をY方向に移動させる。残りの1つのカム181は、チャンバ上部153の外周面から突出する羽根部154に当接させられており、回転させられることでチャンバ上部153を鉛直軸の周りに回転させる。羽根部154は、バネ部155の弾性復元力によってカム181に押し付けられる。
FIG. 6 is a plan view showing an alignment mechanism of the bonding apparatus according to the embodiment. The two
下カメラ191は、下チャック161に保持された支持基板Sの外周縁を部分的に撮像する撮像部である。上カメラ192は、上チャック162に保持された被処理基板Wの外周縁を部分的に撮像する撮像部である。
The
尚、支持基板Sと被処理基板Wとの配置は逆でもよく、下カメラ191が下チャック161に保持された被処理基板Wを、上カメラ192が上チャック162に保持された支持基板Sをそれぞれ撮像してもよい。
Note that the arrangement of the support substrate S and the substrate to be processed W may be reversed. The
下カメラ191および上カメラ192は、一体化されており、不図示の水平移動機構によって一体的に水平移動される。下カメラ191および上カメラ192は、支持基板Sおよび被処理基板Wを撮像する撮像位置と、チャンバ上部153の移動経路から退避した退避位置との間で移動自在とされる。
The
尚、下カメラ191および上カメラ192は、独立に水平移動されてもよい。この場合、下カメラ191および上カメラ192に共通のターゲットを撮像させ、下カメラ191と上カメラ192との相対的な位置情報を補正することが行われる。
The
図7は、一実施形態による3つの下カメラの撮像領域を示す平面図である。図8は、一実施形態による支持基板の外周縁のうちのノッチ部が形成される部分を撮像したノッチ画像を示す図である。図9は、一実施形態による支持基板の外周縁のうちのその他の部分を撮像したエッジ画像を示す図である。図8および図9において、図面を見やすくするため、支持基板にハッチングを施し、支持基板の外周縁の凹凸を誇張してある。尚、3つの上カメラの撮像領域は、図7に示す3つの下カメラの撮像領域と同様であるので、図示および説明を省略する。 FIG. 7 is a plan view showing imaging areas of three lower cameras according to an embodiment. FIG. 8 is a diagram illustrating a notch image obtained by imaging a portion where the notch portion is formed in the outer peripheral edge of the support substrate according to the embodiment. FIG. 9 is a diagram illustrating an edge image obtained by imaging the other part of the outer peripheral edge of the support substrate according to the embodiment. 8 and 9, in order to make the drawings easy to see, the support substrate is hatched, and the unevenness of the outer peripheral edge of the support substrate is exaggerated. The imaging areas of the three upper cameras are the same as the imaging areas of the three lower cameras shown in FIG.
3つの下カメラ191は、支持基板Sの外周縁S1(以下、「基板外周縁S1」ともいう)のうちの3つの部分を撮像する。図7に示すように平面視において、3つの下カメラ191の撮像領域191Aの中心線191Lが1点で交わるように、3つの下カメラ191が配設される。
The three
3つの下カメラ191によって撮像される3枚の画像のうち、1枚はノッチ部S2が形成される部分を撮像したノッチ画像NP(図8参照)であり、残りの2枚はその他の部分を撮像したエッジ画像EP(図9参照)である。
Of the three images captured by the three
制御装置5は、1枚のノッチ画像NPおよび2枚のエッジ画像EPを画像処理して、支持基板Sの中心位置(以下、「基板中心位置」ともいう)を算出する。基板中心位置の算出方法については後述する。また、制御装置5は、1枚のノッチ画像NPを画像処理して、ノッチ部S2の頂点S3の位置を算出し、支持基板Sの水平面内での向きを算出する。制御装置5が特許請求の範囲に記載の画像処理部に対応する。
The
尚、本実施形態では、制御装置5が画像処理部として機能するが、制御装置5とは別に画像処理部が設けられてもよい。
In the present embodiment, the
尚、下カメラ191の数は3つに限定されない。下カメラ191の数は例えば1つでもよく、この場合、下カメラ191は図7に示す3つの撮像位置に順次移動させられる。また、下カメラ191の数は4つ以上でもよい。
The number of
図10は、一実施形態による接合装置を用いた接合工程の詳細を示すフローチャートである。接合工程S17は、基板セット工程S21、基板撮像工程S23、画像処理工程S25、基板位置合わせ工程S27、基板重合工程S29などを有してよい。 FIG. 10 is a flowchart showing details of a bonding process using the bonding apparatus according to the embodiment. The bonding step S17 may include a substrate setting step S21, a substrate imaging step S23, an image processing step S25, a substrate alignment step S27, a substrate superposition step S29, and the like.
基板セット工程S21では、反転部120が、被処理基板Wの水平面内の向きを調節すると共に、被処理基板Wを上下反転させて被処理基板Wの接合面を下に向ける。その後、搬送部130が反転部120から上チャック162に被処理基板Wを搬送し、上チャック162が被処理基板Wを保持する。
In the substrate setting step S21, the reversing
また、基板セット工程S21では、反転部120が支持基板Sの水平面内の向きを調節した後、搬送部130が反転部120から下チャック161に支持基板Sを搬送し、下チャック161が支持基板Sを保持する。
In the substrate setting step S21, after the reversing
基板撮像工程S23では、支持基板Sの外周縁S1のうちの3つの部分を下カメラ191に撮像させる。下カメラ191によって撮像される3枚の画像のうちの、1枚はノッチ画像NP(図8参照)であり、残りの2枚はエッジ画像EP(図9参照)である。
In the substrate imaging step S23, the
また、基板撮像工程S23では、被処理基板Wの外周縁のうちの3つの部分を上カメラ192に撮像させる。上カメラ192によって撮像される3枚の画像のうちの、1枚はノッチ画像であり、残りの2枚はエッジ画像である。
Further, in the substrate imaging step S23, the
画像処理工程S25では、基板撮像工程S23で撮像した画像を画像処理して、支持基板Sの中心位置および向き、ならびに被処理基板Wの中心位置および向きを算出する。支持基板Sと被処理基板Wの相対的な位置が求められる。 In the image processing step S25, the image captured in the substrate imaging step S23 is subjected to image processing to calculate the center position and orientation of the support substrate S and the center position and orientation of the substrate W to be processed. The relative positions of the support substrate S and the substrate to be processed W are obtained.
基板位置合わせ工程S27では、画像処理工程S25の処理結果に基づいて、位置合わせ機構180が被処理基板Wと支持基板Sとの位置合わせを行う。この位置合わせでは、水平方向における位置(X方向位置およびY方向位置)、および鉛直軸周りの回転位置(水平面内での向き)が合わせられる。
In the substrate alignment step S27, the
基板重合工程S29では、下カメラ191および上カメラ192を撮像位置から退避位置に移動させ、チャンバ上部153を下降させチャンバ下部152に当接させ、チャンバ151の内部に密閉空間を形成させる。その後、減圧機構157がチャンバ151の内部の密閉空間を減圧し、加圧機構170がチャンバ151内において上チャック162を下降させることにより、接合層Gを介して被処理基板Wを支持基板Sに圧着させる。これにより重合基板Tが得られる。
In the substrate superposition step S29, the
次に、支持基板Sの中心位置の算出方法について説明する。尚、被処理基板Wの中心位置の算出方法は、同様であるので、説明を省略する。 Next, a method for calculating the center position of the support substrate S will be described. Since the calculation method of the center position of the substrate W to be processed is the same, the description thereof is omitted.
支持基板Sの中心位置は、2枚のエッジ画像EPの画像処理の結果、および1枚のノッチ画像NPの画像処理の結果を基に算出する。 The center position of the support substrate S is calculated based on the result of image processing of two edge images EP and the result of image processing of one notch image NP.
例えば、エッジ画像EPの画像処理では、図9に示すように、エッジ画像EPに撮像された基板外周縁S1を検出し、基板外周縁S1を円弧状の近似曲線EP1で近似し、円弧状の近似曲線EP1と画像中心線EP2との交点S4の位置を算出する。エッジ画像EPの画像中心線EP2は、下カメラ191の撮像領域の中心線191Lに対応する。
For example, in the image processing of the edge image EP, as shown in FIG. 9, the outer peripheral edge S1 imaged in the edge image EP is detected, and the outer peripheral edge S1 is approximated by an arcuate approximate curve EP1 to obtain an arcuate shape. The position of the intersection S4 between the approximate curve EP1 and the image center line EP2 is calculated. The image center line EP2 of the edge image EP corresponds to the
一方、ノッチ画像NPの画像処理では、エッジ画像EPの画像処理とは異なる画像処理を行う。ノッチ画像NPに撮像される基板外周縁S1は、円弧の途中の一部に凹部が形成された形状である。ノッチ部の形状が規格の形状から外れた場合、具体的には例えば円弧の残部と凹部との角部が摩耗や研磨などによって丸みを帯びた場合に、図8に示すように円弧の残部を円弧状の近似曲線NP1で近似すると、近似曲線NP1は基板外周縁S1とは逆に凸の曲線となる。 On the other hand, in the image processing of the notch image NP, image processing different from the image processing of the edge image EP is performed. The substrate outer peripheral edge S1 imaged in the notch image NP has a shape in which a recess is formed in a part of the arc. When the shape of the notch part deviates from the standard shape, specifically, for example, when the corner part of the remaining part of the arc and the recessed part is rounded due to wear or polishing, the remaining part of the arc is removed as shown in FIG. When approximated by the arc-shaped approximate curve NP1, the approximate curve NP1 is a convex curve opposite to the substrate outer peripheral edge S1.
そこで、ノッチ画像NPの画像処理では、ノッチ画像NPに撮像される基板外周縁S1の両方の端点S5、S6のうちの少なくとも一方の位置を算出する。両方の端点S5、S6は、その間の点に比べてノッチ部S2から遠く、ノッチ部S2の形状が規格の形状から外れたことの影響をほとんど受けない。従って、ノッチ画像NPの画像処理の結果を基に、基板中心位置を精度良く算出することができる。 Therefore, in the image processing of the notch image NP, the position of at least one of both end points S5 and S6 of the substrate outer periphery S1 imaged in the notch image NP is calculated. Both the end points S5 and S6 are far from the notch portion S2 as compared to the points between them, and are hardly affected by the fact that the shape of the notch portion S2 deviates from the standard shape. Therefore, the substrate center position can be accurately calculated based on the result of the image processing of the notch image NP.
例えば、図11に示す画像処理では、下記(1A)〜(3A)の処理が行われる。
(1A)ノッチ画像NPにおける基板外周縁S1の一方の端点S5、および2枚の各エッジ画像EPにおける基板外周縁S1の点(例えば図9に示す交点S4)の計3点を通る円C1の中心C1aを、第1仮想中心点とする。尚、エッジ画像EPの枚数は2枚以上であればよく、第1仮想中心点の算出に用いられる基板外周縁S1の点数は3点以上であればよい。その点数が4点以上の場合、各点に円の外周が略重なればよく、円は近似計算によって算出されてよい。
(2A)ノッチ画像NPにおける基板外周縁S1の他方の端点S6、および2枚の各エッジ画像EPにおける基板外周縁S1の点(例えば図9に示す交点S4)の計3点を通る円C2の中心C2aを、第2仮想中心点とする。尚、エッジ画像EPの枚数は2枚以上であればよく、第2仮想中心点の算出に用いられる基板外周縁S1の点数は3点以上であればよい。その点数が4点以上の場合、各点に円の外周が略重なればよく、円は近似計算によって算出されてよい。
(3A)第1仮想中心点と第2仮想中心点との中点の位置を、基板中心位置として算出する。
支持基板Sの中心位置の算出に、支持基板Sの半径を用いないので、その半径が規格から外れる場合に好適である。
For example, in the image processing shown in FIG. 11, the following processes (1A) to (3A) are performed.
(1A) A circle C1 passing through a total of three points: one end point S5 of the substrate outer periphery S1 in the notch image NP and a point (for example, the intersection S4 shown in FIG. 9) of the substrate outer periphery S1 in each of the two edge images EP. The center C1a is set as the first virtual center point. Note that the number of edge images EP may be two or more, and the number of outer peripheral edges S1 used for calculating the first virtual center point may be three or more. When the number of points is four or more, it is only necessary that the outer circumference of the circle substantially overlaps each point, and the circle may be calculated by approximate calculation.
(2A) A circle C2 passing through a total of three points, that is, the other end point S6 of the substrate outer peripheral edge S1 in the notch image NP and the point of the substrate outer peripheral edge S1 in each of the two edge images EP (for example, the intersection S4 shown in FIG. 9). The center C2a is set as the second virtual center point. Note that the number of edge images EP may be two or more, and the number of outer peripheral edges S1 used for calculating the second virtual center point may be three or more. When the number of points is four or more, it is only necessary that the outer circumference of the circle substantially overlaps each point, and the circle may be calculated by approximate calculation.
(3A) The position of the midpoint between the first virtual center point and the second virtual center point is calculated as the substrate center position.
Since the radius of the support substrate S is not used for calculation of the center position of the support substrate S, it is suitable when the radius deviates from the standard.
図12に示す画像処理では、下記(1B)〜(2B)の処理が行われる。
(1B)ノッチ画像NPにおける基板外周縁S1の両方の端点S5、S6を通る所定半径の円C3の上において、両方の端点S5、S6から等距離の中点S7を算出する。ここで、円の半径は、例えば支持基板Sの規格の半径が用いられる。
(2B)ノッチ画像NPにおける中点S7、および2枚の各エッジ画像EPにおける基板外周縁S1の点(例えば図9に示す交点S4)の計3点を通る円の中心の位置を、基板中心位置として算出する。尚、エッジ画像EPの枚数は2枚以上であればよく、基板中心位置の算出に用いられる基板外周縁S1の点数は3点以上であればよい。その点数が4点以上の場合、各点に円の外周が略重なればよく、円は近似計算によって算出されてよい。
In the image processing shown in FIG. 12, the following processes (1B) to (2B) are performed.
(1B) On a circle C3 having a predetermined radius passing through both end points S5 and S6 of the substrate outer periphery S1 in the notch image NP, a midpoint S7 of equal distance from both end points S5 and S6 is calculated. Here, as the radius of the circle, for example, the standard radius of the support substrate S is used.
(2B) The position of the center of the circle passing through a total of three points, the middle point S7 in the notch image NP and the point of the substrate outer peripheral edge S1 in each of the two edge images EP (for example, the intersection S4 shown in FIG. 9) Calculate as position. Note that the number of edge images EP may be two or more, and the number of substrate outer peripheral edges S1 used for calculating the substrate center position may be three or more. When the number of points is four or more, it is only necessary that the outer circumference of the circle substantially overlaps each point, and the circle may be calculated by approximate calculation.
図13に示す画像処理では、下記(1C)〜(2C)の処理が行われる。
(1C)ノッチ画像NPにおける基板外周縁S1の両方の端点S5、S6のうちノッチ部S2の頂点S3から遠い方の端点S5を通る所定半径の円C4であって、円中心がノッチ画像NPの画像中心線NP2上に設定される円C4と、画像中心線NP2との交点S8を算出する。ここで、円の半径は、例えば支持基板Sの規格の半径が用いられる。
(2C)ノッチ画像NPにおける交点S8、および2枚の各エッジ画像EPにおける基板外周縁S1の点(例えば図9に示す交点S4)の計3点を通る円の中心の位置を、基板中心位置として算出する。尚、エッジ画像EPの枚数は2枚以上であればよく、基板中心位置の算出に用いられる基板外周縁S1の点数は3点以上であればよい。その点数が4点以上の場合、各点に円の外周が略重なればよく、円は近似計算によって算出されてよい。
支持基板Sの中心位置の算出に、両方の端点S5、S6のうちのノッチ部S2から離れた方の端点S5のみを用いるため、ノッチ部S2の形状が規格の形状から外れたことの影響を排除でき、支持基板Sの中心位置の算出精度を向上できる。
In the image processing shown in FIG. 13, the following processes (1C) to (2C) are performed.
(1C) A circle C4 having a predetermined radius passing through an end point S5 far from the vertex S3 of the notch S2 among both end points S5 and S6 of the substrate outer periphery S1 in the notch image NP, and the center of the circle is the notch image NP. An intersection S8 between the circle C4 set on the image center line NP2 and the image center line NP2 is calculated. Here, as the radius of the circle, for example, the standard radius of the support substrate S is used.
(2C) The position of the center of the circle passing through a total of three points of the intersection S8 in the notch image NP and the point of the substrate outer peripheral edge S1 in each of the two edge images EP (for example, the intersection S4 shown in FIG. 9) Calculate as Note that the number of edge images EP may be two or more, and the number of substrate outer peripheral edges S1 used for calculating the substrate center position may be three or more. When the number of points is four or more, it is only necessary that the outer circumference of the circle substantially overlaps each point, and the circle may be calculated by approximate calculation.
Since only the end point S5 far from the notch S2 of both end points S5 and S6 is used to calculate the center position of the support substrate S, the influence of the notch S2 being out of the standard shape is affected. The calculation accuracy of the center position of the support substrate S can be improved.
図14に示す画像処理では、下記(1D)の処理が行われる。
(1D)ノッチ画像NPにおける基板外周縁S1の両方の端点S5、S6のうちノッチ部S2の頂点S3から遠い方の端点S5、および2枚の各エッジ画像EPにおける基板外周縁S1の点(例えば図9に示す交点S4)の計3点を通る円C1の中心C1aの位置を、基板中心位置として算出する。尚、エッジ画像EPの枚数は2枚以上であればよく、基板中心位置の算出に用いられる基板外周縁S1の点数は3点以上であればよい。その点数が4点以上の場合、各点に円の外周が略重なればよく、円は近似計算によって算出されてよい。
支持基板Sの中心位置の算出に、支持基板Sの半径を用いないので、その半径が規格から外れる場合に好適である。また、支持基板Sの中心位置の算出に、両方の端点S5、S6のうちのノッチ部S2から離れた方の端点S5のみを用いるため、ノッチ部S2の形状が規格の形状から外れたことの影響を排除でき、支持基板Sの中心位置の算出精度を向上できる。
In the image processing shown in FIG. 14, the following (1D) processing is performed.
(1D) Of both end points S5 and S6 of the substrate outer periphery S1 in the notch image NP, an end point S5 far from the vertex S3 of the notch S2 and a point of the substrate outer periphery S1 in each of the two edge images EP (for example, The position of the center C1a of the circle C1 passing through a total of three points S4) shown in FIG. 9 is calculated as the substrate center position. Note that the number of edge images EP may be two or more, and the number of substrate outer peripheral edges S1 used for calculating the substrate center position may be three or more. When the number of points is four or more, it is only necessary that the outer circumference of the circle substantially overlaps each point, and the circle may be calculated by approximate calculation.
Since the radius of the support substrate S is not used for calculation of the center position of the support substrate S, it is suitable when the radius deviates from the standard. In addition, since the center position of the support substrate S is calculated using only the end point S5 far from the notch portion S2 of both end points S5 and S6, the shape of the notch portion S2 deviates from the standard shape. The influence can be eliminated, and the calculation accuracy of the center position of the support substrate S can be improved.
上記(1D)では上記(1A)で求めた第1仮想中心点を基板中心位置とする。両方の端点S5、S6がノッチ部S2の頂点S3から略等距離の場合、両方の端点S5、S6を用いて基板中心位置を算出する図11に示す画像処理の方が算出精度を向上できる。 In (1D) above, the first virtual center point obtained in (1A) is set as the substrate center position. When both the end points S5 and S6 are substantially equidistant from the vertex S3 of the notch S2, the image processing shown in FIG. 11 in which the center position of the substrate is calculated using both end points S5 and S6 can improve the calculation accuracy.
以上、接合装置などの実施形態について説明したが、実施形態などについて説明したが、本発明は上記実施形態などに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。 As mentioned above, although embodiment, such as a joining apparatus, was described, although embodiment etc. were described, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment etc., and within the limits of the gist of the present invention indicated in a claim, Various modifications and improvements are possible.
例えば、被処理基板Wの種類は多種多様であってよく、半導体用の基板の他、例えばFPD(フラットパネルディスプレイ)用の基板、フォトマスク用のマスクレチクルの基板などでもよい。 For example, the type of substrate W to be processed may be various, and may be, for example, a substrate for an FPD (flat panel display), a mask reticle for a photomask, or the like in addition to a semiconductor substrate.
図11〜図14に示す画像処理は、被処理基板Wと支持基板Sの両方に適用されるが、いずれか一方のみに適用されてもよい。支持基板Sは再利用されるので、支持基板Sのノッチ部の形状は摩耗や欠けなどによって規格の形状から外れやすい。そこで、支持基板Sのみに図11〜図14に示す画像処理を適用してもよい。 The image processing shown in FIGS. 11 to 14 is applied to both the target substrate W and the support substrate S, but may be applied to only one of them. Since the support substrate S is reused, the shape of the notch portion of the support substrate S tends to deviate from the standard shape due to wear or chipping. Therefore, the image processing shown in FIGS. 11 to 14 may be applied only to the support substrate S.
図11〜図14に示す画像処理では、エッジ画像EPにおける基板外周縁S1の点として、図9に示す近似曲線EP1と画像中心線EP2との交点S4が用いられるが、使用する点は特に限定されない。例えば、エッジ画像EPにおける基板外周縁S1の点として、図9に示す近似曲線EP1の両方の端点のうちの少なくとも一方が用いられてもよい。 In the image processing shown in FIGS. 11 to 14, an intersection S4 between the approximate curve EP1 and the image center line EP2 shown in FIG. 9 is used as a point of the substrate outer peripheral edge S1 in the edge image EP. Not. For example, at least one of both end points of the approximate curve EP1 shown in FIG. 9 may be used as the point of the substrate outer periphery S1 in the edge image EP.
上記実施形態の重合基板Tの接合層Gは、接着剤層G1、および剥離剤層G2の2層構造であるが、その構造は特に限定されない。例えば、接合層Gは、接着剤層G1のみの1層構造、または接着剤層G1、剥離剤層G2、および保護剤層の3層構造でもよい。3層構造の場合、保護剤層、剥離剤層G2、および接着剤層G1は例えば被処理基板Wから支持基板Sに向けてこの順で並んでよい。保護剤層は、被処理基板Wの接合面に形成される素子などを保護する。 The bonding layer G of the polymerization substrate T of the above embodiment has a two-layer structure of the adhesive layer G1 and the release agent layer G2, but the structure is not particularly limited. For example, the bonding layer G may have a one-layer structure including only the adhesive layer G1, or a three-layer structure including the adhesive layer G1, the release agent layer G2, and the protective agent layer. In the case of a three-layer structure, the protective agent layer, the release agent layer G2, and the adhesive layer G1 may be arranged in this order from the substrate to be processed W to the support substrate S, for example. The protective agent layer protects elements formed on the bonding surface of the substrate W to be processed.
1 接合システム
2 搬入出ステーション
3 処理ステーション
5 制御装置
30 塗布装置
50 熱処理装置
60 接合装置
80 プロセス搬送装置
161 下チャック
162 上チャック
191 下カメラ
192 上カメラ
DESCRIPTION OF
Claims (13)
一方の基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された基板を撮像する撮像部と、
前記撮像部の画像を画像処理する画像処理部とを備え、
前記画像処理部は、前記撮像部によって前記基板の外周縁を部分的に撮像した画像を3枚以上用いて、前記基板の中心位置を算出し、
前記中心位置の算出に用いられる3枚以上の前記画像のうちの、1枚はノッチ部が形成される部分を撮像したノッチ画像であり、2枚以上は他の部分を撮像したエッジ画像であり、
前記画像処理部は、前記ノッチ画像における前記基板の外周縁の、前記ノッチ画像の外周縁と交わる両方の端点のうちの少なくとも一方の位置を基に、前記中心位置を算出する、接合装置。 A joining device for joining substrates,
A holding unit for holding one substrate;
An imaging unit for imaging the substrate held by the holding unit;
An image processing unit that performs image processing on an image of the imaging unit,
The image processing unit calculates the center position of the substrate using three or more images obtained by partially capturing the outer periphery of the substrate by the imaging unit,
Of the three or more images used for calculating the center position, one is a notch image obtained by imaging a portion where a notch portion is formed, and two or more images are edge images obtained by imaging other portions. ,
The said image processing part is a joining apparatus which calculates the said center position based on the position of the outer periphery of the said board | substrate in the said notch image of at least one of the both end points which cross | intersect the outer periphery of the said notch image .
前記ノッチ画像における前記基板の外周縁の、前記ノッチ画像の外周縁と交わる両方の端点のうちの一方の端点、および2枚以上の各前記エッジ画像における前記基板の外周縁の点の計3つ以上の点に外周が略重なる円の中心を、第1仮想中心点とし、
前記ノッチ画像における前記基板の外周縁の、前記ノッチ画像の外周縁と交わる両方の端点のうちの他方の端点、および2枚以上の各前記エッジ画像における前記基板の外周縁の点の計3つ以上の点に外周が略重なる円の中心を、第2仮想中心点とし、
前記第1仮想中心点と前記第2仮想中心点との中点の位置を、前記中心位置として算出する、請求項1に記載の接合装置。 The image processing unit
A total of three points: one end point of both of the end points of the outer peripheral edge of the substrate in the notch image intersecting with the outer peripheral edge of the notch image , and the point of the outer peripheral edge of the substrate in each of the two or more edge images. The center of the circle whose outer circumference substantially overlaps the above points is taken as the first virtual center point,
Wherein the outer peripheral edge of the substrate in the notch image and the other endpoint of the endpoints of both intersecting the outer peripheral edge of the notch image and one total of three points of the outer peripheral edge of the substrate in two or more of each of the edge images The center of the circle whose outer periphery substantially overlaps the above points is taken as the second virtual center point,
The joining apparatus according to claim 1, wherein a position of a midpoint between the first virtual center point and the second virtual center point is calculated as the center position.
前記ノッチ画像における前記基板の外周縁の、前記ノッチ画像の外周縁と交わる両方の端点を通る所定半径の円の上において、前記両方の端点から等距離の中点を算出し、
前記ノッチ画像における前記中点、および2枚以上の各前記エッジ画像における前記基板の外周縁の点の計3つ以上の点に外周が略重なる円の中心を、前記中心位置として算出する、請求項1に記載の接合装置。 The image processing unit
On the outer peripheral edge of the substrate in the notch image , on a circle with a predetermined radius passing through both end points intersecting the outer peripheral edge of the notch image, a midpoint equidistant from the both end points is calculated,
The center of a circle whose outer periphery substantially overlaps with a total of three or more points including the middle point in the notch image and the outer peripheral edge point of the substrate in each of the two or more edge images is calculated as the center position. Item 2. The joining apparatus according to Item 1.
前記ノッチ画像における前記基板の外周縁の、前記ノッチ画像の外周縁と交わる両方の端点のうち前記ノッチ部の頂点から遠い方の端点を通る所定半径の円であって、円中心が前記ノッチ画像の画像中心線の上に設定される円と、前記画像中心線との交点を算出し、
前記ノッチ画像における前記交点、および2枚以上の各前記エッジ画像における前記基板の外周縁の点の計3つ以上の点に外周が略重なる円の中心を、前記中心位置として算出する、請求項1に記載の接合装置。 The image processing unit
A circle having a predetermined radius passing through an end point far from the apex of the notch portion among both end points intersecting with the outer periphery of the notch image at the outer periphery of the substrate in the notch image, and the center of the circle is the notch image The intersection of the circle set on the image center line and the image center line is calculated,
The center of a circle whose outer periphery substantially overlaps a total of three or more points of the intersection point in the notch image and the outer peripheral edge point of the substrate in each of two or more edge images is calculated as the center position. The joining apparatus according to 1.
前記ノッチ画像における前記基板の外周縁の、前記ノッチ画像の外周縁と交わる両方の端点のうち前記ノッチ部の頂点から遠い方の端点、および2枚以上の各前記エッジ画像における前記基板の外周縁の点の計3つ以上の点に外周が略重なる円の中心を、前記中心位置として算出する、請求項1に記載の接合装置。 The image processing unit
Of both end points of the outer peripheral edge of the substrate in the notch image intersecting with the outer peripheral edge of the notch image, an end point far from the apex of the notch part, and the outer peripheral edge of the substrate in each of the two or more edge images The joining apparatus according to claim 1, wherein a center of a circle whose outer periphery substantially overlaps with a total of three or more points is calculated as the center position.
前記処理ステーションに対し基板を搬入出する搬入出ステーションとを備え、
前記接合装置として、請求項1〜5のいずれか1項に記載の接合装置を有する、接合システム。 A coating station that applies a material for the bonding layer to the substrate, a bonding device that bonds the substrates to each other via the bonding layer, and a processing station that includes a transfer device that transfers the substrate;
A loading / unloading station for loading / unloading substrates to / from the processing station;
The joining system which has a joining apparatus of any one of Claims 1-5 as said joining apparatus.
一方の基板を保持部に保持させる基板セット工程と、
前記保持部に保持された基板を撮像部に撮像させる基板撮像工程と、
前記撮像部の画像を画像処理する画像処理工程とを有し、
前記画像処理工程では、前記撮像部によって前記基板の外周縁を部分的に撮像した画像を3枚以上用いて、前記基板の中心位置を算出し、
前記中心位置の算出に用いられる3枚以上の前記画像のうちの、1枚はノッチ部が形成される部分を撮像したノッチ画像であり、2枚以上は他の部分を撮像したエッジ画像であり、
前記画像処理工程では、前記ノッチ画像における前記基板の外周縁の、前記ノッチ画像の外周縁と交わる両方の端点のうちの少なくとも一方の位置を基に、前記中心位置を算出する、接合方法。 A bonding method for bonding substrates,
A substrate setting step of holding one of the substrates in the holding unit;
A substrate imaging step of causing the imaging unit to image the substrate held by the holding unit;
An image processing step of performing image processing on the image of the imaging unit,
In the image processing step, the center position of the substrate is calculated using three or more images obtained by partially capturing the outer periphery of the substrate by the imaging unit,
Of the three or more images used for calculating the center position, one is a notch image obtained by imaging a portion where a notch portion is formed, and two or more images are edge images obtained by imaging other portions. ,
In the image processing step, the center position is calculated based on the position of at least one of both end points of the outer peripheral edge of the substrate in the notch image that intersect the outer peripheral edge of the notch image .
前記ノッチ画像における前記基板の外周縁の、前記ノッチ画像の外周縁と交わる両方の端点のうちの一方の端点、および2枚以上の各前記エッジ画像における前記基板の外周縁の点の計3つ以上の点に外周が略重なる円の中心を、第1仮想中心点とし、
前記ノッチ画像における前記基板の外周縁の、前記ノッチ画像の外周縁と交わる両方の端点のうちの他方の端点、および2枚以上の各前記エッジ画像における前記基板の外周縁の点の計3つ以上の点に外周が略重なる円の中心を、第2仮想中心点とし、
前記第1仮想中心点と前記第2仮想中心点との中点の位置を、前記中心位置として算出する、請求項7に記載の接合方法。 In the image processing step,
A total of three points: one end point of both of the end points of the outer peripheral edge of the substrate in the notch image intersecting with the outer peripheral edge of the notch image , and the point of the outer peripheral edge of the substrate in each of the two or more edge images. The center of the circle whose outer circumference substantially overlaps the above points is taken as the first virtual center point,
Wherein the outer peripheral edge of the substrate in the notch image and the other endpoint of the endpoints of both intersecting the outer peripheral edge of the notch image and one total of three points of the outer peripheral edge of the substrate in two or more of each of the edge images The center of the circle whose outer periphery substantially overlaps the above points is taken as the second virtual center point,
The joining method according to claim 7, wherein a position of a midpoint between the first virtual center point and the second virtual center point is calculated as the center position.
前記ノッチ画像における前記基板の外周縁の、前記ノッチ画像の外周縁と交わる両方の端点を通る所定半径の円の上において、前記両方の端点から等距離の中点を算出し、
前記ノッチ画像における前記中点、および2枚以上の各前記エッジ画像における前記基板の外周縁の点の計3つ以上の点に外周が略重なる円の中心を、前記中心位置として算出する、請求項7に記載の接合方法。 In the image processing step,
On the outer peripheral edge of the substrate in the notch image , on a circle with a predetermined radius passing through both end points intersecting the outer peripheral edge of the notch image, a midpoint equidistant from the both end points is calculated,
The center of a circle whose outer periphery substantially overlaps with a total of three or more points including the middle point in the notch image and the outer peripheral edge point of the substrate in each of the two or more edge images is calculated as the center position. Item 8. The joining method according to Item 7.
前記ノッチ画像における前記基板の外周縁の、前記ノッチ画像の外周縁と交わる両方の端点のうち前記ノッチ部の頂点から遠い方の端点を通る所定半径の円であって、円中心が前記ノッチ画像の画像中心線の上に設定される円と、前記画像中心線との交点を算出し、
前記ノッチ画像における前記交点、および2枚以上の各前記エッジ画像における前記基板の外周縁の点の計3つ以上の点に外周が略重なる円の中心を、前記中心位置として算出する、請求項7に記載の接合方法。 In the image processing step,
A circle having a predetermined radius passing through an end point far from the apex of the notch portion among both end points intersecting with the outer periphery of the notch image at the outer periphery of the substrate in the notch image, and the center of the circle is the notch image The intersection of the circle set on the image center line and the image center line is calculated,
The center of a circle whose outer periphery substantially overlaps a total of three or more points of the intersection point in the notch image and the outer peripheral edge point of the substrate in each of two or more edge images is calculated as the center position. 8. The joining method according to 7.
前記ノッチ画像における前記基板の外周縁の、前記ノッチ画像の外周縁と交わる両方の端点のうち前記ノッチ部の頂点から遠い方の端点、および2枚以上の各前記エッジ画像における前記基板の外周縁の点の計3つ以上の点に外周が略重なる円の中心を、前記中心位置として算出する、請求項7に記載の接合方法。 In the image processing step,
Of both end points of the outer peripheral edge of the substrate in the notch image intersecting with the outer peripheral edge of the notch image, an end point far from the apex of the notch part, and the outer peripheral edge of the substrate in each of the two or more edge images The joining method according to claim 7, wherein a center of a circle whose outer periphery substantially overlaps with a total of three or more points is calculated as the center position.
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