JP6465679B2 - レーザアニール方法及びレーザアニール装置 - Google Patents

Description

本発明は、レーザアニール方法及びレーザアニール装置に関する。

イオン注入されたドーパントを含む半導体基板にレーザビームを入射させることにより、ドーパントを活性化させるレーザアニール方法が公知である。下記の特許文献１に、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）の形成に適用されるレーザアニール方法が開示されている。このレーザアニール方法では、表層部の高濃度層（コレクタ層）と、高濃度層より深い位置に配置された低濃度層（バッファ層）との両方のドーパントを効率的に活性化することが可能である。

特開２０１３−２５８２８８号公報

ＩＧＢＴは、半導体基板の表側の面に、ゲートやエミッタ等の素子構造が配置され、裏側の面にコレクタが配置される。裏側の面にコレクタを形成するためのレーザアニールを行うときに、表側の面には、既にゲート、エミッタ等の素子構造が形成されている。表側の面は、素子構造を反映した凹凸を有する。レーザアニール時には、表側の面を吸着テーブルに吸着させた状態で、裏側の面にレーザビームを入射する。

本願の発明者らは、上述のレーザアニール方法で種々の評価実験を行った。その結果、基板面内方向に関して、レーザ加工品質にムラが生じる場合があることが分かった。本発明の目的は、加工品質にムラの生じにくいレーザアニール方法、及びレーザアニール装置を提供することである。

本発明の一観点によると、
表側の面が凹凸を有する半導体ウエハを準備する工程と、
前記表側の面の凹部に充填剤を空洞が発生しないように充填する工程と、
前記充填剤が充填された前記半導体ウエハを、前記表側の面がアニールテーブルに対向する姿勢で、前記アニールテーブルに保持する工程と、
前記アニールテーブルに保持された前記半導体ウエハの、前記表側の面とは反対の裏側の面にレーザビームを入射させることにより、アニールを行う工程と
を有するレーザアニール方法が提供される。

本発明の他の観点によると、
貼付テーブルと、
表側の面が凹凸を有する半導体ウエハが前記貼付テーブルに置かれた状態で、前記表側の面に接着剤層付の粘着部材の接着剤層を対向させ、前記粘着部材に対して前記表側の面に密着する方向に、前記半導体ウエハの表面の凹部内に空洞が発生しないように圧力を印加しながら、前記粘着部材を前記表側の面に貼付する加圧機構と、
前記貼付テーブルで前記粘着部材が接着された前記半導体ウエハを保持するアニールテーブルと、
前記アニールテーブルに保持された前記半導体ウエハに、レーザビームを入射させるレーザ光学系と
を有するレーザアニール装置が提供される。

凹部に充填剤を充填することにより、半導体ウエハとアニールテーブルとの間に空洞が生じ難くなる。半導体ウエハとアニールテーブルとの間に空洞が形成されると、半導体ウエハからアニールテーブルへの熱伝達が阻害される。熱伝達が阻害されると、半導体ウエハの温度が、面内方向に関してばらついてしまう。上述の構成を採用すると、空洞の発生が抑制されるため、温度のばらつきも少なくなる。これにより、加工品質のムラを抑制することができる。

図１は、実施例によるレーザアニール装置の概略図である。 図２Ａ〜図２Ｃは、半導体ウエハに粘着テープを貼り付ける工程での貼付テーブル、半導体ウエハ、及び粘着テープの断面図である。 図３Ａ〜図３Ｃは、実施例によるレーザアニール方法の途中段階における半導体ウエハ及び粘着テープの断面図である。 図３Ｄ〜図３Ｅは、実施例によるレーザアニール方法の途中段階における半導体ウエハ及び粘着テープの断面図である。 図４Ａ及び図４Ｂは、それぞれ比較例及び実施例による方法でレーザアニールを行う場合の半導体ウエハ及びアニールテーブルの断面図である。 図５は、比較例による方法でレーザアニールを行った半導体ウエハの断面図である。 図６Ａ及び図６Ｂは、シミュレーションモデルの断面図であり、図６Ｃは、シミュレーション結果を示すグラフである。 図７Ａは、シミュレーションモデルの断面図であり、図７Ｂは、シミュレーション結果を示すグラフである。 図８Ａは、実施例による方法で製造される半導体装置の例として示されたＩＧＢＴの断面図であり、図８Ｂは、レーザアニールを行う段階の半導体ウエハの断面図である。

図１に、実施例によるレーザアニール装置の概略図を示す。半導体レーザ発振器２１が、例えば波長８０８ｎｍの第１のパルスレーザビームを出力する。なお、波長６９０ｎｍ以上９５０ｎｍ以下のパルスレーザビームを出力する半導体レーザ発振器を用いてもよい。固体レーザ発振器３１が、緑色の波長域の第２のパルスレーザビームを出力する。固体レーザ発振器３１には、例えば第２高調波を出力するＮｄ：ＹＡＧ、Ｎｄ：ＹＬＦ、Ｎｄ：ＹＶＯ_４等のＱスイッチレーザが用いられる。

半導体レーザ発振器２１から出力された第１のパルスレーザビーム及び固体レーザ発振器３１から出力された第２のパルスレーザビームが、伝搬光学系２７を経由して、アニール対象物である半導体ウエハ５０に入射する。第１のパルスレーザビームと第２のパルスレーザビームとは、半導体ウエハ５０の表面の同一の領域に入射する。

次に、伝搬光学系２７の構成及び作用について説明する。半導体レーザ発振器２１から出力された第１のパルスレーザビームが、アッテネータ２２、ビームエキスパンダ２３、ホモジナイザ２４、ダイクロイックミラー２５、及び集光レンズ２６を経由して、半導体ウエハ５０に入射する。

固体レーザ発振器３１から出力された第２のパルスレーザビームが、可変アッテネータ３２、ビームエキスパンダ３３、ホモジナイザ３４、ベンディングミラー３５、ダイクロイックミラー２５、及び集光レンズ２６を経由して、半導体ウエハ５０に入射する。

アッテネータ２２は、第１のパルスレーザビームの強度を減衰させる。可変アッテネータ３２は、第２のパルスレーザビームの強度を減衰させる。可変アッテネータ３２による第２のパルスレーザビームの減衰量は可変である。ビームエキスパンダ２３、３３は、入射したパルスレーザビームをコリメートするとともに、ビーム径を拡大する。ホモジナイザ２４、３４及び集光レンズ２６は、半導体ウエハ５０の表面におけるビーム断面を長尺形状に整形するとともに、ビーム断面内の光強度分布を均一化する。第１のパルスレーザビームと第２のパルスレーザビームとは、半導体ウエハ５０の表面において、ほぼ同一の長尺領域に入射する。

半導体ウエハ５０は、アニールテーブル４０に保持されている。アニールテーブル４０は、半導体ウエハ５０を吸着する。吸着機構として、例えば真空チャックが用いられる。半導体ウエハ５０の表面に平行な面をｘｙ面とし、半導体ウエハ５０の表面の法線方向をｚ方向とするｘｙｚ直交座標系を定義する。移動機構４１が、制御装置１０からの制御を受けて、アニールテーブル４０をｘ方向及びｙ方向に移動させる。制御装置１０は、移動機構４１の他に、半導体レーザ発振器２１、固体レーザ発振器３１、可変アッテネータ３２、及びアニールテーブル４０の吸着機構を制御する。

レーザアニール装置は、さらに、貼付テーブル４５を含む。半導体ウエハ５０が貼付テーブル４５の上に保持された状態で、半導体ウエハ５０の素子構造が形成されている面（表側の面）に、粘着テープ５１が貼り付けられる。加圧機構４６が、粘着テープ５１に、半導体ウエハ５０に密着する方向の圧力を印加する。

粘着テープ５１が接着された半導体ウエハ５０が、移送機構４９によって、貼付テーブル４５からアニールテーブル４０まで移送される。移送機構４９には、例えば伸縮、昇降及び回転可能なロボットアームが用いられる。

図２Ａ〜図２Ｃを参照して、半導体ウエハ５０に粘着テープ５１を貼り付ける工程について説明する。

図２Ａに示すように、貼付テーブル４５の上に、半導体ウエハ５０の素子形成面（表側の面５０１）が上方を向く姿勢で、半導体ウエハ５０が載せられる。粘着テープ５１が、例えば繰り出しロール４８に巻かれた状態で準備されている。粘着テープ５１を繰り出しロール４８から送り出すことにより、半導体ウエハ５０の表側の面５０１に、接着剤層付の粘着テープ５１の接着剤層を対向させる。

この状態で、加圧機構４６により、粘着テープ５１に対して、半導体ウエハ５０に密着する方向の圧力を印加しながら、粘着テープ５１を半導体ウエハ５０の表側の面５０１に貼付する。加圧機構４６として、例えば加圧ローラが用いられる。加圧ローラと半導体ウエハ５０との間に粘着テープ５１を挟んで、加圧ローラを半導体ウエハ５０に押し付けながら移動させることにより、粘着テープ５１が半導体ウエハ５０に貼付される。

図２Ｂに、粘着テープ５１が半導体ウエハ５０の表側の面の全域に貼り付けられた状態を示す。

図２Ｃに示すように、切断機４７で粘着テープ５１を切断する。これにより、半導体ウエハ５０に貼付された粘着テープ５１が、繰り出しロール４８（図２Ａ）に巻かれている部分から切り離される。

図３Ａ〜図３Ｅを参照して、半導体ウエハ５０と粘着テープ５１との接着部分に着目して、レーザアニール方法について説明する。

図３Ａに示すように、貼付テーブル４５の上に、半導体ウエハ５０が、その表側の面５０１を上方に向けた姿勢で保持されている。表側の面５０１に凹凸形成されている。表側の面５０１に凹部５０３が現れている。裏側の面５０２は、ほぼ平坦である。表側の面５０１に、樹脂製の保護膜５５が形成されている。保護膜５５の表面は、半導体ウエハ５０の表側の面５０１の凹凸を反映した形状を有する。粘着テープ５１の接着剤層５１２が、半導体ウエハ５０の表側の面５０１に対向する。接着剤層５１２の基材として、例えばアクリルが用いられる。

図３Ｂに、粘着テープ５１が貼付された状態の半導体ウエハ５０の断面図を示す。粘着テープ５１の貼付時に、加圧機構４６（図２Ａ）が粘着テープ５１を半導体ウエハ５０に押し付けるため、接着剤層５１２の接着剤が、表側の面５０１の凹部５０３内に充填される。接着剤が、充填剤としての役割を担う。粘着テープ５１の外側の表面は平坦なままである。

図３Ｃに示すように、粘着テープ５１が貼付された半導体ウエハ５０を、貼付テーブル４５（図３Ｂ）からアニールテーブル４０に移送する。半導体ウエハ５０が、その表側の面５０１をアニールテーブル４０に対向させた姿勢で、アニールテーブル４０に保持される。粘着テープ５１の外側の表面が、そのほぼ全域においてアニールテーブル４０に密着する。

図３Ｄに示すように、アニールテーブル４０を、ｘ方向またはｙ方向（図１）に移動させながら、パルスレーザビーム３８を、半導体ウエハ５０の裏側の面５０２に入射させる。これにより、半導体ウエハ５０のアニールが行われる。

図３Ｅに示すように、アニールテーブル４０から半導体ウエハ５０を取り出し、さらに、半導体ウエハ５０から粘着テープ５１を剥離する。半導体ウエハ５０が十分な機械的強度を持つ場合には、半導体ウエハ５０を吸着テーブルに吸着させた状態で、粘着テープ５１を半導体ウエハ５０から剥離することが可能である。半導体ウエハ５０の機械的強度が十分でない場合には、紫外線硬化性の接着剤層を持つ粘着テープ５１を用いることが好ましい。接着剤層に紫外線を照射することにより、粘着テープ５１を半導体ウエハ５０から容易に剥離することができる。

次に、図４Ａ〜図７Ｂを参照して、上記実施例によるレーザアニール方法の優れた効果について説明する。

図４Ａに、比較例による方法でレーザアニールを行う場合の半導体ウエハ５０及びアニールテーブル４０の断面図を示す。半導体ウエハ５０の表側の面５０１に凹部５０３が形成されている。表側の面５０１に粘着テープ５１が貼り付けられているが、凹部５０３内に接着剤は充填されておらず、凹部５０３は空洞のままである。

半導体ウエハ５０の裏側の面５０２にレーザビームを入射させると、裏側の面５０２の表層部が加熱される。これにより、裏側の面５０２から表側の面５０１に向かう熱流５７が発生する。凹部５０３が設けられていない部分では、熱が、半導体ウエハ５０から粘着テープ５１を介してアニールテーブル４０に伝達される。これに対し、凹部５０３が設けられている部分では、熱の伝達経路に空気が存在する。このため、凹部５０３が設けられている部分の熱の伝達率が、凹部５０３が設けられていない部分の熱の伝達率より低い。このため、凹部５０３の底面の温度が高くなりやすい。

図５に、比較例による方法でレーザアニールを行った半導体ウエハ５０の断面図の一例を示す。表側の面５０１に樹脂製の保護膜５５が形成されている。レーザアニール中に凹部５０３の底部の温度が過度に上昇すると、保護膜５５に気泡５５１または変質部分５５２が発生する場合がある。

図４Ｂに、実施例による方法でレーザアニールを行う場合の半導体ウエハ５０及びアニールテーブル４０の断面図を示す。実施例による方法では、凹部５０３内に粘着テープ５１の接着剤が充填されている。接着剤は、空気に比べて高い熱伝導率を有する。また、半導体ウエハ５０と接着剤との界面の熱伝達率は、半導体ウエハ５０と空気との界面の熱伝達率よりも高い。このため、凹部５０３が設けられている部分においても、半導体ウエハ５０から粘着テープ５１を介してアニールテーブル４０まで熱が伝達される。これにより、凹部５０３の底面の温度の過度の上昇を抑制することができる。温度上昇が抑制されるため、保護膜５５（図３Ｅ）の変質を抑制することができ、気泡の発生も抑制することができる。

図６Ａ〜図６Ｃを参照して、凹部５０３（図４Ａ、図４Ｂ）が設けられた部分と設けられていない部分との温度上昇のシミュレーション結果について説明する。図６Ａ及び図６Ｂは、シミュレーションモデルの断面図を示す。

図６Ａに示したシミュレーションモデルＡは、厚さ１００μｍの半導体ウエハと、その下に配置された厚さ６０μｍの空気層とで構成される。図６Ｂに示したシミュレーションモデルＢは、厚さ１００μｍの半導体ウエハと、その下に配置された厚さ６０μｍの樹脂層とで構成される。空気層（図６Ａ）及び樹脂層（図６Ｂ）の下には、ＳｉＯ_２（ガラス）が配置されているという条件でシミュレーションを行った。この条件は、接着剤層付のガラス板を半導体ウエハに貼り付けた状態に対応する。

シミュレーションモデルＡは、半導体ウエハ５０の凹部５０３（図４Ａ）が設けられている部分に対応し、シミュレーションモデルＢは、凹部５０３（図４Ａ）が設けられていない部分に対応する。シミュレーションモデルＡ及びシミュレーションモデルＢの半導体ウエハの上面にレーザビームを３ショット入射させ、３ショット目の入射直後における最高到達温度をシミュレーションによって算出した。

図６Ｃに、シミュレーション結果を示す。横軸は半導体ウエハの上面からの深さを単位「μｍ」で表し、縦軸は最高到達温度を単位「Ｋ」で表す。図６Ｃのグラフ中の丸記号及び四角記号は、それぞれシミュレーションモデルＡ及びシミュレーションモデルＢの半導体ウエハ内の温度を示す。

シミュレーションモデルＡの最高到達温度が、シミュレーションモデルＢの最高到達温度より高いことがわかる。これは、半導体ウエハとアニールテーブルとの界面に空気層が配置されることにより、熱伝達効率が低下したことに起因する。

一般的に、ＩＧＢＴのコレクタ層は、半導体ウエハの表面から１μｍ〜５μｍ程度まで達する。図６Ｃに示したシミュレーション結果から、半導体ウエハの深さ５μｍより浅い領域においても、最高到達温度に差が生じていることがわかる。シミュレーションモデルＡとシミュレーションモデルＢとで、半導体ウエハの深さ５μｍより浅い領域の最高到達温度に差が生じることは、図４Ａに示した比較例において、凹部５０３が設けられた領域と、凹部５０３が設けられていない領域とで、ドーパントの活性化率が異なることを示唆している。

実施例においては、凹部５０３（図４Ｂ）が接着剤で充填されるため、空洞が発生しない。このため、最高到達温度が凹部５０３の影響を受けにくい。これにより、面内方向に関して、ドーパントの活性化率を均一化することが可能である。

図７Ａ及び図７Ｂを参照して、半導体ウエハの下に配置される樹脂層の厚さを変化させたときの最高到達温度のシミュレーション結果について説明する。

図７Ａに、シミュレーションモデルの断面図を示す。厚さ１００μｍの半導体ウエハの下に、厚さ１０μｍ乃至２００μｍの樹脂層が配置されている。この樹脂層は、図３Ｃに示した接着剤層付の粘着テープ５１に対応する。樹脂層の下には、ＳｉＯ_２（ガラス）が配置されているという条件でシミュレーションを行った。

図７Ｂに、シミュレーション結果を示す。横軸は樹脂層の厚さを単位「μｍ」で表し、縦軸は最高到達温度を単位「Ｋ」で表す。図７Ｂのグラフ中の丸記号、四角記号、三角記号、五角形記号、六角形記号、及び星形記号は、それぞれ半導体ウエハの上面からの深さが０μｍ、１μｍ、２μｍ、３μｍ、５μｍ、及び１０μｍの位置の最高到達温度を示す。図３Ｃに示した断面図において、凹部５０３が設けられている部分が、樹脂層の厚いシミュレーションモデルに対応し、凹部５０３が設けられていない部分が、樹脂層の薄いシミュレーションモデルに対応する。

いずれの深さにおいても、樹脂層が厚くなるに従って最高到達温度が低くなっている。これは、樹脂層が厚くなると、樹脂層の熱容量が大きくなり、半導体ウエハから樹脂層に、より多くの熱が吸収されるためと考えられる。

樹脂層の厚さ変化に対する最高到達温度の変化の傾きは、樹脂層が厚くなるほど緩やかである。これは、粘着テープ５１が厚くなると、最高到達温度が凹部５０３（図３Ｃ）の有無の影響を受け難いことを意味する。面内方向に関する温度のばらつきを少なくするために、粘着テープ５１の厚さを１００μｍ以上にすることが好ましい。粘着テープ５１の厚さが２００μｍを超えると、粘着テープ５１を厚くしても、温度のばらつきを少なくする効果に大きな変化はない。従って、粘着テープ５１の厚さは、２００μｍ以下とすることが好ましい。

図８Ａに、実施例による方法で製造される半導体装置の例として、ＩＧＢＴの断面図を示す。ｎ型のシリコンからなる半導体ウエハ５０の表側の面５０１にエミッタとゲートが形成される。裏側の面５０２コレクタが形成される。半導体ウエハ５０として、通常はシリコン単結晶ウエハが用いられる。表側の面５０１に形成されるエミッタとゲート等の構造は、一般的なＭＯＳＦＥＴの作製工程と同様の工程で作製される。例えば、図８Ａに示すように、半導体ウエハ５０の表側の面５０１の表層部に、ｐ型のベース領域６１、ｎ型のエミッタ領域６２、ゲート電極６３、ゲート絶縁膜６４、エミッタ電極６５が配置される。ゲート−エミッタ間の電圧で、電流のオンオフ制御を行うことができる。

半導体ウエハ５０の裏側の面５０２の表層部に、ｐ型のコレクタ層６７及び低濃度のｎ型のバッファ層６６が形成されている。バッファ層６６は、コレクタ層６７よりも深い位置に配置される。コレクタ層６７及びバッファ層６６は、それぞれドーパントとして、例えばボロン及びリンをイオン注入し、活性化アニールを行うことにより形成される。この活性化アニールに、図１に示したレーザアニール装置が適用される。コレクタ電極６８が、活性化アニールの後に、コレクタ層６７の表面に形成される。

裏側の面５０２からコレクタ層６７とバッファ層６６との界面までの深さは、例えば約０．３μｍである。裏側の面５０２からバッファ層６６の最も深い位置までの深さは、例えば１μｍ〜５μｍの範囲内である。

図８Ｂに、レーザアニールを行う段階の半導体ウエハ５０の断面図を示す。半導体ウエハ５０の裏側の面５０２の表面近傍の相対的に浅い部分６７ａにボロンがイオン注入されている。相対的に深い部分６６ａにリンがイオン注入されている。浅い部分６７ａ内のボロン、及び深い部分６６ａ内のリンは、活性化していない。

半導体ウエハ５０の表側の面５０１に凹部５０３が形成されている。凹部５０３内に、粘着テープ５１の接着剤層５１２の接着剤が充填されている。粘着テープ５１がアニールテーブル４０に吸着されている。半導体ウエハ５０の裏側の面５０２にパルスレーザビーム３８を入射させることにより、レーザアニールが行われる。このレーザアニールにより、浅い部分６７ａ内のボロン及び深い部分６６ａ内のリンが活性化される。

レーザアニール時に、表側の面５０１の凹部５０３に接着剤層５１２の接着剤が充填されているため、ウエハ面内方向に関して、一様なアニールを行うことが可能である。

図８Ａ及び図８Ｂでは、実施例によるレーザアニール装置をＩＧＢＴの製造に適用したが、実施例によるレーザアニール装置は、その他の半導体素子、例えばイメージセンサ用の素子の製造にも適用することが可能である。

上記実施例では、半導体ウエハ５０の凹部５０３に充填する充填剤として、粘着テープ５１（図３Ａ）の接着剤層を用いたが、粘着テープ５１以外の粘着部材の接着剤層を用いてもよい。例えば、粘着部材として、接着剤層付のガラス板を用いることも可能である。粘着部材として、接着剤層付のガラス板を用いる場合には、加圧機構４６（図１、図２Ａ）として、平面に均一な荷重を印加するプレス装置を用いることができる。

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。

１０ 制御装置
２１ 半導体レーザ発振器
２２ アッテネータ
２３ ビームエキスパンダ
２４ ホモジナイザ
２５ ダイクロイックミラー
２６ 集光レンズ
２７ 伝搬光学系
３１ 固体レーザ発振器
３２ 可変アッテネータ
３３ ビームエキスパンダ
３４ ホモジナイザ
３５ ベンディングミラー
３８ パルスレーザビーム
４０ アニールテーブル
４１ 移動機構
４５ 貼付テーブル
４６ 加圧機構
４７ 切断機
４８ 繰り出しロール
４９ 移送機構
５０ 半導体ウエハ
５０１ 表側の面
５０２ 裏側の面
５０３ 凹部
５１ 粘着テープ
５１２ 接着剤層
５５ 保護膜
５５１ 気泡
５５２ 変質部分
５７ 熱流
６１ ｐ型のベース領域
６２ ｎ型のエミッタ領域
６３ ゲート電極
６４ ゲート絶縁膜
６５ エミッタ電極
６６ ｎ型のバッファ層
６６ａ 深い部分
６７ ｐ型のコレクタ層
６７ａ 浅い部分
６８ コレクタ電極

Claims (5)

1. 表側の面が凹凸を有する半導体ウエハを準備する工程と、
   前記表側の面の凹部に充填剤を空洞が発生しないように充填する工程と、
   前記充填剤が充填された前記半導体ウエハを、前記表側の面がアニールテーブルに対向する姿勢で、前記アニールテーブルに保持する工程と、
   前記アニールテーブルに保持された前記半導体ウエハの、前記表側の面とは反対の裏側の面にレーザビームを入射させることにより、アニールを行う工程と
   を有するレーザアニール方法。
2. 前記充填剤は、接着剤層付の粘着部材の接着剤であり、前記充填剤を充填する工程において、前記粘着部材に対して前記表側の面に密着する方向の圧力を印加しながら、前記粘着部材を前記表側の面に貼付する請求項１に記載のレーザアニール方法。
3. 前記表側の面に樹脂製の保護膜が形成されており、前記保護膜の表面は、前記表側の面の凹凸を反映した形状を有する請求項１または２に記載のレーザアニール方法。
4. 貼付テーブルと、
   表側の面が凹凸を有する半導体ウエハが前記貼付テーブルに置かれた状態で、前記表側の面に接着剤層付の粘着部材の接着剤層を対向させ、前記粘着部材に対して前記表側の面に密着する方向に、前記半導体ウエハの表面の凹部内に空洞が発生しないように圧力を印加しながら、前記粘着部材を前記表側の面に貼付する加圧機構と、
   前記貼付テーブルで前記粘着部材が接着された前記半導体ウエハを保持するアニールテーブルと、
   前記アニールテーブルに保持された前記半導体ウエハに、レーザビームを入射させるレーザ光学系と
   を有するレーザアニール装置。
5. さらに、前記貼付テーブルに保持された前記半導体ウエハを、前記アニールテーブルまで移送する移送機構を有する請求項４に記載のレーザアニール装置。
   

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