JP6913064B2 - Method for manufacturing solder composition and electronic board - Google Patents
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Description
本発明は、はんだ組成物および電子基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a solder composition and an electronic substrate.
はんだ組成物は、はんだ粉末にフラックス組成物(ロジン系樹脂、活性剤および溶剤など)を混練してペースト状にした混合物である(特許文献1参照)。近年、はんだとしては、環境問題に配慮して、鉛(Pb)を含有しない鉛フリーはんだが広く使用されている。また、フラックス組成物としては、環境問題に配慮して、ハロゲンを削減したハロゲンフリーや、ハロゲンを全く含有しないノンハロゲンが求められている。 The solder composition is a mixture in which a flux composition (rosin-based resin, activator, solvent, etc.) is kneaded with solder powder to form a paste (see Patent Document 1). In recent years, lead-free solder containing no lead (Pb) has been widely used as a solder in consideration of environmental problems. Further, as the flux composition, in consideration of environmental problems, halogen-free with reduced halogen and non-halogen containing no halogen are required.
従来のフラックス組成物中のハロゲン化合物は、優れた性能を有する活性剤として用いられている。また、このハロゲン化合物は、理由は定かではないが、溶融前のはんだ組成物がスルーホールからたれ落ちる現象(以下、「たれ落ち」ともいう)を抑制していることが分かった。このたれ落ちは、例えば、ディスクリート部品(例えば、トランジスタ、ダイオードおよび抵抗部品など)のようにリードを有する電子部品を実装する際に、問題となる。そこで、ハロゲン化合物を用いないで、たれ落ちを抑制する方法が求められている。 The halogen compound in the conventional flux composition is used as an activator having excellent performance. Further, although the reason is not clear, it was found that this halogen compound suppresses the phenomenon that the solder composition before melting drips from the through holes (hereinafter, also referred to as “dripping”). This sagging becomes a problem when mounting electronic components with leads, such as discrete components (eg, transistors, diodes and resistor components, etc.). Therefore, there is a demand for a method of suppressing dripping without using a halogen compound.
本発明は、ハロゲンフリーまたはノンハロゲンであり、かつ、たれ落ちを十分に抑制できるはんだ組成物、並びに、これらを用いた電子基板の製造方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a solder composition which is halogen-free or non-halogen and can sufficiently suppress dripping, and a method for producing an electronic substrate using these.
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、次の知見を見出した。すなわち、活性剤である低分子量のジカルボン酸と、融点または軟化点の異なる2種のアマイド系チクソ剤とを併用した場合には、驚くべきことに、ハロゲン化合物を用いないで、たれ落ちを抑制できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明のはんだ組成物は、(A)ロジン系樹脂、(B)活性剤、(C)溶剤および(D)チクソ剤を含有するフラックス組成物と、(E)はんだ粉末とを含有し、前記(B)成分が、(B1)分子量が133以下のジカルボン酸を含有し、前記(D)成分が、(D1)融点または軟化点が200℃以上のアマイド系チクソ剤、および、(D2)融点または軟化点が150℃以下のアマイド系チクソ剤を含有することを特徴とするものである。
As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found the following findings. That is, when a low molecular weight dicarboxylic acid, which is an activator, and two kinds of amide-based thixogens having different melting points or softening points are used in combination, surprisingly, dripping is suppressed without using a halogen compound. We have found what we can do and have completed the present invention.
That is, the solder composition of the present invention contains (A) a rosin-based resin, (B) an activator, (C) a solvent and (D) a flux composition containing a thixo agent, and (E) a solder powder. The component (B) contains a dicarboxylic acid having a molecular weight of (B1) of 133 or less, and the component (D1) is an amide-based solder having a melting point or softening point of 200 ° C. or higher, and (D2). ) It is characterized by containing an amide-based tinxant having a melting point or a softening point of 150 ° C. or lower.
本発明のはんだ組成物においては、前記(D1)成分が、カルボン酸とジアミンとを反応させてなるものであり、前記カルボン酸が、炭素数16以上の脂肪族モノカルボン酸、および多塩基酸を含有することが好ましい。
本発明のはんだ組成物においては、前記(D2)成分が、エチレンビスステアリン酸アマイドであることが好ましい。
本発明のはんだ組成物においては、当該はんだ組成物中における塩素濃度が900質量ppm以下であり、臭素濃度が900質量ppm以下であり、ヨウ素濃度が900質量ppm以下であり、かつ、ハロゲン濃度が1500質量ppm以下であるものであることが好ましい。
In the solder composition of the present invention, the component (D1) is formed by reacting a carboxylic acid with a diamine, and the carboxylic acid is an aliphatic monocarboxylic acid having 16 or more carbon atoms and a polybasic acid. Is preferably contained.
In the solder composition of the present invention, the component (D2) is preferably ethylene bisstearic acid amide.
In the solder composition of the present invention, the chlorine concentration in the solder composition is 900 mass ppm or less, the bromine concentration is 900 mass ppm or less, the iodine concentration is 900 mass ppm or less, and the halogen concentration is It is preferably 1500 mass ppm or less.
本発明の電子基板の製造方法は、前記はんだ組成物を用いる電子基板の製造方法であって、配線基板上に、前記はんだ組成物を塗布する塗布工程と、電子部品を前記はんだ組成物上に搭載する搭載工程と、前記電子部品が搭載された前記配線基板を加熱するリフロー工程と、を備えることを特徴とする方法である。 The method for manufacturing an electronic substrate of the present invention is a method for manufacturing an electronic substrate using the solder composition, which comprises a coating step of applying the solder composition on a wiring board and an electronic component on the solder composition. The method is characterized by including a mounting process for mounting and a reflow step for heating the wiring board on which the electronic component is mounted.
本発明によれば、ハロゲンフリーまたはノンハロゲンであり、かつ、たれ落ちを十分に抑制できるはんだ組成物、並びに、これらを用いた電子基板の製造方法を提供できる。 According to the present invention, it is possible to provide a solder composition which is halogen-free or non-halogen and can sufficiently suppress dripping, and a method for producing an electronic substrate using these.
本実施形態のはんだ組成物は、以下説明するフラックス組成物と、以下説明する(E)はんだ粉末とを含有するものである。 The solder composition of the present embodiment contains the flux composition described below and the solder powder (E) described below.
[フラックス組成物]
まず、本実施形態に用いるフラックス組成物について説明する。本実施形態に用いるフラックス組成物は、はんだ組成物におけるはんだ粉末以外の成分であり、(A)ロジン系樹脂、(B)活性剤、(C)溶剤および(D)チクソ剤を含有するものである。
[Flux composition]
First, the flux composition used in this embodiment will be described. The flux composition used in this embodiment is a component other than the solder powder in the solder composition, and contains (A) a rosin-based resin, (B) an activator, (C) a solvent, and (D) a thixo agent. be.
[(A)成分]
本実施形態に用いる(A)ロジン系樹脂としては、ロジン類およびロジン系変性樹脂が挙げられる。ロジン類としては、ガムロジン、ウッドロジンおよびトール油ロジンなどが挙げられる。ロジン系変性樹脂としては、不均化ロジン、重合ロジン、水素添加ロジンおよびこれらの誘導体などが挙げられる。水素添加ロジンとしては、完全水添ロジン、部分水添ロジン、並びに、不飽和有機酸((メタ)アクリル酸などの脂肪族の不飽和一塩基酸、フマル酸、マレイン酸などのα,β−不飽和カルボン酸などの脂肪族不飽和二塩基酸、桂皮酸などの芳香族環を有する不飽和カルボン酸など)の変性ロジンである不飽和有機酸変性ロジンの水素添加物(「水添酸変性ロジン」ともいう)などが挙げられる。これらのロジン系樹脂は1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
[(A) component]
Examples of the (A) rosin-based resin used in the present embodiment include rosins and rosin-based modified resins. Examples of rosins include gum rosin, wood rosin and tall oil rosin. Examples of the rosin-based modified resin include disproportionated rosins, polymerized rosins, hydrogenated rosins and derivatives thereof. Hydrogenated rosins include fully hydrogenated rosins, partially hydrogenated rosins, and aliphatic unsaturated monobasic acids such as unsaturated organic acids ((meth) acrylic acid, and α, β- such as fumaric acid and maleic acid. Hydrogenated additive of unsaturated organic acid-modified rosin, which is a modified rosin of aliphatic unsaturated dibasic acid such as unsaturated carboxylic acid, unsaturated carboxylic acid having an aromatic ring such as cinnamic acid, etc. Also called "rosin"). One of these rosin-based resins may be used alone, or two or more thereof may be mixed and used.
(A)成分としては、酸価が200mgKOH/g以上であるロジン系樹脂、および、酸価が50mgKOH/g以下であるロジンエステルを含有することが好ましい。このような(A1)成分としては、(A)成分のうち、酸価が200mgKOH/g以上のロジン系樹脂(但し、ロジンエステルを除く。)が挙げられる。また、活性作用の観点から、(A1)成分の酸価は、220mgKOH/g以上であることが好ましい。
(A2)成分は、ロジンエステルである。このロジンエステルとしては、ロジン類およびロジン系変性樹脂をエステル化したものが挙げられる。フラックス残さのクラックの抑制の観点から、(A2)成分の酸価は、30mgKOH/g以下であることが好ましく、20mgKOH/g以下であることがより好ましく、15mgKOH/g以下であることが特に好ましい。
なお、酸価(平均酸価)は、試料1gに含まれている遊離脂肪酸を中和するのに必要な水酸化カリウムを求めることで測定できる。
The component (A) preferably contains a rosin-based resin having an acid value of 200 mgKOH / g or more and a rosin ester having an acid value of 50 mgKOH / g or less. Examples of such component (A1) include rosin-based resins having an acid value of 200 mgKOH / g or more (excluding rosin esters) among the components (A). Further, from the viewpoint of active action, the acid value of the component (A1) is preferably 220 mgKOH / g or more.
The component (A2) is a rosin ester. Examples of this rosin ester include those obtained by esterifying rosins and rosin-based modified resins. From the viewpoint of suppressing cracks in the flux residue, the acid value of the component (A2) is preferably 30 mgKOH / g or less, more preferably 20 mgKOH / g or less, and particularly preferably 15 mgKOH / g or less. ..
The acid value (average acid value) can be measured by determining potassium hydroxide necessary for neutralizing the free fatty acid contained in 1 g of the sample.
(A)成分の配合量は、フラックス組成物100質量%に対して、20質量%以上60質量%以下であることが好ましく、25質量%以上50質量%以下であることがより好ましい。(A)成分の配合量が前記下限以上であれば、はんだ付ランドの銅箔面の酸化を防止してその表面に溶融はんだをぬれやすくする、いわゆるはんだ付け性を向上でき、はんだボールを十分に抑制できる。また、(A)成分の配合量が前記上限以下であれば、フラックス残さ量を十分に抑制できる。 The blending amount of the component (A) is preferably 20% by mass or more and 60% by mass or less, and more preferably 25% by mass or more and 50% by mass or less with respect to 100% by mass of the flux composition. When the blending amount of the component (A) is equal to or higher than the above lower limit, it is possible to improve the so-called solderability, which prevents oxidation of the copper foil surface of the soldered land and makes it easier for the molten solder to get wet on the surface, and the solder ball is sufficiently used. Can be suppressed. Further, when the blending amount of the component (A) is not more than the above upper limit, the amount of flux residue can be sufficiently suppressed.
[(B)成分]
本実施形態に用いる(B)活性剤は、(B1)分子量が133以下のジカルボン酸を含有することが必要である。この(B1)成分と、後述する(D1)成分および(D2)成分との組み合わせにより、理由は定かではないが、たれ落ちを抑制できる。また、(B1)成分の分子量は、90以上133以下であることが好ましく、104以上133以下であることがより好ましい。
(B1)成分としては、例えば、シュウ酸(分子量90)、マロン酸(分子量104)、コハク酸(分子量118)、およびグルタル酸(分子量132)が挙げられる。
[(B) component]
The (B) activator used in this embodiment needs to contain (B1) a dicarboxylic acid having a molecular weight of 133 or less. By combining this component (B1) with the components (D1) and (D2) described later, it is possible to suppress dripping, although the reason is not clear. The molecular weight of the component (B1) is preferably 90 or more and 133 or less, and more preferably 104 or more and 133 or less.
Examples of the component (B1) include oxalic acid (molecular weight 90), malonic acid (molecular weight 104), succinic acid (molecular weight 118), and glutaric acid (molecular weight 132).
(B1)成分の配合量としては、フラックス組成物100質量%に対して、0.1質量%以上5質量%以下であることが好ましく、0.2質量%以上4質量%以下であることがより好ましく、0.5質量%以上3.5質量%以下であることが特に好ましい。配合量が前記下限以上であれば、はんだぬれ性を更に向上できる。また、配合量が前記上限以下であれば、フラックス組成物の保存安定性を更に向上できる。 The blending amount of the component (B1) is preferably 0.1% by mass or more and 5% by mass or less, and preferably 0.2% by mass or more and 4% by mass or less with respect to 100% by mass of the flux composition. More preferably, it is 0.5% by mass or more and 3.5% by mass or less. When the blending amount is at least the above lower limit, the solder wettability can be further improved. Further, when the blending amount is not more than the above upper limit, the storage stability of the flux composition can be further improved.
(B)成分は、本発明の課題を達成できる範囲において、(B1)成分以外の有機酸((B2)成分)をさらに含有してもよい。
(B2)成分としては、モノカルボン酸、(B1)成分以外のジカルボン酸などの他に、その他の有機酸が挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
モノカルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブチリック酸、バレリック酸、カプロン酸、エナント酸、カプリン酸、ラウリル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、ツベルクロステアリン酸、アラキジン酸、ベヘニン酸、リグノセリン酸、およびグリコール酸などが挙げられる。
ジカルボン酸としては、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フマル酸、マレイン酸、酒石酸、およびジグリコール酸などが挙げられる。
その他の有機酸としては、ダイマー酸、トリマー酸、レブリン酸、乳酸、アクリル酸、安息香酸、サリチル酸、アニス酸、クエン酸、およびピコリン酸などが挙げられる。これらの中でも、はんだぬれ性を向上できるという観点から、ダイマー酸を用いることがより好ましい。
The component (B) may further contain an organic acid (component (B2)) other than the component (B1) as long as the subject of the present invention can be achieved.
Examples of the component (B2) include monocarboxylic acids, dicarboxylic acids other than the component (B1), and other organic acids. One of these may be used alone, or two or more thereof may be mixed and used.
Monocarboxylic acids include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, enanthic acid, capric acid, lauric acid, myristic acid, pentadecylic acid, palmitic acid, margaric acid, stearic acid, tubercrostearic acid. , Arakidic acid, behenic acid, lignoseric acid, and glycolic acid.
Examples of the dicarboxylic acid include adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, fumaric acid, maleic acid, tartaric acid, and diglycolic acid.
Other organic acids include dimer acid, trimer acid, levulinic acid, lactic acid, acrylic acid, benzoic acid, salicylic acid, anis acid, citric acid, picolin acid and the like. Among these, it is more preferable to use dimer acid from the viewpoint of improving solder wettability.
(B)成分は、本発明の課題を達成できる範囲において、(B1)成分および(B2)成分以外に、その他の活性剤((B3)ハロゲン系活性剤、および(B4)アミン系活性剤など)をさらに含有してもよい。ただし、ハロゲンフリーの観点からは、(B)成分は、(B1)成分および(B2)成分のみからなることが好ましい。また、(B1)成分および(B2)成分の配合量の合計は、(B)成分100質量%に対して、85質量%以上であることが好ましく、90質量%以上であることがより好ましく、95質量%以上であることが特に好ましい。 In addition to the components (B1) and (B2), the component (B) includes other activators ((B3) halogen-based activators, (B4) amine-based activators, etc., as long as the problems of the present invention can be achieved. ) May be further contained. However, from the viewpoint of halogen-free, the component (B) is preferably composed of only the component (B1) and the component (B2). The total amount of the (B1) component and the (B2) component is preferably 85% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, based on 100% by mass of the (B) component. It is particularly preferably 95% by mass or more.
(B3)成分としては、塩素化物、臭素化物、フッ化物のように塩素、臭素、フッ素の各単独元素の共有結合による化合物でもよいが、塩素、臭素およびフッ素の任意の2つまたは全部のそれぞれの共有結合を有する化合物でもよい。これらの化合物は、水性溶媒に対する溶解性を向上させるために、例えばハロゲン化アルコールやハロゲン化カルボキシル化合物のように水酸基やカルボキシル基などの極性基を有することが好ましい。ハロゲン化アルコールとしては、例えば2,3−ジブロモプロパノール、2,3−ジブロモブタンジオール、トランス−2,3−ジブロモ−2−ブテン−1,4−ジオール、1,4−ジブロモ−2−ブタノール、およびトリブロモネオペンチルアルコールなどの臭素化アルコール、1,3−ジクロロ−2−プロパノール、および1,4−ジクロロ−2−ブタノールなどの塩素化アルコール、3−フルオロカテコールなどのフッ素化アルコール、並びに、その他これらに類する化合物が挙げられる。ハロゲン化カルボキシル化合物としては、2−ヨード安息香酸、3−ヨード安息香酸、2−ヨードプロピオン酸、5−ヨードサリチル酸、および5−ヨードアントラニル酸などのヨウ化カルボキシル化合物、2−クロロ安息香酸、および3−クロロプロピオン酸などの塩化カルボキシル化合物、2,3−ジブロモプロピオン酸、2,3−ジブロモコハク酸、および2−ブロモ安息香酸などの臭素化カルボキシル化合物、並びに、その他これらに類する化合物が挙げられる。なお、これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。 The component (B3) may be a compound formed by covalent bonds of each single element of chlorine, bromine, and fluorine, such as chlorinated, bromine, and fluoride, but any two or all of chlorine, bromine, and fluorine can be used. It may be a compound having a covalent bond of. These compounds preferably have a polar group such as a hydroxyl group or a carboxyl group, such as a halogenated alcohol or a halogenated carboxyl compound, in order to improve the solubility in an aqueous solvent. Examples of the halogenated alcohol include 2,3-dibromopropanol, 2,3-dibromobutanediol, trans-2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol, 1,4-dibromo-2-butanol, and the like. And brominated alcohols such as tribromoneopentyl alcohols, chlorinated alcohols such as 1,3-dichloro-2-propanol and 1,4-dichloro-2-butanol, fluorinated alcohols such as 3-fluorocatechol, and Other compounds similar to these can be mentioned. The carboxylated carboxyl compounds include carboxyl compounds iodide such as 2-iodobenzoic acid, 3-iodobenzoic acid, 2-iodopropionic acid, 5-iodosalicylic acid, and 5-iodoanthranic acid, 2-chlorobenzoic acid, and Examples thereof include carboxyl chloride compounds such as 3-chloropropionic acid, brominated carboxyl compounds such as 2,3-dibromopropionic acid, 2,3-dibromosuccinic acid, and 2-bromobenzoic acid, and other similar compounds. .. In addition, these may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types in mixture.
(B4)成分としては、アミン類(エチレンジアミンなどのポリアミンなど)、アミン塩類(トリメチロールアミン、シクロヘキシルアミン、およびジエチルアミンなどのアミンやアミノアルコールなどの有機酸塩や無機酸塩(塩酸、硫酸、および臭化水素酸など))、アミノ酸類(グリシン、アラニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、およびバリンなど)、アミド系化合物、およびイミダゾール系化合物などが挙げられる。具体的には、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアミン塩(塩酸塩、コハク酸塩、アジピン酸塩、およびセバシン酸塩など)、トリエタノールアミン、モノエタノールアミン、並びに、これらのアミンの臭化水素酸塩などが挙げられる。 As the component (B4), amines (polyamines such as ethylenediamine), amine salts (amines such as trimethylolamine, cyclohexylamine, and diethylamine, organic acid salts such as aminoalcohol, and inorganic acid salts (hydrochloride, sulfuric acid, and). Hydrobromic acid, etc.)), amino acids (glycine, alanine, aspartic acid, glutamate, and valine, etc.), amide compounds, imidazole compounds, and the like. Specifically, diphenylguanidine hydrobromide, cyclohexylamine hydrobromide, diethylamine salts (such as hydrochlorides, succinates, adipates, and sebacates), triethanolamine, monoethanolamine, In addition, hydrobromide of these amines and the like can be mentioned.
(B)成分の配合量としては、フラックス組成物100質量%に対して、1質量%以上20質量%以下であることが好ましく、3質量%以上15質量%以下であることがより好ましく、5質量%以上12質量%以下であることが特に好ましい。配合量が前記下限以上であれば、はんだボールがより確実に抑制できる。また、配合量が前記上限以下であれば、フラックス組成物の絶縁信頼性を確保できる。 The blending amount of the component (B) is preferably 1% by mass or more and 20% by mass or less, more preferably 3% by mass or more and 15% by mass or less, based on 100% by mass of the flux composition. It is particularly preferable that it is by mass% or more and 12% by mass or less. When the blending amount is at least the above lower limit, the solder balls can be suppressed more reliably. Further, when the blending amount is not more than the above upper limit, the insulation reliability of the flux composition can be ensured.
[(C)成分]
本実施形態に用いる(C)溶剤としては、公知の溶剤を適宜用いることができる。このような溶剤としては、沸点170℃以上の溶剤を用いることが好ましい。
このような溶剤としては、例えば、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、ヘキシレングリコール、1,5−ペンタンジオール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、オクタンジオール、フェニルグリコール、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノ2−エチルヘキシルエーテル(EHDG)、テトラエチレングリコールジメチルエーテル(MTEM)、およびジブチルマレイン酸などが挙げられる。これらの溶剤は1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
[(C) component]
As the solvent (C) used in this embodiment, a known solvent can be appropriately used. As such a solvent, it is preferable to use a solvent having a boiling point of 170 ° C. or higher.
Examples of such a solvent include diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, hexylene glycol, 1,5-pentanediol, methylcarbitol, butylcarbitol, octanediol, phenylglycol, diethylene glycol monohexyl ether, and diethylene glycol. Examples include mono2-ethylhexyl ether (EHDG), tetraethylene glycol dimethyl ether (MTEM), dibutylmaleic acid and the like. One of these solvents may be used alone, or two or more of these solvents may be mixed and used.
(C)成分の配合量は、フラックス組成物100質量%に対して、10質量%以上60質量%以下であることが好ましく、20質量%以上50質量%以下であることがより好ましい。溶剤の配合量が前記範囲内であれば、得られるはんだ組成物の粘度を適正な範囲に適宜調整できる。 The blending amount of the component (C) is preferably 10% by mass or more and 60% by mass or less, and more preferably 20% by mass or more and 50% by mass or less with respect to 100% by mass of the flux composition. When the blending amount of the solvent is within the above range, the viscosity of the obtained solder composition can be appropriately adjusted within an appropriate range.
[(D)成分]
本実施形態に用いる(D)チクソ剤は、(D1)融点または軟化点が200℃以上のアマイド系チクソ剤、および、(D2)融点または軟化点が150℃以下のアマイド系チクソ剤を含有することが必要である。なお、チクソ剤の軟化点は、乾球法により測定できる。また、チクソ剤の融点は、JIS−K−0064に記載の方法により測定できる。
(D1)成分としては、カルボン酸とジアミンを反応させて製造したもので挙げられる。ここで、カルボン酸としては、融点を高めるという観点から、炭素数16以上の脂肪族モノカルボン酸および多塩基酸の混合物であることが好ましい。
脂肪族モノカルボン酸としては、飽和脂肪族モノカルボン酸およびヒドロキシカルボン酸が好ましい。炭素数16以上の脂肪族モノカルボン酸としては、例えば、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、モンタン酸、およびヒドロキシステアリン酸などが挙げられる。
多塩基酸としては、二塩基酸以上のカルボン酸が好ましい。多塩基酸としては、例えば、脂肪族ジカルボン酸(マロン酸、コハク酸、アジピン酸、ピメリン酸、アゼライン酸、およびセバシン酸など)、芳香族ジカルボン酸(フタル酸、およびテレフタル酸など)、および脂環式ジカルボン酸(シクロヘキサンジカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、およびシクロヘキシルコハク酸など)が挙げられる。
ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、1,3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブタン、ヘキサメチレンジアミン、メタキシリレンジアミン、トリレンジアミン、パラキシリレンジアミン、フェニレンジアミン、およびイソホロンジアミンなどが挙げられる。
(D1)成分としては、具体的には、エチレンジアミン/ステアリン酸/セバシン酸重縮合物が挙げられる。
[(D) component]
The (D) tyxo agent used in the present embodiment contains (D1) an amide-based thiox agent having a melting point or softening point of 200 ° C. or higher, and (D2) an amide-based tyxo agent having a melting point or softening point of 150 ° C. or lower. It is necessary. The softening point of the thixogen can be measured by the dry-bulb method. Further, the melting point of the thixogen can be measured by the method described in JIS-K-0064.
Examples of the component (D1) include those produced by reacting a carboxylic acid with a diamine. Here, the carboxylic acid is preferably a mixture of an aliphatic monocarboxylic acid having 16 or more carbon atoms and a polybasic acid from the viewpoint of increasing the melting point.
As the aliphatic monocarboxylic acid, saturated aliphatic monocarboxylic acid and hydroxycarboxylic acid are preferable. Examples of the aliphatic monocarboxylic acid having 16 or more carbon atoms include palmitic acid, stearic acid, behenic acid, montanic acid, and hydroxystearic acid.
As the polybasic acid, a carboxylic acid having a dibasic acid or more is preferable. Polybasic acids include, for example, aliphatic dicarboxylic acids (such as malonic acid, succinic acid, adipic acid, pimelic acid, azelaic acid, and sebacic acid), aromatic dicarboxylic acids (such as phthalic acid and terephthalic acid), and fats. Cyclic dicarboxylic acids (such as cyclohexanedicarboxylic acid, cyclohexanedicarboxylic acid, and cyclohexylsuccinic acid) can be mentioned.
Examples of the diamine include ethylenediamine, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, hexamethylenediamine, m-xylylenediamine, tolylenediamine, paraxylylenediamine, phenylenediamine, and isophoronediamine. ..
Specific examples of the component (D1) include ethylenediamine / stearic acid / sebacic acid polycondensate.
(D2)成分としては、カルボン酸とジアミンを反応させて製造したもので挙げられる。ここで、カルボン酸としては、融点を高め過ぎないという観点から、モノカルボン酸が主成分であることが好ましい。
(D2)成分としては、エチレンビスステアリン酸アマイド(融点145℃)、エチレンビスヒドロキシステアリン酸アマイド(融点145℃)、メチレンビスステアリン酸アマイド(融点142℃)、ヘキサメチレンビスヒドロキシステアリン酸アマイド(融点135℃)、エチレンビスオレイン酸アマイド(融点119℃)、エチレンビスエルカ酸アマイド(融点120℃)、ヘキサメチレンビスオレイン酸アマイド(融点110℃)、N,N’−ジオレイルアジピン酸アマイド(融点118℃)、N,N’−ジオレイルセバシン酸アマイド(融点113℃)、ステアリン酸アマイド(融点101℃)、およびヒドロキシステアリン酸アマイド(融点107℃)などが挙げられる。これらの中でも、たれ落ちの更なる抑制の観点から、エチレンビスステアリン酸アマイド、およびメチレンビスステアリン酸アマイドが挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
Examples of the component (D2) include those produced by reacting a carboxylic acid with a diamine. Here, as the carboxylic acid, it is preferable that the monocarboxylic acid is the main component from the viewpoint of not raising the melting point too much.
As the component (D2), ethylene bisstearic acid amide (melting point 145 ° C.), ethylene bishydroxystearic acid amide (melting point 145 ° C.), methylene bisstearic acid amide (melting point 142 ° C.), hexamethylene bisstearic acid amide (melting point 142 ° C.). 135 ° C), ethylene bisoleic acid amide (melting point 119 ° C), ethylene bisermic acid amide (melting point 120 ° C), hexamethylene bisoleic acid amide (melting point 110 ° C), N, N'-diorail adipate amide (melting point) 118 ° C.), N, N'-diorail sebacic acid amide (melting point 113 ° C.), stearic acid amide (melting point 101 ° C.), hydroxystearic acid amide (melting point 107 ° C.), and the like. Among these, ethylene bisstearic acid amide and methylene bisstearic acid amide can be mentioned from the viewpoint of further suppressing dripping. One of these may be used alone, or two or more thereof may be mixed and used.
本実施形態において、(D1)成分および(D2)成分の配合比率については、特に限定されない。(D1)成分の配合量は、(D1)成分および(D2)成分の合計配合量100質量%に対して、35質量%以上90質量%以下であることが好ましく、40質量%以上85質量%以下であることがより好ましく、50質量%以上80質量%以下であることが特に好ましい。(D1)成分の配合量が前記下限以上であれば、たれ落ちをより確実に抑制できる。また、(D1)成分の配合量が前記上限以下であれば、連続印刷性をさらに向上できる。 In the present embodiment, the blending ratio of the component (D1) and the component (D2) is not particularly limited. The blending amount of the component (D1) is preferably 35% by mass or more and 90% by mass or less, and 40% by mass or more and 85% by mass, based on 100% by mass of the total blending amount of the component (D1) and the component (D2). It is more preferably 50% by mass or more and 80% by mass or less. When the blending amount of the component (D1) is at least the above lower limit, dripping can be suppressed more reliably. Further, when the blending amount of the component (D1) is not more than the above upper limit, the continuous printability can be further improved.
(D)成分は、本発明の目的に影響のない範囲であれば、(D1)成分および(D2)成分以外の他のチクソ剤((D3)成分)を含有していてもよい。ただし、この(D3)成分を用いる場合、その配合量は、(D)成分100質量%に対して、30質量%以下であることが好ましく、20質量%以下であることがより好ましく、10質量%以下であることが特に好ましい。
(D3)成分としては、(D1)成分および(D2)成分以外のアマイド類、硬化ひまし油、カオリン、コロイダルシリカ、有機ベントナイト、およびガラスフリットなどが挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
The component (D) may contain a chixo agent (component (D3)) other than the component (D1) and the component (D2) as long as it does not affect the object of the present invention. However, when this component (D3) is used, the blending amount thereof is preferably 30% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, and 10% by mass with respect to 100% by mass of the component (D). It is particularly preferable that it is% or less.
Examples of the component (D3) include amides other than the components (D1) and (D2), hardened castor oil, kaolin, colloidal silica, organic bentonite, and glass frit. One of these may be used alone, or two or more thereof may be mixed and used.
(D)成分の配合量は、フラックス組成物100質量%に対して、1質量%以上20質量%以下であることが好ましく、3質量%以上15質量%以下であることがより好ましく、5質量%以上12質量%以下であることが特に好ましい。配合量が前記下限以上であれば、十分なチクソ性が得られ、ダレを十分に抑制できる。また、配合量が前記上限以下であれば、チクソ性が高すぎて、印刷不良となることはない。 The blending amount of the component (D) is preferably 1% by mass or more and 20% by mass or less, more preferably 3% by mass or more and 15% by mass or less, based on 100% by mass of the flux composition. It is particularly preferable that it is% or more and 12% by mass or less. When the blending amount is at least the above lower limit, sufficient thixophilicity can be obtained and sagging can be sufficiently suppressed. Further, if the blending amount is not more than the above upper limit, the tincture property is too high and printing failure does not occur.
[他の成分]
本実施形態に用いるフラックス組成物には、(A)成分、(B)成分、(C)成分および(D)成分の他に、必要に応じて、その他の添加剤、更には、その他の樹脂を加えることができる。その他の添加剤としては、消泡剤、酸化防止剤、改質剤、つや消し剤、および発泡剤などが挙げられる。その他の樹脂としては、アクリル系樹脂などが挙げられる。
[Other ingredients]
In addition to the components (A), (B), (C) and (D), the flux composition used in the present embodiment includes, if necessary, other additives and further resins. Can be added. Other additives include antifoaming agents, antioxidants, modifiers, matting agents, foaming agents and the like. Examples of other resins include acrylic resins.
[はんだ組成物]
次に、本実施形態のはんだ組成物について説明する。本実施形態のはんだ組成物は、前記本実施形態のフラックス組成物と、以下説明する(E)はんだ粉末とを含有するものである。
フラックス組成物の配合量は、はんだ組成物100質量%に対して、5質量%以上35質量%以下であることが好ましく、7質量%以上18質量%以下であることがより好ましく、8質量%以上15質量%以下であることが特に好ましい。フラックス組成物の配合量が5質量%未満の場合(はんだ粉末の配合量が95質量%を超える場合)には、バインダーとしてのフラックス組成物が足りないため、フラックス組成物とはんだ粉末とを混合しにくくなる傾向にあり、他方、フラックス組成物の配合量が35質量%を超える場合(はんだ粉末の配合量が65質量%未満の場合)には、得られるはんだ組成物を用いた場合に、十分なはんだ接合を形成できにくくなる傾向にある。
[Solder composition]
Next, the solder composition of the present embodiment will be described. The solder composition of the present embodiment contains the flux composition of the present embodiment and the solder powder (E) described below.
The blending amount of the flux composition is preferably 5% by mass or more and 35% by mass or less, more preferably 7% by mass or more and 18% by mass or less, and 8% by mass with respect to 100% by mass of the solder composition. It is particularly preferable that the content is 15% by mass or less. When the blending amount of the flux composition is less than 5% by mass (when the blending amount of the solder powder exceeds 95% by mass), the flux composition as a binder is insufficient, so the flux composition and the solder powder are mixed. On the other hand, when the blending amount of the flux composition exceeds 35% by mass (when the blending amount of the solder powder is less than 65% by mass), the obtained solder composition is used. It tends to be difficult to form a sufficient solder joint.
本実施形態のはんだ組成物は、たれ落ちを十分に抑制できる。そして、プリント配線基板のハロゲンフリーに対応可能なはんだ組成物であっても、ハロゲン系の活性剤を用いる場合と同等に、たれ落ち抑制できることから、ハロゲンフリーのはんだ組成物として特に好適に用いることができる。
ハロゲンフリーのはんだ組成物は、塩素濃度が900質量ppm以下であり、臭素濃度が900質量ppm以下であり、ヨウ素濃度が900質量ppm以下であり、かつ、ハロゲン濃度が1500質量ppm以下であるものであることが好ましい。なお、ハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素などが挙げられる。
なお、はんだ組成物中の塩素濃度、臭素濃度およびハロゲン濃度は、JEITA ET−7304Aに記載の方法に準じて測定できる。また、簡易的には、はんだ組成物の配合成分およびその配合量から算出できる。
The solder composition of the present embodiment can sufficiently suppress dripping. Even if the solder composition is compatible with halogen-free printed wiring boards, it can be suppressed from dripping in the same manner as when a halogen-based activator is used. Therefore, it is particularly preferably used as a halogen-free solder composition. Can be done.
The halogen-free solder composition has a chlorine concentration of 900 mass ppm or less, a bromine concentration of 900 mass ppm or less, an iodine concentration of 900 mass ppm or less, and a halogen concentration of 1500 mass ppm or less. Is preferable. Examples of the halogen include fluorine, chlorine, bromine and iodine.
The chlorine concentration, bromine concentration and halogen concentration in the solder composition can be measured according to the method described in JEITA ET-7304A. Further, simply, it can be calculated from the compounding components of the solder composition and the compounding amount thereof.
[(E)成分]
本実施形態に用いる(E)はんだ粉末は、鉛フリーはんだ粉末のみからなることが好ましいが、有鉛のはんだ粉末であってもよい。このはんだ粉末におけるはんだ合金としては、スズ(Sn)を主成分とする合金が好ましい。また、この合金の第二元素としては、銀(Ag)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、ビスマス(Bi)、インジウム(In)およびアンチモン(Sb)などが挙げられる。さらに、この合金には、必要に応じて他の元素(第三元素以降)を添加してもよい。他の元素としては、銅、銀、ビスマス、インジウム、アンチモン、およびアルミニウム(Al)などが挙げられる。
ここで、鉛フリーはんだ粉末とは、鉛を添加しないはんだ金属または合金の粉末のことをいう。ただし、鉛フリーはんだ粉末中に、不可避的不純物として鉛が存在することは許容されるが、この場合に、鉛の量は、300質量ppm以下であることが好ましい。
[(E) component]
The (E) solder powder used in this embodiment is preferably composed of only lead-free solder powder, but may be leaded solder powder. As the solder alloy in this solder powder, an alloy containing tin (Sn) as a main component is preferable. Examples of the second element of this alloy include silver (Ag), copper (Cu), zinc (Zn), bismuth (Bi), indium (In) and antimony (Sb). Further, other elements (third element and later) may be added to this alloy as needed. Other elements include copper, silver, bismuth, indium, antimony, aluminum (Al) and the like.
Here, the lead-free solder powder refers to a solder metal or alloy powder to which lead is not added. However, it is permissible for lead to be present as an unavoidable impurity in the lead-free solder powder, but in this case, the amount of lead is preferably 300 mass ppm or less.
鉛フリーはんだ粉末におけるはんだ合金としては、具体的には、Sn−Ag、Sn−Ag−Cu、Sn−Cu、Sn−Ag−Bi、Sn−Bi、Sn−Ag−Cu−Bi、Sn−Sb、Sn−Zn−Bi、Sn−Zn、Sn−Zn−Al、Sn−Ag−Bi−In、Sn−Ag−Cu−Bi−In−Sb、In−Agなどが挙げられる。これらの中でも、はんだ接合の強度の観点から、Sn−Ag−Cu系のはんだ合金が好ましく用いられている。そして、Sn−Ag−Cu系のはんだの融点は、通常200℃以上250℃以下である。なお、Sn−Ag−Cu系のはんだの中でも、銀含有量が低い系のはんだの融点は、210℃以上250℃以下(より好ましくは、220℃以上240℃以下)である。 Specific examples of the solder alloy in the lead-free solder powder include Sn-Ag, Sn-Ag-Cu, Sn-Cu, Sn-Ag-Bi, Sn-Bi, Sn-Ag-Cu-Bi, and Sn-Sb. , Sn-Zn-Bi, Sn-Zn, Sn-Zn-Al, Sn-Ag-Bi-In, Sn-Ag-Cu-Bi-In-Sb, In-Ag and the like. Among these, Sn-Ag-Cu based solder alloys are preferably used from the viewpoint of the strength of the solder joint. The melting point of the Sn—Ag—Cu-based solder is usually 200 ° C. or higher and 250 ° C. or lower. Among the Sn—Ag—Cu-based solders, the solder having a low silver content has a melting point of 210 ° C. or higher and 250 ° C. or lower (more preferably 220 ° C. or higher and 240 ° C. or lower).
(E)成分の平均粒子径は、通常1μm以上40μm以下であるが、はんだ付けパッドのピッチが狭い電子基板にも対応するという観点から、1μm以上35μm以下であることがより好ましく、2μm以上30μm以下であることがさらにより好ましい。なお、平均粒子径は、動的光散乱式の粒子径測定装置により測定できる。 The average particle size of the component (E) is usually 1 μm or more and 40 μm or less, but it is more preferably 1 μm or more and 35 μm or less from the viewpoint of supporting an electronic substrate having a narrow solder pad pitch, and 2 μm or more and 30 μm. The following is even more preferable. The average particle size can be measured by a dynamic light scattering type particle size measuring device.
[はんだ組成物の製造方法]
本実施形態のはんだ組成物は、上記説明したフラックス組成物と上記説明した(E)はんだ粉末とを上記所定の割合で配合し、撹拌混合することで製造できる。
[Manufacturing method of solder composition]
The solder composition of the present embodiment can be produced by blending the flux composition described above and the solder powder (E) described above in the above-mentioned predetermined ratios and stirring and mixing them.
[電子基板の製造方法]
次に、本実施形態の電子基板について説明する。
本実施形態の電子基板の製造方法は、前述した本実施形態のはんだ組成物を用いる方法であって、以下説明する塗布工程、搭載工程およびリフロー工程を備える。本実施形態の電子基板の製造方法により、前述したはんだ組成物を用いて電子部品を電子基板(プリント配線基板など)に実装できる。
[Manufacturing method of electronic board]
Next, the electronic substrate of this embodiment will be described.
The method for manufacturing an electronic substrate of the present embodiment is a method using the solder composition of the present embodiment described above, and includes a coating step, a mounting step, and a reflow step described below. According to the method for manufacturing an electronic circuit board of the present embodiment, electronic components can be mounted on an electronic circuit board (printed wiring board or the like) using the solder composition described above.
塗布工程においては、配線基板上に、はんだ組成物を塗布する。
ここで用いる塗布装置としては、スクリーン印刷機、メタルマスク印刷機、ディスペンサー、およびジェットディスペンサーなどが挙げられる。
塗膜の厚み(塗膜厚)は、適宜設定できる。
In the coating process, the solder composition is coated on the wiring board.
Examples of the coating apparatus used here include a screen printing machine, a metal mask printing machine, a dispenser, and a jet dispenser.
The thickness of the coating film (coating film thickness) can be appropriately set.
搭載工程においては、電子部品をはんだ組成物上に搭載する。
電子部品としては、ディスクリート部品(例えば、トランジスタ、ダイオードおよび抵抗部品など)、チップ部品、BGAパッケージ、およびチップサイズパッケージなどが挙げられる。なお、前記本実施形態のはんだ組成物は、たれ落ちを十分に抑制できるため、たれ落ちが特に問題となるリードを有するディスクリート部品の実装に適している。
搭載工程で用いる装置としては、公知のチップマウント装置を適宜用いることができる。
In the mounting process, electronic components are mounted on the solder composition.
Electronic components include discrete components (eg, transistors, diodes and resistors, etc.), chip components, BGA packages, chip size packages, and the like. Since the solder composition of the present embodiment can sufficiently suppress dripping, it is suitable for mounting a discrete component having a lead in which dripping is particularly problematic.
As an apparatus used in the mounting process, a known chip mount apparatus can be appropriately used.
リフロー工程においては、電子部品が搭載された配線基板を加熱することにより、はんだ粉末を溶融させ、電子部品を電極端子に接合する。
ここで用いる装置としては、公知のリフロー炉を適宜用いることができる。
リフロー条件は、はんだの融点に応じて適宜設定すればよい。例えば、Sn−Au−Cu系のはんだ合金を用いる場合には、プリヒートを温度150〜180℃(好ましくは、150〜160℃)で60〜120秒間行い、ピーク温度を220〜260℃(好ましくは、230〜250℃)に設定すればよい。
In the reflow process, the solder powder is melted by heating the wiring board on which the electronic component is mounted, and the electronic component is joined to the electrode terminal.
As the apparatus used here, a known reflow furnace can be appropriately used.
The reflow conditions may be appropriately set according to the melting point of the solder. For example, when a Sn—Au—Cu based solder alloy is used, preheating is performed at a temperature of 150 to 180 ° C. (preferably 150 to 160 ° C.) for 60 to 120 seconds, and the peak temperature is 220 to 260 ° C. (preferably). , 230 to 250 ° C.).
[変形例]
また、本発明のはんだ組成物および電子基板の製造方法は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは本発明に含まれるものである。
例えば、前記電子基板の製造方法では、リフロー工程により、プリント配線基板と電子部品とを接着しているが、これに限定されない。例えば、リフロー工程に代えて、レーザー光を用いてはんだ組成物を加熱する工程(レーザー加熱工程)により、プリント配線基板と電子部品とを接着してもよい。この場合、レーザー光源としては、特に限定されず、金属の吸収帯に合わせた波長に応じて適宜採用できる。レーザー光源としては、例えば、固体レーザー(ルビー、ガラス、YAGなど)、半導体レーザー(GaAs、およびInGaAsPなど)、液体レーザー(色素など)、並びに、気体レーザー(He−Ne、Ar、CO2、およびエキシマーなど)が挙げられる。
[Modification example]
Further, the method for producing the solder composition and the electronic substrate of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and modifications and improvements within the range in which the object of the present invention can be achieved are included in the present invention. ..
For example, in the method for manufacturing an electronic board, the printed wiring board and the electronic component are bonded by a reflow process, but the method is not limited to this. For example, instead of the reflow step, the printed wiring board and the electronic component may be adhered by a step of heating the solder composition using a laser beam (laser heating step). In this case, the laser light source is not particularly limited, and can be appropriately adopted according to the wavelength matched to the absorption band of the metal. Laser light sources include, for example, solid-state lasers (ruby, glass, YAG, etc.), semiconductor lasers (GaAs, and InGaAsP, etc.), liquid lasers (dye, etc.), and gas lasers (He-Ne, Ar, CO 2 , and so on). Eximer etc.).
次に、本発明を実施例および比較例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。なお、実施例および比較例にて用いた材料を以下に示す。
((A)成分)
ロジン系樹脂A:水添酸変性ロジン、商品名「パインクリスタルKE−604」、荒川化学工業社製
ロジン系樹脂B:ロジンエステル、酸価は4〜12mgKOH/g、商品名「ハリタックF85」、ハリマ化成社製
((B1)成分)
有機酸A:マロン酸
有機酸B:コハク酸
有機酸C:グルタル酸
((B2)成分)
有機酸D:ドデカン二酸、宇部興産社製
有機酸E:アジピン酸
有機酸F:ダイマー酸、商品名「UNIDYME14」、丸善油化商事社製
((B3)成分)
ハロゲン系活性剤:トランス−2,3−ジブロモ−2−ブテン−1,4−ジオール
((B4)成分)
アミン系活性剤:2−フェニル−4−メチルイミダゾール、四国化成工業社製
((C)成分)
溶剤A:ジエチレングリコールモノ2−エチルヘキシルエーテル(EHDG)、日本乳化剤社製
溶剤B:テトラエチレングリコールジメチルエーテル(MTEM)、東邦化学工業社製
((D1)成分)
チクソ剤A:ポリアマイド(軟化点215℃)、商品名「ライトアマイドWH−215」、共栄社化学社製
((D2)成分)
チクソ剤B:エチレンビスステアリン酸アマイド(融点145℃)、商品名「スリパックスE」、日化トレーディング社製
((D3)成分)
チクソ剤C:アマイド(軟化点130〜190℃)、商品名「ターレンVA−79」、共栄社化学社製
チクソ剤D:硬化ひまし油(軟化点85℃)、商品名「ヒマコウ」、KFトレーディング社製
((E)成分)
はんだ粉末:合金組成はSn−3.0Ag−0.5Cu、粒子径分布は20〜38μm、はんだ融点は217〜220℃
Next, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to these examples. The materials used in Examples and Comparative Examples are shown below.
(Ingredient (A))
Rosin resin A: hydrogenated acid-modified rosin, trade name "Pine Crystal KE-604", rosin resin B manufactured by Arakawa Chemical Industry Co., Ltd .: rosin ester, acid value 4-12 mgKOH / g, trade name "Haritac F85", Made by Harima Kasei Co., Ltd. ((B1) component)
Organic acid A: Malonic acid Organic acid B: Succinic acid Organic acid C: Glutaric acid ((B2) component)
Organic acid D: Dodecanedioic acid, manufactured by Ube Kosan Co., Ltd. Organic acid E: Adipic acid Organic acid F: Dimeric acid, trade name "UNIDYME14", manufactured by Maruzen Yuka Shoji Co., Ltd. ((B3) component)
Halogen-based activator: trans-2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol ((B4) component)
Amine-based activator: 2-phenyl-4-methylimidazole, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd. (component (C))
Solvent A: Diethylene glycol mono2-ethylhexyl ether (EHDG), Nippon Emulsor Co., Ltd. Solvent B: Tetraethylene glycol dimethyl ether (MTEM), Toho Chemical Industry Co., Ltd. ((D1) component)
Chixo agent A: Polyamide (softening point 215 ° C), trade name "Light Amide WH-215", manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd. ((D2) component)
Tixo agent B: ethylene bisstearic acid amide (melting point 145 ° C.), trade name "Slipax E", manufactured by Nikka Trading Co., Ltd. ((D3) component)
Chixo agent C: Amide (softening point 130-190 ° C), product name "Tarren VA-79", Kyoeisha Chemical Co., Ltd. Chixo agent D: Hardened castor oil (softening point 85 ° C), product name "Himakou", manufactured by KF Trading Co., Ltd. (Ingredient (E))
Solder powder: Alloy composition is Sn-3.0Ag-0.5Cu, particle size distribution is 20 to 38 μm, solder melting point is 217 to 220 ° C.
[実施例1]
ロジン系樹脂A36.2質量%、ロジン系樹脂B10質量%、有機酸A2.3質量%、有機酸D3質量%、有機酸F5.6質量%、ハロゲン系活性剤0.2質量%、アミン系活性剤0.3質量%、溶剤A17.9質量%、溶剤B15.7質量%、チクソ剤A5.9質量%、およびチクソ剤B2.9質量%を容器に投入し、プラネタリーミキサーを用いて混合してフラックス組成物を得た。
その後、得られたフラックス組成物12.4質量%およびはんだ粉末87.6質量%(合計で100質量%)を容器に投入し、プラネタリーミキサーにて混合することではんだ組成物を調製した。
[Example 1]
Login-based resin A36.2% by mass, rosin-based resin B10% by mass, organic acid A2.3% by mass, organic acid D3% by mass, organic acid F5.6% by mass, halogen-based activator 0.2% by mass, amine-based Put 0.3% by mass of activator, 17.9% by mass of solvent A, 15.7% by mass of solvent B, 5.9% by mass of thixo agent A, and 2.9% by mass of thixo agent into a container, and use a planetary mixer. The mixture was mixed to obtain a flux composition.
Then, 12.4% by mass of the obtained flux composition and 87.6% by mass of the solder powder (100% by mass in total) were put into a container and mixed with a planetary mixer to prepare a solder composition.
[実施例2〜4]
表1に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例1と同様にして、はんだ組成物を得た。
[比較例1〜5]
表1に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例1と同様にして、はんだ組成物を得た。
[Examples 2 to 4]
A solder composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that each material was blended according to the composition shown in Table 1.
[Comparative Examples 1 to 5]
A solder composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that each material was blended according to the composition shown in Table 1.
<はんだ組成物の評価>
はんだ組成物の評価(たれ落ち発生率、印刷性(平均充填体積率)、連続印刷時粘度変化率、BGA総ボイド率、異種金属へのぬれ率)を以下のような方法で行った。得られた結果を表1に示す。
(1)たれ落ち発生率
スルーホール(開口直径:φ1.0mm)を有する基板を準備した。この基板上に、手刷りにて、はんだ組成物を印刷した。その後、リード部品(15ピン×2)2つをスルーホールに挿入し、180℃に設定したオーブン内に60秒間投入して、加熱した。なお、このときに、基板の下に金属板を置き、金属板に落下したはんだの数をカウントした。
そして、下記数式により、たれ落ち発生率(単位:%)を算出した。
(たれ落ち発生率)=(金属板に落下したはんだの数)/(全リード(ピン)数)×100%
たれ落ち発生率は、10%以下であることが好ましく、7%以下であることがより好ましい。
(2)印刷性(平均充填体積率)
印刷機(ステンシル印刷、マスク厚:120μm)を用いて、10枚の基板上に、はんだ組成物を連続して印刷した。その後、開口直径がφ0.24mmの開口にて転写されたはんだの体積を測定した。
そして、下記数式により、充填体積率(単位:%)を算出し、その平均値を、平均充填体積率(単位:%)とした。
(充填体積率)=(開口直径がφ0.24mmの開口にて転写されたはんだの体積)/(開口直径がφ0.24mmの開口の体積)×100%
平均充填体積率は、70%以上であることが好ましく、73%以上であることがより好ましい。
(3)連続印刷時粘度変化率
はんだ組成物を開口のないステンシル上に500g載せ、スキージにより8時間ローリングさせた。ローリングは、温度25℃湿度50%の環境下にて、スキージ速度70mm/s、スキージ長350mm、およびスキージ移動距離(片道)240mmの条件で行った。なお、このときに、ローリング前とローリング後のはんだ粘度(単位:Pa・s)を、JIS Z 3284−3(2014)に記載の方法に準拠して、測定した。
そして、下記数式により、連続印刷時粘度変化率(単位:%)を算出した。
(連続印刷時粘度変化率)={(ローリング後のはんだ粘度)−(ローリング前のはんだ粘度)}/(ローリング前のはんだ粘度)×100%
連続印刷時粘度変化率は、−20%以上20%以下であることが好ましい。
(4)BGA総ボイド率
印刷機(ステンシル印刷、マスク厚:120μm)を用いて、基板上に、はんだ組成物を印刷した。その後、複数のBGA(ピン数:228、ピッチ:0.5mm)を、基板上に搭載し、リフロー炉にて加熱(酸素濃度:8000ppm±500ppm)して、評価用基板を得た。次に、X線を評価用基板に対し、垂直に照射し、映し出された映像から、BGAのはんだ付け部において空洞となっている箇所の総面積を測定した。
そして、下記数式により、BGA総ボイド率(単位:%)を算出し、その平均値を表記した。
(BGA総ボイド率)=(BGAのはんだ付け部において空洞となっている箇所の総面積)/(BGAのはんだ付け部の面積)×100%
BGA総ボイド率は、5%以下であることが好ましく、3%以下であることがより好ましい。
(5)異種金属へのぬれ率
黄銅板(大きさ:50mm×50mm、厚み:0.5mm)上に、印刷機(ステンシル印刷、マスク厚:200μm、開口直径:φ6.5mm)を用いて、はんだ組成物を印刷した。その後、リフロー炉にて加熱(酸素濃度:8000ppm±500ppm)して、評価用基板を得た。次に、評価用基板について、はんだが金属板にぬれている(ノンウェッティングやディウェッチングが起きていない)面積を測定した。
そして、下記数式により、異種金属へのぬれ率(単位:%)を算出した。
(異種金属へのぬれ率)=(はんだが金属板にぬれている面積)/(はんだ組成物の印刷面積)×100%
異種金属へのぬれ率は、50%以上であることが好ましく、60%以上であることがより好ましい。
<Evaluation of solder composition>
Evaluation of the solder composition (drop rate, printability (average filling volume ratio), viscosity change rate during continuous printing, total BGA void rate, wetting rate to dissimilar metals) was carried out by the following methods. The results obtained are shown in Table 1.
(1) Occurrence rate of sagging A substrate having a through hole (opening diameter: φ1.0 mm) was prepared. The solder composition was printed on this substrate by hand printing. Then, two lead parts (15 pins × 2) were inserted into the through holes and placed in an oven set at 180 ° C. for 60 seconds to heat them. At this time, a metal plate was placed under the substrate, and the number of solders that fell on the metal plate was counted.
Then, the dripping occurrence rate (unit:%) was calculated by the following formula.
(Dripping rate) = (Number of solders dropped on the metal plate) / (Total number of leads (pins)) x 100%
The dripping occurrence rate is preferably 10% or less, and more preferably 7% or less.
(2) Printability (average filling volume ratio)
The solder composition was continuously printed on 10 substrates using a printing machine (stencil printing, mask thickness: 120 μm). Then, the volume of the solder transferred through the opening having an opening diameter of φ0.24 mm was measured.
Then, the filling volume ratio (unit:%) was calculated by the following formula, and the average value was taken as the average filling volume ratio (unit:%).
(Filling volume ratio) = (Volume of solder transferred at an opening with an opening diameter of φ0.24 mm) / (Volume of an opening with an opening diameter of φ0.24 mm) x 100%
The average filling volume ratio is preferably 70% or more, and more preferably 73% or more.
(3) Viscosity change rate during continuous printing 500 g of the solder composition was placed on a stencil without openings and rolled with a squeegee for 8 hours. Rolling was performed under the conditions of a squeegee speed of 70 mm / s, a squeegee length of 350 mm, and a squeegee moving distance (one way) of 240 mm in an environment of a temperature of 25 ° C. and a humidity of 50%. At this time, the solder viscosities (unit: Pa · s) before and after rolling were measured according to the method described in JIS Z 3284-3 (2014).
Then, the viscosity change rate (unit:%) during continuous printing was calculated by the following formula.
(Viscosity change rate during continuous printing) = {(Solder viscosity after rolling)-(Solder viscosity before rolling)} / (Solder viscosity before rolling) x 100%
The viscosity change rate during continuous printing is preferably −20% or more and 20% or less.
(4) Total void ratio of BGA The solder composition was printed on the substrate using a printing machine (stencil printing, mask thickness: 120 μm). Then, a plurality of BGAs (number of pins: 228, pitch: 0.5 mm) were mounted on the substrate and heated in a reflow oven (oxygen concentration: 8000 ppm ± 500 ppm) to obtain an evaluation substrate. Next, X-rays were irradiated perpendicularly to the evaluation substrate, and the total area of the hollow portion in the soldered portion of the BGA was measured from the projected image.
Then, the total BGA void rate (unit:%) was calculated by the following formula, and the average value was expressed.
(Total void ratio of BGA) = (total area of hollow parts in the soldered part of BGA) / (area of soldered part of BGA) x 100%
The total BGA void ratio is preferably 5% or less, and more preferably 3% or less.
(5) Wetting rate on dissimilar metals Using a printing machine (stencil printing, mask thickness: 200 μm, opening diameter: φ6.5 mm) on a brass plate (size: 50 mm × 50 mm, thickness: 0.5 mm), The solder composition was printed. Then, it was heated in a reflow oven (oxygen concentration: 8000 ppm ± 500 ppm) to obtain an evaluation substrate. Next, the area where the solder was wet on the metal plate (no non-wetting or dewetting) was measured on the evaluation substrate.
Then, the wetting rate (unit:%) on dissimilar metals was calculated by the following formula.
(Wetting rate on dissimilar metals) = (Area where solder is wet on the metal plate) / (Printed area of solder composition) x 100%
The wetting rate to dissimilar metals is preferably 50% or more, and more preferably 60% or more.
表1に示す結果からも明らかなように、本発明のはんだ組成物(実施例1〜4)を用いた場合には、たれ落ち発生率、印刷性(平均充填体積率)、連続印刷時粘度変化率、BGA総ボイド率、および、異種金属へのぬれ率の評価結果が全て良好であることが確認された。また、はんだ組成物中のハロゲン系活性剤の配合量は、248質量ppmであり、ハロゲンフリーの基準を満たしている。従って、本発明のはんだ組成物は、ハロゲンフリーであり、かつ、たれ落ちを十分に抑制できることが確認された。 As is clear from the results shown in Table 1, when the solder composition of the present invention (Examples 1 to 4) is used, the dripping occurrence rate, printability (average filling volume fraction), and viscosity during continuous printing are used. It was confirmed that the evaluation results of the rate of change, the total BGA void rate, and the wetting rate to dissimilar metals were all good. The amount of the halogen-based activator compounded in the solder composition is 248 mass ppm, which satisfies the halogen-free standard. Therefore, it was confirmed that the solder composition of the present invention is halogen-free and can sufficiently suppress dripping.
本発明のはんだ組成物は、電子機器のプリント配線基板などの電子基板に電子部品を実装するための技術として好適に用いることができる。 The solder composition of the present invention can be suitably used as a technique for mounting an electronic component on an electronic board such as a printed wiring board of an electronic device.
Claims (4)
前記(B)成分が、(B1)分子量が133以下のジカルボン酸を含有し、
前記(D)成分が、(D1)融点または軟化点が200℃以上のアマイド系チクソ剤、および、(D2)融点または軟化点が150℃以下のアマイド系チクソ剤を含有し、
前記(B1)成分の配合量が、前記フラックス組成物100質量%に対して、0.1質量%以上5質量%以下であり、
前記(D)成分の配合量が、前記フラックス組成物100質量%に対して、1質量%以上20質量%以下であり、
前記(D1)成分および前記(D2)成分の合計配合量が、(D)成分100質量%に対して、70質量%超であり、
前記(D1)成分の配合量は、前記(D1)成分および前記(D2)成分の合計配合量100質量%に対して、35質量%以上90質量%以下であり、
当該はんだ組成物中における塩素濃度が900質量ppm以下であり、臭素濃度が900質量ppm以下であり、ヨウ素濃度が900質量ppm以下であり、かつ、ハロゲン濃度が1500質量ppm以下であるものである
ことを特徴とするはんだ組成物。 A flux composition containing (A) a rosin-based resin, (B) an activator, (C) a solvent and (D) a thixo agent, and (E) a solder powder are contained.
The component (B) contains a dicarboxylic acid (B1) having a molecular weight of 133 or less.
The component (D) contains (D1) an amide-based thiox agent having a melting point or softening point of 200 ° C. or higher, and (D2) an amide-based thiox agent having a melting point or softening point of 150 ° C. or lower.
The blending amount of the component (B1) is 0.1% by mass or more and 5% by mass or less with respect to 100% by mass of the flux composition.
The blending amount of the component (D) is 1% by mass or more and 20% by mass or less with respect to 100% by mass of the flux composition.
The total blending amount of the component (D1) and the component (D2) is more than 70% by mass with respect to 100% by mass of the component (D).
The blending amount of the component (D1) is 35% by mass or more and 90% by mass or less with respect to 100% by mass of the total blending amount of the component (D1) and the component (D2).
The chlorine concentration in the solder composition is 900 mass ppm or less, the bromine concentration is 900 mass ppm or less, the iodine concentration is 900 mass ppm or less, and the halogen concentration is 1500 mass ppm or less. A solder composition characterized by that.
前記(D1)成分が、カルボン酸とジアミンとを反応させてなるものであり、
前記カルボン酸が、炭素数16以上の脂肪族モノカルボン酸、および多塩基酸を含有する
ことを特徴とするはんだ組成物。 In the solder composition according to claim 1,
The component (D1) is formed by reacting a carboxylic acid with a diamine.
A solder composition, wherein the carboxylic acid contains an aliphatic monocarboxylic acid having 16 or more carbon atoms and a polybasic acid.
前記(D2)成分が、エチレンビスステアリン酸アマイドである
ことを特徴とするはんだ組成物。 In the solder composition according to claim 1 or 2.
A solder composition, wherein the component (D2) is ethylene bisstearic acid amide.
配線基板上に、前記はんだ組成物を塗布する塗布工程と、
電子部品を前記はんだ組成物上に搭載する搭載工程と、
前記電子部品が搭載された前記配線基板を加熱するリフロー工程と、を備える
ことを特徴とする電子基板の製造方法。 A method for manufacturing an electronic substrate using the solder composition according to any one of claims 1 to 3.
The coating process of applying the solder composition onto the wiring board, and
The mounting process for mounting electronic components on the solder composition and
A method for manufacturing an electronic board, which comprises a reflow process for heating the wiring board on which the electronic component is mounted.
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