JP6946864B2

JP6946864B2 - ガラス基材へのめっき方法、配線構造体及びガラスインターポーザ

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Publication number: JP6946864B2
Application number: JP2017165673A
Authority: JP
Inventors: 美雪鈴木
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2017-08-30
Filing date: 2017-08-30
Publication date: 2021-10-13
Anticipated expiration: 2037-08-30
Also published as: JP2019044212A

Description

本開示の実施形態はガラス基材への密着性を改善しためっき方法及びガラスインターポーザの製造方法に関する。

近年、有機基材よりも吸湿や伸縮の影響を受けにくいシリコンやガラスを基材に用いたインターポーザが開発されている。特に、ガラスインターポーザは、シリコンインターポーザよりも大型のパネルを用いた一括処理が可能であり、レーザー加工などで貫通孔を形成させることも可能であるため、生産性に優れる。

ガラスインターポーザには、ガラス基材の内部に微細な貫通孔を形成し、導電性物質を充填したＴＧＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ−ＧｌａｓｓＶｉａ）と呼ばれる貫通電極が配設される。このとき、貫通孔への導電性物質の充填は、一般にめっきにより行われる。しかし、導電性物質である金属のガラス基材への密着性は弱く、剥離しやすい。このため、ガラス基材の表面に密着層を形成し、金属との密着性を向上させる方法が提案されている。例えば、引用文献１には、ガラス基板にシランカップリング剤で密着層を形成し、密着層上に触媒層を形成して、触媒層上に無電解めっき膜を形成する方法が記載されている。

また、特許文献２には、ガラスに密着層として無電解めっきにより酸化亜鉛膜を形成し、無電解成膜、電解めっきにより銅を析出させ、形成させた銅をシード層として、電解めっきにより銅を充填させる方法が記載されている。

特開２００５−３５０７４７号公報特開２０１５−１５６４２４号公報

本開示の実施形態の目的の一つは、ガラス基材への密着性を改善しためっき方法を提供することにある。また、本開示の実施形態の目的の一つは、ガラス基材への密着性を改善したガラスインターポーザの製造方法を提供することにある。

本開示の一実施形態によると、ガラス基材の表面に密着層を形成する工程と、前記密着層上にめっきにより金属層を形成する工程と、前記密着層の表面の少なくとも一部にスパッタリングにより下地金属層を形成する工程と、を備えるガラス基材へのめっき方法を提供する。

前記密着層の表面と前記金属層の表面とに、前記下地金属層を一体で形成してもよい。

前記金属層を形成する工程は、前記密着層上に無電解めっきにより第１の金属層を形成する工程と、前記第１の金属層の表面に電解めっきにより第２の金属層を形成する工程と、を備え、前記第１の金属層に形成された孔の底面と側面とに、前記下地金属層を一体で形成し、前記孔を前記第２の金属層で充填してもよい。

前記下地金属層を、前記密着層の表面の全面に形成してもよい。

前記金属層を形成する工程は、前記密着層上に無電解めっきにより第１の金属層を形成する工程と、前記第１の金属層の表面に電解めっきにより第２の金属層を形成する工程と、を備え、前記第１の金属層に形成された孔を前記第２の金属層で充填してもよい。

前記下地金属層は、前記密着層の表面にスパッタリングにより、チタン又はクロムから選択される金属を含む第１の下地金属層を形成する工程と、前記第１の下地金属層の表面にスパッタリングにより、銅、金及びニッケルからなる群から選択される金属を含む第２の下地金属層を形成する工程と、を備えてもよい。

また、本開示の一実施形態によると、ガラス基材と、前記ガラス基材の表面に配設された密着層と、前記密着層に接して配設された第１の金属層と、前記第１の金属層に接して配設され、前記第１の金属層の表面に存在する孔の底面と側面とに接して配設された下地金属層と、前記下地金属層に接して配設された第２の金属層と、を備える配線構造体を提供する。

また、本開示の一実施形態によると、ガラス基材と、前記ガラス基材の表面に配設された密着層と、前記密着層に接して配設された下地金属層と、前記下地金属層に接して配設された第１の金属層と、前記第１の金属層に接して配設された第２の金属層と、を備える配線構造体を提供する。

前記第２の金属層は、前記第１の金属層に接して配設され、前記第１の金属層の表面に存在する孔の底面と側面とに接して配設されてもよい。

前記下地金属層は、チタン又はクロムから選択される金属を含む第１の下地金属層と、前記第１の下地金属層の表面に配設され、銅、金及びニッケルからなる群から選択される金属を含む第２の下地金属層と、を備えもよい。

また、本開示の一実施形態によると、第１の面と第２の面とに開口を有する貫通孔を備えたガラス基材と、前記ガラス基材の前記第１の面及び前記第２の面と前記貫通孔の表面とに接して配設された密着層と、前記密着層の表面に配設された第１の金属層と、前記第１の金属層に接して配設され、前記第１の金属層の表面に存在する孔の底面と側面とに接して配設された下地金属層と、前記下地金属層に接して配設された第２の金属層と、を備えるガラスインターポーザを提供する。

また、本開示の一実施形態によると、第１の面と第２の面とに開口を有する貫通孔を備えたガラス基材と、前記ガラス基材の前記第１の面及び前記第２の面と前記貫通孔の表面とに接して配設された密着層と、前記密着層の表面に接して配設された下地金属層と、前記下地金属層に接して配設された第１の金属層と、前記第１の金属層に接して配設された第２の金属層と、を備えるガラスインターポーザを提供する。

前記下地金属層は、チタン又はクロムから選択される金属を含む第１の下地金属層と、前記第１の下地金属層の表面に配設され、銅、金及びニッケルからなる群から選択される金属を含む第２の下地金属層と、を備えてもよい。

本開示の一実施形態によると、ガラス基材への密着性を改善しためっき方法を提供することができる。また、本開示の一実施形態によると、ガラス基材への密着性を改善したガラスインターポーザの製造方法を提供することができる。

本開示の一実施形態におけるガラス基材へのめっき方法を説明する模式図である。本開示の一実施形態におけるガラス基材へのめっき方法を説明する模式図である。本開示の一実施形態におけるガラス基材へのめっき方法を説明する模式図である。本開示の一実施形態における配線構造体の製造方法を説明する模式図である。本開示のガラス基材へのめっき方法の一実施形態を説明する模式図である。本開示のガラス基材へのめっき方法の一実施形態を説明する模式図である。本開示のガラス基材へのめっき方法の一実施形態を説明する模式図である。本開示の配線構造体の製造方法の一実施形態を説明する模式図である。本開示のガラスインターポーザの製造方法の一実施形態を説明する模式図である。本開示のガラスインターポーザの製造方法の一実施形態を説明する模式図である。本開示のガラスインターポーザの製造方法の一実施形態を説明する模式図である。本開示のガラスインターポーザの製造方法の一実施形態を説明する模式図である。本開示のガラスインターポーザの製造方法の一実施形態を説明する模式図である。本開示のガラスインターポーザの製造方法の一実施形態を説明する模式図である。本開示のガラスインターポーザの製造方法の一実施形態を説明する模式図である。本開示のガラスインターポーザの製造方法の一実施形態を説明する模式図である。（ａ）の上段の図は従来のめっき方法により生じたピンホール９２３の光学顕微鏡像であり、下段の図は上段の図に対応する位置でのガラス基材背面から観察した光学顕微鏡像であり、（ｂ）の上段の図と（ｃ）は、従来のめっき方法により生じたピンホール９２３の走査型電子顕微鏡像であり、（ｂ）の下段の図は上段の図に対応する位置でのガラス基材背面から観察した剥離部９２５の光学顕微鏡像である。（ａ）は剥離部９２５の断面の走査型電子顕微鏡像であり、（ｂ）は剥離部を示す模式図である。本開示のガラスインターポーザを用いた半導体装置の一実施形態を説明する模式図である。本開示のガラスインターポーザを用いた半導体装置の一実施形態を説明する模式図である。本開示のガラスインターポーザを用いた半導体装置の一実施形態を説明する模式図である。

以下、本開示のガラス基材へのめっき方法及びガラスインターポーザの製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。なお、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号（数字の後にＡ、Ｂ等を付しただけの符号）を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率（各構成間の比率、縦横高さ方向の比率等）は説明の都合上実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。

図１７は、従来のめっき方法により生じたピンホール９２３及び剥離部９２５を示す図である。図１７（ａ）の上段の図はピンホール９２３の光学顕微鏡像である。図１７（ａ）の下段の図は、上段の図に対応する位置でのガラス基材背面から観察したピンホール９２３の光学顕微鏡像である。図１７（ｂ）の上段の図は、従来のめっき方法により生じたピンホール９２３及び剥離部９２５の走査型電子顕微鏡像であり、図１７（ｂ）の下段の図は図１７（ｂ）の上段に対応する位置でのガラス基材背面から観察した剥離部９２５の光学顕微鏡像である。図１７（ｃ）は、従来のめっき方法により生じたピンホール９２３の走査型電子顕微鏡像である。

また、図１８（ａ）は、剥離部９２５の断面の走査型電子顕微鏡像であり、図１８（ｂ）は剥離部を示す模式図である。図１８（ｂ）に示した従来のめっき方法により形成されたデバイス９００は、ガラス基材９０１、ガラス基材９０１の表面に配置した密着層９１１、密着層９１１の表面に配置した触媒層９１３、触媒層９１３の表面に配置した第１の金属層９２１及び第１の金属層９２１の表面に配置した第２の金属層９４１を備える。ここで、第１の金属層９２１は無電解めっきにより形成され、第２の金属層９４１は電解めっきにより形成される。なお、図１８（ｂ）は、ガラス基材９０１の対向する面の両面に同一の層構成を備えるデバイスの例を示している。

図１８（ｂ）に示したように、デバイス９００において、ガラス基材９０１の表面に密着層９１１を配置したことにより、ガラス基材９０１の下側に配置された第１の金属層９２１及び第２の金属層９４１は、ガラス基材９０１との密着性を得ることができる。しかし、従来のめっき方法では、無電解めっきにより形成した金属層にピンホールが生じるため、電解めっき液に含まれる強酸がピンホール９２３に侵入して密着層の一部を溶かす。その結果、密着層９１１を構成する材料がガス化して、その圧力により、第１の金属層９２１がガラス基材９０１から剥離し、剥離部９２５が生じる。このため、従来のめっき方法では密着層を配置しても十分な密着性の改善がなされないことを本開示は明らかにした。

図１〜図３は、本開示のガラス基材へのめっき方法の一実施形態を説明する模式図である。また、図４は、本開示のガラス基材へのめっき方法を用いた配線構造体の製造方法の一実施形態を説明する模式図である。本開示のガラス基材へのめっき方法は、ガラス基材１０１の表面に密着層１１１を形成する工程と、密着層１１１上にめっきにより金属層を形成する工程と、密着層１１１の表面の少なくとも一部にスパッタリングにより下地金属層１３０を形成する工程と、を備える。

ガラス基材１０１を準備する（図１（ａ））。ガラス基材１０１には、ガラスインターポーザに用いられる公知のガラス基板を用いることができる。ガラス基材１０１の厚さは特に制限はないが、例えば、１００μｍ以上８００μｍ以下の厚さの基板を使用することができる。ガラス基材１０１の厚さは、より好ましくは、２００μｍ以上４００μｍ以下である。上記の基材の厚さの下限よりも基材が薄くなると、基材のたわみが大きくなる。その影響で、製造過程におけるハンドリングが困難になるとともに、基材上に形成する薄膜等の内部応力により基材が反ってしまう。また、上記の基材の厚さの上限よりも基材が厚くなると貫通孔の形成工程が長くなり、製造工程が長期化し、製造コストが上昇するため、ガラスインターポーザを形成する場合には好ましくない。

ガラス基材１０１の表面に密着層１１１を形成する（図１（ｂ））。密着層１１１は、例えば、酸化亜鉛をガラス基材１０１の表面に成膜することにより、形成することができる。密着層１１１は、例えば、酢酸亜鉛二水和物、酢酸プラセオジム、ジエタノールアミンを含むエタノール溶液を用いたゾルゲル法により形成することができる。また、密着層１１１は、２−エチルヘキサン酸亜鉛の１−メトキシ−２−プロパノール溶液を用いた有機金属熱分解法（ＭＯＤ法）により形成することもできる。これらの方法を用いた密着層１１１には、ディップコーティング法や塗布法を用いることができる。密着層１１１は、これらの溶液を塗布後に焼成することにより、酸化亜鉛の皮膜として形成するこることができる。さらに、硫酸亜鉛とジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）を含む溶液を用いた無電解めっきにより密着層１１１を形成してもよい。無電解めっきには、触媒として、塩化パラジウムを用いることができる。密着層１１１の形成工程は、これらの方法に限定されるものではない。

図１（ｂ）においてはガラス基材１０１の対向する表面の両面に密着層１１１を形成する例を示したが、本開示はこれに限定されるものではない。塗布法を用いてガラス基材１０１の片面のみに密着層１１１を形成してもよく、ディップコーティング法や無電解めっきにより密着層１１１をガラス基材１０１の両面に形成し、ガラス基材１０１の片面から密着層１１１を除去してもよい。

密着層１１１の表面に金属層を配置するために、密着層１１１の表面に触媒層１１３を形成する（図１（ｃ））。触媒層１１３にはパラジウム等を用いることができるが、これに限定されるものではない。触媒層１１３は、例えば、塩化パラジウムを用いた浸漬法により形成することができる。

金属層を形成する工程は、密着層１１１上に無電解めっきにより第１の金属層１２１を形成する工程と、第１の金属層１２１の表面に電解めっきにより第２の金属層１５１を形成する工程と、を備える。ここで、第１の金属層１２１に形成された孔１２３の底面と側面とに、下地金属層１３０を一体で形成し、孔１２３を第２の金属層１５１で充填する。

密着層１１１上に触媒層１１３を介して、無電解めっきにより第１の金属層１２１を形成する。第１の金属層１２１は、銅、金及びニッケルからなる群から選択される金属を含む。これらの金属を含むめっき液を用いて第１の金属層１２１を形成する方法としては、公知の無電解めっきを用いることができるため、詳細な説明は省略する。ここで、無電解めっきにより形成する第１の金属層１２１には、孔（ピンホール）１２３が頻繁に生じる（図１（ｄ））。第１の金属層１２１に孔１２３が存在する状態で電解めっきを行うと、上述したように、金属層の剥離が生じることになる。

本開示においては、電解めっき液が密着層１１１に接触するのを防ぐことにより、金属層の剥離が生じる問題を解決する。このため、本開示においては、一例として、第１の金属層１２１に形成された孔１２３の底面と側面とに、下地金属層１３０を一体で形成する。

下地金属層１３０は、密着層１１１の表面にスパッタリングにより、チタン又はクロムから選択される金属を含む第１の下地金属層１３１を形成する工程（図２（ａ））と、第１の下地金属層１３１の表面にスパッタリングにより、銅、金及びニッケルからなる群から選択される金属を含む第２の下地金属層１３３を形成する工程（図２（ｂ））を備える。

第１の下地金属層１３１を形成する工程は、密着層１１１及び第１の金属層１２１の表面にチタン又はクロムから選択される金属を含む金属層を１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚で配置する工程である。第１の下地金属層１３１を配置することにより、銅、金及びニッケルからなる群から選択される金属を含む第２の下地金属層１３３を形成することができるとともに、密着性を確保することができる。第２の下地金属層１３３は、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚で形成することが好ましい。なお、図２においては、第１の下地金属層１３１及び第２の下地金属層１３３を、ガラス基材１０１の両面の第１の金属層１２１にそれぞれ配置する例を示したが、本開示はこれに限定されるものではなく、ガラス基材１０１の一方の面の第１の金属層１２１のみに第１の下地金属層１３１及び第２の下地金属層１３３を配置してもよい。

下地金属層１３０を形成した後に、電解めっきにより第２の金属層１５１を形成する。ここで、本開示においては、第１の金属層１２１、第１の下地金属層１３１、第２の下地金属層１３３及び第２の金属層１５１をパターニングすることにより、配線構造体を形成することができる。

例えば、下地金属層１３０の表面に所定のパターン（任意の配線形状や電極形状）の開口を有するレジスト層１４１を形成する（図３（ａ））。レジスト層１４１には、公知の材料及び形成方法を適用可能であり、例えば、ドライフィルムレジストを用いてリソグラフィによりパターン形成する方法を適用可能であるため、詳細な説明は省略する。

下地金属層１３０を介して第１の金属層１２１の表面に配置されたレジスト層１４１の開口に、電解めっきにより金属材料を析出させ、第２の金属層１５１を形成する（図３（ｂ））。第２の金属層１５１は、銅、金及びニッケルからなる群から選択される金属を含む。これらの金属を含むめっき液を用いて第２の金属層１５１を形成する方法としては、公知の電解めっきを用いることができるため、詳細な説明は省略する。このようにして、本開示に係るガラス基材へのめっき方法を実施することができる。本開示においては、第１の金属層１２１に形成された孔１２３の底面と側面とに、下地金属層１３０を一体で形成することにより、第２の金属層１５１を形成する電解めっき液が密着層１１１に接触するのを防ぐことができ、金属層の密着性を向上させることができる。

このように形成される本開示の一実施形態に係る配線構造体１００は、ガラス基材１０１と、ガラス基材１０１の表面に配設された密着層１１１と、密着層１１１に接して配設された第１の金属層１２１と、第１の金属層１２１に接して配設され、第１の金属層１２１の表面に存在する孔の底面と側面とに接して配設された下地金属層１３０と、下地金属層１３０に接して配設された第２の金属層１５１と、を備える。

次に図４を参照して、本開示の一実施形態に係る配線構造体の製造方法を説明する。レジスト層１４１を除去し、下地金属層１３０を露出させる（図４（ａ））。第２の金属層１５１が形成されていない、露出した下地金属層１３０及び第１の金属層１２１を除去する（図４ｂ））。露出した下地金属層１３０及び第１の金属層１２１を除去する方法としては、公知のシードエッチングを適用することができるため、詳細な説明は省略する。このとき、触媒層１１３及び密着層１１１もシードエッチングにより除去される。このようにして、密着層１１１、触媒層１１３、第１の金属層１２１、下地金属層１３０及び第２の金属層１５１が順次積層した金属積層体１５０が形成されるとともに、隣接する金属積層体１５０の間が電気的に隔離された配線構造体１００が形成される。なお、金属積層体１５０の上に電極パッドを形成することもできる。

上述した例においては、第１の金属層１２１に形成された孔１２３の底面と側面とに、下地金属層１３０を一体で形成する方法を説明したが、下地金属層を、密着層の表面の全面に形成することにより金属層の密着性を向上させる例について以下に説明する。

図５〜図７は、本開示のガラス基材へのめっき方法の一実施形態を説明する模式図である。また、図８は、本開示のガラス基材へのめっき方法を用いた配線構造体の製造方法の一実施形態を説明する模式図である。本開示のガラス基材へのめっき方法は、ガラス基材１０１を準備し（図５（ａ））、ガラス基材１０１の表面に密着層１１１を形成する工程（図５（ｂ））までは、上述した実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。

密着層１１１の表面の全面に下地金属層２２０を形成する。下地金属層２２０は、密着層１１１の表面にスパッタリングにより、チタン又はクロムから選択される金属を含む第１の下地金属層２２１を形成する工程（図５（ｃ））と、第１の下地金属層２２１の表面にスパッタリングにより、銅、金及びニッケルからなる群から選択される金属を含む第２の下地金属層２２３を形成する工程（図５（ｄ））を備える。

第１の下地金属層２２１を配置することにより、銅、金及びニッケルからなる群から選択される金属を含む第２の下地金属層２２３を形成することができるとともに、密着性を確保することができる。なお、第１の下地金属層２２１及び第２の下地金属層２２３の膜厚は、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが好ましい。図５においては、第１の下地金属層２２１及び第２の下地金属層２２３を、ガラス基材１０１の両面の密着層１１１にそれぞれ配置する例を示したが、本開示はこれに限定されるものではなく、ガラス基材１０１の一方の面の密着層１１１のみに第１の下地金属層２２１及び第２の下地金属層２２３を配置してもよい。

金属層を形成する工程は、密着層１１１上に無電解めっきにより第１の金属層２３１を形成する工程と、第１の金属層２３１の表面に電解めっきにより第２の金属層２５１を形成する工程と、を備える。本開示においては、第１の金属層２３１に形成された孔２３３を第２の金属層２５１で充填する。

無電解めっきにより密着層１１１上に第１の金属層２３１を形成するため、密着層１１１上に触媒層２２５を形成する（図６（ａ））。触媒層２２５は、触媒層１１３の構成及び形成方法と同様であるため、詳細な説明は省略する。なお、第１の金属層２３１を形成するための触媒が、第２の下地金属層２２３と同一の金属種である場合には、触媒層２２５を省略してもよい。

触媒層２２５を介して、無電解めっきにより密着層１１１上に第１の金属層２３１を形成する。第１の金属層２３１は第２の下地金属層２２３上に堆積するため、無電解めっきにより形成する第１の金属層２３１に孔（ピンホール）２３３が生じても、孔２３３は密着層１１１に達しない（図６（ｂ））。なお、第１の金属層２３１の構成及び形成方法は上述した第１の金属層１２１の構成及び形成方法と同様であるため、詳細な説明は省略する。

第１の金属層２３１を形成した後に、電解めっきにより第２の金属層２５１を形成する。ここで、本開示においては、第１の下地金属層２２１、第２の下地金属層２２３、第１の金属層２３１及び第２の金属層２５１をパターニングすることにより、配線構造体を形成することができる。

例えば、第１の金属層２３１の表面に所定のパターン（任意の配線形状や電極形状）の開口を有するレジスト層２４１を形成する（図６（ｃ））。レジスト層２４１には、公知の材料及び形成方法を適用可能であり、例えば、ドライフィルムレジストを用いてリソグラフィによりパターン形成する方法を適用可能であるため、詳細な説明は省略する。

第１の金属層２３１の表面に配置されたレジスト層２４１の開口に、電解めっきにより金属材料を析出させ、第２の金属層２５１を形成する（図７）。第２の金属層２５１の構成及び形成方法は上述した第２の金属層１５１の構成及び形成方法と同様であるため、詳細な説明は省略する。このようにして、本開示に係るガラス基材へのめっき方法を実施することができる。本開示においては、密着層１１１の表面の全面に下地金属層２２０を形成することにより、第１の金属層２３１に形成された孔２３３の底面には下地金属層２２０が位置することになり、第２の金属層２５１を形成する電解めっき液が密着層１１１に接触するのを防ぐことができ、金属層の密着性を向上させることができる。

次に図８を参照して、本開示の一実施形態に係る配線構造体の製造方法を説明する。レジスト層２４１を除去し、第１の金属層２３１を露出させる（図８（ａ））。第２の金属層２５１が形成されていない、露出した第１の金属層２３１及び下地金属層２２０を除去する（図８ｂ））。露出した第１の金属層２３１及び下地金属層２２０を除去する方法としては、公知のシードエッチングを適用することができるため、詳細な説明は省略する。このとき、密着層１１１もシードエッチングにより除去される。このようにして、密着層１１１、下地金属層２２０、第１の金属層２３１及び第２の金属層２５１が順次積層した金属積層体２５０が形成されるとともに、隣接する金属積層体２５０の間が電気的に隔離された配線構造体２００が形成される。なお、金属積層体２５０の上に電極パッドを形成することもできる。

このように形成される本開示の一実施形態に係る配線構造体２００は、ガラス基材１０１と、ガラス基材１０１の表面に配設された密着層１１１と、密着層１１１に接して配設された下地金属層２２０と、下地金属層２２０に接して配設された第１の金属層２３１と、第１の金属層２３１に接して配設された第２の金属層２５１と、を備える。

特に、第２の金属層２５１は、第１の金属層２３１に接して配設され、第１の金属層２３１の表面に存在する孔２３３の底面と側面とに接して配設される。

（ガラスインターポーザの製造方法）
上述したガラス基材へのめっき方法を用いたガラスインターポーザの製造方法について説明する。図９〜図１２は、本開示のガラスインターポーザ３００の製造方法の一実施形態を説明する模式図である。

本開示のガラスインターポーザの製造方法は、第１の面と第２の面とに開口を有する貫通孔を備えたガラス基材を準備する工程と、ガラス基材の第１の面及び第２の面と貫通孔の表面とに密着層を形成する工程と、密着層上にめっきにより金属層を形成する工程と、密着層の表面の少なくとも一部に下地金属層を形成する工程と、を備える。

第１の面と第２の面とに開口を有する貫通孔３０３を備えたガラス基材を準備する（図９（ａ））。ガラス基材３０１には、上述したガラス基材１０１を用いることができるため、詳細な説明は省略する。ガラス基材３０１が備える貫通孔の径は１０μｍ以上１００μｍ以下が好ましい。

ガラス基材３０１の表面と貫通孔３０３の表面に密着層３１１を形成する（図９（ｂ））。密着層３１１は、例えば、酸化亜鉛をガラス基材３０１の表面と貫通孔３０３の表面に成膜することにより、形成することができる。密着層３１１は、密着層１１１と同様の材料及び形成工程を用いて形成することができるため、詳細な説明は省略する。

図９（ｂ）においてはガラス基材３０１の対向する表面の両面に密着層３１１を形成する例を示したが、本開示はこれに限定されるものではない。塗布法を用いてガラス基材３０１の片面のみに密着層３１１を形成してもよく、ディップコーティング法や無電解めっきにより密着層３１１をガラス基材３０１の両面に形成し、ガラス基材３０１の片面から密着層３１１を除去してもよい。なお、ディップコーティング法や無電解めっきにより密着層３１１を形成する場合、貫通孔３０３の壁面にも密着層３１１が形成される。

密着層３１１の表面に金属層を配置するために、密着層３１１の表面に触媒層３１３を形成する（図９（ｃ））。触媒層３１３は上述した触媒層１１３と同様の材料及び形成工程を用いて形成することができるため、詳細な説明は省略する。なお、貫通孔３０３の壁面にも密着層３１１が形成されている場合、貫通孔３０３の壁面に配置された密着層３１１にも触媒層３１３を形成する。

金属層を形成する工程は、密着層３１１上に無電解めっきにより第１の金属層３２１を形成する工程と、第１の金属層３２１の表面に電解めっきにより第２の金属層３５１を形成する工程と、を備える。ここで、第１の金属層３２１に形成された孔３２３の底面と側面とに、下地金属層３３０を一体で形成し、孔３２３を第２の金属層３５１で充填する。

密着層３１１上に触媒層３１３を介して、無電解めっきにより第１の金属層３２１を形成する。第１の金属層３２１は、第１の金属層１２１と同様の材料及び形成工程を用いることができるため、詳細な説明は省略する。なお、貫通孔３０３の壁面にも触媒層３１３が形成されている場合、貫通孔３０３の壁面にも第１の金属層３２１を形成する。ここで、無電解めっきにより形成する第１の金属層３２１には、孔（ピンホール）３２３が頻繁に生じる（図９（ｄ））。第１の金属層３２１に孔３２３が存在する状態で電解めっきを行うと、上述したように、金属層の剥離が生じることになる。

本開示においては、電解めっき液が密着層３１１に接触するのを防ぐことにより、金属層の剥離が生じる問題を解決する。このため、本開示においては、一例として、第１の金属層３２１に形成された孔３２３の底面と側面とに、下地金属層３３０を一体で形成する。

下地金属層３３０は、第１の金属層３２１の表面にスパッタリングにより、チタン又はクロムから選択される金属を含む第１の下地金属層３３１を形成する工程（図１０（ａ））と、第１の下地金属層３３１の表面にスパッタリングにより、銅、金及びニッケルからなる群から選択される金属を含む第２の下地金属層３３３を形成する工程（図１０（ｂ））を備える。

第１の下地金属層３３１及び第２の下地金属層３３３を形成する工程は、第１の下地金属層１３１及び第２の下地金属層１３３を形成する工程と同様の工程を用いることができるため、詳細な説明は省略する。本開示においては、第１の下地金属層３３１及び第２の下地金属層３３３は、貫通孔３０３の内面にも形成されてもよい。なお、図１０においては、第１の下地金属層３３１及び第２の下地金属層３３３を、ガラス基材３０１の両面の第１の金属層３２１にそれぞれ配置する例を示したが、本開示はこれに限定されるものではなく、ガラス基材３０１の一方の面の第１の金属層３２１のみに第１の下地金属層３３１及び第２の下地金属層３３３を配置してもよい。

ここで、第１の下地金属層３３１及び第２の下地金属層３３３は、スパッタリングにより形成されるため、貫通孔３０３のアスペクト比が大きい場合、貫通孔３０３の貫通方向の中央部近傍の内面には、第１の下地金属層３３１及び第２の下地金属層３３３の堆積量が少なく、第１の金属層３２１が露出した状態になることもある。このため、電解めっきにより形成する第２の金属層３５１が、貫通孔３０３の貫通方向の中央部近傍の内面では厚みが薄くなることもあるが、ガラスインターポーザ３００においては、貫通孔３０３での導電性は、第１の金属層３２１により確保される。

下地金属層３３０を形成した後に、電解めっきにより第２の金属層３５１を形成する。ここで、本開示においては、第１の金属層３２１、第１の下地金属層３３１、第２の下地金属層３３３及び第２の金属層３５１をパターニングすることにより、配線構造体を形成することができる。

例えば、下地金属層３３０の表面に所定のパターン（任意の配線形状や電極形状）の開口を有するレジスト層３４１を形成する（図１０（Ｃ））。レジスト層３４１には、公知の材料及び形成方法を適用可能であり、例えば、ドライフィルムレジストを用いてリソグラフィによりパターン形成する方法を適用可能であるため、詳細な説明は省略する。

下地金属層３３０を介して第１の金属層３２１の表面に配置されたレジスト層３４１の開口に、電解めっきにより金属材料を析出させ、第２の金属層３５１を形成する（図１１）。第２の金属層３５１は、第２の金属層１５１と同様の材料及び形成工程を用いることができるため、詳細な説明は省略する。なお、貫通孔３０３の壁面に配置された下地金属層３３０にも第２の金属層３５１が形成される。本開示においては、第１の金属層３２１に形成された孔３２３の底面と側面とに、下地金属層３３０を一体で形成することにより、第２の金属層３５１を形成する電解めっき液が密着層３１１に接触するのを防ぐことができ、金属層の密着性を向上させることができる。

次に、レジスト層３４１を除去し、下地金属層３３０を露出させる（図１２（ａ））。第２の金属層３５１が形成されていない、露出した下地金属層３３０及び第１の金属層３２１を除去する（図１２（ｂ））。露出した下地金属層３３０及び第１の金属層３２１を除去する方法としては、公知のシードエッチングを適用することができるため、詳細な説明は省略する。このとき、触媒層３１３及び密着層３１１もシードエッチングにより除去される。このようにして、密着層３１１、触媒層３１３、第１の金属層３２１、下地金属層３３０及び第２の金属層３５１が順次積層した金属積層体３５０が形成されるとともに、隣接する金属積層体３５０の間が電気的に隔離されたガラスインターポーザ３００が形成される。なお、金属層上に電極パッドを形成することもできる。

このように形成される本開示の一実施形態に係るガラスインターポーザ３００は、第１の面と第２の面とに開口を有する貫通孔３０３を備えたガラス基材３０１と、ガラス基材３０１の第１の面及び第２の面と貫通孔３０３の表面とに接して配設された密着層３１１と、密着層３１１の表面に配設された第１の金属層３２１と、第１の金属層３２１に接して配設され、第１の金属層３２１の表面に存在する孔３２３の底面と側面とに接して配設された下地金属層３３０と、下地金属層３３０に接して配設された第２の金属層３５１と、を備える。

上述した例においては、第１の金属層３２１に形成された孔３２３の底面と側面とに、下地金属層３３０を一体で形成する方法を説明したが、下地金属層を、密着層の表面の全面に形成することにより金属層の密着性を向上させる例について以下に説明する。

以下に、上述した下地金属層を、密着層の表面の全面に形成する工程を有するガラス基材へのめっき方法を用いたガラスインターポーザの製造方法について説明する。図１３〜図１６は、本開示のガラスインターポーザ４００の製造方法の一実施形態を説明する模式図である。

本開示のガラス基材へのめっき方法は、第１の面と第２の面とに開口を有する貫通孔３０３を備えたガラス基材３０１を準備し（図１３（ａ））、ガラス基材３０１の第１の面及び第２の面と貫通孔の表面とに密着層３１１を形成する工程（図１３（ｂ））までは、上述した実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。

密着層３１１の表面の全面に下地金属層４２０を形成する。下地金属層４２０は、密着層３１１の表面にスパッタリングにより、チタン又はクロムから選択される金属を含む第１の下地金属層４２１を形成する工程（図１３（ｃ））と、第１の下地金属層４２１の表面にスパッタリングにより、銅、金及びニッケルからなる群から選択される金属を含む第２の下地金属層４２３を形成する工程（図１３（ｄ））を備える。

第１の下地金属層４２１及び第２の下地金属層４２３を形成する工程は、第１の下地金属層２２１及び第２の下地金属層２２３を形成する工程と同様の工程を用いることができるため、詳細な説明は省略する。本開示においては、第１の下地金属層４２１及び第２の下地金属層４２３は、貫通孔４０３の内面にも形成されてもよい。なお、図１３においては、第１の下地金属層４２１及び第２の下地金属層４２３を、ガラス基材３０１の両面の密着層３１１にそれぞれ配置する例を示したが、本開示はこれに限定されるものではなく、ガラス基材３０１の一方の面の密着層３１１のみに第１の下地金属層４２１及び第２の下地金属層４２３を配置してもよい。

金属層を形成する工程は、第２の下地金属層４２３を介して密着層３１１上に無電解めっきにより第１の金属層４３１を形成する工程と、第１の金属層４３１の表面に電解めっきにより第２の金属層４５１を形成する工程と、を備える。本開示においては、第１の金属層４３１に形成された孔４３３を第２の金属層４５１で充填する。

ここで、第１の下地金属層４２１及び第２の下地金属層４２３は、スパッタリングにより形成されるため、貫通孔３０３のアスペクト比が大きい場合、貫通孔３０３の貫通方向の中央部近傍の内面には、第１の下地金属層４２１及び第２の下地金属層４２３の堆積量が少なく、密着層３１１が露出した状態になることもある。このため、無電解めっきにより第１の金属層４３１を形成するために、第１の下地金属層４２１の表面及び露出した密着層３１１の表面に触媒層４２５を形成することが好ましい。なお、触媒層４２５は、触媒層１１３の構成及び形成方法と同様であるため、詳細な説明は省略する。また、貫通孔３０３のアスペクト比が小さい場合には、触媒層４２５を省略してもよい。

触媒層４２５を介して、第２の下地金属層４２３上に無電解めっきにより第１の金属層４３１を形成する。なお、貫通孔３０３の壁面にも下地金属層４２０が配置されているため、貫通孔３０３の壁面にも第１の金属層４３１が形成される。第１の金属層４３１は第２の下地金属層４２３上に堆積するため、無電解めっきにより形成する第１の金属層４３１に孔（ピンホール）４３３が生じても、孔４３３は密着層３１１に達しない（図１４（ａ））。なお、第１の金属層４３１の構成及び形成方法は上述した第１の金属層１２１の構成及び形成方法と同様であるため、詳細な説明は省略する。

第１の金属層４３１を形成した後に、電解めっきにより第２の金属層４５１を形成する。ここで、本開示においては、第１の下地金属層４２１、第２の下地金属層４２３、第１の金属層４３１及び第２の金属層４５１をパターニングすることにより、配線構造体を形成することができる。

例えば、第１の金属層４３１の表面に所定のパターン（任意の配線形状や電極形状）の開口を有するレジスト層４４１を形成する（図１４（ｂ））。レジスト層４４１には、公知の材料及び形成方法を適用可能であり、例えば、ドライフィルムレジストを用いてリソグラフィによりパターン形成する方法を適用可能であるため、詳細な説明は省略する。

第１の金属層４３１の表面に配置されたレジスト層４４１の開口に、電解めっきにより金属材料を析出させ、第２の金属層４５１を形成する（図１５）。第２の金属層４５１の構成及び形成方法は上述した第２の金属層１５１の構成及び形成方法と同様であるため、詳細な説明は省略する。なお、貫通孔３０３の壁面に配置された第１の金属層４３１にも第２の金属層４５１が形成される。本開示においては、密着層３１１の表面の全面に下地金属層４２０を形成することにより、第１の金属層４３１に形成された孔４３３の底面には下地金属層４２０が位置することになり、第２の金属層４５１を形成する電解めっき液が密着層３１１に接触するのを防ぐことができ、金属層の密着性を向上させることができる。

次に、レジスト層４４１を除去し、第１の金属層４３１を露出させる（図１６（ａ））。第２の金属層４５１が形成されていない、露出した第１の金属層４３１及び下地金属層４２０を除去する（図１６（ｂ））。露出した第１の金属層４３１及び下地金属層４２０を除去する方法としては、公知のシードエッチングを適用することができるため、詳細な説明は省略する。このとき、密着層３１１もシードエッチングにより除去される。このようにして、密着層３１１、下地金属層４２０、第１の金属層４３１及び第２の金属層４５１が順次積層した金属積層体４５０が形成されるとともに、隣接する金属積層体４５０の間が電気的に隔離されたガラスインターポーザ４００が形成される。なお、金属層上に電極パッドを形成することもできる。

このように形成される本開示の一実施形態に係るガラスインターポーザ４００は、第１の面と第２の面とに開口を有する貫通孔３０３を備えたガラス基材３０１と、ガラス基材３０１の第１の面及び第２の面と貫通孔３０３の表面とに接して配設された密着層３１１と、密着層３１１の表面に接して配設された下地金属層４２０と、下地金属層４２０に接して配設された第１の金属層４３１と、第１の金属層４３１に接して配設された第２の金属層４５１と、を備える。

特に、第２の金属層４５１は、第１の金属層４３１に接して配設され、第１の金属層４３１の表面に存在する孔４３３の底面と側面とに接して配設される。

以上より、本開示の一実施形態によると、第１の面と第２の面とに開口を有する貫通孔を備えたガラス基材を準備する工程と、前記ガラス基材の前記第１の面及び前記第２の面と前記貫通孔の表面とに密着層を形成する工程と、前記密着層上にめっきにより金属層を形成する工程と、前記密着層の表面の少なくとも一部に下地金属層を形成する工程と、を備えるガラスインターポーザの製造方法を提供することができる。

前記金属層を形成する工程は、前記密着層上に無電解めっきにより第１の金属層を形成する工程と、前記第１の金属層に形成された孔の底面と側面とに、前記下地金属層を一体で形成する工程と、前記下地金属層の表面に電解めっきにより第２の金属層を形成する工程と、を備え、前記孔を前記第２の金属層で充填してもよい。

前記下地金属層の表面に所定のパターンの開口を有するレジスト層を形成する工程をさらに備え、前記第１の金属層の表面の前記開口に、電解めっきにより第２の金属層を形成してもよい。

前記第１の金属層の表面に所定のパターンの開口を有するレジスト層を形成する工程をさらに備え、前記第１の金属層の表面の前記開口に、電解めっきにより第２の金属層を形成してもよい。

前記下地金属層は、前記密着層の表面にスパッタリングにより、チタン又はクロムから選択される金属を含む第１の下地金属層を形成する工程と、前記第１の下地金属層の表面にスパッタリングにより、銅、金及びニッケルからなる群から選択される金属を含む第２の下地金属層を形成する工程と、備えてもよい。

（半導体装置）
上述したガラスインターポーザの製造方法により製造したガラスインターポーザを用いた半導体装置について説明する。

図１９は、本開示のガラスインターポーザを用いた半導体装置を示す模式図である。半導体装置１０００は、３つのガラスインターポーザ１３１０、１３２０、１３３０が積層され、例えば、ＤＲＡＭ等の半導体素子が形成されたＬＳＩ基板１４００に接続されている。ガラスインターポーザ１３１０は、第一配線、第二配線等で形成された接続端子１５１１、１５１２を有している。これらのガラスインターポーザ１３１０、１３２０、１３３０はそれぞれが異なる材質の基板から形成されたガラスインターポーザであってもよい。接続端子１５１２は、ＬＳＩ基板１４００の接続端子１５００とバンプ１６１０により接続されている。接続端子１５１１は、ガラスインターポーザ１３２０の接続端子１５２２とバンプ１６２０により接続されている。ガラスインターポーザ１３２０の接続端子１５２１と、ガラスインターポーザ１３３０の接続端子１５３２と、についても、接続端子がバンプ１６３０により接続する。バンプ１６１０、１６２０、１６３０は、例えば、インジウム、銅、金等の金属を用いる。

なお、ガラスインターポーザを積層する場合には、３層に限らず、２層であってもよいし、さらに４層以上であってもよい。また、ガラスインターポーザと他の基板との接続においては、バンプによるものに限らず、共晶接合など、他の接合技術を用いてもよい。また、ポリイミド、エポキシ樹脂等を塗布、焼成して、ガラスインターポーザと他の基板とを接着してもよい。

図２０は、半導体装置の別の例を示す図である。図２０に示す半導体装置１０００は、ＭＥＭＳデバイス、ＣＰＵ、メモリ等の半導体チップ（ＬＳＩチップ）１４１０、１４２０、およびガラスインターポーザ１３００が積層され、ＬＳＩ基板１４００に接続されている。

半導体チップ１４１０と半導体チップ１４２０との間にガラスインターポーザ１３００が配置され、バンプ１６４０、１６５０により接続されている。ＬＳＩ基板１４００上に半導体チップ１４１０が載置され、ＬＳＩ基板１４００と半導体チップ１４２０とはワイヤ１７００により接続されている。この例では、ガラスインターポーザ１３００は、複数の半導体チップを積層して３次元実装するためのインターポーザとして用いられ、それぞれ機能の異なる複数の半導体チップを積層することで、多機能の半導体装置を製造することができる。例えば、半導体チップ１４１０を３軸加速度センサとし、半導体チップ１４２０を２軸磁気センサとすることによって、５軸モーションセンサを１つのモジュールで実現した半導体装置を製造することができる。

半導体チップがＭＥＭＳデバイスにより形成されたセンサなどである場合には、センシング結果がアナログ信号により出力されるようなときがある。この場合には、ローパスフィルタ、アンプ等についても半導体チップまたはガラスインターポーザ１３００に形成してもよい。

図２１は、半導体装置の別の例を示す図である。上記２つの例（図１９、図２０）は、３次元実装であったが、この例では、２次元と３次元との併用実装に適用した例である（２．５次元という場合もある）。図２１に示す例では、ＬＳＩ基板１４００には、６つのガラスインターポーザ１３１０、１３２０、１３３０、１３４０、１３５０、１３６０が積層されて接続されている。ただし、全てのガラスインターポーザが積層して配置されているだけでなく、基板面内方向にも並んで配置されている。これらのガラスインターポーザはそれぞれが異なる材質の基板から形成されたガラスインターポーザであってもよい。

図２１の例では、ＬＳＩ基板１４００上にガラスインターポーザ１３１０、１３５０が接続され、ガラスインターポーザ１３１０上にガラスインターポーザ１３２０、１３４０が接続され、ガラスインターポーザ１３２０上にガラスインターポーザ１３３０が接続され、ガラスインターポーザ１３５０上にガラスインターポーザ１３６０が接続されている。

上記のように製造された半導体装置１０００は、例えば、携帯端末（携帯電話、スマートフォンおよびノート型パーソナルコンピュータ等）、情報処理装置（デスクトップ型パーソナルコンピュータ、サーバ、カーナビゲーション等）、家電等、様々な電気機器に搭載される。

なお、本開示は上記の実施形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。

１００配線構造体、１０１ガラス基材、１１１密着層、１１３触媒層、１２１第１の金属層、１２３孔、１３０下地金属層、１３１第１の下地金属層、１３３第２の下地金属層、１４１レジスト層、１５１第２の金属層、２００配線構造体、２２０下地金属層、２２１第１の下地金属層、２２３第２の下地金属層、２２５触媒層、２３１第１の金属層、２３３孔、２４１レジスト層、２５１第２の金属層、３００ガラスインターポーザ、３０１ガラス基材、３０３貫通孔、３１１密着層、３１３触媒層、３２１第１の金属層、３２３孔、３３０下地金属層、３３１第１の下地金属層、３３３第２の下地金属層、３４１レジスト層、３５１第２の金属層、４００ガラスインターポーザ、４０３貫通孔、４２０下地金属層、４２１第１の下地金属層、４２３第２の下地金属層、４２５触媒層、４３１第１の金属層、４３３孔、４４１レジスト層、４５１第２の金属層、９００デバイス、９０１ガラス基材、９１１密着層、９１３触媒層、９２１第１の金属層、９２３ピンホール、９２５剥離部、９４１第２の金属層、１０００半導体装置、１３００ガラスインターポーザ、１３１０ガラスインターポーザ、１３２０ガラスインターポーザ、１３３０ガラスインターポーザ、１３４０ガラスインターポーザ、１３５０ガラスインターポーザ、１３６０ガラスインターポーザ、１４００基板、１４１０半導体チップ、１４１０半導体チップ（ＬＳＩチップ）、１４２０半導体チップ、１４２０半導体チップ（ＬＳＩチップ）、１５００接続端子、１５１１接続端子、１５１２接続端子、１５２１接続端子、１５２２接続端子、１５３２接続端子、１６１０バンプ、１６２０バンプ、１６３０バンプ、１６４０バンプ、１６５０バンプ、１７００ワイヤ

Claims

ガラス基材の表面に密着層を形成する工程と、
前記密着層上に無電解めっきにより第１の金属層を形成する工程と、
前記第１の金属層に形成された孔の底面となる前記密着層の表面と前記孔の側面、及び前記第１の金属層の表面にスパッタリングにより、チタン又はクロムから選択される金属を含む第１の下地金属層を一体で形成する工程と、
前記第１の下地金属層の表面にスパッタリングにより、銅、金及びニッケルからなる群から選択される金属を含む第２の下地金属層を形成する工程と、
前記第２の下地金属層の表面に電解めっきにより第２の金属層を形成し、前記孔を前記第２の金属層で充填する工程と、を備えるガラス基材へのめっき方法。
前記第１の下地金属層を１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚で形成し、
前記第２の下地金属層を１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚で形成する請求項１に記載のガラス基材へのめっき方法。
ガラス基材の表面に密着層を形成する工程と、
前記密着層の表面の全面にスパッタリングにより、チタン又はクロムから選択される金属を含む第１の下地金属層を形成する工程と、
前記第１の下地金属層の表面にスパッタリングにより、銅、金及びニッケルからなる群から選択される金属を含む第２の下地金属層を形成する工程と、
前記第２の下地金属層上に無電解めっきにより第１の金属層を形成する工程と、
前記第１の金属層の表面に電解めっきにより第２の金属層を形成する工程と、を備え、
前記第１の金属層に形成された孔を前記第２の金属層で充填するガラス基材へのめっき方法。
前記第１の下地金属層を１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚で形成し、
前記第２の下地金属層を１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚で形成する請求項３に記載のガラス基材へのめっき方法。
ガラス基材と、
前記ガラス基材の表面に配設された密着層と、
前記密着層に接して配設され、銅、金及びニッケルからなる群から選択された第１の金属層と、
前記第１の金属層の表面と、前記第１の金属層の表面に存在する孔の底面と側面とに接して一体で配設された、チタン又はクロムから選択される金属を含む第１の下地金属層と、
前記第１の下地金属層の表面に配設され、銅、金及びニッケルからなる群から選択される金属を含む第２の下地金属層と、
前記第２の下地金属層に接して配設され、銅、金及びニッケルからなる群から選択された第２の金属層と、
を備える配線構造体。
前記第１の下地金属層は１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚を有し、
前記第２の下地金属層は１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚を有する請求項５に記載の配線構造体。
ガラス基材と、
前記ガラス基材の表面に配設された密着層と、
前記密着層に接して配設され、チタン又はクロムから選択される金属を含む第１の下地金属層と、
前記第１の下地金属層の表面に配設され、銅、金及びニッケルからなる群から選択される金属を含む第２の下地金属層と、
前記第２の下地金属層に接して配設され、銅、金及びニッケルからなる群から選択された第１の金属層と、
前記第１の金属層と、前記第１の金属層の表面に存在する孔の底面と側面とに接して一体で配設され、銅、金及びニッケルからなる群から選択された第２の金属層と、
を備える配線構造体。
前記第１の下地金属層は１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚を有し、
前記第２の下地金属層は１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚を有する請求項７に記載の配線構造体。
第１の面と第２の面とに開口を有する貫通孔を備えたガラス基材と、
前記ガラス基材の前記第１の面及び前記第２の面と前記貫通孔の表面とに接して配設された密着層と、
前記密着層の表面に配設され、銅、金及びニッケルからなる群から選択された第１の金属層と、
前記第１の金属層の表面と、前記第１の金属層の表面に存在する孔の底面と側面とに接して一体で配設された、チタン又はクロムから選択される金属を含む第１の下地金属層と、
前記第１の下地金属層の表面に配設され、銅、金及びニッケルからなる群から選択される金属を含む第２の下地金属層と、
前記第２の下地金属層に接して配設され、銅、金及びニッケルからなる群から選択された第２の金属層と、
を備えるガラスインターポーザ。
前記第１の下地金属層は１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚を有し、
前記第２の下地金属層は１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚を有する請求項９に記載のガラスインターポーザ。
第１の面と第２の面とに開口を有する貫通孔を備えたガラス基材と、
前記ガラス基材の前記第１の面及び前記第２の面と前記貫通孔の表面とに接して配設された密着層と、
前記密着層の表面に接して配設された、チタン又はクロムから選択される金属を含む第１の下地金属層と、
前記第１の下地金属層の表面に配設され、銅、金及びニッケルからなる群から選択される金属を含む第２の下地金属層と、
前記第２の下地金属層に接して配設され、銅、金及びニッケルからなる群から選択された第１の金属層と、
前記第１の金属層と、前記第１の金属層の表面に存在する孔の底面と側面とに接して一体で配設され、銅、金及びニッケルからなる群から選択された第２の金属層と、
を備えるガラスインターポーザ。
前記第１の下地金属層は１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚を有し、
前記第２の下地金属層は１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚を有する請求項１１に記載のガラスインターポーザ。