JP7155245B2 - ダイボンディングフィルム、ダイシングダイボンディングシート、及び半導体チップの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ダイボンディングフィルム、ダイシングダイボンディングシート、及び半導体チップの製造方法に関する。
本願は、２０１８年３月２３日に、日本に出願された特願２０１８－０５７００７号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

半導体チップは、通常、その裏面に貼付されているダイボンディングフィルムによって、基板の回路形成面にダイボンディングされる。その後、必要に応じてこの半導体チップにさらに半導体チップを１個以上積層して、ワイヤボンディングを行った後、得られたもの全体を樹脂により封止することで、半導体パッケージが作製される。そして、この半導体パッケージを用いて、目的とする半導体装置が作製される。

裏面にダイボンディングフィルムを備えた半導体チップは、例えば、裏面にダイボンディングフィルムを備えた半導体ウエハを、ダイボンディングフィルムとともに分割（切断）することによって作製される。このように半導体ウエハを半導体チップへと分割する方法としては、例えば、ダイシングブレードを用いて、半導体ウエハをダイボンディングフィルムごとダイシングする方法が広く利用されている。この場合、分割（切断）前のダイボンディングフィルムは、ダイシング時に半導体ウエハを固定するために使用されるダイシングシートに積層されて一体化された、ダイシングダイボンディングシートとして使用される。
ダイシング終了後、裏面にダイボンディングフィルムを備えた半導体チップ（ダイボンディングフィルム付き半導体チップ）は、ダイシングシートから引き離されてピックアップされる。

一方、ダイボンディングフィルムとしては、これまでに、例えば、１２０℃における弾性率Ｇが３００００Ｐａ以下であるものが開示されている（特許文献１参照）。特許文献１によれば、このダイボンディングフィルムを用いることにより、ダイボンディングフィルムの半導体チップ側の界面又は基板側の界面において、ボイド（空隙部）の発生を抑制できるとされている。
また、ワイヤ埋込層と、その上に積層された絶縁層と、の２層構成のダイボンディングフィルムが開示されている（特許文献２参照）。特許文献２によれば、このダイボンディングフィルムは、チップが三次元的に積層された半導体パッケージの製造に好適であるとされている。

特開２０１３－７７８５５号公報 特開２００７－５３２４０号公報

ダイシング後の半導体チップは、上述のとおり、裏面にダイボンディングフィルムを備えた状態のまま、ダイシングシートから引き離されてピックアップされ、ダイボンディングフィルムによって、基板の回路形成面にダイボンディングされる。しかし、ダイボンディングフィルムと半導体チップとの間の粘着力（接着力）が不十分であると、ピックアップ時において、ダイボンディングフィルムの一部又は全部が、半導体チップから剥離してダイシングシート上に残ってしまい、ダイボンディングフィルムのダイシングシートから半導体チップへの転写に異常が発生してしまう。本明細書においては、このような異常を「転写不良」と称する。

このようなダイボンディングフィルムの転写不良は、ダイシングブレードを用いたダイシングによって、半導体ウエハをサイズが小さい半導体チップへと分割するときに、特に発生し易い。これは、ダイシングブレードの半導体ウエハへの接触箇所に、水（「切削水」と称することもある）を流しながら、ダイシングを行うためである。ダイシングによって得られた半導体チップのサイズが小さいほど、１個の半導体チップの表面積に対する、水の接触量は増大するため、水の影響を格段に受け易くなる。そして、ダイボンディングフィルムと半導体チップとの間の粘着力（接着力）が不十分である場合には、ダイボンディングフィルムと半導体チップとの界面に水が浸入し易くなる。水が浸入すると、ダイボンディングフィルムは半導体チップから剥離し易くなり、上記の様に転写不良が発生し易くなってしまう。

これに対して、特許文献１で開示されているダイボンディングフィルムは、その半導体チップ側の界面において、ボイド（空隙部）の発生を抑制できたとしても、半導体チップのサイズが小さい場合に、ピックアップ時におけるダイボンディングフィルムの転写不良を抑制できるかは定かではない。

通常、ダイボンディングフィルムの転写不良を抑制するためには、ダイボンディングフィルムの粘着力を増大させる等、物性を改善すればよい。しかし、ダイボンディングフィルムは、半導体チップを基板の回路形成面にダイボンディングするのに利用される。ダイボンディングフィルムの物性を、転写不良の抑制に有利になるように改善すると、例えば、ダイボンディング時の基板表面とダイボンディングフィルムとの間で、隙間の発生を抑制して、ダイボンディングフィルムが基板表面を被覆する、所謂基板の埋め込み性が低下してしまうことがある。

これに対して、特許文献２で開示されているダイボンディングフィルムは、ワイヤ埋込層及び絶縁層の２層構成を有し、基板の埋め込み性が良好であることを示唆している。しかし、このダイボンディングフィルムの絶縁層は、半導体チップのサイズが小さい場合に、ピックアップ時におけるダイボンディングフィルムの転写不良を抑制できるかは定かではない。

本発明は、サイズが小さい半導体チップのピックアップ時において、半導体チップへの転写不良を抑制可能であり、かつ、ダイボンディング時において、基板を良好に埋め込み可能なダイボンディングフィルムと、このダイボンディングフィルムを備えたダイシングダイボンディングシートと、このダイシングダイボンディングシートを用いた半導体チップの製造方法と、を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は、第１層を備え、前記第１層上に第２層を備えており、前記第１層の、溶融粘度の初期検出温度が７５℃以下であり、前記第２層は、粘着性及びエネルギー線硬化性を有し、厚さが１０μｍで、かつ幅が２５ｍｍよりも広い前記第２層を試験片として用い、前記試験片を、シリコンミラーウエハに貼付し、幅が２５ｍｍとなるように切断し、切断後の前記試験片を前記シリコンミラーウエハごと、純水中に２時間浸漬し、浸漬後の前記試験片をエネルギー線硬化させて硬化物とすることにより、シリコンミラーウエハに前記硬化物が貼付されている試験用積層体を作製したときの、幅が２５ｍｍの前記硬化物と、前記シリコンミラーウエハと、の間の粘着力が、６Ｎ／２５ｍｍ以上となる、ダイボンディングフィルムを提供する。
また、本発明は、支持シートを備え、前記支持シート上に、前記ダイボンディングフィルムを備えており、前記ダイボンディングフィルム中の第１層が、前記支持シート側に配置されている、ダイシングダイボンディングシートを提供する。

また、本発明は、前記ダイボンディングフィルムのうち、第２層に半導体ウエハが貼付され、第１層にダイシングシートが貼付されている積層体（１－１）、又は前記ダイシングダイボンディングシートのうち、ダイボンディングフィルム中の第２層に半導体ウエハが貼付されている積層体（１－２）を作製する工程と、ダイシングブレードを用いて、前記積層体（１－１）又は積層体（１－２）中の前記半導体ウエハを、前記ダイボンディングフィルムとともに切断することにより、切断済みの前記第１層、切断済みの前記第２層、及び前記半導体チップを備えた積層体（２）を作製する工程と、前記積層体（２）中の切断済みの前記第２層をエネルギー線硬化させて硬化物とすることにより、切断済みの前記第１層、前記硬化物、及び前記半導体チップを備えた積層体（３）を作製する工程と、前記積層体（３）において、切断済みの前記第１層及び前記硬化物を備えた前記半導体チップを、前記ダイシングシート又は支持シートから引き離して、ピックアップする工程と、を有する、半導体チップの製造方法を提供する。

すなわち、本発明は以下の態様を含む。
［１］ 第１層と、前記第１層上に備えられた第２層とを含み、
前記第１層は、溶融粘度の初期検出温度が７５℃以下である特性を有し、
前記第２層は、粘着性及びエネルギー線硬化性を有し、かつ
厚さが１０μｍで、かつ幅が２５ｍｍよりも広い前記第２層を試験片とし、前記試験片を、シリコンミラーウエハに貼付し、幅２５ｍｍとなるように前記試験片を切断し、切断後の前記試験片を、前記シリコンミラーウエハごと、純水中に２時間浸漬し、浸漬後の前記試験片をエネルギー線硬化させて硬化物とすることにより、前記シリコンミラーウエハに前記硬化物が貼付されている試験用積層体を作製したとき、幅が２５ｍｍの前記硬化物と、前記シリコンミラーウエハと、の間の粘着力が、６Ｎ／２５ｍｍ以上となる特性を有する、
ダイボンディングフィルム。
［２］ 支持シートと、前記支持シート上に備えられた、［１］に記載のダイボンディングフィルムとを含み、
前記ダイボンディングフィルム中の前記第１層が、前記支持シート側に配置されている、ダイシングダイボンディングシート。
［３］ ［１］に記載のダイボンディングフィルムのうち、前記第２層に半導体ウエハが貼付され、前記第１層にダイシングシートが貼付されている積層体（１－１）、又は［２］に記載のダイシングダイボンディングシートのうち、前記ダイボンディングフィルム中の第２層に半導体ウエハが貼付されている積層体（１－２）を作製することと、
ダイシングブレードにより、前記積層体（１－１）又は前記積層体（１－２）中の前記半導体ウエハを、前記ダイボンディングフィルムとともに切断することにより、切断済みの前記第１層、切断済みの前記第２層、及び前記切断済みの半導体ウエハである半導体チップを備えた積層体（２）を作製することと、
前記積層体（２）中の切断済みの前記第２層をエネルギー線硬化させて硬化物とすることにより、切断済みの前記第１層、前記硬化物、及び前記半導体チップを備えた積層体（３）を作製することと、
前記積層体（３）において、切断済みの前記第１層及び前記硬化物を備えた前記半導体チップを、前記支持シート又は前記ダイシングシートから引き離して、ピックアップすることと、
を含む、半導体チップの製造方法。

本発明によれば、サイズが小さい半導体チップのピックアップ時において、半導体チップへの転写不良を抑制可能であり、かつ、ダイボンディング時において、基板を良好に埋め込み可能なダイボンディングフィルムと、このダイボンディングフィルムを備えたダイシングダイボンディングシートと、このダイシングダイボンディングシートを用いた半導体チップの製造方法が提供される。

本発明の一実施形態に係るダイボンディングフィルムを模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンディングシートを模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンディングシートを模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンディングシートを模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンディングシートを模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体チップの製造方法を模式的に説明するための断面図である。 本発明により得られた硬化済みダイボンディングフィルム付き半導体チップが、基板の回路形成面にダイボンディングされている状態の一例を、模式的に示す断面図である。

◇ダイボンディングフィルム
本発明の一実施形態に係るダイボンディングフィルムは、第１層と、前記第１層上に備えられた第２層とを含み、前記第１層は溶融粘度の初期検出温度（本明細書においては、「Ｔ_０」と略記することがある）が７５℃以下である特性を有し、前記第２層は、粘着性及びエネルギー線硬化性を有し、かつ厚さが１０μｍでかつ幅が２５ｍｍよりも広い前記第２層を試験片とし、前記試験片を、シリコンミラーウエハに貼付し、幅２５ｍｍとなるように前記試験片を切断し、切断後の前記試験片を前記シリコンミラーウエハごと、純水中に２時間浸漬し、浸漬後の前記試験片をエネルギー線硬化させて硬化物とすることにより、前記シリコンミラーウエハに前記硬化物が貼付されている試験用積層体を作製したとき、幅が２５ｍｍの前記硬化物と、前記シリコンミラーウエハと、の間の粘着力（本明細書においては、「浸漬後粘着力」と略記することがある）が、６Ｎ／２５ｍｍ以上となる特性を有する。
なお、上記特性を有する第２層の形成材料と同じ材料から形成された層を第２層として有するダイボンディングフィルムは本発明に含まれる。

前記ダイボンディングフィルムにおいて、第１層は、基板へのダイボンディングに利用される。
一方、第２層は、半導体ウエハに貼付され、エネルギー線の照射により硬化された後に、半導体チップとともにピックアップされる。半導体ウエハの第２層の貼付面は、半導体ウエハの回路が形成されている側とは反対側の面（本明細書においては、「裏面」と称することがある）である。

本明細書において、「エネルギー線」とは、電磁波又は荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものを意味し、その例として、紫外線、放射線、電子線等が挙げられる。
紫外線は、例えば、紫外線源として高圧水銀ランプ、ヒュージョンランプ、キセノンランプ、ブラックライト又はＬＥＤランプ等を用いることで照射できる。電子線は、電子線加速器等によって発生させたものを照射できる。
本明細書において、「エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射することにより硬化する性質を意味し、「非エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射しても硬化しない性質を意味する。

前記ダイボンディングフィルムにおいて、第１層は粘着性を有する。そして、第１層の溶融粘度の初期検出温度（Ｔ_０）が、７５℃以下であることにより、ダイボンディング時において、基板表面と第１層との間では、隙間の発生が抑制され、第１層が基板表面を良好に被覆し、第１層は基板を良好に埋め込み可能である。

一方、前記ダイボンディングフィルムにおいて、第２層は粘着性及びエネルギー線硬化性を有する。そして、第２層の試験片を用いて測定された前記粘着力（浸漬後粘着力）が、６Ｎ／２５ｍｍ以上であることにより、サイズが小さい半導体チップのピックアップ時において、第２層の硬化物の一部又は全部が、半導体チップから剥離することがなく、第２層の硬化物は半導体チップへの転写不良を抑制可能であり、良好な転写性を有する。

そして、第１層及び第２層は、第２層のエネルギー線硬化の前後によらず、安定してこれらの積層構造を維持可能である。
したがって、前記ダイボンディングフィルムは、サイズが小さい半導体チップへの良好な転写性と、良好な基板の埋め込み性と、をともに有している。

本明細書においては、第１層がこれ以外の層との積層状態ではなく、単独で存在している場合には、このような第１層を「第１フィルム」と称することがある。
同様に、第２層がこれ以外の層との積層状態ではなく、単独で存在している場合には、このような第２層を「第２フィルム」と称することがある。

◎第１層（第１フィルム）
前記第１層（第１フィルム）は、上述のとおり、粘着性を有する。
第１層は、さらに、硬化性を有していても（硬化性であっても）よいし、硬化性を有していなくても（非硬化性であっても）よく、硬化性を有する場合、例えば、熱硬化性及びエネルギー線硬化性のいずれを有していてもよいし、熱硬化性及びエネルギー線硬化性をともに有していてもよい。

硬化性を有しない第１層と、硬化性を有する未硬化の第１層と、は、いずれも、各種被着体に軽く押圧することで貼付できる。
また、第１層は、硬化の有無によらず、加熱して軟化させることで、各種被着体に貼付できるものであってもよい。
硬化性を有しない第１層と、硬化性を有する第１層の硬化物と、は、いずれも、厳しい高温・高湿度条件下においても十分な接着特性を保持し得る。

第１層のＴ_０は、７５℃以下であり、７３℃以下であることが好ましく、７１℃以下であることがより好ましく、６９℃以下であることがさらに好ましく、例えば、６６℃以下及び６２℃以下のいずれかであってもよい。また別の側面として、第１層のＴ_０は、６８℃以下であってもよく、５９℃以下であってもよい。
Ｔ_０が前記上限値以下であることで、第１層の基板の埋め込み性が、より高くなる。

第１層のＴ_０の下限値は、特に限定されない。
第１層のＴ_０は、第１層を含むダイボンディングフィルムの取り扱い性がより高くなる点では、５０℃以上であることが好ましい。

第１層のＴ_０は、上述の好ましい下限値及び上限値を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。例えば、Ｔ_０は、好ましくは５０～７５℃、より好ましくは５０～７３℃、さらに好ましくは５０～７１℃、特に好ましくは５０～６９℃であり、例えば、５０～６６℃、及び５０～６２℃のいずれかであってもよい。また別の側面として、Ｔ_０は、５０～６８℃であってもよく、５０～５９℃以下であってもよい。
ただし、これらは、第１層のＴ_０の一例である。

本実施形態において、第１層のＴ_０は、例えば、以下の方法で測定できる。
すなわち、キャピラリーレオメーターを用い、そのシリンダー（キャピラリー）内に、測定対象の第１フィルム（単独で存在している第１層）を、例えば直径１０ｍｍ、高さ２０ｍｍの円柱状の試験片としてセットし、シリンダーの内壁に接触しながらこの内壁に沿って、シリンダーの長手方向（換言すると中心軸方向）に移動可能なピストンによって、このシリンダー内の第１フィルム（前記試験片）に対して一定の大きさの力（例えば５．１０Ｎ（５０ｋｇｆ）を加えた状態（荷重をかけた状態）を維持しながら、第１フィルム（前記試験片）を昇温（例えば、昇温速度１０℃／ｍｉｎで５０℃から１２０℃まで昇温）させる。そして、シリンダーの先端部（第１フィルム（前記試験片）に対して力を加えている方向の先端部）に設けられた穴（例えば、直径０．５ｍｍ、高さ１．０ｍｍの穴）から、シリンダーの外部へ第１フィルム（前記試験片）の押出しが開始されたとき、すなわち、第１フィルム（前記試験片）の溶融粘度の検出が開始されたときの、第１フィルム（前記試験片）の温度を、第１フィルム（換言すると第１層）の初期検出温度Ｔ_０（℃）として採用する。測定に供する第１フィルムの大きさ及び形状は、シリンダーの大きさ等を考慮して、適宜調節できる。

なお、本明細書において、「溶融粘度」とは、特に断りのない限り、上述の方法で測定された溶融粘度を意味する。

第１層は１層（単層）からなるものでもよいし、２層以上の複数層からなるものでもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。

なお、本明細書においては、第１層の場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料及び厚さの少なくとも一方が互いに異なる」ことを意味する。

第１層の厚さは、特に限定されないが、１～４０μｍであることが好ましく、３～３０μｍであることがより好ましく、５～２０μｍであることが特に好ましい。第１層の厚さが前記下限値以上であることで、第１層の基板の埋め込み性が、より高くなる。第１層の厚さが前記上限値以下であることで、後述する半導体チップの製造工程において、第１層（ダイボンディングフィルム）をより容易に切断でき、また、第１層に由来する切断片の発生量をより低減できる。
ここで、「第１層の厚さ」とは、第１層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる第１層の厚さとは、第１層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。

第１層（第１フィルム）は、その構成材料を含有する第１接着剤組成物から形成できる。例えば、第１層の形成対象面に第１接着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位に第１層を形成できる。
第１接着剤組成物中の、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、第１層の前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。なお、本明細書において、「常温」とは、特に冷やしたり、熱したりしない温度、すなわち平常の温度を意味し、例えば、１５～２５℃の温度等が挙げられる。

第１接着剤組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えば、エアーナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、グラビアコーター、ロールコーター、ロールナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ナイフコーター、スクリーンコーター、マイヤーバーコーター、キスコーター等の各種コーターを用いる方法が挙げられる。

第１接着剤組成物の乾燥条件は、特に限定されないが、第１接着剤組成物は、後述する溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましい。溶媒を含有する第１接着剤組成物は、例えば、７０～１３０℃で１０秒間～５分間の条件で乾燥させることが好ましい。
次に、第１接着剤組成物について、詳細に説明する。

＜＜第１接着剤組成物＞＞
第１接着剤組成物の種類は、第１層の硬化性の有無と、第１層が硬化性である場合には、熱硬化性及びエネルギー線硬化性のいずれであるか等、第１層の特性に応じて、選択できる。
好ましい第１接着剤組成物としては、熱硬化性の第１接着剤組成物が挙げられる。
熱硬化性の第１接着剤組成物としては、例えば、重合体成分（ａ）及びエポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）を含有するものが挙げられる。以下、各成分について説明する。

（重合体成分（ａ））
重合体成分（ａ）は、重合性化合物が重合反応して形成されたとみなせる成分であり、第１層に造膜性や可撓性等を付与すると共に、半導体チップ等の接着対象への接着性（貼付性）を向上させるための重合体化合物である。また、重合体成分（ａ）は、後述するエポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）に該当しない成分でもある。すなわち、重合体成分（ａ）は、後述するエポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）に該当する成分を除く。

第１接着剤組成物及び第１層が含有する重合体成分（ａ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

重合体成分（ａ）としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリエステル、ウレタン系樹脂、アクリルウレタン樹脂、シリコーン系樹脂、ゴム系樹脂、フェノキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド等が挙げられ、アクリル系樹脂が好ましい。

重合体成分（ａ）における前記アクリル系樹脂としては、公知のアクリル重合体が挙げられる。
アクリル系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１００００～２００００００であることが好ましく、１０００００～１５０００００であることがより好ましい。アクリル系樹脂の重量平均分子量がこのような範囲内であることで、第１層と被着体との間の接着力を好ましい範囲に調節することが容易となる。
一方、アクリル系樹脂の重量平均分子量が前記下限値以上であることで、第１層の形状安定性（保管時の経時安定性）が向上する。また、アクリル系樹脂の重量平均分子量が前記上限値以下であることで、第１層の基板の埋め込み性が、より高くなる。
なお、本明細書において、「重量平均分子量」とは、特に断りのない限り、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値である。

アクリル系樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、－６０～７０℃であることが好ましく、－３０～５０℃であることがより好ましい。アクリル系樹脂のＴｇが前記下限値以上であることで、第１層と、後述する支持シート又はダイシングシートと、の間の接着力が抑制されて、ピックアップ時において、第１層を備えた半導体チップの、後述する支持シート又はダイシングシートからの引き離しが、より容易となる。アクリル系樹脂のＴｇが前記上限値以下であることで、第１層と第２層との間の接着力が向上する。

アクリル系樹脂を構成する前記（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ－プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ－ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓｅｃ－ブチル、（メタ）アクリル酸ｔｅｒｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ｎ－オクチル、（メタ）アクリル酸ｎ－ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル（（メタ）アクリル酸ラウリルともいう）、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル（（メタ）アクリル酸ミリスチルともいう）、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル（（メタ）アクリル酸パルミチルともいう）、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル（（メタ）アクリル酸ステアリルともいう）等の、アルキルエステルを構成するアルキル基が、炭素数が１～１８の鎖状構造である（メタ）アクリル酸アルキルエステル；
（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンタニル等の（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル；
（メタ）アクリル酸ベンジル等の（メタ）アクリル酸アラルキルエステル；
（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニルエステル等の（メタ）アクリル酸シクロアルケニルエステル；
（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニルオキシエチルエステル等の（メタ）アクリル酸シクロアルケニルオキシアルキルエステル；
（メタ）アクリル酸イミド；
（メタ）アクリル酸グリシジル等のグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル；
（メタ）アクリル酸ヒドロキシメチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸３－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸３－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル等の水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル；
（メタ）アクリル酸Ｎ－メチルアミノエチル等の置換アミノ基含有（メタ）アクリル酸エステル等が挙げられる。ここで、「置換アミノ基」とは、アミノ基の１個又は２個の水素原子が水素原子以外の基で置換されてなる基を意味する。

なお、本明細書において、「（メタ）アクリル酸」とは、「アクリル酸」及び「メタクリル酸」の両方を包含する概念とする。（メタ）アクリル酸と類似の用語についても同様である。

アクリル系樹脂は、例えば、前記（メタ）アクリル酸エステル以外に、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン及びＮ－メチロールアクリルアミド等から選択される１種又は２種以上のモノマーが共重合してなるものでもよい。

アクリル系樹脂を構成するモノマーは、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
１つの側面として、前記アクリル系樹脂としては、アクリル酸ｎ－ブチル、アクリル酸メチル、メタクリル酸グリシジル及びアクリル酸２－ヒドロキシエチルを共重合してなるアクリル系樹脂、又はアクリル酸ｎ－ブチル、アクリル酸エチル、アクリロニトリル及びメタクリル酸グリシジルを共重合してなるアクリル系樹脂が好ましい。

アクリル系樹脂は、上述の水酸基以外に、ビニル基、（メタ）アクリロイル基、アミノ基、カルボキシ基、イソシアネート基等の他の化合物と結合可能な官能基を有していてもよい。アクリル系樹脂の水酸基をはじめとするこれら官能基は、後述する架橋剤（ｆ）を介して他の化合物と結合してもよいし、架橋剤（ｆ）を介さずに他の化合物と直接結合していてもよい。アクリル系樹脂が前記官能基により他の化合物と結合することで、第１層を用いて得られたパッケージの信頼性が向上する傾向がある。

本発明においては、重合体成分（ａ）として、アクリル系樹脂以外の熱可塑性樹脂（以下、単に「熱可塑性樹脂」と略記することがある）を、アクリル系樹脂を用いずに単独で用いてもよいし、アクリル系樹脂と併用してもよい。前記熱可塑性樹脂を用いることで、ピックアップ時において、第１層を備えた半導体チップの、後述する支持シート又はダイシングシートからの引き離しがより容易となったり、第１層の基板の埋め込み性が、より高くなったりすることがある。

前記熱可塑性樹脂の重量平均分子量は１０００～１０００００であることが好ましく、３０００～８００００であることがより好ましい。

前記熱可塑性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、－３０～１５０℃であることが好ましく、－２０～１２０℃であることがより好ましい。

前記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリウレタン、フェノキシ樹脂、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリスチレン等が挙げられる。

第１接着剤組成物及び第１層が含有する前記熱可塑性樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

第１接着剤組成物において、溶媒以外の全ての成分の総含有量（総質量）に対する重合体成分（ａ）の含有量の割合（すなわち、第１層の重合体成分（ａ）の含有量）は、重合体成分（ａ）の種類によらず、５～２０質量％であることが好ましく、６～１６質量％であることがより好ましく、７～１２質量％等であってもよい。

第１接着剤組成物及び第１層において、重合体成分（ａ）の総含有量（総質量）に対する、アクリル系樹脂の含有量の割合は、８０～１００質量％であることが好ましく、８５～１００質量％であることがより好ましく、９０～１００質量％であることがさらに好ましく、例えば、９５～１００質量％であってもよい。

（エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ））
エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）は、エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）からなる。
第１接着剤組成物及び第１層が含有するエポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

・エポキシ樹脂（ｂ１）
エポキシ樹脂（ｂ１）としては、公知のものが挙げられ、例えば、多官能系エポキシ樹脂、ビフェニル化合物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル及びその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂等、２官能以上のエポキシ化合物が挙げられる。

エポキシ樹脂（ｂ１）としては、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂を用いてもよい。不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂は、不飽和炭化水素基を有しないエポキシ樹脂よりもアクリル系樹脂との相溶性が高い。そのため、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂を用いることで、第１層を用いて得られたパッケージの信頼性が向上する。

不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、多官能系エポキシ樹脂のエポキシ基の一部が不飽和炭化水素基を有する基に変換されてなる化合物が挙げられる。このような化合物は、例えば、エポキシ基へ（メタ）アクリル酸又はその誘導体を付加反応させることにより得られる。なお、本明細書において「誘導体」とは、特に断りのない限り、元の化合物の少なくとも１個の基がそれ以外の基（置換基）で置換されてなるものを意味する。ここで、「基」とは、複数個の原子が結合してなる原子団だけでなく、１個の原子も包含するものとする。

また、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を構成する芳香環等に、不飽和炭化水素基を有する基が直接結合した化合物等が挙げられる。
不飽和炭化水素基は、重合性を有する不飽和基であり、その具体的な例としては、エテニル基（ビニル基ともいう）、２－プロペニル基（アリル基ともいう）、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリルアミド基等が挙げられ、アクリロイル基が好ましい。

エポキシ樹脂（ｂ１）の数平均分子量は、特に限定されないが、第１層の硬化性、並びに第１層の硬化物の強度及び耐熱性の点から、３００～３００００であることが好ましく、４００～１００００であることがより好ましく、５００～３０００であることが特に好ましい。

本明細書において、数平均分子量とは、特に断りのない限り、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値である。

エポキシ樹脂（ｂ１）のエポキシ当量は、１００～１０００ｇ／ｅｑであることが好ましく、１５０～８００ｇ／ｅｑであることがより好ましい。
本明細書において、「エポキシ当量」とは１当量のエポキシ基を含むエポキシ化合物のグラム数（ｇ／ｅｑ）を意味し、ＪＩＳ Ｋ ７２３６：２００１の方法に従って測定することができる。

第１接着剤組成物及び第１層が含有するエポキシ樹脂（ｂ１）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
１つの側面として、前記エポキシ樹脂（ｂ１）は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、多官能芳香族型（トリフェニレン型）エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂及びジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも１つが好ましい。

・熱硬化剤（ｂ２）
熱硬化剤（ｂ２）は、エポキシ樹脂（ｂ１）に対する硬化剤として機能する。
熱硬化剤（ｂ２）としては、例えば、１分子中にエポキシ基と反応し得る官能基を２個以上有する化合物が挙げられる。前記官能基としては、例えば、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシ基、酸基が無水物化された基等が挙げられ、フェノール性水酸基、アミノ基、又は酸基が無水物化された基であることが好ましく、フェノール性水酸基又はアミノ基であることがより好ましい。

熱硬化剤（ｂ２）のうち、フェノール性水酸基を有するフェノール系硬化剤としては、例えば、多官能フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂等が挙げられる。
熱硬化剤（ｂ２）のうち、アミノ基を有するアミン系硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹと略すことがある）等が挙げられる。

熱硬化剤（ｂ２）は、不飽和炭化水素基を有するものでもよい。
不飽和炭化水素基を有する熱硬化剤（ｂ２）としては、例えば、フェノール樹脂の水酸基の一部が、不飽和炭化水素基を有する基で置換されてなる化合物、フェノール樹脂の芳香環に、不飽和炭化水素基を有する基が直接結合してなる化合物等が挙げられる。
熱硬化剤（ｂ２）における前記不飽和炭化水素基は、上述の不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂における不飽和炭化水素基と同様である。

熱硬化剤（ｂ２）としてフェノール系硬化剤を用いる場合には、ダイボンディングフィルムの接着力を調節することが容易となる点から、熱硬化剤（ｂ２）は軟化点又はガラス転移温度が高いものが好ましい。

熱硬化剤（ｂ２）のうち、例えば、多官能フェノール樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂等の樹脂成分の数平均分子量は、３００～３００００であることが好ましく、４００～１００００であることがより好ましく、５００～３０００であることが特に好ましい。
熱硬化剤（ｂ２）のうち、例えば、ビフェノール、ジシアンジアミド等の非樹脂成分の分子量は、特に限定されないが、例えば、６０～５００であることが好ましい。

第１接着剤組成物及び第１層が含有する熱硬化剤（ｂ２）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

熱硬化剤（ｂ２）のうち、フェノール樹脂としては、例えば、フェノール性水酸基が結合している炭素原子と隣り合う炭素原子（ベンゼン環骨格を構成している炭素原子）に対して、アルキル基等の置換基が結合して、前記フェノール性水酸基の近傍に立体障害を有するもの（本明細書においては、「立体障害型フェノール樹脂」と略記することがある）を用いてもよい。このような立体障害型フェノール樹脂としては、例えば、ｏ－クレゾール型ノボラック樹脂等が挙げられる。

第１接着剤組成物及び第１層において、熱硬化剤（ｂ２）の含有量は、エポキシ樹脂（ｂ１）の含有量１００質量部に対して、１０～２００質量部であることが好ましく、１５～１６０質量部であることがより好ましく、２０～１２０質量部であることがさらに好ましく、２５～８０質量部であることが特に好ましい。熱硬化剤（ｂ２）の前記含有量が前記下限値以上であることで、第１層の硬化がより進行し易くなる。熱硬化剤（ｂ２）の前記含有量が前記上限値以下であることで、第１層の吸湿率が低減されて、第１層を用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。

第１接着剤組成物及び第１層において、エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）の含有量（エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）の総含有量）は、重合体成分（ａ）の含有量１００質量部に対して、４００～１２００質量部であることが好ましく、５００～１１００質量部であることがより好ましく、６００～１０００質量部であることがさらに好ましく、例えば、６００～９００質量部、及び８００～１０００質量部のいずれかであってもよい。エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）の前記含有量がこのような範囲であることで、第１層と、後述する支持シート又はダイシングシートと、の間の接着力を調節することがより容易となる。

前記立体障害型フェノール樹脂を用いる場合、第１接着剤組成物及び第１層において、熱硬化剤（ｂ２）の総含有量（総質量）に対する、前記立体障害型フェノール樹脂の含有量の割合は、例えば、８０～１００質量％、８５～１００質量％、９０～１００質量％、及び９５～１００質量％のいずれかであってもよい。
そして、第１接着剤組成物及び第１層において、熱硬化剤（ｂ２）の総含有量（総質量）に対する、ｏ－クレゾール型ノボラック樹脂の含有量の割合は、８０～１００質量％、８５～１００質量％、９０～１００質量％、及び９５～１００質量％のいずれかであってもよい。

第１層は、その各種物性を改良するために、重合体成分（ａ）及びエポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）以外に、さらに必要に応じて、これらに該当しない他の成分を含有していてもよい。
第１層が含有する他の成分としては、例えば、硬化促進剤（ｃ）、充填材（ｄ）、カップリング剤（ｅ）、架橋剤（ｆ）、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）、光重合開始剤（ｈ）、汎用添加剤（ｉ）等が挙げられる。これらの中でも、好ましい前記他の成分としては、硬化促進剤（ｃ）、充填材（ｄ）、カップリング剤（ｅ）、汎用添加剤（ｉ）が挙げられる。

（硬化促進剤（ｃ））
硬化促進剤（ｃ）は、第１接着剤組成物の硬化速度を調節するための成分である。
好ましい硬化促進剤（ｃ）としては、例えば、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の第３級アミン；２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール類（少なくとも１個の水素原子が水素原子以外の基で置換されたイミダゾール）；トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類（少なくとも１個の水素原子が有機基で置換されたホスフィン）；テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩；前記イミダゾール類をゲスト化合物とする包接化合物等が挙げられる。

第１接着剤組成物及び第１層が含有する硬化促進剤（ｃ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

硬化促進剤（ｃ）を用いる場合、第１接着剤組成物及び第１層において、硬化促進剤（ｃ）の含有量は、エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）の含有量１００質量部に対して、０．０１～５質量部であることが好ましく、０．１～２質量部であることがより好ましい。硬化促進剤（ｃ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、硬化促進剤（ｃ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。硬化促進剤（ｃ）の含有量が前記上限値以下であることで、例えば、高極性の硬化促進剤（ｃ）が、高温・高湿度条件下で第１層中において被着体との接着界面側に移動して偏析することを抑制する効果が高くなり、第１層を用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。

上記の中でも、前記イミダゾール類をゲスト化合物とする包接化合物においては、活性成分であるイミダゾール類がホスト化合物によって包接されている。そのため、反応時以外は、イミダゾール類の反応部位が露出していないか、又は、露出の程度が抑制されていると推測される。その結果、硬化促進剤（ｃ）として前記包接化合物を用いた場合、第１層の保存中に、硬化促進剤（ｃ）の目的外の反応の進行が抑制されることによって、第１層の保存安定性が、より高くなると推測される。

前記包接化合物としては、例えば、イミダゾール類をゲスト化合物とし、カルボン酸をホスト化合物とするものが挙げられる。

ホスト化合物である前記カルボン酸は、芳香族カルボン酸であることが好ましい。
前記芳香族カルボン酸は、単環芳香族カルボン酸及び多環芳香族カルボン酸のいずれであってもよい。
前記芳香族カルボン酸は、環骨格として芳香族炭化水素環のみを有するカルボン酸、環骨格として芳香族複素環のみを有するカルボン酸、及び、環骨格として芳香族炭化水素環及び芳香族複素環をともに有するカルボン酸のいずれであってもよい。

前記芳香族カルボン酸は、芳香族ヒドロキシカルボン酸であることが好ましい。
前記芳香族ヒドロキシカルボン酸は、１分子中に水酸基及びカルボキシ基をともに有する芳香族カルボン酸であれば、特に限定されないが、芳香族環骨格に、水酸基及びカルボキシ基がともに結合した構造を有するカルボン酸であることが好ましい。

前記包接化合物で好ましいものとしては、例えば、前記イミダゾール類が２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール（本明細書においては、「２Ｐ４ＭＨＺ」と略記することがある）であり、前記カルボン酸が５－ヒドロキシイソフタル酸（本明細書においては、「ＨＩＰＡ」と略記することがある）である包接化合物が挙げられ、２分子の２Ｐ４ＭＨＺと、１分子のＨＩＰＡと、で１分子が構成されている包接化合物であることがより好ましい。

前記包接化合物を用いる場合、第１接着剤組成物及び第１層において、硬化促進剤（ｃ）の総含有量（総質量）に対する、前記包接化合物の含有量の割合は、８０～１００質量％、８５～１００質量％、９０～１００質量％、及び９５～１００質量％のいずれであってもよい。
そして、第１接着剤組成物及び第１層において、硬化促進剤（ｃ）の総含有量（総質量）に対する、上述の２Ｐ４ＭＨＺ及びＨＩＰＡで構成されている包接化合物の含有量の割合は、８０～１００質量％、８５～１００質量％、９０～１００質量％、及び９５～１００質量％のいずれであってもよい。

（充填材（ｄ））
第１層は、充填材（ｄ）を含有することにより、その熱膨張係数の調整が容易となり、この熱膨張係数を第１層の貼付対象物に対して最適化することで、第１層を用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。また、第１層が充填材（ｄ）を含有することにより、硬化後の第１層の吸湿率を低減したり、放熱性を向上させたりすることもできる。

充填材（ｄ）は、有機充填材及び無機充填材のいずれでもよいが、無機充填材であることが好ましい。
好ましい無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化ケイ素、窒化ホウ素等の粉末；これら無機充填材を球形化したビーズ；これら無機充填材の表面改質品；これら無機充填材の単結晶繊維；ガラス繊維等が挙げられる。
これらの中でも、無機充填材は、シリカ又はアルミナであることが好ましい。

充填材（ｄ）の平均粒子径は、特に限定されないが、１～１０００ｎｍであることが好ましく、５～８００ｎｍであることがより好ましく、１０～６００ｎｍであることがさらに好ましく、例えば、１０～４００ｎｍ、及び１０～２００ｎｍのいずれかであってもよい。また別の側面として、充填材（ｄ）の平均粒子径は、５０～５００ｎｍであってもよい。充填材（ｄ）の平均粒子径がこのような範囲であることで、上記の熱膨張係数、吸湿率及び放熱性の調整がより容易となる。
なお、本明細書において「平均粒子径」とは、特に断りのない限り、レーザー回折散乱法によって求められた粒度分布曲線における、積算値５０％での粒子径（Ｄ_５０）の値を意味する。

第１接着剤組成物及び第１層が含有する充填材（ｄ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

充填材（ｄ）を用いる場合、第１接着剤組成物において、溶媒以外の全ての成分の総含有量（総質量）に対する充填材（ｄ）の含有量の割合（すなわち、第１層の充填材（ｄ）の含有量）は、５～４０質量％であることが好ましく、１０～３５質量％であることがより好ましく、１５～３０質量％であることが特に好ましい。充填材（ｄ）の含有量がこのような範囲であることで、上記の熱膨張係数、吸湿率及び放熱性の調整がより容易となる。

平均粒子径が１～１０００ｎｍである充填材（ｄ）を用いる場合、第１接着剤組成物及び第１層において、充填材（ｄ）の総含有量（総質量）に対する、平均粒子径が１～１０００ｎｍである充填材（ｄ）の含有量の割合は、８０～１００質量％であることが好ましく、８５～１００質量％であることがより好ましく、９０～１００質量％であることがさらに好ましく、例えば、９５～１００質量％であってもよい。

（カップリング剤（ｅ））
第１層は、カップリング剤（ｅ）を含有することにより、被着体に対する接着性及び密着性が向上する。また、第１層がカップリング剤（ｅ）を含有することにより、その硬化物は耐熱性を損なうことなく、耐水性が向上する。カップリング剤（ｅ）は、無機化合物又は有機化合物と反応可能な官能基を有する。

カップリング剤（ｅ）は、重合体成分（ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）等が有する官能基と反応可能な官能基を有する化合物であることが好ましく、シランカップリング剤であることがより好ましい。
好ましい前記シランカップリング剤としては、例えば、３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、３－グリシジルオキシメチルジエトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチルアミノ）プロピルメチルジエトキシシラン、３－（フェニルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３－アニリノプロピルトリメトキシシラン、３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（３－トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシラン、オリゴマー型又はポリマー型オルガノシロキサン等が挙げられる。
前記オリゴマー型又はポリマー型オルガノシロキサンは、重合性化合物が重合反応して形成されたとみなすことができる、オリゴマー構造又はポリマー構造を有するオルガノシロキサンである。

第１接着剤組成物及び第１層が含有するカップリング剤（ｅ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
１つの側面として、前記カップリング剤（ｅ）としては、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、及びエポキシ基、メチル基及びメトキシ基を有するオリゴマー型シランカップリング剤からなる群から選択される少なくとも１つが好ましい。

カップリング剤（ｅ）を用いる場合、第１接着剤組成物及び第１層において、カップリング剤（ｅ）の含有量は、重合体成分（ａ）及びエポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）の合計含有量１００質量部に対して、０．０３～２０質量部であることが好ましく、０．０５～１０質量部であることがより好ましく、０．１～５質量部であることが特に好ましい。カップリング剤（ｅ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、充填材（ｄ）の樹脂への分散性の向上や、第１層の被着体との接着性の向上等、カップリング剤（ｅ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。カップリング剤（ｅ）の前記含有量が前記上限値以下であることで、アウトガスの発生がより抑制される。

前記オリゴマー型又はポリマー型オルガノシロキサンを用いる場合、第１接着剤組成物及び第１層において、カップリング剤（ｅ）の総含有量（総質量）に対する、前記オリゴマー型又はポリマー型オルガノシロキサンの含有量の割合は、２５～１００質量％、及び４０～１００質量％のいずれかであってもよい。

（架橋剤（ｆ））
重合体成分（ａ）として、上述のアクリル系樹脂等の、他の化合物と結合可能なビニル基、（メタ）アクリロイル基、アミノ基、水酸基、カルボキシ基、イソシアネート基等の官能基を有するものを用いる場合、第１接着剤組成物及び第１層は、前記官能基を他の化合物と結合させて架橋するための架橋剤（ｆ）を含有していてもよい。架橋剤（ｆ）を用いて架橋することにより、第１層の初期接着力及び凝集力を調節できる。

架橋剤（ｆ）としては、例えば、有機多価イソシアネート化合物、有機多価イミン化合物、金属キレート系架橋剤（すなわち、金属キレート構造を有する架橋剤）、アジリジン系架橋剤（すなわち、アジリジニル基を有する架橋剤）等が挙げられる。

前記有機多価イソシアネート化合物としては、例えば、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物及び脂環族多価イソシアネート化合物（以下、これら化合物をまとめて「芳香族多価イソシアネート化合物等」と略記することがある）；前記芳香族多価イソシアネート化合物等の三量体、イソシアヌレート体及びアダクト体；前記芳香族多価イソシアネート化合物等とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等が挙げられる。前記「アダクト体」は、前記芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物又は脂環族多価イソシアネート化合物と、エチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロパン又はヒマシ油等の低分子活性水素含有化合物との反応物を意味する。前記アダクト体の例としては、後述するようなトリメチロールプロパンのキシリレンジイソシアネート付加物等が挙げられる。また、「末端イソシアネートウレタンプレポリマー」とは、ウレタン結合を有するとともに、分子の末端部にイソシアネート基を有するプレポリマーを意味する。

前記有機多価イソシアネート化合物として、より具体的には、例えば、２，４－トリレンジイソシアネート；２，６－トリレンジイソシアネート；１，３－キシリレンジイソシアネート；１，４－キシレンジイソシアネート；ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート；ジフェニルメタン－２，４’－ジイソシアネート；３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート；ヘキサメチレンジイソシアネート；イソホロンジイソシアネート；ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート；ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート；トリメチロールプロパン等のポリオールのすべて又は一部の水酸基に、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート及びキシリレンジイソシアネートのいずれか１種又は２種以上が付加した化合物；リジンジイソシアネート等が挙げられる。

前記有機多価イミン化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ’－ジフェニルメタン－４，４’－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ’－トルエン－２，４－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）トリエチレンメラミン等が挙げられる。

架橋剤（ｆ）として有機多価イソシアネート化合物を用いる場合、重合体成分（ａ）としては、水酸基含有重合体を用いることが好ましい。架橋剤（ｆ）がイソシアネート基を有し、重合体成分（ａ）が水酸基を有する場合、架橋剤（ｆ）と重合体成分（ａ）との反応によって、第１層に架橋構造を簡便に導入できる。

第１接着剤組成物及び第１層が含有する架橋剤（ｆ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

第１接着剤組成物及び第１層において、架橋剤（ｆ）の含有量は、重合体成分（ａ）の含有量１００質量部に対して、０～５質量部であることが好ましく、０～３質量部であることがより好ましく、０～１質量部であることがさらに好ましく、０質量部であること、すなわち、第１接着剤組成物及び第１層が架橋剤（ｆ）を含有していないことが特に好ましい。架橋剤（ｆ）の前記含有量が前記上限値以下であることで、第１層の基板の埋め込み性が、より高くなる。

（エネルギー線硬化性樹脂（ｇ））
第１層は、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）を含有していることにより、エネルギー線の照射によって特性を変化させることができる。

エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）は、エネルギー線硬化性化合物を重合（硬化）して得られたものである。
前記エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、分子内に少なくとも１個の重合性二重結合を有する化合物が挙げられ、（メタ）アクリロイル基を有するアクリレート系化合物が好ましい。

前記アクリレート系化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート等の鎖状脂肪族骨格含有（メタ）アクリレート；ジシクロペンタニルジ（メタ）アクリレート等の環状脂肪族骨格含有（メタ）アクリレート；ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート等のポリアルキレングリコール（メタ）アクリレート；オリゴエステル（メタ）アクリレート；ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマー；エポキシ変性（メタ）アクリレート；前記ポリアルキレングリコール（メタ）アクリレート以外のポリエーテル（メタ）アクリレート；イタコン酸オリゴマー等が挙げられる。

エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）の重量平均分子量は、１００～３００００であることが好ましく、３００～１００００であることがより好ましい。

第１接着剤組成物が含有するエネルギー線硬化性樹脂（ｇ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
１つの側面として、前記エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）としてはトリシクロデカンジメチロールジアクリレート及びε－カプロラクトン変性トリス－（２－アクリロキシエチル）イソシアヌレートからなる群から選択される少なくとも１つが好ましい。

エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）を用いる場合、第１接着剤組成物において、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）の含有量は、第１接着剤組成物の総質量に対して、１～９５質量％であることが好ましく、５～９０質量％であることがより好ましく、１０～８５質量％であることが特に好ましい。

（光重合開始剤（ｈ））
第１接着剤組成物は、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）を含有する場合、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）の重合反応を効率よく進めるために、光重合開始剤（ｈ）を含有していてもよい。

第１接着剤組成物における光重合開始剤（ｈ）としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール等のベンゾイン化合物；アセトフェノン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン等のアセトフェノン化合物；ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド化合物；ベンジルフェニルスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィド等のスルフィド化合物；１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα－ケトール化合物；アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物；チタノセン等のチタノセン化合物；チオキサントン等のチオキサントン化合物；パーオキサイド化合物；ジアセチル等のジケトン化合物；ベンジル；ジベンジル；ベンゾフェノン；２，４－ジエチルチオキサントン；１，２－ジフェニルメタン；２－ヒドロキシ－２－メチル－１－［４－（１－メチルビニル）フェニル］プロパノン；１－クロロアントラキノン、２－クロロアントラキノン等のキノン化合物等が挙げられる。
また、光重合開始剤（ｈ）としては、例えば、アミン等の光増感剤等も挙げられる。

第１接着剤組成物が含有する光重合開始剤（ｈ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
１つの側面として、前記光重合開始剤（ｈ）としては、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタノン－１が好ましい。

光重合開始剤（ｈ）を用いる場合、第１接着剤組成物及び第１層において、光重合開始剤（ｈ）の含有量は、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）の含有量１００質量部に対して、０．１～２０質量部であることが好ましく、１～１０質量部であることがより好ましく、２～５質量部であることが特に好ましい。

（汎用添加剤（ｉ））
汎用添加剤（Ｉ）は、公知のものでよく、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。好ましい汎用添加剤（Ｉ）としては、例えば、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、着色剤（染料、顔料）、ゲッタリング剤等が挙げられる。

第１接着剤組成物及び第１層が含有する汎用添加剤（ｉ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
第１接着剤組成物及び第１層の汎用添加剤（ｉ）の含有量は、特に限定されず、目的に応じて適宜選択すればよい。

（溶媒）
第１接着剤組成物は、さらに溶媒を含有することが好ましい。溶媒を含有する第１接着剤組成物は、取り扱い性が良好となる。
前記溶媒は特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、トルエン、キシレン等の炭化水素；メタノール、エタノール、２－プロパノール、イソブチルアルコール（２－メチルプロパン－１－オールともいう）、１－ブタノール等のアルコール；酢酸エチル等のエステル；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン；テトラヒドロフラン等のエーテル；ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルピロリドン等のアミド（すなわち、アミド結合を有する化合物）等が挙げられる。
第１接着剤組成物が含有する溶媒は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

第１接着剤組成物が含有する溶媒は、第１接着剤組成物中の含有成分をより均一に混合できる点から、メチルエチルケトン等であることが好ましい。

好ましい第１接着剤組成物の一例としては、重合体成分（ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）、硬化促進剤（ｃ）及びカップリング剤（ｅ）を含有するものが挙げられ、これら以外に、さらに、充填材（ｄ）及び汎用添加剤（ｉ）のいずれか一方又は両方を含有するものも挙げられる。

＜＜第１接着剤組成物の製造方法＞＞
第１接着剤組成物は、これを構成するための各成分を配合することで得られる。
各成分の配合時における添加順序は特に限定されず、２種以上の成分を同時に添加してもよい。
溶媒を用いる場合には、溶媒を溶媒以外のいずれかの配合成分と混合してこの配合成分を予め希釈しておくことで用いてもよいし、溶媒以外のいずれかの配合成分を予め希釈しておくことなく、溶媒をこれら配合成分と混合することで用いてもよい。

配合時に各成分を混合する方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサーを用いて混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
各成分の添加及び混合時の温度並びに時間は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されず、適宜調節すればよいが、温度は１５～３０℃であることが好ましい。

◎第２層（第２フィルム）
前記第２層（第２フィルム）は、上述のとおり、粘着性及びエネルギー線硬化性を有する。
第２層は、さらに、熱硬化性を有していても（熱硬化性であっても）よいし、熱硬化性を有していなくても（非熱硬化性であっても）よい。
なかでも第２層は、熱硬化性を有さず、エネルギー線硬化性を有することが好ましい。

硬化性を有しない第２層と、硬化性を有する未硬化の第２層と、は、いずれも、各種被着体に軽く押圧することで貼付できる。
また、第２層は、硬化の有無によらず、加熱して軟化させることで、各種被着体に貼付できるものであってもよい。
硬化性を有しない第２層と、硬化性を有する第２層の硬化物と、は、いずれも、厳しい高温・高湿度条件下においても十分な接着特性を保持し得る。

浸漬後粘着力を６Ｎ／２５ｍｍ以上に規定する前記試験用積層体は、以下のように作製する。
すなわち、試験片として、厚さが１０μｍで、かつ幅が２５ｍｍよりも広い第２層を用意する。
第２層は、例えば、剥離フィルムとの積層物として用意し、この積層物を用いることで、より容易に試験用積層体を作製できる。この場合、前記剥離フィルムは、適切なタイミングで取り除けばよい。

試験片の長さは、後述する剥離試験を安定して行うことができる限り、特に限定されないが、例えば、１５ｃｍ以上３０ｃｍ以下であることが好ましい。

次いで、この試験片をシリコンミラーウエハに貼付する。
前記試験片は、３５～４５℃に加熱した状態でシリコンミラーウエハに貼付することが好ましい。
また、試験片をシリコンミラーウエハに貼付するときの、貼付速度及び貼付圧力は、特に限定されない。例えば、貼付速度は５～２０ｍｍ／ｓであることが好ましく、貼付圧力は０．１～１．０ＭＰａであることが好ましい。

次いで、この貼付後の試験片（すなわち、シリコンミラーウエハ貼付後の第２層）の露出面（シリコンミラーウエハ側とは反対側の面）に、幅が２５ｍｍの帯状の強粘着テープを貼付する。

次いで、この強粘着テープを貼付後の試験片（第２層）に対して、強粘着テープの外周に沿って、幅が２５ｍｍの帯状の切り込みを形成する。この切り込みは、試験片の厚さ方向の全域に形成する。すなわち、試験片を幅が２５ｍｍとなるように帯状に切断する。

次いで、この切断後の試験片をシリコンミラーウエハごと（換言すると、切断後の試験片を備えたシリコンミラーウエハを）、２３℃の純水中に２時間浸漬する。このとき、切断後の試験片を備えたシリコンミラーウエハは、その全体が純水中に水没するように（換言すると、切断後の試験片全体とシリコンミラーウエハ全体がともに純水中に水没するように）、純水中に配置する。
切断後の試験片を備えたシリコンミラーウエハは、その作製直後直ちに、純水中へ浸漬することが好ましい。このようにすることで、試験用積層体の前記粘着力を、より高精度に測定できる。
切断後の試験片を備えたシリコンミラーウエハは、暗所において、純水中へ浸漬することが好ましい。このようにすることで、試験用積層体の前記粘着力を、より高精度に測定できる。

切断後の試験片を備えたシリコンミラーウエハは、純水中に２時間浸漬した後、純水中から引き上げ、表面に余分の水滴が付着している場合には、この水滴を取り除く。
次いで、切断後の試験片（第２層）に、エネルギー線を照射することにより、この帯状の試験片をエネルギー線硬化させる。

エネルギー線の照射条件は、試験片が十分にエネルギー線硬化する限り、特に限定されない。例えば、エネルギー線硬化時における、エネルギー線の照度は、４～２８０ｍＷ／ｃｍ^２であることが好ましい。エネルギー線硬化時における、エネルギー線の光量は、３～１０００ｍＪ／ｃｍ^２であることが好ましい。

以上により、シリコンミラーウエハに前記試験片（第２層）の硬化物が貼付されている、純水中への浸漬を経た試験用積層体が得られる。

ここまでは、第２層を剥離フィルムとの積層物として用いる場合について説明したが、第２層を第１層との積層物、すなわち、ダイボンディングフィルムの形態で、用いてもよい。このように、ダイボンディングフィルムを前記粘着力の測定に供する場合には、前記強粘着テープを、第２層の露出面ではなく、第１層の露出面（第２層側とは反対側の面）に貼付する。また、試験片（第２層）を帯状に切断するときには、ダイボンディングフィルムの厚さ方向の全域（第１層及び第２層の、これらの厚さ方向の全域）に切り込みを形成し、ダイボンディングフィルム全体を帯状に切断すればよい。また、第２層単独の場合と同様に、ダイボンディングフィルムを、剥離フィルムとの積層物として用いてもよく、この場合も、適切なタイミングで剥離フィルムを取り除けばよい。

前記試験用積層体の浸漬後粘着力は、以下のように測定する。
すなわち、常温下（例えば、２３℃の条件下）で、この試験用積層体において、剥離（引張）速度３００ｍｍ／ｍｉｎで、強粘着テープを引っ張り、試験用積層体において、剥離面を生じさせる。このとき、新たに生じた前記剥離面同士が１８０°の角度を為すように、強粘着テープを引っ張る、いわゆる１８０°剥離を行う。換言すると、強粘着テープは、一端を他端方向へ引っ張る。そして、第２層の硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間で界面剥離が生じたときに測定された剥離力（荷重、Ｎ／２５ｍｍ）を、前記浸漬後粘着力（純水中への浸漬を経た試験用積層体における、幅が２５ｍｍの第２層の硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間の粘着力）として採用する。
強粘着テープは、例えば、公知の引張試験機を用いることで、引っ張ることができる。

ここまでは、純水中への浸漬を経た試験用積層体の、第２層の硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間の粘着力（浸漬後粘着力）の測定方法について説明したが、純水中への浸漬を経ていない試験用積層体（本明細書においては、「非浸漬試験用積層体」と略記することがある）についても、同様の方法で、幅が２５ｍｍの第２層の硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間の粘着力（本明細書においては、「非浸漬粘着力」と略記することがある）（Ｎ／２５ｍｍ）を測定できる。非浸漬粘着力は、純水中への浸漬を経ていない試験用積層体を用いる点以外は、上述の浸漬後粘着力の場合と同じ方法で、測定できる。

非浸漬試験用積層体は、例えば、切断後の試験片を備えたシリコンミラーウエハについて、２３℃の純水中に２時間浸漬する工程を行うのに代えて、空気雰囲気下の暗所において、温度２３℃、相対湿度５０％の条件下で３０分間静置保存する工程を行う点以外は、前記試験用積層体の場合と同じ方法で作製できる。

浸漬後粘着力及び非浸漬粘着力のいずれの測定時においても、上述の剥離試験時には、第２層の硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間での界面剥離（本明細書においては、「シリコンミラーウエハでの剥離」と称することがある）以外に、強粘着テープと、その隣接層（例えば、第２層の硬化物、第１層等）と、の間での界面剥離（本明細書においては、「強粘着テープでの剥離」と称することがある）や、第２層の硬化物での凝集破壊等が生じ得る。
第２層の硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間の粘着力が十分に大きい場合には、剥離試験時には、例えば、シリコンミラーウエハでの剥離（第２層の硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間での界面剥離）以外に、第２層の硬化物での凝集破壊が生じる前に、強粘着テープでの剥離（強粘着テープと、その隣接層と、の間での界面剥離）が生じ易い。
この場合には、強粘着テープでの剥離が生じたときの剥離力が、６Ｎ／２５ｍｍ以上であれば、幅が２５ｍｍの第２層の硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間の粘着力が、６Ｎ／２５ｍｍ以上であると判断できる。
一方、第２層の硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間の粘着力が小さい場合には、剥離試験時には、例えば、強粘着テープでの剥離が生じる前に、シリコンミラーウエハでの剥離が生じ易い。

前記浸漬後粘着力は、６Ｎ／２５ｍｍ以上であり、７Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、８Ｎ／２５ｍｍ以上であることがより好ましく、９Ｎ／２５ｍｍ以上であることがさらに好ましい。浸漬後粘着力が前記下限値以上であることで、サイズが小さい半導体チップのピックアップ時において、第２層の硬化物の半導体チップへの転写性がより高くなる。

前記浸漬後粘着力の上限値は、特に限定されない。
例えば、前記浸漬後粘着力が２０Ｎ／２５ｍｍ以下である第２層の硬化物の場合、その構成原料の入手がより容易である。

前記浸漬後粘着力は、上述の好ましい下限値及び上限値を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。例えば、前記浸漬後粘着力は、好ましくは６～２０Ｎ／２５ｍｍ、より好ましくは７～２０Ｎ／２５ｍｍ、さらに好ましくは８～２０Ｎ／２５ｍｍ、特に好ましくは９～２０Ｎ／２５ｍｍである。また、別の側面として、１０～２０Ｎ／２５ｍｍであってもよい。ただし、これらは、前記浸漬後粘着力の一例である。

前記非浸漬粘着力は、特に限定されないが、前記浸漬後粘着力に対して同等以上であることが好ましい。
例えば、前記非浸漬粘着力は、６Ｎ／２５ｍｍ以上、７Ｎ／２５ｍｍ以上、８Ｎ／２５ｍｍ以上、及び９Ｎ／２５ｍｍ以上のいずれかであり、かつ、前記浸漬後粘着力に対して同等以上であってもよい。
また、前記非浸漬粘着力は、２０Ｎ／２５ｍｍ以下であり、かつ、前記浸漬後粘着力に対して同等以上であってもよい。
そして、前記非浸漬粘着力は、６～２０Ｎ／２５ｍｍ、７～２０Ｎ／２５ｍｍ、８～２０Ｎ／２５ｍｍ、及び９～２０Ｎ／２５ｍｍのいずれかであり、かつ、前記浸漬後粘着力に対して同等以上であってもよい。また、別の側面として、１０～２０Ｎ／２５ｍｍであってもよい。

１つの側面として、本発明の一実施形態であるダイボンディングフィルムは、
第２層が、前記浸漬後粘着力が６～２０Ｎ／２５ｍｍであり、かつ前記非浸漬粘着力が６～２０Ｎ／２５ｍｍである特性を有していてもよい。

第２層は１層（単層）からなるものでもよいし、２層以上の複数層からなるものでもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。

第２層の厚さは、特に限定されないが、１～４０μｍであることが好ましく、３～３０μｍであることがより好ましく、５～２０μｍであることが特に好ましい。第２層の厚さが前記下限値以上であることで、第２層の被着体（半導体ウエハ、半導体チップ）に対する粘着力が、より高くなり、その結果、サイズが小さい半導体チップのピックアップ時において、第２層の硬化物の半導体チップへの転写性がより高くなる。第２層の厚さが前記上限値以下であることで、後述する半導体チップの製造工程において、第２層（ダイボンディングフィルム）をより容易に切断でき、また、第２層に由来する切断片の発生量をより低減できる。
ここで、「第２層の厚さ」とは、第２層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる第２層の厚さとは、第２層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。

第２層（第２フィルム）は、その構成材料を含有する第２接着剤組成物から形成できる。例えば、第２層の形成対象面に第２接着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位に第２層を形成できる。
第２接着剤組成物中の、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、第２層の前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。

第２接着剤組成物は、第１接着剤組成物の場合と同じ方法で塗工でき、第２接着剤組成物の乾燥条件は、第１接着剤組成物の乾燥条件と同じとすることができる。
次に、第２接着剤組成物について、詳細に説明する。

＜＜第２接着剤組成物＞＞
第２接着剤組成物の種類は、第２層の熱硬化性の有無等、第２層の特性に応じて、選択できる。
第２接着剤組成物は、エネルギー線硬化性を有し、エネルギー線硬化性及び熱硬化性をともに有していてもよい。
第２接着剤組成物及び第２層の含有成分としては、上述の第１接着剤組成物及び第１層の含有成分と同じものが挙げられる。そして、その含有成分の奏する効果も、第１接着剤組成物及び第１層の場合と同じである。
第２接着剤組成物としては、例えば、重合体成分（ａ）、充填材（ｄ）、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）及び光重合開始剤（ｈ）を含有するものが挙げられる。

（重合体成分（ａ））
第２接着剤組成物及び第２層における重合体成分（ａ）は、第１接着剤組成物及び第１層における重合体成分（ａ）と同じである。

第２接着剤組成物及び第２層が含有する重合体成分（ａ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

第２接着剤組成物において、溶媒以外の全ての成分の総含有量（総質量）に対する重合体成分（ａ）の含有量の割合（すなわち、第２層の重合体成分（ａ）の含有量）は、重合体成分（ａ）の種類によらず、１０～４５質量％であることが好ましく、１５～４０質量％であることがより好ましく、２０～３５質量％であることが特に好ましい。

第２接着剤組成物及び第２層において、重合体成分（ａ）の総含有量（総質量）に対する、アクリル系樹脂の含有量の割合は、８０～１００質量％であることが好ましく、８５～１００質量％であることがより好ましく、９０～１００質量％であることがさらに好ましく、例えば、９５～１００質量％であってもよい。

（充填材（ｄ））
第２接着剤組成物及び第２層における充填材（ｄ）は、第１接着剤組成物及び第１層における充填材（ｄ）と同じである。

第２接着剤組成物及び第２層が含有する充填材（ｄ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

第２接着剤組成物において、溶媒以外の全ての成分の総含有量（総質量）に対する充填材（ｄ）の含有量の割合（すなわち、第２層の充填材（ｄ）の含有量）は、２５～７０質量％であることが好ましく、３５～６７質量％であることがより好ましく、４５～６４質量％であることが特に好ましい。充填材（ｄ）の含有量がこのような範囲であることで、第２層の熱膨張係数、吸湿率及び放熱性の調整がより容易となる。

平均粒子径が１～１０００ｎｍである充填材（ｄ）を用いる場合、第２接着剤組成物及び第２層において、充填材（ｄ）の総含有量（総質量）に対する、平均粒子径が１～１０００ｎｍである充填材（ｄ）の含有量の割合は、８０～１００質量％であることが好ましく、８５～１００質量％であることがより好ましく、９０～１００質量％であることがさらに好ましく、例えば、９５～１００質量％であってもよい。

（エネルギー線硬化性樹脂（ｇ））
第２接着剤組成物及び第２層におけるエネルギー線硬化性樹脂（ｇ）は、第１接着剤組成物及び第１層におけるエネルギー線硬化性樹脂（ｇ）と同じである。

第２接着剤組成物及び第２層が含有するエネルギー線硬化性樹脂（ｇ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
１つの側面として、第２接着剤組成物及び第２層が含有するエネルギー線硬化性樹脂（ｇ）は、トリシクロデカンジメチロールジアクリレート及びε－カプロラクトン変性トリス－（２－アクリロキシエチル）イソシアヌレートからなる群から選択される少なくとも１つが好ましい。

第２接着剤組成物において、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）の含有量は、第２接着剤組成物の総質量に対して、１～９５質量％であることが好ましく、３～９０質量％であることがより好ましく、５～８５質量％であることが特に好ましい。

（光重合開始剤（ｈ））
第２接着剤組成物及び第２層における光重合開始剤（ｈ）は、第１接着剤組成物及び第１層における光重合開始剤（ｈ）と同じである。

第２接着剤組成物及び第２層が含有する光重合開始剤（ｈ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
１つの側面として、第２接着剤組成物及び第２層における光重合開始剤（ｈ）は２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタノン－１が好ましい。

第２接着剤組成物及び第２層において、光重合開始剤（ｈ）の含有量は、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）の含有量１００質量部に対して、０．１～２０質量部であることが好ましく、０．５～１５質量部であることがより好ましく、１～１０質量部であることが特に好ましい。

第２層は、その各種物性を改良するために、重合体成分（ａ）、充填材（ｄ）、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）及び光重合開始剤（ｈ）以外に、さらに所望により、これらに該当しない他の成分を含有していてもよい。
第２層が含有する他の成分としては、例えば、カップリング剤（ｅ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）、硬化促進剤（ｃ）、架橋剤（ｆ）、汎用添加剤（ｉ）等が挙げられる。
これらの中でも、好ましい前記他の成分としては、カップリング剤（ｅ）、汎用添加剤（ｉ）が挙げられる。

（カップリング剤（ｅ））
第２接着剤組成物及び第２層におけるカップリング剤（ｅ）は、第１接着剤組成物及び第１層におけるカップリング剤（ｅ）と同じである。
なかでも、カップリング剤（ｅ）は、オリゴマー型又はポリマー型オルガノシロキサンであることが好ましい。

第２接着剤組成物及び第２層が含有するカップリング剤（ｅ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

カップリング剤（ｅ）を用いる場合、第２接着剤組成物及び第２層において、カップリング剤（ｅ）の含有量は、重合体成分（ａ）の含有量１００質量部に対して、０．１～２０質量部であることが好ましく、０．５～１５質量部であることがより好ましく、１～１０質量部であることが特に好ましい。カップリング剤（ｅ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、充填材（ｄ）の樹脂への分散性の向上や、第２層の被着体との接着性の向上等、カップリング剤（ｅ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。カップリング剤（ｅ）の前記含有量が前記上限値以下であることで、アウトガスの発生がより抑制される。

カップリング剤（ｅ）として、前記オリゴマー型又はポリマー型オルガノシロキサンを用いる場合、第２接着剤組成物及び第２層において、カップリング剤（ｅ）の総含有量（総質量）に対する、前記オリゴマー型又はポリマー型オルガノシロキサンの含有量の割合は、２５～１００質量％、及び４０～１００質量％のいずれかであってもよい。

（エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）（エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２））
エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）は、エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）からなる。
第２接着剤組成物及び第２層におけるエポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）（エポキシ樹脂（ｂ１）、熱硬化剤（ｂ２））は、第１接着剤組成物及び第１層におけるエポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）（エポキシ樹脂（ｂ１）、熱硬化剤（ｂ２））と同じである。

第２接着剤組成物及び第２層が含有する、エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）は、それぞれ１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）を用いる場合、第２接着剤組成物及び第２層において、熱硬化剤（ｂ２）の含有量は、エポキシ樹脂（ｂ１）の含有量１００質量部に対して、１０～２００質量部であることが好ましい。熱硬化剤（ｂ２）の前記含有量が前記下限値以上であることで、第２層の硬化がより進行し易くなる。熱硬化剤（ｂ２）の前記含有量が前記上限値以下であることで、第２層の吸湿率が低減されて、第２層を用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。

エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）を用いる場合、第２接着剤組成物及び第２層において、エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）の含有量（エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）の総含有量）は、重合体成分（ａ）の含有量１００質量部に対して、４００～１２００質量部であることが好ましい。エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）の前記含有量がこのような範囲であることで、第２層の接着力を調節することがより容易となる。

（硬化促進剤（ｃ））
第２接着剤組成物及び第２層は、エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）を含有する場合、硬化促進剤（ｃ）を含有することが好ましい。
第２接着剤組成物及び第２層における硬化促進剤（ｃ）は、第１接着剤組成物及び第１層における硬化促進剤（ｃ）と同じである。

第２接着剤組成物及び第２層が含有する硬化促進剤（ｃ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

硬化促進剤（ｃ）を用いる場合、第２接着剤組成物及び第２層において、硬化促進剤（ｃ）の含有量は、エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）の含有量１００質量部に対して、０．０１～５質量部であることが好ましく、０．１～２質量部であることがより好ましい。硬化促進剤（ｃ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、硬化促進剤（ｃ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。硬化促進剤（ｃ）の含有量が前記上限値以下であることで、例えば、高極性の硬化促進剤（ｃ）が、高温・高湿度条件下で第２層中において被着体との接着界面側に移動して偏析することを抑制する効果が高くなり、第２層を用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。

（架橋剤（ｆ））
第２接着剤組成物及び第２層における架橋剤（ｆ）は、第１接着剤組成物及び第１層における架橋剤（ｆ）と同じである。

第２接着剤組成物及び第２層が含有する架橋剤（ｆ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

第２接着剤組成物及び第２層において、架橋剤（ｆ）の含有量は、重合体成分（ａ）の含有量１００質量部に対して、０～５質量部であることが好ましい。

（汎用添加剤（ｉ））
第２接着剤組成物及び第２層における汎用添加剤（ｉ）は、第１接着剤組成物及び第１層における汎用添加剤（ｉ）と同じである。

第２接着剤組成物及び第２層が含有する汎用添加剤（ｉ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
第２接着剤組成物及び第２層の汎用添加剤（ｉ）の含有量は、特に限定されず、目的に応じて適宜選択すればよい。

（溶媒）
第２接着剤組成物は、さらに溶媒を含有することが好ましい。溶媒を含有する第２接着剤組成物は、取り扱い性が良好となる。
第２接着剤組成物における溶媒は、第１接着剤組成物における溶媒と同じである。

第２接着剤組成物が含有する溶媒は、第２接着剤組成物中の含有成分をより均一に混合できる点から、メチルエチルケトン等であることが好ましい。

好ましい第２接着剤組成物の一例としては、重合体成分（ａ）、充填材（ｄ）エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）、光重合開始剤（ｈ）、及びカップリング剤（ｅ）を含有するものが挙げられ、これら以外に、さらに、汎用添加剤（ｉ）を含有するものも挙げられる。

＜＜第２接着剤組成物の製造方法＞＞
第２接着剤組成物は、上述の第１接着剤組成物の場合と同じ方法で製造できる。

ダイボンディングフィルムの厚さ（第１層及び第２層の合計の厚さ）は、２～８０μｍであることが好ましく、６～６０μｍであることがより好ましく、１０～４０μｍであることが特に好ましい。

図１は、本発明の一実施形態に係るダイボンディングフィルムを模式的に示す断面図である。なお、以下の説明で用いる図は、本発明の特徴を分かり易くするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。

ここに示すダイボンディングフィルム１３は、第１層１３１を備え、第１層１３１上に第２層１３２を備えて、構成されている。
ダイボンディングフィルム１３は、その一方の面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）１３ａ上に第１剥離フィルム１５１を備え、前記第１面１３ａとは反対側の他方の面（本明細書においては、「第２面」と称することがある）１３ｂ上に第２剥離フィルム１５２を備えている。
このようなダイボンディングフィルム１３は、例えば、ロール状として保管するのに好適である。

ダイボンディングフィルム１３のうち、第２層１３２の第１層１３１側とは反対側の面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）１３２ａには、第１剥離フィルム１５１が積層され、第１層１３１の第２層１３２側とは反対側の面（本明細書においては、「第２面」と称することがある）１３１ｂには、第２剥離フィルム１５２が積層されている。
第１層１３１の第２面１３１ｂは、ダイボンディングフィルム１３の第２面１３ｂと同じであり、第２層１３２の第１面１３２ａは、ダイボンディングフィルム１３の第１面１３ａと同じである。

ダイボンディングフィルム１３のうち、第１層の初期検出温度（Ｔ_０）は、７５℃以下である。
ダイボンディングフィルム１３のうち、第２層は、粘着性及びエネルギー線硬化性を有し、第２層の試験片を用いて作製された前記試験用積層体の前記浸漬後粘着力は、６Ｎ／２５ｍｍ以上である。

第１剥離フィルム１５１及び第２剥離フィルム１５２は、いずれも公知のものでよい。
第１剥離フィルム１５１及び第２剥離フィルム１５２は、互いに同じものであってもよいし、例えば、ダイボンディングフィルム１３から剥離させるときに必要な剥離力が互いに異なる等、互いに異なるものであってもよい。

図１に示すダイボンディングフィルム１３は、第１剥離フィルム１５１が取り除かれ、生じた露出面、換言すると、第２層１３２の第１面１３２ａに、半導体ウエハ（図示略）の裏面が貼付される。そして、第２剥離フィルム１５２が取り除かれ、生じた露出面、換言すると、第１層１３１の第２面１３１ｂが、後述する支持シートの貼付面となる。

◇ダイボンディングフィルムの製造方法
ダイボンディングフィルムは、例えば、第１層（第１フィルム）及び第２層（第２フィルム）を、それぞれ別途形成しておき、貼り合わせることで、製造できる、第１層及び第２層の形成方法は、先に説明したとおりである。

例えば、剥離フィルム上に、第１接着剤組成物を用いて、あらかじめ第１層を形成し、同様に、別途、剥離フィルム上に、第２接着剤組成物を用いて、あらかじめ第２層を形成しておく。このとき、これら組成物は、剥離フィルムの剥離処理面に塗工することが好ましい。そして、この形成済みの第１層の前記剥離フィルムと接触している側とは反対側の露出面と、この形成済みの第２層の前記剥離フィルムと接触している側とは反対側の露出面と、を貼り合わせることで、第１層及び第２層が積層されたダイボンディングフィルムが得られる。
第１層に接触している剥離フィルムと、第２層に接触している剥離フィルムは、いずれも、ダイボンディングフィルムの使用時に、適したタイミングで取り除けばよい。

◇ダイシングダイボンディングシート
本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンディングシートは、支持シートを備え、前記支持シート上に、前記ダイボンディングフィルムを備えており、前記ダイボンディングフィルム中の第１層が、前記支持シート側に配置されている。
前記ダイシングダイボンディングシートは、半導体ウエハのダイシング時に利用可能である。
以下、前記ダイシングダイボンディングシートを構成する各層について、詳細に説明する。

◎支持シート
前記支持シートは、１層（単層）からなるものでもよいし、２層以上の複数層からなるものでもよい。支持シートが複数層からなる場合、これら複数層の構成材料及び厚さは、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは、本発明の効果を損なわない限り、特に限定されない。

好ましい支持シートとしては、例えば、基材のみからなるもの；基材を備え、前記基材上に中間層を備えたもの等が挙げられる。

基材のみからなる前記支持シートは、キャリアシート又はダイシングシートとして好適である。このような基材のみからなる支持シートを備えたダイシングダイボンディングシートは、ダイボンディングフィルムの支持シート（すなわち基材）を備えている側とは反対側の面（すなわち第１面）が、半導体ウエハの裏面に貼付されて、使用される。

一方、基材を備え、前記基材上に中間層を備えた前記支持シートは、ダイシングシートとして好適である。このような支持シートを備えたダイシングダイボンディングシートも、ダイボンディングフィルムの支持シートを備えている側とは反対側の面（第１面）が、半導体ウエハの裏面に貼付されて、使用される。

ダイシングダイボンディングシートの使用方法は、後ほど詳しく説明する。
以下、支持シートを構成する各層について、説明する。

○基材
前記基材は、シート状又はフィルム状であり、その構成材料としては、例えば、各種樹脂が挙げられる。
前記樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥと略記することがある）、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥと略記することがある）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥと略記することがある）等のポリエチレン；ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ノルボルネン樹脂等のポリエチレン以外のポリオレフィン；エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エチレン－ノルボルネン共重合体等のエチレン系共重合体（モノマーとしてエチレンを用いて得られた共重合体）；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂（モノマーとして塩化ビニルを用いて得られた樹脂）；ポリスチレン；ポリシクロオレフィン；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリエチレン－２，６－ナフタレンジカルボキシレート、すべての構成単位が芳香族環式基を有する全芳香族ポリエステル等のポリエステル；２種以上の前記ポリエステルの共重合体；ポリ（メタ）アクリル酸エステル；ポリウレタン；ポリウレタンアクリレート；ポリイミド；ポリアミド；ポリカーボネート；フッ素樹脂；ポリアセタール；変性ポリフェニレンオキシド；ポリフェニレンスルフィド；ポリスルホン；ポリエーテルケトン等が挙げられる。
また、前記樹脂としては、例えば、前記ポリエステルとそれ以外の樹脂との混合物等のポリマーアロイも挙げられる。前記ポリエステルとそれ以外の樹脂とのポリマーアロイは、ポリエステル以外の樹脂の量が比較的少量であるものが好ましい。
また、前記樹脂としては、例えば、ここまでに例示した前記樹脂の１種又は２種以上が架橋した架橋樹脂；ここまでに例示した前記樹脂の１種又は２種以上を用いたアイオノマー等の変性樹脂も挙げられる。

基材を構成する樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

基材は１層（単層）からなるものでもよいし、２層以上の複数層からなるものでもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。

基材の厚さは、５０～３００μｍであることが好ましく、６０～１５０μｍであることがより好ましい。基材の厚さがこのような範囲であることで、ダイシングダイボンディングシートの可撓性と、ダイシングダイボンディングシートの半導体ウエハ又は半導体チップへの貼付性と、後述する硬化済みダイボンディングフィルム付き半導体チップのピックアップ性と、がより向上する。
ここで、「基材の厚さ」とは、基材全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる基材の厚さとは、基材を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。

基材は、厚さの精度が高いもの、すなわち、部位によらず厚さのばらつきが抑制されたものが好ましい。上述の構成材料のうち、このような厚さの精度が高い基材を構成するのに使用可能な材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリエチレン以外のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタンアクリレート、エチレン－酢酸ビニル共重合体等が挙げられる。

基材は、前記樹脂等の主たる構成材料以外に、充填材、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、有機滑剤、触媒、軟化剤（可塑剤）等の公知の各種添加剤を含有していてもよい。

基材は、透明であってもよいし、不透明であってもよく、目的に応じて着色されていてもよいし、他の層が蒸着されていてもよい。ただし、基材は、エネルギー線を透過させるものが好ましく、エネルギー線の透過性が高いものがより好ましい。

基材は、その上に設けられる中間層等の他の層との密着性を向上させるために、サンドブラスト処理、溶剤処理等による凹凸化処理や、コロナ放電処理、電子線照射処理、プラズマ処理、オゾン・紫外線照射処理、火炎処理、クロム酸処理、熱風処理等の酸化処理等が表面に施されたものであってもよい。
また、基材は、表面がプライマー処理を施されたものであってもよい。
また、基材は、帯電防止コート層；ダイシングダイボンディングシートを重ね合わせて保存する際に、基材が他のシートに接着することや、基材が吸着テーブルに接着することを防止する層等を有するものであってもよい。

基材は、公知の方法で製造できる。例えば、樹脂を含有する基材は、前記樹脂を含有する樹脂組成物を成形することで製造できる。

○中間層
前記中間層は、基材とダイボンディングフィルムとの間に配置され、その機能を発揮するものであれば、特に限定されない。
中間層として、より具体的には、例えば、少なくとも一方の面が剥離処理されている剥離性改善層、粘着剤層等が挙げられる。

前記剥離性改善層は、後述する硬化済みダイボンディングフィルム付き半導体チップのピックアップ時において、硬化済みダイボンディングフィルムの支持シートからの剥離を容易とする。
前記粘着剤層は、ダイシング時において、支持シート上での半導体ウエハの固定を安定化したり、硬化済みダイボンディングフィルム付き半導体チップのピックアップ時において、硬化済みダイボンディングフィルムの支持シートからの剥離を容易としたりする。

・剥離性改善層
前記剥離性改善層は、シート状又はフィルム状である。
剥離性改善層としては、例えば、樹脂層と、前記樹脂層上に形成された剥離処理層と、を備えて構成された、複数層からなるもの；剥離剤を含有する単層からなるもの等が挙げられる。ダイシングダイボンディングシートにおいて、剥離性改善層は、その剥離処理されている面をダイボンディングフィルム側に向けて、配置されている。

複数層からなる剥離性改善層のうち、前記樹脂層は、樹脂を含有する樹脂組成物を成形又は塗工し、必要に応じて乾燥させることで作製できる。
そして、複数層からなる剥離性改善層は、前記樹脂層の一方の面を剥離処理することで製造できる。

前記樹脂層の剥離処理は、例えば、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、不飽和ポリエステル系、ポリオレフィン系又はワックス系等の、公知の各種剥離剤によって行うことができる。
前記剥離剤は、耐熱性を有する点では、アルキッド系、シリコーン系又はフッ素系の剥離剤であることが好ましい。

前記樹脂層の構成材料である樹脂は、目的に応じて適宜選択すればよく、特に限定されない。
前記樹脂で好ましいものとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴと略記することがある）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮと略記することがある）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴと略記することがある）、ポリエチレン（ＰＥと略記することがある）、ポリプロピレン（ＰＰと略記することがある）等が挙げられる。

前記樹脂層は、１層（単層）からなるものでもよいし、２層以上の複数層からなるものでもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。

単層からなる剥離性改善層は、剥離剤を含有する剥離性組成物を成形又は塗工し、必要に応じて乾燥させることで作製できる。
前記剥離性組成物が含有する剥離剤としては、前記樹脂層の剥離処理時に用いる上述の各種剥離剤と同じものが挙げられる。
前記剥離性組成物は、前記樹脂層の構成材料である樹脂と同様の樹脂を含有していてもよい。すなわち、単層からなる剥離性改善層は、剥離剤以外に、樹脂を含有していてもよい。

剥離性改善層の厚さは、１０～２００μｍであることが好ましく、１５～１５０μｍであることがより好ましく、２５～１２０μｍであることが特に好ましい。剥離性改善層の厚さが前記下限値以上であることで、剥離性改善層の作用がより顕著となり、さらに、剥離性改善層の切断等の破損を抑制する効果がより高くなる。剥離性改善層の厚さが前記上限値以下であることで、後述する硬化済みダイボンディングフィルム付き半導体チップのピックアップ時に、突き上げる力が硬化済みダイボンディングフィルム付き半導体チップに伝達され易くなり、ピックアップをより容易に行うことができる。
ここで、「剥離性改善層の厚さ」とは、剥離性改善層が、前記樹脂層及び剥離処理層を備えた複数層からなるものである場合には、樹脂層及び剥離処理層の合計の厚さを意味する。また、剥離性改善層が、剥離剤を含有する単層からなるものである場合には、この単層の厚さを意味する。

・粘着剤層
前記粘着剤層は、シート状又はフィルム状であり、粘着剤を含有する。
前記粘着剤としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリビニルエーテル、ポリカーボネート、エステル系樹脂等の粘着性樹脂が挙げられ、アクリル系樹脂が好ましい。

なお、本明細書において、「粘着性樹脂」とは、粘着性を有する樹脂と、接着性を有する樹脂と、の両方を含む概念であり、例えば、樹脂自体が粘着性を有するものだけでなく、添加剤等の他の成分との併用により粘着性を示す樹脂や、熱又は水等のトリガーの存在によって接着性を示す樹脂等も含む。

粘着剤層は１層（単層）からなるものでもよいし、２層以上の複数層からなるものでもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。

粘着剤層の厚さは、特に限定されないが、１～１００μｍであることが好ましい。
ここで、「粘着剤層の厚さ」とは、粘着剤層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる粘着剤層の厚さとは、粘着剤層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。

粘着剤層は、透明であってもよいし、不透明であってもよく、目的に応じて着色されていてもよい。ただし、粘着剤層は、エネルギー線を透過させるものが好ましく、エネルギー線の透過性が高いものがより好ましい。

粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤を用いて形成されたものであってもよいし、非エネルギー線硬化性粘着剤を用いて形成されたものであってもよい。エネルギー線硬化性の粘着剤を用いて形成された粘着剤層は、硬化前及び硬化後での物性を、容易に調節できる。

粘着剤層は、粘着剤を含有する粘着剤組成物を用いて形成できる。例えば、粘着剤層の形成対象面に粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位に粘着剤層を形成できる。

ここまでに、剥離性改善層及び粘着剤層の形成方法について説明したが、これらに限らず、中間層は、その構成材料を含有する中間層用組成物を用いて形成できる。例えば、中間層の形成対象面に中間層用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位に中間層を形成できる。また、中間層用組成物の種類に応じて、これを成形することでも中間層を形成できる。

次に、本発明のダイシングダイボンディングシートの例を、支持シートの種類ごとに、以下、図面を参照しながら説明する。

図２は、本発明のダイシングダイボンディングシートの一実施形態を模式的に示す断面図である。
なお、図２以降の図において、既に説明済みの図に示すものと同じ構成要素には、その説明済みの図の場合と同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。

ここに示すダイシングダイボンディングシート１Ａは、支持シート１０を備え、支持シート１０上にダイボンディングフィルム１３を備えている。支持シート１０は、基材１１のみからなり、ダイシングダイボンディングシート１Ａは、換言すると、基材１１の一方の面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）１１ａ上にダイボンディングフィルム１３が積層された構成を有する。また、ダイシングダイボンディングシート１Ａは、さらにダイボンディングフィルム１３上に剥離フィルム１５を備えている。

ダイシングダイボンディングシート１Ａにおいては、基材１１の第１面１１ａに、第１層１３１が積層されている。また、第１層１３１の基材１１側とは反対側の面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）１３１ａに、第２層１３２が積層されている。また、第２層１３２の第１面１３２ａ（換言すると、ダイボンディングフィルム１３の第１面１３ａ）の一部、すなわち、周縁部近傍の領域に、治具用接着剤層１６が積層されている。また、第２層１３２の第１面１３２ａのうち、治具用接着剤層１６が積層されていない面と、治具用接着剤層１６のうち、ダイボンディングフィルム１３と接触していない面１６ａ（上面及び側面）に、剥離フィルム１５が積層されている。
ここで、基材１１の第１面１１ａは、支持シート１０の第１面１０ａとも称する。

剥離フィルム１５は、図１に示す第１剥離フィルム１５１又は第２剥離フィルム１５２と同様のものである。

治具用接着剤層１６は、例えば、接着剤成分を含有する単層構造のものであってもよいし、芯材となるシートの両面に接着剤成分を含有する層が積層された複数層構造のものであってもよい。

ダイシングダイボンディングシート１Ａは、剥離フィルム１５が取り除かれた状態で、第２層１３２の第１面１３２ａ（ダイボンディングフィルム１３の第１面１３ａ）のうち、治具用接着剤層１６が積層されていない領域に、半導体ウエハ（図示略）の裏面が貼付され、さらに、治具用接着剤層１６の面１６ａのうち上面が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。

図３は、本発明のダイシングダイボンディングシートの他の実施形態を模式的に示す断面図である。
ここに示すダイシングダイボンディングシート１Ｂは、治具用接着剤層１６を備えていない点以外は、図２に示すダイシングダイボンディングシート１Ａと同じである。すなわち、ダイシングダイボンディングシート１Ｂにおいては、基材１１の第１面１１ａ（支持シート１０の第１面１０ａ）に、第１層１３１が積層され、第１層１３１の第１面１３１ａに、第２層１３２が積層され、第２層１３２の第１面１３２ａの全面に、剥離フィルム１５が積層されている。
換言すると、ダイシングダイボンディングシート１Ｂは、基材１１、第１層１３１、第２層１３２及び剥離フィルム１５がこの順に、これらの厚さ方向において積層されて、構成されている。

図３に示すダイシングダイボンディングシート１Ｂは、図２に示すダイシングダイボンディングシート１Ａの場合と同様に、剥離フィルム１５が取り除かれた状態で、ダイボンディングフィルム１３の第１面１３ａのうち、中央側の一部の領域に、半導体ウエハ（図示略）の裏面が貼付され、さらに、ダイボンディングフィルム１３の周縁部近傍の領域が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。

図４は、本発明のダイシングダイボンディングシートのさらに他の実施形態を模式的に示す断面図である。
ここに示すダイシングダイボンディングシート１Ｃは、基材１１と、ダイボンディングフィルム１３（第１層１３１）と、の間に、さらに、中間層１２を備えている点以外は、図２に示すダイシングダイボンディングシート１Ａと同じである。支持シート１０は、基材１１及び中間層１２の積層体であり、ダイシングダイボンディングシート１Ｃも、支持シート１０の第１面１０ａ上にダイボンディングフィルム１３が積層された構成を有する。

ダイシングダイボンディングシート１Ｃにおいては、基材１１の第１面１１ａに、中間層１２が積層されている。また、中間層１２の基材１１側とは反対側の面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）１２ａに、第１層１３１が積層されている。また、第１層１３１の第１面１３１ａに、第２層１３２が積層されている。また、第２層１３２の第１面１３２ａ（換言すると、ダイボンディングフィルム１３の第１面１３ａ）の一部、すなわち、周縁部近傍の領域に、治具用接着剤層１６が積層されている。また、第２層１３２の第１面１３２ａのうち、治具用接着剤層１６が積層されていない面と、治具用接着剤層１６のうち、ダイボンディングフィルム１３と接触していない面１６ａ（上面及び側面）に、剥離フィルム１５が積層されている。

ダイシングダイボンディングシート１Ｃにおいては、中間層１２が複数層からなる前記剥離性改善層である場合には、例えば、中間層１２の基材１１側の層が前記樹脂層（図示略）となり、中間層１２のダイボンディングフィルム１３（第１層１３１）側の層が前記剥離処理層（図示略）となる。したがって、この場合、中間層１２の第１面１２ａは、剥離処理面となる。一方、中間層１２が単層からなる前記剥離性改善層である場合には、中間層１２の第１面１２ａが剥離処理面となるのは、上記と同様であるが、中間層１２全体が剥離剤を含有する。このように中間層１２が剥離性改善層である場合には、後述する硬化済みダイボンディングフィルム付き半導体チップのピックアップ時において、硬化済みダイボンディングフィルム（図４中のダイボンディングフィルム１３が切断され、さらに、ダイボンディングフィルム１３中の第２層１３２がエネルギー線硬化されたもの）の剥離が容易である。

図４に示すダイシングダイボンディングシート１Ｃは、剥離フィルム１５が取り除かれた状態で、第２層１３２の第１面１３２ａ（ダイボンディングフィルム１３の第１面１３ａ）のうち、治具用接着剤層１６が積層されていない領域に、半導体ウエハ（図示略）の裏面が貼付され、さらに、治具用接着剤層１６の面１６ａのうち上面が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。

図５は、本発明のダイシングダイボンディングシートのさらに他の実施形態を模式的に示す断面図である。
ここに示すダイシングダイボンディングシート１Ｄは、治具用接着剤層１６を備えておらず、かつダイボンディングフィルムの形状が異なる点以外は、図４に示すダイシングダイボンディングシート１Ｃと同じである。すなわち、ダイシングダイボンディングシート１Ｄは、基材１１を備え、基材１１上に中間層１２を備え、中間層１２上にダイボンディングフィルム２３を備えている。支持シート１０は、基材１１及び中間層１２の積層体である。ダイボンディングフィルム２３は、第１層２３１及び第２層２３２の積層体である。ダイシングダイボンディングシート１Ｄも、支持シート１０の第１面１０ａ上にダイボンディングフィルム２３が積層された構成を有する。

ダイシングダイボンディングシート１Ｄにおいては、基材１１の第１面１１ａに、中間層１２が積層されている。また、中間層１２の第１面１２ａの一部、すなわち、中央側の領域に、第１層２３１が積層されている。また、第１層２３１の第１面２３１ａに、第２層２３２が積層されている。そして、中間層１２の第１面１２ａのうち、ダイボンディングフィルム２３が積層されていない領域と、ダイボンディングフィルム２３のうち、中間層１２と接触していない面（第１面２３ａ及び側面）の上に、剥離フィルム１５が積層されている。

ダイシングダイボンディングシート１Ｄを上方から見下ろして平面視したときに、ダイボンディングフィルム２３は中間層１２よりも表面積が小さく、例えば、円形状等の形状を有する。

図５に示すダイシングダイボンディングシート１Ｄは、剥離フィルム１５が取り除かれた状態で、第２層２３２の第１面２３２ａ（ダイボンディングフィルム２３の第１面２３ａ）に、半導体ウエハ（図示略）の裏面が貼付され、さらに、中間層１２の第１面１２ａのうち、ダイボンディングフィルム２３が積層されていない領域が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。

なお、図５に示すダイシングダイボンディングシート１Ｄにおいては、中間層１２の第１面１２ａのうち、ダイボンディングフィルム２３が積層されていない領域に、図２及び図４に示すものと同様に治具用接着剤層が積層されていてもよい（図示略）。このような治具用接着剤層を備えたダイシングダイボンディングシート１Ｄは、図２及び図４に示すダイシングダイボンディングシートの場合と同様に、治具用接着剤層の面のうち上面が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。

このように、ダイシングダイボンディングシートは、支持シート及びダイボンディングフィルムがどのような形態であっても、治具用接着剤層を備えたものであってもよい。ただし、通常は、図２及び図４に示すように、治具用接着剤層を備えたダイシングダイボンディングシートとしては、ダイボンディングフィルム上に治具用接着剤層を備えたものが好ましい。

本発明のダイシングダイボンディングシートは、図２～図５に示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、図２～図５に示すものの一部の構成が変更又は削除されたものや、これまでに説明したものにさらに他の構成が追加されたものであってもよい。

例えば、図２～図５に示すダイシングダイボンディングシートは、基材、中間層、ダイボンディングフィルム及び剥離フィルム以外の層が、任意の箇所に設けられていてもよい。
また、ダイシングダイボンディングシートにおいては、剥離フィルムと、この剥離フィルムと直接接触している層との間に、一部隙間が生じていてもよい。
また、ダイシングダイボンディングシートにおいては、各層の大きさや形状は、目的に応じて任意に調節できる。

◇ダイシングダイボンディングシートの製造方法
ダイシングダイボンディングシートは、例えば、前記ダイボンディングフィルムと、支持シートと、を貼り合わせることで、製造できる。

基材及び中間層を備えた支持シートは、基材上に上述の中間層用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、製造できる。例えば、中間層が剥離性改善層である場合には、基材上に前記樹脂層を形成するための中間層用組成物を塗工して、前記樹脂層を形成した後、その露出面を剥離処理すればよい。

基材及び中間層を備えた支持シートは、以下の方法でも製造できる。
すなわち、基材に代えて剥離フィルムを用いた点以外は、上述の中間層の形成方法の場合と同じ方法で、剥離フィルム上に中間層を形成しておく。このとき、中間層用組成物は、剥離フィルムの剥離処理面に塗工することが好ましい。
そして、中間層の露出面（剥離フィルム側とは反対側の面）と、基材の一方の面（第１面）と、を貼り合わせることで、前記支持シートを製造できる。

また、ダイシングダイボンディングシートは、例えば、前記ダイボンディングフィルム及び支持シートをあらかじめ形成しておかなくても、製造できる。
例えば、上述の方法で、剥離フィルム上に中間層を形成しておく。さらに、剥離フィルム上に形成済みの第１層（第１フィルム）と、剥離フィルム上に形成済みの第２層（第２フィルム）と、基材と、を用い、基材、形成済みの中間層、形成済みの第１層、及び形成済みの第２層をこの順に、これらの厚さ方向において積層する。このとき、必要に応じて適切なタイミングで、各層に設けられている前記剥離フィルムを取り除く。以上により、中間層を備えたダイシングダイボンディングシートが得られる。

◇半導体チップの製造方法
本発明のダイボンディングフィルム及びダイシングダイボンディングシートは、半導体チップ、より具体的には、硬化済みダイボンディングフィルム付き半導体チップ、の製造に利用可能である。

本発明の一実施形態に係る半導体チップの製造方法は、前記ダイボンディングフィルムのうち、第２層に半導体ウエハが貼付され、第１層にダイシングシートが貼付されている積層体（１－１）、又は前記ダイシングダイボンディングシートのうち、ダイボンディングフィルム中の第２層に半導体ウエハが貼付されている積層体（１－２）を作製する工程（本明細書においては、「積層体（１）作製工程」と称することがある）と、ダイシングブレードにより、前記積層体（１－１）又は積層体（１－２）中の前記半導体ウエハを、前記ダイボンディングフィルムとともに切断することにより、切断済みの前記第１層、切断済みの前記第２層、及び前記半導体チップ（切断済み半導体ウエハ）を備えた積層体（２）を作製する工程（本明細書においては、「積層体（２）作製工程」と称することがある）と、前記積層体（２）中の切断済みの前記第２層をエネルギー線硬化させて硬化物とすることにより、切断済みの前記第１層、前記硬化物、及び前記半導体チップを備えた積層体（３）を作製する工程（本明細書においては、「積層体（３）作製工程」と称することがある）と、前記積層体（３）において、切断済みの前記第１層及び前記硬化物を備えた前記半導体チップを、前記ダイシングシート又は支持シートから引き離して、ピックアップする工程（本明細書においては、「ピックアップ工程」と称することがある）と、を含む。
なお、本明細書においては、積層体（１－１）及び積層体（１－２）を包括して、「積層体（１）」と称することがある。

前記製造方法においては、前記ダイボンディングフィルム又はダイシングダイボンディングシートを用いていることにより、半導体チップのサイズが小さくても、前記ピックアップ工程において、切断済みの第２層の硬化物（切断済み及び硬化済み第２層）の一部又は全部が、半導体チップから剥離することが抑制され、半導体チップへの第２層の硬化物の転写性が高い。

以下、図面を参照しながら、前記製造方法について詳細に説明する。
図６は、本発明の一実施形態に係る半導体チップの製造方法を模式的に説明するための断面図である。ここでは、図２に示すダイシングダイボンディングシート１Ａを用いた場合の半導体チップの製造方法について、説明する。

＜＜積層体（１）作製工程＞＞
前記積層体（１）作製工程においては、図６（ａ）に示すような、ダイシングダイボンディングシート１Ａのうち、ダイボンディングフィルム１３中の第２層１３２に、半導体ウエハ９が貼付されている積層体（１－２）１０１を作製する。
積層体（１－２）１０１は、基材１１、第１層１３１、第２層１３２及び半導体ウエハ９（換言すると、基材１１、ダイボンディングフィルム１３及び半導体ウエハ９）がこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成されている。

積層体（１－２）１０１においては、第２層１３２の第１面１３２ａに、半導体ウエハ９の裏面９ｂが貼付されている。
ダイシングダイボンディングシート１Ａは、剥離フィルム１５を取り除いて用いる。

なお、ここでは、ダイシングダイボンディングシート１Ａを用いた場合について説明しているが、本工程においては、ダイシングダイボンディングシート１Ａではなく、ダイボンディングフィルム１３を用い、そのうち、第２層１３２には半導体ウエハ９が貼付され、第１層１３１には、ダイシングシートとして基材１１（支持シート１０）が貼付されている積層体（１－１）を作製してもよい。
積層体（１－１）は、基材１１、第１層１３１、第２層１３２及び半導体ウエハ９（換言すると、基材１１、ダイボンディングフィルム１３及び半導体ウエハ９）がこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成されている。
このように、得られる積層体（１－２）及び積層体（１－１）は、見かけ上、同じであり、いずれも積層体（１）１０１として記載可能である。

第２層１３２への半導体ウエハ９の貼付は、第２層１３２を加熱により軟化させて行ってもよい。その場合の第２層１３２の加熱温度は、３５～４５℃であることが好ましい。
また、第２層１３２へ半導体ウエハ９を貼付するときの、貼付速度及び貼付圧力は、特に限定されない。例えば、貼付速度は５～２０ｍｍ／ｓであることが好ましく、貼付圧力は０．１～１．０ＭＰａであることが好ましい。

ダイシングダイボンディングシート１Ａではなく、ダイボンディングフィルム１３を用いる場合には、その第１層１３１にダイシングシート（基材１１、支持シート１０）を貼付してから、第２層１３２に半導体ウエハ９を貼付することが好ましい。第１層１３１へのダイシングシートの貼付は、公知の方法で行えばよく、例えば、半導体ウエハ９を貼付するときと同様の条件を採用してもよい。

＜＜積層体（２）作製工程＞＞
前記積層体（２）作製工程においては、ダイシングブレードを用いて、積層体（１）１０１中の半導体ウエハ９を、ダイボンディングフィルム１３（すなわち、第１層１３１及び第２層１３２）とともに切断することにより、図６（ｂ）に示すように、切断済みの第１層１３１’、切断済みの第２層１３２’、及び半導体チップ９’を備えた積層体（２）１０２を作製する。
積層体（２）１０２においては、切断済みの第１層１３１’、切断済みの第２層１３２’及び半導体チップ９’（換言すると、切断済みのダイボンディングフィルム１３’及び半導体チップ９’）がこの順に、これらの厚さ方向において積層された複数個の積層物が、前記第１層１３１’によって、基材１１上で整列した状態で固定されている。
図６（ｂ）においては、ダイボンディングフィルム１３を切断済みのダイシングダイボンディングシート１Ａを、新たに符号１Ａ’を付して示している。

本工程においては、通常、ダイシングブレードの半導体ウエハ９への接触箇所に、水（切削水）を流しながら、ダイシングを行う。このとき、第２層１３２の第１面１３２ａと、半導体ウエハ９の裏面９ｂと、の粘着力及び密着性が高く、切断済みの第２層１３２’の第１面１３２ａ’と、半導体チップ９’の裏面９ｂ’と、の粘着力及び密着性も高いため、これらの接触面同士の間への水の侵入が抑制される。

本工程で作製する半導体チップ９’のサイズは、特に限定されないが、半導体チップ９’の１辺の長さは０．１～２．５ｍｍであることが好ましい。このようなサイズが小さい半導体チップ９’の作製時に、本発明の効果がより顕著に得られる。

ダイシングの条件は、目的に応じて適宜調節すればよく、特に限定されない。
通常、ダイシングブレードの回転数は、１５０００～５００００ｒｐｍであることが好ましく、ダイシングブレードの移動速度は、５～７５ｍｍ／ｓｅｃであることが好ましい。

ダイシング時には、基材１１を、その第１面１１ａから、例えば、３０μｍ以下程度の深さまで、ダイシングブレードで切り込んでもよい。

＜＜積層体（３）作製工程＞＞
前記積層体（３）作製工程においては、積層体（２）１０２中の切断済みの第２層１３２’をエネルギー線硬化させて硬化物１３２０’とすることにより、図６（ｃ）に示すように、切断済みの第１層１３１’、前記硬化物１３２０’、及び半導体チップ９’を備えた積層体（３）１０３を作製する。
積層体（３）１０３においては、切断済みの第１層１３１’、切断済み及び硬化済みの第２層１３２０’及び半導体チップ９’がこの順に、これらの厚さ方向において積層された複数個の積層物が、前記第１層１３１’によって、基材１１上で整列した状態で固定されている。積層体（３）１０３は、切断済みの第２層１３２’が硬化されている点以外は、積層体（２）１０２と同じである。

ここでは、切断済みの第１層１３１’と、切断済み及び硬化済みの第２層１３２０’と、の積層物に符号１３０’を付している。本明細書においては、このようなダイボンディングフィルム１３由来の積層物を「硬化済みダイボンディングフィルム」と称することがある。

先の説明のとおり、切断済みの第２層１３２’と、半導体チップ９’と、は粘着力及び密着性が高いが、切断済みの第２層１３２’が硬化物１３２０’となることで、この硬化物１３２０’と、半導体チップ９’と、は粘着力及び密着性がさらに高くなる。

切断済みの第２層１３２’にエネルギー線を照射して、第２層１３２’をエネルギー線硬化させるときの、エネルギー線の照射条件は、第２層１３２’が十分にエネルギー線硬化する限り、特に限定されない。例えば、エネルギー線硬化時における、エネルギー線の照度は、４～２８０ｍＷ／ｃｍ^２であることが好ましい。エネルギー線硬化時における、エネルギー線の光量は、３～１０００ｍＪ／ｃｍ^２であることが好ましい。
エネルギー線は、基材１１側から、基材１１と、切断済みの第１層１３１’と、を介して、切断済みの第２層１３２’に照射することが好ましい。

＜＜ピックアップ工程＞＞
前記ピックアップ工程においては、図６（ｄ）に示すように、積層体（３）１０３において、切断済みの第１層１３１’及び前記硬化物１３２０’を備えた半導体チップ９’を、支持シート１０（基材１１）から引き離して、ピックアップする。本明細書においては、このような半導体チップを「硬化済みダイボンディングフィルム付き半導体チップ」と称することがある。

先の説明のとおり、半導体チップ９’のサイズが小さくても、切断済みの第２層１３２’と、半導体チップ９’と、の粘着力及び密着性が高いため、ダイシング時において、これらの接触面同士の間への水の侵入が抑制されている。加えて、前記硬化物１３２０’と、半導体チップ９’と、の粘着力及び密着性がさらに高くなっている。したがって、本工程においては、前記硬化物１３２０’の一部又は全部が、半導体チップ９’から剥離することが抑制され、半導体チップ９’への前記硬化物１３２０’の転写性が高い。

ここでは、ピックアップの方向を矢印Ｉで示している。
半導体チップ９’を、切断済みの第１層１３１’及び前記硬化物１３２０’とともに、支持シート１０から引き離すための引き離し手段８としては、真空コレット等が挙げられる。なお、図６においては、硬化済みダイボンディングフィルム付き半導体チップとは異なる、引き離し手段８については、断面表示していない。

ここまでは、ダイシングダイボンディングシート１Ａを用いた場合の半導体チップの製造方法について説明したが、ダイシングダイボンディングシート１Ｂ、１Ｃ又は１Ｄ等、ダイシングダイボンディングシート１Ａ以外の本発明の他のダイシングダイボンディングシートを用いた場合や、最初の段階でダイシングダイボンディングシートではなく、ダイボンディングフィルムを用いた場合にも、上記と同様の方法で、半導体チップを製造できる。そして、その場合の奏する効果も、ダイシングダイボンディングシート１Ａを用いた場合と同様である。他のダイシングダイボンディングシートを用いる場合には、その構造に応じて、適宜、任意の工程を追加して、半導体チップを製造できる。

＜＜半導体装置及びその製造方法＞＞
前記製造方法を適用して得られた、硬化済みダイボンディングフィルム付き半導体チップ（切断済みの第１層と、切断済み及び硬化済みの第２層と、を備えた半導体チップ）は、半導体装置の製造に用いるのに、特に適している。
例えば、前記硬化済みダイボンディングフィルム付き半導体チップは、その切断済みの第１層によって、基板の回路形成面にダイボンディングされる。
図７は、このように基板の回路形成面に、硬化済みダイボンディングフィルム付き半導体チップがダイボンディングされている状態の一例を、模式的に示す断面図である。ここでは、硬化済みダイボンディングフィルム付き半導体チップとして、図６を参照して説明した製造方法での目的物である、切断済みの第１層１３１’及び前記硬化物１３２０’を備えた半導体チップ９’を用いた場合について、示している。

図７に示すように、硬化済みダイボンディングフィルム１３０’を備えた半導体チップ９’は、前記フィルム１３０’のうち、切断済みの第１層１３１’によって、基板７の回路形成面７ａにダイボンディングされている。
より具体的には、切断済みの第１層１３１’の、前記硬化物１３２０’側とは反対側の面（本明細書においては、「第２面」と称することがある。）１３１ｂ’と、基板７の回路形成面７ａと、が直接接触して、半導体チップ９’が基板７上で固定されている。なお、基板７において、回路の記載は省略している。

先に説明した、ダイボンディングフィルム１３の第１層１３１は、基板の埋め込み性が良好である。したがって、ここに示すように、基板７の回路形成面７ａと、切断済みの第１層１３１’と、の間では、隙間（ボイド）の発生が抑制されており、切断済みの第１層１３１’が基板７の回路形成面７ａを良好に埋め込み、被覆している。

ここでは、ダイシングダイボンディングシート１Ａを用いた場合の、半導体チップのダイボンディングについて説明したが、ダイシングダイボンディングシート１Ｂ、１Ｃ又は１Ｄ等、ダイシングダイボンディングシート１Ａ以外の本発明の他のダイシングダイボンディングシートを用いた場合や、最初の段階でダイシングダイボンディングシートではなく、ダイボンディングフィルムを用いた場合にも、上記と同様に、第１層によって、基板を良好に埋め込める。

上記のとおり、硬化済みダイボンディングフィルム付き半導体チップを用いて、半導体チップをダイボンディングした後は、従来法と同様の方法で、半導体パッケージ及び半導体装置が製造される。例えば、必要に応じて、このダイボンディングされた半導体チップに、さらに半導体チップを少なくとも１個積層して、ワイヤボンディングを行った後、得られたもの全体を樹脂により封止することで、半導体パッケージが作製される。そして、この半導体パッケージを用いて、目的とする半導体装置が作製される。
本発明のダイボンディングフィルム又はダイシングダイボンディングシートを用いていることで、第１層による基板の埋め込み性が良好であり、その結果、得られる半導体パッケージは、信頼性が高いものとなる。

１つの側面として、本発明の一実施形態であるダイボンディングフィルムは、
第１層と、前記第１層上に備えられた第２層とを含み、
前記第１層は、溶融粘度の初期検出温度が５０～７５℃（又は５０～６８℃若しくは５０～５９℃であってもよい）である特性を有し；
前記第２層は、粘着性及びエネルギー線硬化性を有し；
厚さが１０μｍで、かつ幅が２５ｍｍよりも広い前記第１層と第２層との積層体を試験片とし、前記試験片を、シリコンミラーウエハに貼付し、幅２５ｍｍとなるように前記試験片を切断し、切断後の前記試験片を、前記シリコンミラーウエハごと、純水中に２時間浸漬し、浸漬後の前記試験片をエネルギー線硬化させて硬化物とすることにより、前記シリコンミラーウエハに前記硬化物が貼付されている試験用積層体を作製したとき、幅が２５ｍｍの前記硬化物と、前記シリコンミラーウエハと、の間の粘着力が、６～２０Ｎ／２５ｍｍ、又は１０～２０Ｎ／２５ｍｍとなる特性を有し；かつ
厚さが１０μｍで、かつ幅が２５ｍｍよりも広い前記第１層と第２層との積層体を試験片とし、前記試験片を、シリコンミラーウエハに貼付し、幅２５ｍｍとなるように前記試験片を切断し、切断後の前記試験片を、前記シリコンミラーウエハごと、空気雰囲気下の暗所において、温度２３℃、相対湿度５０％の条件下で３０分間静置保存し、静置保存後の前記試験片をエネルギー線硬化させて硬化物とすることにより、前記シリコンミラーウエハに前記硬化物が貼付されている非浸漬試験用積層体を作製したとき、幅が２５ｍｍの前記硬化物と、前記シリコンミラーウエハと、の間の粘着力が、６～２０Ｎ／２５ｍｍ、又は１０～２０Ｎ／２５ｍｍとなる特性を有する；
ダイボンディングフィルム。

さらに、前記ダイボンディングフィルムは、
前記第１層が第１接着剤組成物から形成されており、
前記第２層が第２接着剤組成物から形成されており、
前記第１接着剤組成物は、重合体成分（ａ）、エポキシ樹脂（ｂ１）と熱硬化剤（ｂ２）からなるエポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）、効果促進剤（ｃ）、充填材（ｄ）及びカップリング剤（ｅ）を含み、
前記重合体成分（ａ）は、アクリル酸ｎ－ブチル、アクリル酸メチル、メタクリル酸グリシジル及びアクリル酸２－ヒドロキシエチルを共重合してなるアクリル系樹脂、又はアクリル酸ｎ－ブチル、アクリル酸エチル、アクリロニトリル及びメタクリル酸グリシジルを共重合してなるアクリル系樹脂（前記重合体成分（ａ）の含有量は、前記第１接着剤組成物の総質量（溶媒以外）に対して５～２０質量％、好ましくは７～１２％である）であり；
前記エポキシ樹脂（ｂ１）は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂と多官能芳香族型（トリフェニレン型）エポキシ樹脂、又はビスフェノールＦ型エポキシ樹脂とジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂であり；
前記熱硬化剤（ｂ２）は、ｏ－クレゾール型ノボラック樹脂であり
（前記エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）の含有量は、前記重合体成分（ａ）の含有量１００質量部に対して、８００～１０００質量部であり、前記熱硬化剤（ｂ２）の含有量は、前記エポキシ樹脂（ｂ１）の含有量１００質量部に対して、好ましくは２５～８０質量部である）；
前記硬化促進剤（ｃ）は、５－ヒドロキシイソフタル酸（ＨＩＰＡ）１分子と２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＨＺ）２分子との包接化合物、又は２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾールであり（前記硬化促進剤（ｃ）の含有量は、前記エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）の含有量１００質量部に対して、好ましくは０．１～２質量部である）；
前記充填材（ｄ）は、エポキシ基で修飾された球状シリカであり（前記充填材（ｄ）の含有量は、前記第１接着剤組成物の総質量（溶媒以外）に対して、好ましくは１５～３０質量％である）；
前記カップリング剤（ｅ）は、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン及びエポキシ基、メチル基及びメトキシ基を有するオリゴマー型シランカップリング剤からなる群から選択される少なくとも１つであり（前記カップリング剤（ｅ）の含有量は、前記重合体成分（ａ）及び前記エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）の合計含有量１００質量部に対して、好ましくは０．１～５質量部である）；
前記第２接着剤組成物は、重合体成分（ａ）、充填材（ｄ）、カップリング剤（ｅ）、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）及び光重合開始剤（ｈ）を含み、
前記重合体成分（ａ）は、アクリル酸ｎ－ブチル、アクリル酸メチル、メタクリル酸グリシジル及びアクリル酸２－ヒドロキシエチルを共重合してなるアクリル系樹脂、又はアクリル酸ｎ－ブチル、アクリル酸エチル、アクリロニトリル及びメタクリル酸グリシジルを共重合してなるアクリル系樹脂であり（前記重合体成分（ａ）の含有量は、前記第２接着剤組成物の総質量（溶媒以外）に対して、好ましくは２０～３５質量％である）；
前記充填材（ｄ）は、エポキシ基で修飾された球状シリカ又はシリカフィラーであり（前記充填材（ｄ）の含有量は、前記第２接着剤組成物の総質量（溶媒以外）に対して、好ましくは４５～６４質量％である）；
前記カップリング剤（ｅ）は、エポキシ基、メチル基及びメトキシ基を有するオリゴマー型シランカップリング剤であり（前記重合体成分（ａ）の含有量１００質量部に対して、好ましくは０．１～５質量部である）；
前記エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）は、トリシクロデカンジメチロールジアクリレート又はε－カプロラクトン変性トリス－（２－アクリロキシエチル）イソシアヌレートであり（前記エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）の含有量は、第２接着剤組成物の総質量（溶媒以外）に対して、好ましくは５～８５質量％である）；
前記光重合開始剤（ｈ）は、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタノン－１である（前記光重合開始剤（ｈ）は、前記エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）の含有量１００質量部に対して、１～１０質量部である）、
ダイボンディングフィルムであってもよい。

以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。

＜モノマー＞
本実施例及び比較例において、略記しているモノマーの正式名称を、以下に示す。
ＢＡ：アクリル酸ｎ－ブチル
ＭＡ：アクリル酸メチル
ＨＥＡ：アクリル酸２－ヒドロキシエチル
ＧＭＡ：メタクリル酸グリシジル
ＥＡ：アクリル酸エチル
ＡＮ：アクリロニトリル

＜接着剤組成物の製造原料＞
本実施例及び比較例において、接着剤組成物の製造に用いた原料を以下に示す。

［重合体成分（ａ）］
（ａ）－１：ＢＡ（１０質量部）、ＭＡ（７０質量部）、ＧＭＡ（５質量部）及びＨＥＡ（１５質量部）を共重合してなるアクリル系樹脂（重量平均分子量５０００００、ガラス転移温度－１℃）。
（ａ）－２：ＢＡ（４０質量部）、ＥＡ（２５質量部）、ＡＮ（３０質量部）及びＧＭＡ（５質量部）を共重合してなるアクリル系樹脂（重量平均分子量７０００００、ガラス転移温度１０℃）。
（ａ）－３：ＢＡ（５５質量部）、ＭＡ（１０質量部）、ＧＭＡ（２０質量部）及びＨＥＡ（１５質量部）を共重合してなるアクリル系樹脂（重量平均分子量８０００００、ガラス転移温度－３０℃）。
（ａ）－４：熱可塑性樹脂、ポリエステル（東洋紡社製「バイロン２２０」、重量平均分子量３５０００、ガラス転移温度５３℃）
［エポキシ樹脂（ｂ１）］
（ｂ１）－１：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＪＥＲ８２８」、エポキシ当量１８４～１９４ｇ／ｅｑ）
（ｂ１）－２：多官能芳香族型（トリフェニレン型）エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＥＰＰＮ－５０２Ｈ」、エポキシ当量１６７ｇ／ｅｑ、軟化点５４℃、重量平均分子量１２００）
（ｂ１）－３：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＬ９８３Ｕ」、エポキシ当量１７０ｇ／ｅｑ）
（ｂ１）－４：ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＸＤ－１０００－Ｌ」、エポキシ当量２４８ｇ／ｅｑ）
（ｂ１）－５：液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及びアクリルゴム微粒子の混合物（日本化薬社製「ＢＰＡ３２８」、エポキシ当量２３５ｇ／ｅｑ）
（ｂ１）－６：ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「エピクロンＨＰ－７２００ＨＨ」、エポキシ当量２５５～２６０ｇ／ｅｑ）
［熱硬化剤（ｂ２）］
（ｂ２）－１：ｏ－クレゾール型ノボラック樹脂（ＤＩＣ社製「フェノライトＫＡ－１１６０」）
（ｂ２）－２：ノボラック型フェノール樹脂（ｏ－クレゾール型以外のノボラック樹脂、昭和電工社製「ＢＲＧ－５５６」）
（ｂ２）－３：ジシアンジアミド（ＡＤＥＫＡ社製「アデカハードナーＥＨ－３６３６ＡＳ」、固体分散型潜在性硬化剤、活性水素量２１ｇ／ｅｑ）
［硬化促進剤（ｃ）］
（ｃ）－１：５－ヒドロキシイソフタル酸（ＨＩＰＡ）１分子と２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＨＺ）２分子との包接化合物（日本曹達社製「ＨＩＰＡ－２Ｐ４ＭＨＺ」）
（ｃ）－２：２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業社製「キュアゾール２ＰＨＺ－ＰＷ」）
［充填材（ｄ）］
（ｄ）－１：エポキシ基で修飾された球状シリカ（アドマテックス社製「アドマナノ ＹＡ０５０Ｃ－ＭＫＫ」、平均粒子径５０ｎｍ）
（ｄ）－２：シリカフィラー（アドマテックス社製「ＳＣ２０５０ＭＡ」、エポキシ系化合物で表面修飾されたシリカフィラー、平均粒子径５００ｎｍ）
［カップリング剤（ｅ）］
（ｅ）－１：３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越シリコーン社製「ＫＢＭ－４０３」、シランカップリング剤、メトキシ当量１２．７ｍｍｏｌ／ｇ、分子量２３６．３）
（ｅ）－２：３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン（信越シリコーン社製「ＫＢＥ－４０３」、シランカップリング剤、メトキシ当量８．１ｍｍｏｌ／ｇ、分子量２７８．４）
（ｅ）－３：エポキシ基、メチル基及びメトキシ基を有するオリゴマー型シランカップリング剤（信越シリコーン社製「Ｘ－４１－１０５６」、エポキシ当量２８０ｇ／ｅｑ）
（ｅ）－４：トリメトキシ［３－（フェニルアミノ）プロピル］シラン（東レ・ダウ社製「ＳＺ６０８３」、シランカップリング剤）
（ｅ）－５：３－グリシドキシプロピルトリメトキシシランを付加させたシリケート化合物（三菱化学社製「ＭＫＣシリケートＭＳＥＰ２」）
［架橋剤（ｆ）］
（ｆ）－１：トリメチロールプロパンのトリレンジイソシアネート三量体付加物（トーヨーケム社製「ＢＨＳ８５１５」）
［エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）］
（ｇ）－１：トリシクロデカンジメチロールジアクリレート（日本化薬社製「ＫＡＹＡＲＡＤ Ｒ－６８４」、紫外線硬化性樹脂、分子量３０４）
（ｇ）－２：ε－カプロラクトン変性トリス－（２－アクリロキシエチル）イソシアヌレート（新中村化学工業社製「Ａ－９３００－１ＣＬ」、３官能紫外線硬化性化合物）
［光重合開始剤（ｈ）］
（ｈ）－１：１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（ＢＡＳＦ社製「ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）１８４」）
（ｈ）－２：２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタノン－１（ＢＡＳＦ社製「ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）３６９」）

［実施例１］
＜＜ダイボンディングフィルムの製造＞＞
＜第１接着剤組成物の製造＞
重合体成分（ａ）－１（１０質量部）、エポキシ樹脂（ｂ１）－１（２０質量部）、エポキシ樹脂（ｂ１）－２（２５質量部）、熱硬化剤（ｂ２）－１（２５質量部）、硬化促進剤（ｃ）－１（０．３質量部）、充填材（ｄ）－１（２０質量部）、カップリング剤（ｅ）－１（０．３質量部）、カップリング剤（ｅ）－２（０．４質量部）及びカップリング剤（ｅ）－３（０．５質量部）をメチルエチルケトンに溶解又は分散させて、２３℃で撹拌することにより、固形分濃度が５５質量％である第１接着剤組成物を得た。なお、ここに示すメチルエチルケトン以外の成分の配合量は、すべて固形分換算値である。

＜第２接着剤組成物の製造＞
重合体成分（ａ）－１（２２質量部）、充填材（ｄ）－２（５０質量部）、カップリング剤（ｅ）－３（０．５質量部）、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）－１（２０質量部）及び光重合開始剤（ｈ）－２（０．３質量部）をメチルエチルケトンに溶解又は分散させて、２３℃で撹拌することにより、固形分濃度が５５質量％である第２接着剤組成物を得た。なお、ここに示すメチルエチルケトン以外の成分の配合量は、すべて固形分換算値である。

＜第１層の形成＞
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理されている剥離フィルム（リンテック社製「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１Ｈ」、厚さ３８μｍ）を用い、その前記剥離処理面に、上記で得られた第１接着剤組成物を塗工し、１００℃で２分間加熱乾燥させることにより、厚さ１０μｍの第１層を形成した。

＜第２層の形成＞
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理されている剥離フィルム（リンテック社製「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１Ｈ」、厚さ３８μｍ）を用い、その前記剥離処理面に、上記で得られた第２接着剤組成物を塗工し、１００℃で２分間加熱乾燥させることにより、厚さ１０μｍの第２層を形成した。

＜ダイボンディングフィルムの製造＞
上記で得られた第１層の剥離フィルム側とは反対側の露出面と、上記で得られた第２層の剥離フィルム側とは反対側の露出面とを、これら２層の温度を４０℃として貼り合わせることにより、剥離フィルム、第１層、第２層及び剥離フィルムがこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成された、剥離フィルム付きのダイボンディングフィルムを得た。

＜＜ダイシングダイボンディングシートの製造＞＞
上記で得られたダイボンディングフィルムから、第１層側の剥離フィルムを取り除き、これにより新たに生じた第１層の露出面を、基材と貼り合せることにより、基材、第１層、第２層及び剥離フィルム（換言すると、基材、ダイボンディングフィルム及び剥離フィルム）がこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成された、ダイシングダイボンディングシートを得た。ここで用いた基材は、ポリエチレン製フィルム（厚さ１００μｍ）である。

＜＜ダイボンディングフィルムの評価＞＞
＜溶融粘度の初期検出温度Ｔ_０の算出＞
上記で得られたダイボンディングフィルムの第１層を積層し、直ちに、直径１０ｍｍ、高さ２０ｍｍの円柱状の試験片を作製した。
キャピラリーレオメーター（島津製作所社製「ＣＦＴ－１００Ｄ」）の測定箇所に、この作製直後の試験片をセットし、試験片に５．１０Ｎ（５０ｋｇｆ）の力を加えながら、試験片を昇温速度１０℃／ｍｉｎで５０℃から１２０℃まで昇温させた。そして、ダイに設けられた直径０．５ｍｍ、高さ１．０ｍｍの穴からの、試験片の押出しが開始されたとき、すなわち、試験片の溶融粘度の検出が開始された温度（初期検出温度Ｔ_０）（℃）を求めた。結果を表１に示す。

＜基板の埋め込み性の評価＞
（硬化済みダイボンディングフィルム付き半導体チップの製造）
上記で得られたダイシングダイボンディングシートから剥離フィルムを取り除き、これにより新たに生じた第２層（ダイボンディングフィルム）の露出面を、８インチシリコンミラーウエハ（厚さ３５０μｍ）のミラー面（裏面）に貼付した。このとき、ダイシングダイボンディングシートは、４０℃に加熱して、貼付速度２０ｍｍ／ｓ、貼付圧力０．５ＭＰａの条件で貼付した。
以上により、基材、第１層、第２層及びシリコンミラーウエハ（換言すると、基材、ダイボンディングフィルム及びシリコンミラーウエハ）がこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成された、積層体（１）を得た。

次いで、ダイシング装置（Ｄｉｓｃｏ社製「ＤＦＤ６３６１」）を用いてダイシングすることにより、積層体（１）中のシリコンミラーウエハを分割するとともに、第１層及び第２層（ダイボンディングフィルム）も切断し、大きさが２ｍｍ×２ｍｍのシリコンチップを得た。このときのダイシングは、ダイシングブレードの移動速度を３０ｍｍ／ｓｅｃ、ダイシングブレードの回転数を４００００ｒｐｍとし、基材に対して、その第１層の貼付面から２０μｍの深さまでダイシングブレードで切り込むことにより行った。また、ダイシングブレードのシリコンミラーウエハへの接触箇所に、水（切削水）を流しながら、ダイシングを行った。
以上により、切断済みの第１層、切断済みの第２層及びシリコンチップ（切断済みのシリコンミラーウエハ）（換言すると、切断済みのダイボンディングフィルム及びシリコンチップ）がこの順に、これらの厚さ方向において積層された複数個の積層物が、前記第１層によって、基材上で整列した状態で固定されている、積層体（２）を得た。

次いで、紫外線照射装置（リンテック社製「ＲＡＤ－２０００ ｍ／１２」）を用いて、照度２２０ｍＷ／ｃｍ^２、光量１２０ｍＪ／ｃｍ^２の条件で、積層体（２）の基材側の外部から、積層体（２）中の切断済みの第２層に対して紫外線を照射し、第２層を硬化させた。
以上により、切断済みの第１層、切断済みの第２層の硬化物、及びシリコンチップがこの順に、これらの厚さ方向において積層された複数個の積層物が、前記第１層によって、基材上で整列した状態で固定されている、積層体（３）を得た。積層体（３）は、切断済みの第２層が硬化されている点以外は、積層体（２）と同じである。

次いで、ピックアップ・ダイボンディング装置（キャノンマシナリー社製「ＢＥＳＴＥＭ Ｄ０２」）を用いて、上記で得られた積層体（３）中の基材から、裏面に第１層及び硬化済み第２層（硬化済みダイボンディングフィルム）を備えたシリコンチップ（すなわち、硬化済みダイボンディングフィルム付きシリコンチップ）を引き離して、ピックアップした。
以上により、硬化済みダイボンディングフィルム付きシリコンチップを得た。

ここまでのダイシング（ダイボンディングフィルムの切断）、ダイボンディングフィルム（第２層）の硬化、及びピックアップの工程順を表１に示す。なお、これら３工程を行う順序は、本項目（基板の埋め込み性）の評価時に限らず、後述する他の項目の評価時でも同じとなる。
表１中に記載の略号は、以下の意味である。
ＤＦ：ダイボンディングフィルム
ＤＣ：ダイシング
ＰＵ：ピックアップ

（ダイボンディングフィルムの基板の埋め込み性の評価）
円板状の透明ガラス基板（エヌ・エスジー・プレシジョン社製、直径８インチ、厚さ１００μｍ）を、８ｍｍ×８ｍｍの大きさに分割して、個片化した。
次いで、ピックアップ・ダイボンディング装置（キャノンマシナリー社製「ＢＥＳＴＥＭ Ｄ０２」）を用いて、上記で得られた、硬化済みダイボンディングフィルム付きシリコンチップを、上記で得られた個片化後の透明ガラス基板にダイボンディングした。このとき、２０℃の温度条件下で、個片化後の透明ガラス基板に、硬化済みダイボンディングフィルムを接触させることにより、硬化済みダイボンディングフィルム付きシリコンチップをこの基板上に配置し、１個の硬化済みダイボンディングフィルム付きシリコンチップに対して、５Ｎの力を０．５秒間加えて押圧することにより、ダイボンディングを行った。

次いで、光学顕微鏡（キーエンス社製「ＶＨＸ－１０００」）を用いて、このダイボンディング後の透明ガラス基板を、その硬化済みダイボンディングフィルム側とは反対側から観察した。そして、硬化済みダイボンディングフィルムとガラス基板との間における、ボイド（空隙部）の有無を確認し、ガラス基板の、硬化済みダイボンディングフィルム側の面の全面のうち、硬化済みダイボンディングフィルムと密着している面の割合（密着割合、面積％）を求めた。

以上の操作を、９個の硬化済みダイボンディングフィルム付きシリコンチップについて行い、下記基準に従って、ダイボンディングフィルムの基板の埋め込み性を評価した。結果を表１に示す。
Ａ：９個の硬化済みダイボンディングフィルム付きシリコンチップすべてで、前記密着割合が９０面積％以上であった。
Ｂ：前記密着割合が９０面積％未満である硬化済みダイボンディングフィルム付きシリコンチップが、少なくとも１個存在した。

＜半導体チップへの転写性の評価＞
（積層体（３）の製造）
上述の、硬化済みダイボンディングフィルム付き半導体チップの製造時の場合と同じ方法で、積層体（３）を製造した。

（半導体チップへの転写性の評価）
次いで、上記で得られた積層体（３）を、２３℃の純水中に２時間浸漬した。このとき、積層体（３）全体が純水中に水没するように、積層体（３）を配置した。
次いで、積層体（３）を純水中から引き上げ、表面に付着している水滴を取り除いた。
そして、ピックアップ・ダイボンディング装置（キャノンマシナリー社製「ＢＥＳＴＥＭ Ｄ０２」）を用いて、この浸漬後の積層体（３）中の基材から、裏面に第１層及び硬化済み第２層を備えたシリコンチップ（換言すると、硬化済みダイボンディングフィルム付きシリコンチップ）を引き離してピックアップすることを試みた。
ここまでの、ダイシング、ダイボンディングフィルム（第２層）の硬化、及びピックアップの工程順は、上述の、ダイボンディングフィルムの基板の埋め込み性の評価時と同じである。

次いで、光学顕微鏡（キーエンス社製「ＶＨＸ－１０００」）を用いて、基材の第１層（ダイボンディングフィルム）が積層されていた面（換言すると第１面）を観察し、下記基準に従って、硬化済みダイボンディングフィルムの半導体チップへの転写性を評価した。結果を表１に示す。
Ａ：硬化済みダイボンディングフィルムが基材に残存していない。
Ｂ：硬化済みダイボンディングフィルム（少なくとも第１層）が基材に残存している。

＜非浸漬粘着力及び浸漬後粘着力の測定＞
（試験用積層体の製造）
上記で得られたダイボンディングフィルムから、第２層側の剥離フィルムを取り除き、これにより新たに生じた第２層の露出面を、６インチシリコンミラーウエハ（厚さ３５０μｍ）のミラー面（裏面）に貼付した。このとき、ダイボンディングフィルムは、４０℃に加熱して、貼付速度２０ｍｍ／ｓ、貼付圧力０．５ＭＰａの条件で貼付した。
次いで、この貼付後のダイボンディングフィルムから、第１層側の剥離フィルムを取り除き、これにより新たに生じた第１層の露出面に、幅が２５ｍｍである強粘着テープ（リンテック社製「ＰＥＴ５０ＰＬシン」）を貼付した。

次いで、前記６インチシリコンミラーウエハに貼付されたダイボンディングフィルムについて、この強粘着テープの外周に沿って、前記ダイボンディングフィルムの厚さ方向の全域（第１層及び第２層の、これらの厚さ方向の全域）に切り込みを形成し、前記ダイボンディングフィルムを幅が２５ｍｍの帯状に切断した。
次いで、前記切断直後から、暗所において、この切断後のダイボンディングフィルムを前記シリコンミラーウエハごと、２３℃の純水中に２時間浸漬した。このとき、切断後のダイボンディングフィルムが貼付されたシリコンミラーウエハは、その全体が純水中に水没するように、純水中に配置した。
次いで、切断後のダイボンディングフィルムが貼付されたシリコンミラーウエハを純水中から引き上げ、その表面に付着している水滴を取り除いた。
次いで、紫外線照射装置（リンテック社製「ＲＡＤ－２０００ ｍ／１２」）を用いて、照度２２０ｍＷ／ｃｍ^２、光量１２０ｍＪ／ｃｍ^２の条件で、切断後のダイボンディングフィルムに対して紫外線を照射し、第２層を硬化させた。
以上により、強粘着テープ、切り込みが形成されている第１層、切り込みが形成されている第２層の硬化物、及びシリコンミラーウエハがこの順に、これらの厚さ方向において積層されて、構成された試験用積層体を得た。

（試験用積層体の浸漬後粘着力の測定）
２３℃の条件下で、万能引張試験機（島津製作所製「オートグラフＡＧ－ＩＳ」）を用いて、上記で得られた試験用積層体において、前記強粘着テープを引っ張った。このとき、強粘着テープの引っ張りによって、試験用積層体において生じた剥離面同士が、１８０°の角度を為すように、剥離（引張）速度３００ｍｍ／ｍｉｎで、強粘着テープを引っ張る、いわゆる１８０°剥離を行った。そして、このときの剥離力（荷重、Ｎ／２５ｍｍ）を測定するとともに、試験用積層体において生じた剥離箇所と、剥離形態を確認した。そして、前記剥離力を、試験用積層体における、幅が２５ｍｍの第２層の硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間の粘着力（Ｎ／２５ｍｍ）とした。結果を表１中の「浸漬後粘着力」の欄に示す。

（非浸漬試験用積層体の製造）
切断後のダイボンディングフィルムが貼付されたシリコンミラーウエハを、暗所において、２３℃の純水中に２時間浸漬するのに代えて、空気雰囲気下の暗所において、温度２３℃、相対湿度５０％の条件下で３０分間静置保存した点以外は、上述の試験用積層体の場合と同じ方法で、非浸漬試験用積層体を製造した。

（非浸漬試験用積層体の非浸漬粘着力の測定）
上記で得られた非浸漬試験用積層体について、上記の試験用積層体の場合と同じ方法で、剥離力（荷重、Ｎ／２５ｍｍ）を測定するとともに、非浸漬試験用積層体において生じた剥離箇所と、剥離形態を確認し、前記剥離力を、幅が２５ｍｍの第２層の硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間の粘着力（Ｎ／２５ｍｍ）とした。結果を表１中の「非浸漬粘着力」の欄に示す。

＜＜ダイボンディングフィルムの製造、ダイシングダイボンディングシートの製造、及びダイボンディングフィルムの評価＞＞
［実施例２］
第１接着剤組成物及び第２接着剤組成物について、これらの含有成分の種類及び含有量が、表１に示すとおりとなるように、これら組成物の製造時における、配合成分の種類及び配合量を変更した点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、ダイボンディングフィルム及びダイシングダイボンディングシートを製造し、ダイボンディングフィルムを評価した。結果を表１に示す。

［比較例１］
＜＜ダイボンディングフィルムの製造、ダイシングダイボンディングシートの製造＞＞
実施例１の場合と同じ方法で、ダイボンディングフィルム及びダイシングダイボンディングシートを製造した。

＜＜ダイボンディングフィルムの評価＞＞
＜溶融粘度の初期検出温度Ｔ_０の算出＞
実施例１の場合と同じ方法で、初期検出温度Ｔ_０（℃）を求めた。結果を表２に示す。

＜基板の埋め込み性の評価＞
（比較用の硬化済みダイボンディングフィルム付き半導体チップの製造）
実施例１の場合と同じ方法で、積層体（１）を製造した。

次いで、紫外線照射装置（リンテック社製「ＲＡＤ－２０００ ｍ／１２」）を用いて、照度２２０ｍＷ／ｃｍ^２、光量１２０ｍＪ／ｃｍ^２の条件で、積層体（１）の基材側の外部から、積層体（１）中の第２層に対して紫外線を照射し、第２層を硬化させた。
以上により、第１層、第２層の硬化物、及びシリコンミラーウエハがこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成された、積層体（４）を得た。積層体（４）は、第２層が硬化されている点以外は、積層体（１）と同じである。

次いで、ダイシング装置（Ｄｉｓｃｏ社製「ＤＦＤ６３６１」）を用いてダイシングすることにより、積層体（４）中のシリコンミラーウエハを分割するとともに、第１層及び硬化済み第２層（硬化済みダイボンディングフィルム）も切断し、大きさが２ｍｍ×２ｍｍのシリコンチップを得た。このときのダイシングは、ダイシングブレードの移動速度を３０ｍｍ／ｓｅｃ、ダイシングブレードの回転数を４００００ｒｐｍとし、基材に対して、その第１層の貼付面から２０μｍの深さまでダイシングブレードで切り込むことにより行った。
以上により、切断済みの第１層、切断済みの第２層の硬化物、及びシリコンチップがこの順に、これらの厚さ方向において積層された複数個の積層物が、前記第１層によって、基材上で整列した状態で固定されている、比較用の積層体（３’）を得た。比較用の積層体（３’）において、各層の見かけ上の種類と積層順は、上述の積層体（３）の場合と同じであるが、ダイシングと、第２層の硬化と、の順序が、上述の積層体（３）の場合とは異なる。

次いで、ピックアップ・ダイボンディング装置（キャノンマシナリー社製「ＢＥＳＴＥＭ Ｄ０２」）を用いて、上記で得られた、比較用の積層体（３’）中の基材から、裏面に第１層及び硬化済み第２層（硬化済みダイボンディングフィルム）を備えたシリコンチップ（すなわち、比較用の硬化済みダイボンディングフィルム付きシリコンチップ）を引き離して、ピックアップした。
以上により、比較用の硬化済みダイボンディングフィルム付きシリコンチップを得た。

（ダイボンディングフィルムの基板の埋め込み性の評価）
上記で得られた、比較用の硬化済みダイボンディングフィルム付きシリコンチップを用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、硬化済みのダイボンディングフィルムの基板の埋め込み性を評価した。結果を表２に示す。

＜半導体チップへの転写性の評価＞
（比較用の積層体（３’）の製造）
上述の、比較用の硬化済みダイボンディングフィルム付き半導体チップの製造時の場合と同じ方法で、比較用の積層体（３’）を製造した。

（半導体チップへの転写性の評価）
次いで、上記で得られた比較用の積層体（３’）を、２３℃の純水中に２時間浸漬した。
このとき、比較用の積層体（３’）全体が純水中に水没するように、比較用の積層体（３’）を配置した。
次いで、比較用の積層体（３’）を純水中から引き上げ、表面に付着している水滴を取り除いた。そして、ピックアップ・ダイボンディング装置（キャノンマシナリー社製「ＢＥＳＴＥＭ Ｄ０２」）を用いて、この浸漬後の比較用の積層体（３’）中の基材から、裏面に第１層及び硬化済み第２層を備えたシリコンチップ（換言すると、比較用の硬化済みダイボンディングフィルム付きシリコンチップ）を引き離してピックアップすることを試みた。
次いで、上記で得られた、比較用の硬化済みダイボンディングフィルム付きシリコンチップを用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、硬化済みダイボンディングフィルムの半導体チップへの転写性を評価した。結果を表２に示す。

＜非浸漬粘着力及び浸漬後粘着力の測定＞
（試験用積層体の製造）
実施例１の場合と同じ方法で、切断後のダイボンディングフィルムが貼付されたシリコンミラーウエハを得た。
次いで、紫外線照射装置（リンテック社製「ＲＡＤ－２０００ ｍ／１２」）を用いて、照度２２０ｍＷ／ｃｍ^２、光量１２０ｍＪ／ｃｍ^２の条件で、切断後のダイボンディングフィルムに対して紫外線を照射し、第２層を硬化させた。
次いで、暗所において、この第２層を硬化後のダイボンディングフィルムを、第２層の硬化直後から、前記シリコンミラーウエハごと、２３℃の純水中に２時間浸漬した。このとき、硬化後のダイボンディングフィルムが貼付されたシリコンミラーウエハは、その全体が純水中に水没するように、純水中に配置した。
次いで、硬化後のダイボンディングフィルムが貼付されたシリコンミラーウエハを純水中から引き上げ、その表面に付着している水滴を取り除いた。
以上により、強粘着テープ、切り込みが形成されている第１層、切り込みが形成されている第２層の硬化物、及びシリコンミラーウエハがこの順に、これらの厚さ方向において積層されて、構成された、比較用の試験用積層体を得た。

（非浸漬試験用積層体の製造）
第２層を硬化後のダイボンディングフィルムが貼付されたシリコンミラーウエハを、暗所において、２３℃の純水中に２時間浸漬するのに代えて、空気雰囲気下の暗所において、温度２３℃、相対湿度５０％の条件下で３０分間静置保存した点以外は、上述の比較用の試験用積層体の場合と同じ方法で、比較用の非浸漬試験用積層体を製造した。

（試験用積層体の非浸漬粘着力及び浸漬後粘着力の測定）
上記で得られた比較用の試験用積層体を用い、実施例１の場合と同じ方法で、その浸漬後粘着力を測定した。また、上記で得られた比較用の非浸漬試験用積層体を用い、実施例１の場合と同じ方法で、その非浸漬粘着力を測定した。結果を表２に示す。

＜＜ダイボンディングフィルムの製造、ダイシングダイボンディングシートの製造、及びダイボンディングフィルムの評価＞＞
［比較例２］
＜＜ダイボンディングフィルムの製造、ダイシングダイボンディングシートの製造、ダイボンディングフィルムの評価＞＞
実施例１の場合と同じ方法で製造したダイボンディングフィルム及びダイシングダイボンディングシートに代えて、実施例２の場合と同じ方法で製造したダイボンディングフィルム及びダイシングダイボンディングシートを用いた点以外は、比較例１の場合と同じ方法で、ダイボンディングフィルムを評価した。結果を表２に示す。

［比較例３］
＜＜ダイボンディングフィルムの製造＞＞
＜接着剤組成物の製造＞
重合体成分（ａ）－３（１０質量部）、重合体成分（ａ）－４（２０質量部）、エポキシ樹脂（ｂ１）－２（２０質量部）、エポキシ樹脂（ｂ１）－５（２０質量部）、熱硬化剤（ｂ２）－２（２０質量部）、硬化促進剤（ｃ）－２（０．３質量部）、充填材（ｄ）－２（１０質量部）、カップリング剤（ｅ）－４（０．３質量部）、カップリング剤（ｅ）－５（０．５質量部）、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）－１（５質量部）及び光重合開始剤（ｈ）－１（０．１５質量部）をメチルエチルケトンに溶解又は分散させて、２３℃で撹拌することにより、固形分濃度が５５質量％である接着剤組成物を得た。なお、ここに示すメチルエチルケトン以外の成分の配合量は、すべて固形分換算値である。

＜ダイボンディングフィルムの製造＞
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理されている剥離フィルム（リンテック社製「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１Ｈ」、厚さ３８μｍ）を用い、その前記剥離処理面に、上記で得られた接着剤組成物を塗工し、１００℃で２分間加熱乾燥させることにより、厚さ２０μｍのダイボンディングフィルムを形成した。

＜＜ダイシングダイボンディングシートの製造＞＞
上記で得られたダイボンディングフィルムの露出面を、基材と貼り合せることにより、基材、ダイボンディングフィルム及び剥離フィルムがこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成された、ダイシングダイボンディングシートを得た。ここで用いた基材は、実施例１で用いたものと同じである。

＜＜ダイボンディングフィルムの評価＞＞
＜溶融粘度の初期検出温度Ｔ_０の算出＞
上記で得られたダイボンディングフィルムについて、実施例１の場合と同じ方法で、初期検出温度Ｔ_０（℃）を求めた。結果を表２に示す。

＜基板の埋め込み性の評価＞
（比較用の硬化済みダイボンディングフィルム付き半導体チップの製造）
上記で得られたダイシングダイボンディングシートから剥離フィルムを取り除き、これにより新たに生じたダイボンディングフィルムの露出面を、８インチシリコンミラーウエハ（厚さ３５０μｍ）のミラー面（裏面）に貼付した。このとき、ダイシングダイボンディングシートは、４０℃に加熱して、貼付速度２０ｍｍ／ｓ、貼付圧力０．５ＭＰａの条件で貼付した。
以上により、基材、ダイボンディングフィルム及びシリコンミラーウエハがこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成された、積層体（５）を得た。

次いで、ダイシング装置（Ｄｉｓｃｏ社製「ＤＦＤ６３６１」）を用いてダイシングすることにより、積層体（５）中のシリコンミラーウエハを分割するとともに、ダイボンディングフィルムも切断し、大きさが２ｍｍ×２ｍｍのシリコンチップを得た。このときのダイシングは、ダイシングブレードの移動速度を３０ｍｍ／ｓｅｃ、ダイシングブレードの回転数を４００００ｒｐｍとし、基材に対して、そのダイボンディングフィルムの貼付面から２０μｍの深さまでダイシングブレードで切り込むことにより行った。
以上により、切断済みのダイボンディングフィルム及びシリコンチップが、これらの厚さ方向において積層された複数個の積層物が、前記ダイボンディングフィルムによって、基材上で整列した状態で固定されている、積層体（６）を得た。

次いで、紫外線照射装置（リンテック社製「ＲＡＤ－２０００ ｍ／１２」）を用いて、照度２２０ｍＷ／ｃｍ^２、光量１２０ｍＪ／ｃｍ^２の条件で、積層体（６）の基材側の外部から、積層体（６）中の切断済みのダイボンディングフィルムに対して紫外線を照射し、ダイボンディングフィルムを硬化させた。
以上により、切断済みのダイボンディングフィルムの硬化物、及びシリコンチップが、これらの厚さ方向において積層された複数個の積層物が、前記硬化物によって、基材上で整列した状態で固定されている、積層体（７）を得た。積層体（７）は、切断済みのダイボンディングフィルムが硬化されている点以外は、積層体（６）と同じである。

次いで、ピックアップ・ダイボンディング装置（キャノンマシナリー社製「ＢＥＳＴＥＭ Ｄ０２」）を用いて、上記で得られた積層体（７）中の基材から、裏面に硬化済みダイボンディングフィルムを備えたシリコンチップ（すなわち、比較用の硬化済みダイボンディングフィルム付きシリコンチップ）を引き離して、ピックアップした。
以上により、比較用の硬化済みダイボンディングフィルム付きシリコンチップを得た。

（ダイボンディングフィルムの基板の埋め込み性の評価）
上記で得られた、比較用の硬化済みダイボンディングフィルム付きシリコンチップを用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、硬化済みのダイボンディングフィルムの基板の埋め込み性を評価した。結果を表２に示す。

＜半導体チップへの転写性の評価＞
（積層体（７）の製造）
上述の、比較用の硬化済みダイボンディングフィルム付き半導体チップの製造時の場合と同じ方法で、積層体（７）を製造した。

（半導体チップへの転写性の評価）
次いで、上記で得られた積層体（７）を、２３℃の純水中に２時間浸漬した。このとき、積層体（７）全体が純水中に水没するように、積層体（７）を配置した。
次いで、積層体（７）を純水中から引き上げ、表面に付着している水滴を取り除いた。
そして、ピックアップ・ダイボンディング装置（キャノンマシナリー社製「ＢＥＳＴＥＭ Ｄ０２」）を用いて、この浸漬後の積層体（７）中の基材から、裏面に硬化済みダイボンディングフィルムを備えたシリコンチップ（換言すると、比較用の硬化済みダイボンディングフィルム付きシリコンチップ）を引き離してピックアップすることを試みた。
次いで、上記で得られた、比較用の硬化済みダイボンディングフィルム付きシリコンチップを用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、硬化済みダイボンディングフィルムの半導体チップへの転写性を評価した。結果を表２に示す。

＜非浸漬粘着力及び浸漬後粘着力の測定＞
（試験用積層体の製造）
上記で得られたダイボンディングフィルムの露出面を、６インチシリコンミラーウエハ（厚さ３５０μｍ）のミラー面（裏面）に貼付した。このとき、ダイボンディングフィルムは、４０℃に加熱して、貼付速度２０ｍｍ／ｓ、貼付圧力０．５ＭＰａの条件で貼付した。
次いで、この貼付後のダイボンディングフィルムから剥離フィルムを取り除き、これにより新たに生じたダイボンディングフィルムの露出面に、幅が２５ｍｍである強粘着テープ（リンテック社製「ＰＥＴ５０ＰＬシン」）を貼付した。

次いで、前記６インチシリコンミラーウエハが貼付されたダイボンディングフィルムに対して、この強粘着テープの外周に沿って、前記ダイボンディングフィルムの厚さ方向の全域に切り込みを形成し、前記ダイボンディングフィルムを幅が２５ｍｍの帯状に切断した。
次いで、暗所において、この切断後のダイボンディングフィルムを、その切断直後から、前記シリコンミラーウエハごと、２３℃の純水中に２時間浸漬した。このとき、切断後のダイボンディングフィルムが貼付されたシリコンミラーウエハは、その全体が純水中に水没するように、純水中に配置した。
次いで、切断後のダイボンディングフィルムが貼付されたシリコンミラーウエハを純水中から引き上げ、その表面に付着している水滴を取り除いた。
次いで、紫外線照射装置（リンテック社製「ＲＡＤ－２０００ ｍ／１２」）を用いて、照度２２０ｍＷ／ｃｍ^２、光量１２０ｍＪ／ｃｍ^２の条件で、切断後のダイボンディングフィルムに対して紫外線を照射し、ダイボンディングフィルムを硬化させた。
以上により、強粘着テープ、切り込みが形成されているダイボンディングフィルムの硬化物、及びシリコンミラーウエハがこの順に、これらの厚さ方向において積層されて、構成された、比較用の試験用積層体を得た。

（試験用積層体の浸漬後粘着力の測定）
２３℃の条件下で、万能引張試験機（島津製作所製「オートグラフＡＧ－ＩＳ」）を用いて、前記試験用積層体において、前記強粘着テープを引っ張った。このとき、強粘着テープの引っ張りによって、前記試験用積層体において生じた剥離面同士が、１８０°の角度を為すように、剥離（引張）速度３００ｍｍ／ｍｉｎで、粘着テープを引っ張る、いわゆる１８０°剥離を行った。そして、このときの剥離力（荷重、Ｎ／２５ｍｍ）を測定するとともに、前記試験用積層体において生じた剥離箇所と、剥離形態を確認した。そして、前記剥離力を、前記試験用積層体における、幅が２５ｍｍのダイボンディングフィルムの硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間の粘着力（Ｎ／２５ｍｍ）とした。結果を表２中の「浸漬後粘着力」の欄に示す。

（非浸漬試験用積層体の製造）
切断後のダイボンディングフィルムが貼付されたシリコンミラーウエハを、暗所において、２３℃の純水中に２時間浸漬するのに代えて、空気雰囲気下の暗所において、温度２３℃、相対湿度５０％の条件下で３０分間静置保存した点以外は、上述の比較用の試験用積層体の場合と同じ方法で、比較用の非浸漬試験用積層体を製造した。

（非浸漬試験用積層体の非浸漬粘着力の測定）
上記で得られた非浸漬試験用積層体について、上記の試験用積層体の場合と同じ方法で、剥離力（荷重、Ｎ／２５ｍｍ）を測定するとともに、非浸漬試験用積層体において生じた剥離箇所と、剥離形態を確認し、前記剥離力を、幅が２５ｍｍの第２層の硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間の粘着力（Ｎ／２５ｍｍ）とした。結果を表２中の「非浸漬粘着力」の欄に示す。

［比較例４］
＜＜ダイボンディングフィルムの製造＞＞
＜接着剤組成物の製造＞
重合体成分（ａ）－３（１０質量部）、エポキシ樹脂（ｂ１）－４（１０質量部）、エポキシ樹脂（ｂ１）－５（１０質量部）、エポキシ樹脂（ｂ１）－６（２０質量部）、熱硬化剤（ｂ２）－３（１質量部）、硬化促進剤（ｃ）－２（１質量部）、充填材（ｄ）－２（５０質量部）、カップリング剤（ｅ）－５（０．５質量部）、架橋剤（ｆ）－１（０．３質量部）、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）－１（５質量部）及び光重合開始剤（ｈ）－１（０．１５質量部）をメチルエチルケトンに溶解又は分散させて、２３℃で撹拌することにより、固形分濃度が（５５）質量％である接着剤組成物を得た。なお、ここに示すメチルエチルケトン以外の成分の配合量は、すべて固形分換算値である。

＜ダイボンディングフィルムの製造＞
上記で得られた接着剤組成物を用いた点以外は、比較例３の場合と同じ方法で、ダイボンディングフィルムを製造した。

＜＜ダイシングダイボンディングシートの製造、及びダイボンディングフィルムの評価＞＞
上記で得られたダイボンディングフィルムを用いた点以外は、比較例３の場合と同じ方法で、ダイシングダイボンディングシートを製造し、ダイボンディングフィルムを評価した。結果を表２に示す。

上記結果から明らかなように、実施例１～２においては、ダイボンディングフィルムのうち、第１層の初期検出温度Ｔ_０が６８℃以下（５９～６８℃）であり、第１層は、基板の埋め込み性に優れていた。

また、実施例１～２においては、第２層の硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間の浸漬後粘着力は、１０Ｎ／２５ｍｍ以上（１０Ｎ／２５ｍｍ≦）であった。この浸漬後粘着力の測定時には、試験用積層体において、第１層と強粘着テープとの間で、先に剥離（界面剥離）が生じており、このときの剥離力が１０Ｎ／２５ｍｍであって、第２層の硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間で剥離は生じなかった。なお、第２層の硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間の非浸漬粘着力も、浸漬後粘着力と同様に、１０Ｎ／２５ｍｍ以上であって、浸漬していない試験用積層体（非浸漬試験用積層体）においても、第２層の硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間で剥離は生じなかった。
そして、第２層が硬化済みのダイボンディングフィルムは、半導体チップへの転写性に優れていた。

このように、実施例１～２のダイボンディングフィルムは、２層構造を有していることにより、サイズが小さい半導体チップのピックアップ時において、半導体チップへの転写不良を抑制可能であり、かつ、ダイボンディング時において、基板を良好に埋め込み可能であった。

これに対して、比較例１～２においては、第２層の硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間の浸漬後粘着力は、３．０Ｎ／２５ｍｍ以下（２．３～３．０Ｎ／２５ｍｍ）と小さかった。このとき、比較用の試験用積層体においては、第２層の硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間で、剥離（界面剥離）が生じていた。なお、第２層の硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間の非浸漬粘着力は、実施例１～２の場合と同様に、１０Ｎ／２５ｍｍ以上であった。
そして、第２層が硬化済みのダイボンディングフィルムは、半導体チップへの転写性に劣っていた。

比較例１は実施例１と、比較例２は実施例２と、それぞれ、ダイボンディングフィルム及びダイシングダイボンディングシートが同じである。それにも関わらず、このような結果になった理由は、評価時において、シリコンミラーウエハに貼付されている、切断後のダイボンディングフィルムの、純水中への浸漬と、硬化（第２層の硬化）と、の順序が、実施例１～２と比較例１～２とでは、逆であることが原因であった。実施例１～２の場合には、切断後のダイボンディングフィルムを、純水中への浸漬後に硬化させている。ダイシングブレードを用いたダイシングは、水（切削水）を流しながら行うことを考慮すると、実施例１～２での評価は、ダイシング後にダイボンディングフィルムを硬化させるという工程順を反映させているといえる。これに対して、比較例１～２の場合には、切断後のダイボンディングフィルムを、硬化後に純水中へ浸漬させている。すなわち、比較例１～２の評価では、ダイボンディングフィルムの硬化後にダイシングを行うという工程順を反映させているといえる。したがって、これら実施例及び比較例の評価結果は、本発明のダイボンディングフィルムを用いて、上述の積層体（１）作製工程、積層体（２）作製工程、積層体（３）作製工程及びピックアップ工程を、この順で行うことにより、サイズが小さい半導体チップのピックアップ時において、ダイボンディングフィルムの半導体チップへの転写不良を抑制しつつ、半導体チップが製造可能であることを示している。

また、比較例３においては、ダイボンディングフィルムが単層構成であり、ダイボンディングフィルムの硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間の浸漬後粘着力は、３．１Ｎ／２５ｍｍと小さかった。このとき、試験用積層体においては、ダイボンディングフィルムの硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間で、剥離（界面剥離）が生じていた。なお、ダイボンディングフィルムの硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間の非浸漬粘着力は、実施例１～２の場合と同様に、１０Ｎ／２５ｍｍ以上であった。
そして、ダイボンディングフィルムの硬化物は、半導体チップへの転写性に劣っていた。

一方、比較例４においては、単層構成のダイボンディングフィルムの初期検出温度Ｔ_０が８３℃と高く、ダイボンディングフィルムは、基板の埋め込み性に劣っていた。その一方で、ダイボンディングフィルムの硬化物と、シリコンミラーウエハと、の間の、浸漬後粘着力と非浸漬粘着力は、いずれも実施例１～２の場合と同様に、１０Ｎ／２５ｍｍ以上であった。

本発明は、サイズが小さい半導体チップのピックアップ時において、半導体チップへの転写不良を抑制可能であり、かつ、ダイボンディング時において、基板を良好に埋め込み可能なダイボンディングフィルムと、このダイボンディングフィルムを備えたダイシングダイボンディングシートと、このダイシングダイボンディングシートを用いた半導体チップの製造方法が提供できるので、産業上極めて有用である。

１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ・・・ダイシングダイボンディングシート、
１０・・・支持シート（ダイシングシート）、
１２・・・中間層、
１３，２３・・・ダイボンディングフィルム、
１３１，２３１・・・第１層、
１３１’・・・切断済みの第１層、
１３２，２３２・・・第２層、
１３２’・・・切断済みの第２層、
１３２０’・・・切断済み及び硬化済みの第２層、
９・・・半導体ウエハ、
９’・・・半導体チップ、
１０１・・・積層体（１－２）（積層体（１）、積層体（１－１））、
１０２・・・積層体（２）、
１０３・・・積層体（３）

Claims (3)

1. 第１層と、前記第１層上に備えらえた第２層とを含み、
   前記第１層は、溶融粘度の初期検出温度が７５℃以下である特性を有し、
   前記第２層は、粘着性及びエネルギー線硬化性を有し、かつ
   厚さが１０μｍで、かつ幅が２５ｍｍよりも広い前記第２層を試験片として、前記試験片を、シリコンミラーウエハに貼付し、幅２５ｍｍとなるように前記試験片を切断し、切断後の前記試験片を、前記シリコンミラーウエハごと、純水中に２時間浸漬し、浸漬後の前記試験片をエネルギー線硬化させて硬化物とすることにより、前記シリコンミラーウエハに前記硬化物が貼付されている試験用積層体を作製したときの、幅が２５ｍｍの前記硬化物と、前記シリコンミラーウエハと、の間の粘着力が、６Ｎ／２５ｍｍ以上となる特性を有する、
   ダイボンディングフィルム。
2. 支持シートと、前記支持シート上に備えらえた、請求項１に記載のダイボンディングフィルムとを含み、
   前記ダイボンディングフィルム中の前記第１層が、前記支持シート側に配置されている、ダイシングダイボンディングシート。
3. 請求項１に記載のダイボンディングフィルムのうち、前記第２層に半導体ウエハが貼付され、前記第１層にダイシングシートが貼付されている積層体（１－１）、又は請求項２に記載のダイシングダイボンディングシートのうち、前記ダイボンディングフィルム中の前記第２層に半導体ウエハが貼付されている積層体（１－２）を作製することと、
   ダイシングブレードにより、前記積層体（１－１）又は積層体（１－２）中の前記半導体ウエハを、前記ダイボンディングフィルムとともに切断することにより、切断済みの前記第１層、切断済みの前記第２層、及び前記切断済みの半導体ウエハである半導体チップを備えた積層体（２）を作製することと、
   前記積層体（２）中の切断済みの前記第２層をエネルギー線硬化させて硬化物とすることにより、切断済みの前記第１層、前記硬化物、及び前記半導体チップを備えた積層体（３）を作製することと、
   前記積層体（３）において、切断済みの前記第１層及び前記硬化物を備えた前記半導体チップを、前記ダイシングシート又は前記支持シートから引き離して、ピックアップすることと、
   を含む、半導体チップの製造方法。

Images