JP7414730B2 - 表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器 - Google Patents

Description

本開示は、表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器に関する。

有機エレクトロルミネッセンスを用いた表示素子、及び、係る表示素子から成る画素を備えた表示装置が周知である。係る表示装置は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な表示装置として注目されている。

有機エレクトロルミネッセンスを用いた表示装置は、自発光型であり、更には、高精細度の高速ビデオ信号に対しても充分な応答性を有する。眼鏡やゴーグルなどといったアイウェアに装着するための表示装置にあっては、例えば、画素サイズを数マイクロメートルないし１０マイクロメートル程度とするといったことも求められている。

有機エレクトロルミネッセンスを用いた表示素子は、通常、発光層を含む有機層と、有機層を挟むように配置された第１電極および第２電極とから構成される。例えば第１電極は有機層にホールを注入するためのアノード電極であり、第２電極は有機層に電子を注入するためのカソード電極である。有機層で発生した光がカソード電極側へ射出される、いわゆるトップエミッション型である場合、第１電極は光反射性を有するように構成される。

カソードコモン構造とする場合、第１電極は表示装置の画素のそれぞれに対応するように設けられると共に、信号電圧が供給される配線に接続される。例えば、特許文献１には、アノード電極と配線とをアノード電極とは別の領域で接続するといったことが記載されている。

特開２０１０－１９８７５４号公報

第１電極と配線とを第１電極とは別の領域で接続するといった場合、必然的に画素ピッチは拡大する。また、画素において発光領域が占める割合も相対的に低くなるため、画素サイズの更なる微細化や高輝度化といった要求に対しては応じにくいといった問題がある。

従って、本開示の目的は、画素ピッチを拡大することなく第１電極と配線とを接続することができ、画素サイズの更なる微細化や高輝度化といった要求にも応ずることができる表示装置および係る表示装置の製造方法、並びに、係る表示装置を備えた電子機器を提供することにある。

上記の目的を達成するための本開示に係る表示装置は、
第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る画素が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
第１電極は画素ごとに配置されていると共に、基板上に設けられた絶縁層上に形成された導電性の光反射膜と、光反射膜上に形成された透明電極とを含んでおり、
光反射膜下に位置する絶縁層の部分には、光反射膜と導通するビアが形成されており、
第１電極には、ビアを介して電圧が印加される、
表示装置である。

上記の目的を達成するための本開示に係る表示装置の製造方法は、
第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る画素が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
第１電極は画素ごとに配置されていると共に、基板上に設けられた絶縁層上に形成された導電性の光反射膜と、光反射膜上に形成された透明電極とを含んでいる、
表示装置の製造方法であって、
画素が配置される絶縁層の部分にビアを形成する工程、
ビアを含む絶縁層上に導電性の光反射膜を形成する工程、及び、
光反射膜上に透明電極を形成する工程、
を含んでいる、
表示装置の製造方法である。

上記の目的を達成するための本開示に係る電子機器は、
第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る画素が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
第１電極は画素ごとに配置されていると共に、基板上に設けられた絶縁層上に形成された導電性の光反射膜と、光反射膜上に形成された透明電極とを含んでおり、
光反射膜下に位置する絶縁層の部分には、光反射膜と導通するビアが形成されており、
第１電極には、ビアを介して電圧が印加される、
表示装置を備えた電子機器である。

図１は、第１の実施形態に係る表示装置の概念図である。 図２は、画素の模式的な回路図である。 図３は、画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。 図４Ａ、図４Ｂ、及び、図４Ｃは、隣接する第１電極の間に配置される隔壁部、第１電極に含まれる光反射膜、及び、導通部の配置関係を説明するための模式的な平面図である。 図５Ａおよび図５Ｂは、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図６Ａおよび図６Ｂは、図５Ｂに引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図７Ａおよび図７Ｂは、図６Ｂに引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図８Ａおよび図８Ｂは、図７Ｂに引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図９Ａおよび図９Ｂは、図８Ｂに引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図１０Ａおよび図１０Ｂは、図９Ｂに引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図１１Ａおよび図１１Ｂは、図１０Ｂに引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図１２は、図１１Ｂに引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図１３は、第１変形例に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。 図１４Ａおよび図１４Ｂは、第１の実施形態の第１変形例に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図１５は、第２変形例に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。 図１６Ａおよび図１６Ｂは、第１の実施形態の第２変形例に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図１７は、第３変形例に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。 図１８Ａおよび図１８Ｂは、第１の実施形態の第３変形例に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図１９Ａおよび図１９Ｂは、図１８Ｂに引き続き、第１の実施形態の第３変形例に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図２０は、第４変形例に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。 図２１は、第１の実施形態の第４変形例に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図２２は、図２１に引き続き、第１の実施形態の第４変形例に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図２３は、図２２に引き続き、第１の実施形態の第４変形例に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図２４は、図２３に引き続き、第１の実施形態の第４変形例に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図２５は、図２４に引き続き、第１の実施形態の第４変形例に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図２６は、第５変形例に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。 図２７は、第１の実施形態の第５変形例に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図２８は、図２７に引き続き、第１の実施形態の第５変形例に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図２９は、図２８に引き続き、第１の実施形態の第５変形例に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図３０は、図２９に引き続き、第１の実施形態の第５変形例に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図３１は、第６変形例に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。 図３２は、第１の実施形態の第６変形例に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図３３Ａおよび図３３Ｂは、図３２に引き続き、第１の実施形態の第６変形例に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図３４Ａおよび図３４Ｂは、図３３Ｂに引き続き、第１の実施形態の第６変形例に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図３５は、第２の実施形態に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。 図３６Ａおよび図３６Ｂは、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図３７Ａおよび図３７Ｂは、図３６Ｂに引き続き、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図３８Ａおよび図３８Ｂは、図３７Ｂに引き続き、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図３９Ａおよび図３９Ｂは、図３８Ｂに引き続き、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図４０Ａ、図４０Ｂ、及び、図４０Ｃは、隣接する第１電極の間に配置される隔壁部、第１電極に含まれる光反射膜、及び、導通部の配置関係を説明するための模式的な平面図である。 図４１は、第１変形例に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。 図４２Ａおよび図４２Ｂは、第２の実施形態の第１変形例に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図４３Ａ、図４３Ｂ、及び、図４３Ｃは、隣接する第１電極の間に配置される隔壁部、第１電極に含まれる光反射膜、及び、導通部の配置関係を説明するための模式的な平面図である。 図４４Ａ、図４４Ｂ、及び、図４４Ｃは、隣接する第１電極の間に配置される隔壁部、第１電極に含まれる光反射膜、及び、導通部の配置関係を説明するための模式的な平面図である。 図４５は、第３の実施形態に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。 図４６Ａおよび図４６Ｂは、第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図４７Ａおよび図４７Ｂは、図４６Ｂに引き続き、第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図４８は、第１変形例に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。 図４９Ａおよび図４９Ｂは、第３の実施形態の第１変形例に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図５０は、第２変形例に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。 図５１は、第３の実施形態の第２変形例に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図５２は、図５１に引き続き、第３の実施形態の第２変形例に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図５３は、図５２に引き続き、第３の実施形態の第２変形例に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図５４は、図５３に引き続き、第３の実施形態の第２変形例に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図５５は、第３変形例に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。 図５６は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図５６Ａにその正面図を示し、図５６Ｂにその背面図を示す。 図５７は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。 図５８は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。

以下、図面を参照して、実施形態に基づいて本開示を説明する。本開示は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料は例示である。以下の説明において、同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示に係る、表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器、全般に関する説明
２．第１の実施形態
３．第２の実施形態
４．第３の実施形態
５．電子機器の説明、その他

［本開示に係る、表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器、全般に関する説明］
本開示に係る表示装置、本開示に係る表示装置の製造方法により得られる表示装置、及び、本開示に係る電子機器に用いられる表示装置（以下、これらを単に、本開示に係る表示装置と呼ぶ場合がある）にあっては、上述したように、
第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る画素が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
第１電極は画素ごとに配置されていると共に、基板上に設けられた絶縁層上に形成された導電性の光反射膜と、光反射膜上に形成された透明電極とを含んでおり、
光反射膜下に位置する絶縁層の部分には、光反射膜と導通するビアが形成されており、
第１電極には、ビアを介して電圧が印加される。

本開示に係る表示装置にあっては、光反射膜の側壁面側に、透明電極と導通する導通部が設けられている構成とすることができる。この場合において、導通部は、光反射膜の側壁面の少なくとも一部を覆うように設けられている構成とすることができる。例えば、導通部が側壁面の全周あるいは一部を覆うように形成されている構成や、導通部が光反射膜の厚さ方向に沿った側壁面の高さと同じ高さあるいはより低い高さで構成されているといった態様とすることができる。

あるいは又、上述した好ましい構成を含む本開示に係る表示装置において、導通部は、光反射膜と絶縁層との間に設けられた導電材料から成る構成とすることができる。この場合、導通部の外周における平面形状は、光反射膜の外周の平面形状と同形状あるいはこれを包含する形状とすることが好ましい。

上述した各種の好ましい構成を含む本開示に係る表示装置において、透明電極は光反射膜上に設けられた絶縁膜の上に形成されている構成とすることができる。光反射膜を構成する導電材料の種類にもよるが、通常、導電材料の表面に対して絶縁膜の表面は平坦性に優れている。このため、透明電極の表面についても凹凸を低減することができ、結果として、透過率の向上を図ることができる。

あるいは又、本開示に係る表示装置にあっては、透明電極側に位置する光反射膜の上面に、透明電極と導通する導通部が設けられている構成とすることができる。

この場合において、隣接する第１電極の間には隔壁部が形成されていると共に、第１電極を構成する透明電極の上面の一部は隔壁部によって覆われており、導通部は、透明電極が隔壁部によって覆われている領域に重なるように配置されている構成とすることができる。

この場合において、透明電極の上面の周辺部は隔壁部によって環状に覆われており、導通部は、透明電極の上面の周辺部を囲むように配置されている構成とすることができる。導通部は、連続した領域として環状に形成されていてもよいし、離散的な領域が環状に配置されるように形成されていてもよい。

上述した各種の好ましい構成を含む本開示に係る表示装置において、導通部は、光反射膜を構成する材料とは異なる導電材料から成る構成とすることができる。光反射膜は、有機層の発光波長に対して高い反射率を示すことが好ましく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－銅（ＡｌＣｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）を用いることができる。尚、光反射層は単層構造であってもよいし積層構造であってもよい。例えば、下層側にチタン（Ｔｉ）、チタン窒化物などが形成されていてもよい。光反射膜を上述したアルミニウム（Ａｌ）などの導電材料から構成する場合、導通部は、チタン、チタン窒化物、又は、タングステンから成る構成とすることが好ましい。

あるいは又、本開示に係る表示装置において、光反射膜は、少なくともニッケルがドープされているアルミニウム系金属材料から成る構成とすることができ、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－銅（ＡｌＣｕ）、アルミニウム－シリコン（ＡｌＳｉ）、アルミニウム－シリコン－銅（ＡｌＳｉＣｕ）などにニッケル（Ｎｉ）がドープされている金属材料を例示することができる。この場合において、光反射膜は、ニッケルとホウ素がドープされているアルミニウム系金属材料から成る構成とすることができる。そして、光反射膜にはアニール処理が施されていることが好ましい。

アルミニウム単体は酸化しやすく、例えば大気下において表面には絶縁性の酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）が形成される。このため、アルミニウムから成る光反射膜と透明電極とが積層された構成にあっては、通常、それらの間でのコンタクト抵抗はｋΩオーダーといった値となる。

これに対し、例えば、ニッケルがドープされたアルミニウム系金属材料から形成された光反射膜にあっては、熱処理が施されることによってＡｌ₃Ｎｉが形成される。これによって表面が酸化されにくくなるので、光反射膜と透明電極とが積層された構成においてもコンタクト抵抗を低く保つことが可能となる。光反射膜は、例えば２００゜Ｃ程度の熱履歴を有することが好ましい。尚、透明電極は光反射膜上に設けられた絶縁膜の上に形成されている構成とすることもできる。

上述した各種の好ましい構成を含む本開示に係る表示装置において、第１電極は、平坦な絶縁層上に形成されている態様とすることができる。あるいは又、第１電極は絶縁層に所定パターンで選択的に埋め込まれたダマシン構造を有する態様とすることもできる。

上述したように、本開示に係る表示装置の製造方法は、
第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る画素が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
第１電極は画素ごとに配置されていると共に、基板上に設けられた絶縁層上に形成された導電性の光反射膜と、光反射膜上に形成された透明電極とを含んでいる、
表示装置の製造方法であって、
画素が配置される絶縁層の部分にビアを形成する工程、
ビアを含む絶縁層上に導電性の光反射膜を形成する工程、及び、
光反射膜上に透明電極を形成する工程、
を含んでいる。

この場合において、光反射膜の側壁面側に透明電極と導通する導通部を設ける工程を更に含む構成とすることができる。あるいは又、光反射膜における透明電極側の面に透明電極と導通する導通部を設ける工程を更に含む構成とすることができる。更には、少なくともニッケルがドープされているアルミニウム系金属材料を用いて光反射膜を形成する構成とすることができる。

本開示に係る表示装置、あるいは又、本開示に係る表示装置の製造方法（以下、これらを単に本開示と呼ぶ場合がある）にあっては、画素が形成される基板として、ガラス等の透明材料から成る基板や、シリコン等の半導体材料から成る基板を用いることができる。画素が有機層を駆動する駆動回路を有する場合、駆動回路は、ガラス基板上に半導体材料層等を形成し加工すること、あるいは又、シリコン等の半導体材料から成る基板に設けられたウエルにトランジスタ等を適宜形成することなどによって構成することができる。

本開示に用いられる透明導電材料として、インジウム－錫酸化物（ＩＴＯ，Indium Tin Oxide，ＳｎドープのＩｎ₂Ｏ₃、結晶性ＩＴＯ及びアモルファスＩＴＯを含む）、インジウム－亜鉛酸化物（ＩＺＯ，Indium Zinc Oxide）などの透明導電材料を挙げることができる。尚、場合によっては、光透過性を有するほどに薄膜化した金属膜を用いることもできる。

表示装置に用いられる各種配線などは、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法に例示される物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）などの周知の成膜方法と、エッチング法やリフトオフ法などの周知のパターニング法との組み合わせによって形成することができる。

表示装置に用いられる絶縁層などは、シリコン酸化物、シリコン窒化物、及び、シリコン酸窒化物などといった無機材料、あるいは又、ポリイミドなどの有機材料といった、周知の絶縁材料を用いて形成することができる。

表示装置は、モノクロ画像を表示する構成であってもよいし、カラー画像を表示する構成であってもよい。表示装置の解像度の値として、Ｕ－ＸＧＡ（１６００，１２００）、ＨＤ－ＴＶ（１９２０，１０８０）、Ｑ－ＸＧＡ（２０４８，１５３６）の他、（３８４０，２１６０）、（７６８０，４３２０）等、画像用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。

有機層は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および、電子注入層を順に積層した構造で構成することができる。有機層を構成する正孔輸送材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、有機発光材料は特に限定するものではなく、周知の材料を用いることができる。

表示装置をカラー表示とする場合、白色発光の有機層とカラーフィルタとを組み合わせた構成とすることができる。この構成にあっては、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などを含む有機層を複数の画素において共通化することができる。従って、有機層を画素毎に個別に塗り分ける必要がない。あるいは又、画素に応じて、赤色発光有機層、緑色発光有機層、青色発光有機層を個別に塗り分けるといった構成とすることもできる。この構成にあっては、画素ピッチが細かくなるほど、個別の塗り分けが困難となる。従って、画素ピッチがマイクロメートル単位であるような表示装置にあっては、白色発光の有機層とカラーフィルタとを組み合わせた構成とすることが好ましい。

白色光を出射する有機層は、赤色発光層、緑色発光層、及び、青色発光層を含む積層構造を有する形態とすることができる。あるいは又、有機層が、青色を発光する青色発光層および黄色を発光する黄色発光層を含む積層構造や、青色を発光する青色発光層および橙色を発光する橙色発光層を含む積層構造を有する形態とすることができる。これらは、全体として白色を発光する。

第１電極に含まれる導電性の光反射膜を構成する材料として、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－銅、少なくともニッケルがドープされたアルミニウム系金属材料、銀（Ａｇ）などの金属材料を挙げることができる。また、光反射膜上に形成される透明電極を構成する材料として、上述したＩＴＯやＩＺＯなどを例示することができる。

第２電極を構成する材料として、発光光を透過し、しかも、有機層に対して電子を効率的に注入できるようや導電材料が好ましい。例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、Ｍｇ－Ａｇ合金、Ｍｇ－Ｃａ合金、Ａｌ－Ｌｉ合金などといった金属あるいは合金を挙げることができる。

表示装置を駆動するソースドライバなどは、画素が配置される半導体基板などに集積されて一体となった構成であってもよいし、適宜別体として構成されていてもよい。これらは、周知の回路素子を用いて構成することができる。例えば、図１に示す垂直スキャナーや電源部などについても、周知の回路素子を用いて構成することができる。ヘッドマウントディスプレイ用やビューファインダ用の表示装置など、小型化が要求される用途においては、画素とドライバとが、同じ半導体基板などの上に形成されているといった構成とすることが好ましい。

また、本開示の表示装置を備えた電子機器として、直視型や投射型の表示装置の他、画像表示機能を備えた各種の電子機器を例示することができる。

本明細書における各種の条件は、厳密に成立する場合の他、実質的に成立する場合にも満たされる。設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。また、以下の説明で用いる各図面は模式的なものであり、実際の寸法やその割合を示すものではない。

［第１の実施形態］
第１の実施形態は、本開示に係る、表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器に関する。

図１は、第１の実施形態に係る表示装置の概念図である。

第１の実施形態に係る表示装置１において、
第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る画素７０が、基板１０上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている。後で図３を参照して詳しく説明するが、第１電極は画素７０ごとに配置されていると共に、基板１０上に設けられた絶縁層上に形成された導電性の光反射膜と、光反射膜上に形成された透明電極とを含んでいる。そして、光反射膜下に位置する絶縁層の部分には、光反射膜と導通するビアが形成されており、第１電極には、ビアを介して電圧が印加される。

表示装置１は、行方向（図１においてＸ方向）に沿って配された画素行毎に設けられた、走査線ＷＳおよび給電線ＰＳ１、並びに、列方向（図１においてＹ方向）に沿って配された画素列毎に設けられたデータ線ＤＴＬを含んでいる。各画素７０は、走査線ＷＳおよび給電線ＰＳ１、並びに、データ線ＤＴＬに接続された状態で、行方向にＮ個、列方向にＭ個、合計Ｎ×Ｍ個の２次元マトリクス状に配列されている。

２次元マトリクス状に配列された画素７０によって、画像を表示する画素アレイ部８０が構成される。画素アレイ部８０における画素７０の行数はＭであり、各行を構成する画素７０の数はＮである。

走査線ＷＳおよび給電線ＰＳ１の本数は、それぞれＭ本である。第ｍ行目（但し、ｍ＝１，２・・・，Ｍ）の画素７０は、第ｍ番目の走査線ＷＳ_mおよび第ｍ番目の給電線ＰＳ１_mに接続されており、１つの画素行を構成する。また、データ線ＤＴＬの本数はＮ本である。第ｎ列目（但し、ｎ＝１，２・・・，Ｎ）の画素７０は、第ｎ番目のデータ線ＤＴＬ_nに接続されている。

尚、図１では記載を省略しているが、表示装置１は、全ての画素７０に共通に接続される共通給電線を備えている。共通給電線には、共通の電圧として例えば接地電位が定常的に供給される。

表示装置１は、更に、画素アレイ部８０を駆動するための、ソースドライバ１１０、垂直スキャナー１２０、及び、電源部１３０といった各種回路を備えている。尚、図１に示す例において、垂直スキャナー１２０、及び、電源部１３０はそれぞれ、画素アレイ部８０の一端側に配置されているとしたが、これは例示に過ぎない。

画素アレイ部８０は、例えばシリコン等の半導体材料から成る基板１０の上に形成されている。尚、ソースドライバ１１０、垂直スキャナー１２０、及び、電源部１３０も、基板１０の上に形成されている。即ち、表示装置１は、ドライバ回路一体型の表示装置である。尚、場合によっては、画素アレイ部８０を駆動する各種回路が別体として構成されていてもよい。

ソースドライバ１１０には、例えば図示せぬ装置から、表示すべき画像に応じた階調を表す信号ＬＤ_Sigが入力される。信号ＬＤ_Sigは、例えば低電圧のデジタル信号である。ソースドライバ１１０は、映像信号ＬＤ_Sigの階調値に応じたアナログ信号を生成し、映像信号としてデータ線ＤＴＬに供給するために用いられる。生成するアナログ信号は、最大値はソースドライバ１１０に供給される電源電圧と略同等であって、振れ幅は数ボルト程度といった信号である。

垂直スキャナー１２０は、走査線ＷＳに走査信号を供給する。この走査信号によって、画素７０は例えば行単位で線順次走査される。電源部１３０は、走査線ＷＳの走査とは無関係に、給電線ＰＳ１に所定の電源電圧Ｖ_CC（例えば１０ボルト程度）を継続して供給するとして説明する。尚、場合によっては、走査線ＷＳの走査に対応して、給電線ＰＳ１に供給する電圧を切り替えるといった構成であってもよい。

表示装置１は、例えばカラー表示の表示装置であり、行方向に並ぶ３つの画素７０から成る群が１つのカラー画素を構成する。従って、Ｎ’＝Ｎ／３とすれば、画素アレイ部８０には、行方向にＮ’個、列方向にＭ個、合計Ｎ’×Ｍ個のカラー画素が配列される。

上述したように、垂直スキャナー１２０の走査信号によって、画素７０は行単位で線順次走査される。第ｍ行、第ｎ列目に位置する画素７０を、以下、第（ｎ，ｍ）番目の画素７０と呼ぶ。

表示装置１にあっては、第ｍ行目に配列されたＮ個の画素７０が同時に駆動される。換言すれば、行方向に沿って配されたＮ個の画素７０にあっては、その発光／非発光のタイミングは、それらが属する行単位で制御される。表示装置１の表示フレームレートをＦＲ（回／秒）と表せば、表示装置１を行単位で線順次走査するときの１行当たりの走査期間（いわゆる水平走査期間）は、（１／ＦＲ）×（１／Ｍ）秒未満である。

以上、表示装置１の概要について説明した。次いで、画素７０の詳細について説明する。

先ず、画素の回路構成について説明する。図２は、画素の模式的な回路図である。尚、図示の都合上、図２においては、１つの画素７０、より具体的には、第（ｎ，ｍ）番目の画素７０についての結線関係を示した。

図２に示すように、画素（表示素子）７０は、電流駆動型の発光部ＥＬＰ、及び、発光部ＥＬＰを駆動するための駆動回路７１を備えている。駆動回路７１は、映像信号を書き込むための書込みトランジスタＴＲ_Wと、発光部ＥＬＰに電流を流す駆動トランジスタＴＲ_Dとを少なくとも含んでいる。これらは、ｐチャネル型トランジスタから構成されている。

駆動回路７１は、更に、容量部Ｃ_Sを備えている。容量部Ｃ_Sは、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域に対するゲート電極の電圧（所謂ゲート・ソース間電圧）を保持するために用いられる。画素７０の発光時において、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域（図２において給電線ＰＳ１に接続されている側）はソース領域として働き、他方のソース／ドレイン領域はドレイン領域として働く。

容量部Ｃ_Sを構成する一方の電極と他方の電極は、それぞれ、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域とゲート電極に接続されている。駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域は、発光部ＥＬＰのアノード電極に接続されている。

発光部ＥＬＰは、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の発光部であって、具体的には、有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る。発光部ＥＬＰは、第１電極（アノード電極）、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び、第２電極（カソード電極）等から成る周知の構成や構造を有する。

発光部ＥＬＰの他端（具体的には、第２電極）は、共通給電線に接続されている。共通給電線には所定の電圧Ｖ_CATH（例えば接地電位）が供給される。尚、発光部ＥＬＰの容量を符号Ｃ_ELで表す。発光部ＥＬＰの容量Ｃ_ELが小さくて画素７０を駆動する上で支障を生ずるなどといった場合には、必要に応じて、発光部ＥＬＰに対して並列に接続される補助容量を設ければよい。

書込みトランジスタＴＲ_Wは、走査線ＷＳに接続されるゲート電極と、データ線ＤＴＬに接続される一方のソース／ドレイン領域と、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に接続される他方のソース／ドレイン領域とを有する。結果として、データ線ＤＴＬからの信号電圧は、書込みトランジスタＴＲ_Wを介して容量部Ｃ_Sに書き込まれる。

上述したように、容量部Ｃ_Sは、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域とゲート電極との間に接続されている。駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域には電源部１３０から給電線ＰＳ１_mを介して電源電圧Ｖ_CCが印加される。データ線ＤＴＬからの映像信号電圧Ｖ_Sigが書込みトランジスタＴＲ_Wを介して容量部Ｃ_Sに書き込まれると、容量部Ｃ_Sは（Ｖ_CC－Ｖ_Sig）といった電圧を、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート・ソース間電圧として保持する。駆動トランジスタＴＲ_Dには、以下の式（１）で表すドレイン電流Ｉ_dsが流れ、発光部ＥＬＰは電流値に応じた輝度で発光する。

Ｉ_ds＝ｋ・μ・（（Ｖ_CC－Ｖ_Sig）－｜Ｖ_th｜）² （１）
尚、
μ ：実効的な移動度
Ｌ ：チャネル長
Ｗ ：チャネル幅
Ｖ_th：閾値電圧
Ｃ_ox：（ゲート絶縁層の比誘電率）×（真空の誘電率）／（ゲート絶縁層の厚さ）
ｋ≡（１／２）・（Ｗ／Ｌ）・Ｃ_ox
とする。

尚、上述した駆動回路７１の構成は一例に過ぎない。実際には、駆動回路は種々の構成をとり得る。

以上、画素の回路構成について説明した。引き続き、画素を構成する各種構成要素の立体的な配置関係について説明する。図３は、画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。

画素７０は基板１０上に形成されている。上述した駆動回路７１を構成するトランジスタは、基板１０に設けられたｎチャネル型ウエル内に設けられている。尚、図示の都合上、図３にあっては、基板１０に設けられたトランジスタを模式的に記した。他の図面においても同様である。

基板１０の上には、複数の絶縁層、各種配線、及び、絶縁層を介して配置された配線や電極などの間を接続するビアから成る配線層２０が形成されている。符号２１、符号２４、符号２７は絶縁層を示し、符号２３、符号２６は配線や電極を示し、符号２２、符号２５、符号２８はビアを示す。

画素７０は、第１電極３０と有機層４１と第２電極４２とが積層されて成る。有機層４１は、例えば、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層などが積層されて成る。図示の都合上、図面においては、有機層４１を１層で表した。

第１電極３０は画素７０ごとに配置されていると共に、基板１０上に設けられた絶縁層２７上に形成された導電性の光反射膜３１と、光反射膜３１上に形成された透明電極３３とを含んでいる。光反射膜３１はアルミニウム、透明電極３３はＩＴＯから成る。

光反射膜３１をアルミニウムから構成する場合、その表面に形成される絶縁性の酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）による導通性の悪化が問題となる。光反射膜３１と透明電極３３とが積層された構成にあっては、通常、それらの間でのコンタクト抵抗はｋΩオーダーといった値となる。このため、表示装置１にあっては、光反射膜３１の側壁面側に、透明電極３３と導通する導通部３２が設けられている。

導通部３２は、光反射膜３１の側壁面の少なくとも一部を覆うように設けられている。表示装置１において、導通部３２は、光反射膜３１の側壁面の全周に設けられており、また、光反射膜３１の側壁面の高さと同じ高さで形成されている。

隣接する第１電極３０の間には隔壁部４０が形成されている。隔壁部４０は、酸化膜、酸化窒化膜、及び、絶縁性のあるポリイミド膜などの単膜、あるいは、それらの積層膜から構成されている。

第１電極３０を構成する透明電極３３の上面の一部は隔壁部４０によって覆われている。具体的には、透明電極３３の上面の周辺部は隔壁部４０によって環状に覆われている。隣接する第１電極の間に配置される隔壁部、第１電極に含まれる光反射膜、及び、導通部の配置関係を、図４Ａ、図４Ｂ、及び、図４Ｃ示す。

導通部３２は、光反射膜３１を構成する材料とは異なる導電材料から成る。導通部３２は、還元性を示す導電材料から形成されていることが好ましく、チタン、チタン窒化物、又は、タングステンなどを用いて形成することができる。

図３に示すように、光反射膜３１下に位置する絶縁層２７の部分には、光反射膜３１と導通するビア２８が形成されており、第１電極３０には、ビア２８を介して電圧が印加される。より具体的には、ビア２８からの電圧は、光反射膜３１と導通部３２とを介して透明電極３３に供給される。

第１電極３０上および隔壁部４０上を含む全面に、有機層４１が形成されており、その上に、共通の電極として第２電極４２が形成されている。第２電極４２の上には、保護膜５０、カラーフィルタ５１、レンズ５２が配置されている。更に、封止樹脂５３を介して、例えばガラス等から成る対向基板６０が配置されている。

有機層４１による発光には、対向基板６０側に向かう成分と、第１電極３０側に向かう成分とが含まれる。表示装置１にあっては、第１電極３０側に向かう光は光反射膜３１によって反射され、基板６０側に向かう。従って、有機層４１から第１電極３０側に向かう光も画像の表示に寄与するので、高輝度化を図ることができる。

そして、表示装置１にあっては、光反射膜３１下に位置する絶縁層２７の部分にビア２８が形成されており、第１電極には、ビアを介して電圧が印加される。したがって、第１電極と配線とを第１電極とは別の領域で接続するといった構成と比較して、画素ピッチが拡大するといったことがない。また、画素における発光領域が占める割合も低下しないので、画素サイズの更なる微細化や高輝度化といった要求にも応えることができる。

以上、画素を構成する各種構成要素の立体的な配置関係について説明した。引き続き、基板などの模式的な一部端面図である図５Ａ、図５Ｂ、図６Ａ、図６Ｂ、図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ、図８Ｂ、図９Ａ、図９Ｂ、図１０Ａ、図１０Ｂ、図１１Ａ、図１１Ｂ、及び、図１２を参照して、表示装置１の製造方法について説明する。

表示装置１の製造方法は、
画素が配置される絶縁層の部分にビアを形成する工程、
ビアを含む絶縁層上に導電性の光反射膜を形成する工程、及び、
光反射膜上に透明電極を形成する工程、
を含んでおり、
光反射膜の側壁面側に透明電極と導通する導通部を設ける工程を更に含む。以下、詳しく説明する。

［工程－１００］
先ず、基板１０に、画素７０に用いられるトランジスタを形成する（図５Ａ参照）。例えば、シリコン等の半導体材料から成る基板１０に設けられたウエルにトランジスタ等を適宜形成する。次いで、画素の駆動に必要な配線層２０を形成する（図５Ｂ参照）。符号２３，２６などに示す各種配線は、例えばアルミニウム（Ａｌ）などの材料を用いて、リソグラフィー技術によって形成することができ、符号２２，２５，２８などに示すビアは、タングステン（Ｗ）などの材料を用いて形成することができる。ビア２８は、画素が配置される絶縁層２７の部分に形成される。

［工程－１１０］
次いで、ビア２８を含む絶縁層２７上に光反射膜３１を形成する。先ず、ビア２８を含む絶縁層２７上の全面に、光反射膜３１を構成する金属材料層３１’を形成する。ここでは、金属材料層３１’として膜厚１００ナノメートルのアルミニウム層を成膜した（図６Ａ参照）。その後、リソグラフィーとエッチングなどによる周知のパターニング技術を用いて、金属材料層３１’をパターニングし、画素が配置されるべき部分に光反射膜３１を形成する（図６Ｂ参照）。

［工程－１２０］
次いで、光反射膜３１の側壁面側に透明電極と導通する導通部を設ける。先ず、光反射膜３１上を含む全面に、導通部３２を構成する導電材料層３２’を形成する（図７Ａ参照）。ここでは、導電材料層３２’として膜厚５０ナノメートルのチタン窒化物を成膜した。表示装置の仕様にもよるが、導電材料層３２’の膜厚は３０ないし２００ナノメートル程度とすることが好ましい。引き続き、ドライエッチングを用いて全面にエッチバック処理を施し、光反射膜３１の側壁部分に導通部３２を形成する（図７Ｂ参照）。還元性がある導電材料を形成する事によって、第１電極３０を形成する透明電極３３とのコンタクト抵抗を下げることができる。

［工程－１３０］
その後、光反射膜３１上に透明電極３３を形成する。先ず、光反射膜３１上を含む全面に、透明電極３３を構成する透明導電材料層３３’を形成する（図８Ａ参照）。ここでは、透明導電材料層３３’として、膜厚２０ナノメートルのＩＴＯ膜を成膜した。表示装置の仕様にもよるが、透過率等の観点からは、透明導電材料層３３’の膜厚は５ないし５０ナノメートル程度とすることが好ましい。引き続き、リソグラフィーとエッチングなどによる周知のパターニング技術を用いて透明導電材料層３３’をパターニングし、光反射膜３１と導通部３２とを覆う透明電極３３を形成する（図８Ｂ参照）。以上の工程によって、第１電極３０を形成することができる。

［工程－１４０］
次いで、隣接する第１電極３０の間に隔壁部４０を形成する。先ず、第１電極３０上を含む全面に、隔壁部４０を構成する絶縁材料層４０’を形成する（図９Ａ参照）。ここでは、絶縁材料層４０’として、膜厚１００ナノメートルのＳｉＮ_x膜を成膜した。引き続き、リソグラフィーとエッチングなどによる周知のパターニング技術を用いて絶縁材料層４０’をパターニングし、第１電極３０の上面を露出させることによって隔壁部４０を形成することができる（図９Ｂ参照）。隔壁部４０を形成することによって、隣接する第１電極３０間の絶縁性を向上させることができる。

尚、図に示す例では、隔壁部４０は第１電極３０よりも厚さが薄く形成されている。また、透明電極３３の上面の周辺部は隔壁部４０によって環状に覆われているとした。透明電極３３の上面の周辺部を覆う構成とすることで加工上の許容度を拡大することができる。

隔壁部４０の構造はこれに限るものではなく、例えば、隔壁部４０は第１電極３０よりと同じ厚さである構成（図１０Ａや図１０Ｂ参照）、隔壁部４０は第１電極３０より薄い構成（図１１Ａ参照）、隔壁部４０は第１電極３０より厚い構成（図１１Ｂ参照）とすることもできる。

［工程－１５０］
その後、第１電極３０上および隔壁部４０上を含む全面に、発光層を含む有機層４１を成膜し、次いで、有機層４１上に第２電極４２を形成する（図１２参照）。有機層４１は、例えば、第１電極３０側から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層を順次積層することによって形成することができる。

有機層４１の発光層は、例えば白色発光用の発光層として形成することができる。この場合、カラーフィルタとの組み合わせによってカラー表示を行うことができる。白色発光層は、例えば、赤色発光層、発光分離層、青色発光層、緑色発光層を順次積層することによって形成することができる。あるいは又、青色発光層および黄色発光層を含む積層構造や、青色発光層および橙色発光層を含む積層構造を有する形態とすることもできる。これらは、全体として白色を発光する。有機層を構成する材料は特に限定するものではなく、周知の材料を用いて構成することができる。

［工程－１６０］
次いで、第２電極４２上に、保護膜５０、カラーフィルタ５１、レンズ５２を順次形成する。その後、封止樹脂５３を介して対向基板６０を貼り合わせる（図３参照）。以上の工程によって、表示装置１を得ることができる。

第１の実施形態については、種々の変形が可能である。以下、第１の実施形態の変形例について説明する。

図１３は、第１変形例に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。第１変形例に係る表示装置の概念図は、図１において表示装置１を表示装置１Ａと読み替えればよい。後述する他の変形例や他の実施形態においても同様に適宜読み替えをすればよい。

表示装置１において、導通部３２は、光反射膜３１の側壁面の全周に設けられており、また、光反射膜３１の側壁面の高さと同じ高さで形成されていた（図３参照）。導通を確保するといった観点からは、導通部は、光反射膜３１の側壁面の少なくとも一部を覆うように設けられていれば足りる。第１変形例に係る表示装置１Ａにあっては、第１電極３０Ａにおいて、光反射膜３１の側壁下部のみに導通部３２Ａが設けられているといった構成である（図１３参照）。

以下、図を参照して、表示装置１Ａの製造方法について説明する。

［工程－１００Ａ］
上述した［工程－１００］および［工程－１１０］を行い、画素が配置されるべき部分に光反射膜３１を形成する（図６Ｂ参照）。

［工程－１１０Ａ］
次いで、光反射膜３１の側壁面側に透明電極と導通する導通部を設ける。先ず、光反射膜３１上を含む全面に、導通部３２を構成する導電材料層３２’を形成する（図１４Ａ参照）。ここでは、導電材料層３２’として膜厚５０ナノメートルのチタン窒化物を成膜した。引き続き、ドライエッチングを用いて全面にエッチバック処理を施し、光反射膜３１の側壁部分に導通部３２Ａを形成する。このとき、エッチバック量を調整して、光反射膜３１の側壁下部のみに導通部３２Ａを設ける。

［工程－１２０Ａ］
その後、上述した［工程－１３０］ないし［工程－１６０］を行うことによって、表示装置１Ａを得ることができる。

以上、第１変形例について説明した。引き続き、第２変形例について説明する。

図１５は、第２変形例に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。

表示装置１において、透明電極は光反射膜上に直接形成されていた。光反射膜を構成する導電材料の種類にもよるが、通常、導電材料の表面に対して絶縁膜の表面は平坦性に優れている。第２変形例に係る表示装置１Ｂにあっては、第１電極３０Ｂにおいて、透明電極３３は光反射膜３１上に設けられた絶縁膜３４の上に形成されている。これによって、画素の透過率の更なる向上を図ることができる。

以下、図を参照して、表示装置１Ｂの製造方法について説明する。

［工程－１００Ｂ］
上述した［工程－１００］を行い、基板１０に、画素７０に用いられるトランジスタを形成すると共に、画素の駆動に必要な配線層２０を形成する（図５Ｂ参照）。

［工程－１１０Ｂ］
次いで、ビア２８を含む絶縁層２７上に光反射膜３１を形成する。先ず、ビア２８を含む絶縁層２７上の全面に、光反射膜３１を構成する金属材料層３１’を形成する。ここでは、金属材料層３１’として膜厚１００ナノメートルのアルミニウム層を成膜した（図１６Ａ参照）。引き続き、金属材料層３１’上の全面に絶縁材料層３４’を形成する。ここでは、絶縁材料層３４’として膜厚２０ナノメートルのシリコン酸化物層を成膜した（図１６Ｂ参照）。その後、リソグラフィーとエッチングなどによる周知のパターニング技術を用いて、金属材料層３１’と絶縁材料層３４’とをパターニングする（図は省略）。

［工程－１２０Ｂ］
その後、上述した［工程－１２０］ないし［工程－１６０］を行うことによって、表示装置１Ｂを得ることができる。

以上、第２変形例について説明した。引き続き、第３変形例について説明する。

図１７は、第３変形例に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。

表示装置１において、導通部は、光反射膜の側壁面を覆うように設けられていた。これに対し、第３変形例の表示装置１Ｃにおいて、導通部３２Ｃは、光反射膜３１と絶縁層２７との間に設けられた導電材料層から成る。

以下、図を参照して、表示装置１Ｃの製造方法について説明する。

［工程－１００Ｃ］
上述した［工程－１００］を行い、基板１０に、画素７０に用いられるトランジスタを形成すると共に、画素の駆動に必要な配線層２０を形成する（図５Ｂ参照）。

［工程－１１０Ｃ］
次いで、ビア２８を含む絶縁層２７上に、導通部３２Ｃを構成する導電材料層３２Ｃ’を形成する。ここでは、導電材料層３２Ｃをチタン窒化物（上層側：２０ナノメートル）／チタン（下層側：１０ナノメートル）の積層構造として形成した。引き続き、前面に、金属材料層３１’として膜厚７０ナノメートルのアルミニウム層を成膜した（図１８Ａ参照）。導電材料層３２Ｃ’上にアルミニウムを形成するので、Ａｌ結晶の配向性が向上し、金属材料層３１’の表面形状の凹凸が低減される。

その後、リソグラフィーとエッチングなどによる周知のパターニング技術を用いて、導電材料層３２Ｃ’と金属材料層３１’とをパターニングし、画素が配置されるべき部分に光反射膜３１を形成する（図１８Ｂ参照）。パターニング加工する際、導通部３２Ｃが光反射膜３１に対して、横方向に突き出す様に加工する。画素ピッチの設定などにもよるが、突き出し量は１００ナノメートル以下とすることが好ましい。

［工程－１２０Ｃ］
次いで、上述した［工程－１３０］を行い、光反射膜３１上に透明電極３３を形成する（図１９Ａ，図１９Ｂ参照）。透明電極３３を、導通部３２Ｃと光反射膜３１とを覆うように形成することによって、導通部３２Ｃを介して、光反射膜３１と透明電極３３とが好適に電気的に接続される。

［工程－１３０Ｃ］
その後、上述した［工程－１４０］ないし［工程－１６０］を行うことによって、表示装置１Ｃを得ることができる。

以上、第３変形例について説明した。引き続き、第４変形例について説明する。

図２０は、第４変形例に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。

表示装置１において、第１電極は、平坦な絶縁層２７上に形成されている。これに対し、第４変形例の表示装置１Ｄにあっては、第１電極３０Ｄは絶縁層４０に所定パターンで選択的に埋め込まれたダマシン構造を有する。

以下、図を参照して、表示装置１Ｄの製造方法について説明する。

［工程－１００Ｄ］
上述した［工程－１００］を行い、基板１０に、画素７０に用いられるトランジスタを形成すると共に、画素の駆動に必要な配線層２０を形成する（図５Ｂ参照）。

［工程－１１０Ｄ］
次いで、ビア２８を含む絶縁層２７上の全面に絶縁層４０を成膜する。絶縁層４０の厚さは１２０ナノメートルとした。引き続き、リソグラフィーとエッチングなどによる周知のパターニング技術を用いて、底部にビア２８が露出するように開口ＯＰを形成する（図２１参照）。

［工程－１２０Ｄ］
その後、例えばＩＴＯから成る透明導電材料層３３Ｄａ’、チタン窒化物から成る導電材料層３２Ｄ’、アルミニウムから成る金属材料層３１’を順次積層する（図２２参照）。次いで、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polish）を用いて、絶縁層４０上の不要な透明導電材料層３３Ｄａ’、導電材料層３２Ｄ’、金属材料層３１’を除去する（図２３参照）。

［工程－１３０Ｄ］
その後、全面に、例えばＩＴＯから成る透明導電材料層３３Ｄｂ’を成膜する（図２４参照）。引き続き、リソグラフィーとエッチングなどによる周知のパターニング技術を用いて、光反射膜３１上に設けられた透明電極３３Ｄｂを形成する（図２５参照）。

［工程－１４０Ｄ］
その後、上述した［工程－１５０］ないし［工程－１６０］を行うことによって、表示装置１Ｄを得ることができる。

第４変形例にあっては、光反射膜３１の側壁部分に加え、更にその底面においても透明電極との導通が確保できる。このため、安定したコンタクト抵抗を確保することができる。

以上、第４変形例について説明した。引き続き、第５変形例について説明する。

図２６は、第５変形例に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。

第５変形例の表示装置１Ｅにおいても、第１電極３０Ｅは絶縁層４０に所定パターンで選択的に埋め込まれたダマシン構造を有する。但し、ビア２８と光反射膜３１とは直接に接する構造である。

以下、図を参照して、表示装置１Ｅの製造方法について説明する。

［工程－１００Ｅ］
上述した［工程－１００Ｄ］および［工程－１１０Ｄ］を行い、ビア２８を含む絶縁層２７上の全面に絶縁層４０を成膜すると共に、底部にビア２８が露出するように開口ＯＰを形成する（図２１参照）。

［工程－１１０Ｅ］
その後、例えばＩＴＯから成る透明導電材料層３３Ｅａ’、チタン窒化物から成る導電材料層３２Ｅ’を順次積層する（図２７）。次いで、リソグラフィーとエッチングなどによる周知のパターニング技術を用いてエッチバックを行い、開口ＯＰの側壁部分にのみ透明導電材料層３３Ｅａ’とチタン窒化物から成る導電材料層３２Ｅ’を残す（図２８参照）。

［工程－１２０Ｅ］
その後、アルミニウムから成る金属材料層３１’を積層する（図２９参照）。次いで、例えばＣＭＰを用いて、絶縁層４０上の不要な金属材料層３１’を除去する（図３０参照）。

［工程－１３０Ｅ］
その後、全面に、例えばＩＴＯから成る透明導電材料層３３Ｅｂ’を成膜する。引き続き、リソグラフィーとエッチングなどによる周知のパターニング技術を用いて、光反射膜３１上に設けられた透明電極３３Ｅｂを形成する。このプロセスは、図２４および図２５と基本的に同じであるので、図を省略する。

［工程－１４０Ｅ］
その後、上述した［工程－１５０］ないし［工程－１６０］を行うことによって、表示装置１Ｅを得ることができる。

以上、第５変形例について説明した。引き続き、第６変形例について説明する。

図３１は、第６変形例に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。

第６変形例の表示装置１Ｆにおいても、第１電極３０Ｆは絶縁層４０に所定パターンで選択的に埋め込まれたダマシン構造を有する。そして、絶縁層４０に薄膜化が施されることによって、第１電極３０Ｆの側壁において光反射膜３１と透明電極３３Ｆとが良好に接続される構造である。

以下、図を参照して、表示装置１Ｆの製造方法について説明する。

［工程－１００Ｆ］
上述した［工程－１００Ｄ］および［工程－１１０Ｄ］を行い、ビア２８を含む絶縁層２７上の全面に絶縁層４０を成膜すると共に、底部にビア２８が露出するように開口ＯＰを形成する（図２１参照）。

［工程－１１０Ｆ］
その後、例えばチタン窒化物から成る導電材料層３２Ｆ’アルミニウムから成る金属材料層３１’を順次積層する（図３２参照）。次いで、例えばＣＭＰを用いて、絶縁層４０上の不要な金属材料層３１’を除去する（図３３Ａ参照）。

［工程－１２０Ｆ］
その後、ドライエッチング処理を施し、絶縁層４０について薄膜化を施す。これによって、光反射膜３１の側壁に導通部３２Ｆが露出する（図３３Ｂ参照）。薄膜化の程度は、光反射膜３１などの厚さに応じて適宜設定すればよい。

［工程－１３０Ｆ］
次いで、例えばＩＴＯから成る透明導電材料層３３Ｆ’を成膜する（図３４Ａ参照）。引き続き、リソグラフィーとエッチングなどによる周知のパターニング技術を用いて、光反射膜３１上に設けられた透明電極３３Ｆを形成する（図３４Ｂ参照）。

［工程－１４０Ｆ］
その後、上述した［工程－１５０］ないし［工程－１６０］を行うことによって、表示装置１Ｆを得ることができる。

以上、第６変形例について説明した。上述した各種の変形例を含む第１の実施形態においては、光反射膜の側壁面側に、透明電極と導通する導通部が設けられている。これによって、光反射膜と透明電極との間に良好な導通を確保することができる。そして、光反射膜に接続されるビアを介して、第１電極に電圧を良好に供給することができる。

［第２の実施形態］
第２の実施形態も、本開示に係る、表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器に関する。

図３５は、第２の実施形態に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。

第１の実施形態にあっては、光反射膜の側壁面側に、透明電極と導通する導通部が設けられている。これに対し、第２の実施形態に係る表示装置２Ａにあっては、透明電極３３側に位置する光反射膜３１の上面に、透明電極３３と導通する導通部２３２が設けられている。また、後述するように、隣接する第１電極２３３の間には隔壁部４０が形成されていると共に、第１電極２３３を構成する透明電極３３の上面の一部は隔壁部４０によって覆われている。そして、導通部２３２は、透明電極３３が隔壁部４０によって覆われている領域に重なるように配置されている。

表示装置２の製造方法は、
画素が配置される絶縁層の部分にビアを形成する工程、
ビアを含む絶縁層上に導電性の光反射膜を形成する工程、及び、
光反射膜上に透明電極を形成する工程、
を含んでおり、
光反射膜における透明電極側の面に透明電極と導通する導通部を設ける工程を更に含む。

以下、図を参照して、表示装置２の製造方法について説明する。

［工程－２００］
上述した［工程－１００］および［工程－１１０］を行い、画素が配置されるべき部分に光反射膜３１を形成する（図３６Ａ参照）。

［工程－２１０］
次いで、透明電極側に位置する光反射膜３１の上面に導通部２３２を設ける。先ず、光反射膜３１上を含む全面に、導通部２３２を構成する導電材料層２３２’を形成する（図３６Ｂ参照）。ここでは、導電材料層２３２’として膜厚５０ナノメートルのチタン窒化物を成膜した。

［工程－２２０］
次いで、導電材料層２３２’上の所定の部分にマスクＭＳＫを形成する（図３７Ａ参照）。マスクＭＳＫは、光反射膜３１の上面と側壁の部分とに位置する導電材料層２３２’を残すように形成されている。そして、エッチングなどによる周知のパターニングを施し、導通部２３２を形成する（図３７Ｂ参照）。ここでは、導通部２３２が光反射膜３１の上面の端から１００ナノメートルの幅で残るように形成した。

［工程－２３０］
その後、全面に、例えばＩＴＯから成る透明導電材料層３３’を成膜する（図３７Ａ参照）。引き続き、リソグラフィーとエッチングなどによる周知のパターニング技術を用いて、光反射膜３１上に設けられた透明電極３３を形成することによって、第１電極２３０を得る（図３８Ｂ参照）。透明電極３３を、導通部２３２と光反射膜３１とを覆うように形成することによって、導通部２３２を介して、光反射膜３１と透明電極３３とが好適に電気的に接続される。

［工程－２４０］
次いで、隣接する第１電極２３０の間に隔壁部４０を形成する。先ず、第１電極２３０上を含む全面に、隔壁部４０を構成する絶縁材料層４０’を形成する（図３９Ａ参照）。ここでは、絶縁材料層４０’として、膜厚１００ナノメートルのＳｉＮ_x膜を成膜した。引き続き、リソグラフィーとエッチングなどによる周知のパターニング技術を用いて絶縁材料層４０’をパターニングし、第１電極２３０の上面を露出させることによって隔壁部４０を形成することができる（図３９Ｂ参照）。

尚、隔壁部４０の開口部分は光反射膜３１の端部から１００ナノメートル内側とした。即ち、光反射膜３１上に隔壁部４０が１００ナノメートルオーバーラップする。したがって、導通部２３２は隔壁部４０によって覆われている。

図４０Ａ、図４０Ｂ、及び、図４０Ｃは、隣接する第１電極の間に配置される隔壁部、第１電極に含まれる光反射膜、及び、導通部の配置関係を説明するための模式的な平面図である。図に示すように、透明電極３３の上面の周辺部は隔壁部４０によって環状に覆われている。そして、導通部２３２は、透明電極３３の上面の周辺部を囲むように、連続した環状に配置されている。

隔壁部４０が開口している部分で有機層が発光する。従って、隔壁部４０の下部に導通部２３２が存在しても、有機層の発光特性や光反射層の機能に特段悪影響を与えることがない。

［工程－２５０］
その後、上述した［工程－１５０］ないし［工程－１６０］を行うことによって、表示装置２を得ることができる。

第２の実施形態についても、種々の変形が可能である。以下、第２の実施形態の変形例について説明する。

図４１は、第１変形例に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。

上述した表示装置２にあっては、光反射膜３１の上面と側壁の部分の導電材料層２３２’を残すようにして導通部２３２を形成した。これに対し、第１変形例に係る表示装置２Ａにあっては、光反射膜３１の上面にのみ導通部２３２Ａが形成されていることが主に相違する。

以下、図を参照して、表示装置２Ａの製造方法について説明する。

［工程－２００Ａ］
先ず、上述した［工程－２００］と同様に、画素が配置されるべき部分に光反射膜３１を形成する（図３６Ａ参照）。

［工程－２１０Ａ］
次いで、透明電極側に位置する光反射膜３１の上面に導通部２３２Ａを設ける。先ず、光反射膜３１上を含む全面に、導通部２３２Ａを構成する導電材料層２３２’を形成する。このプロセスは、図３６Ｂと基本的に同じであるので、図は省略した。次いで、導電材料層２３２’上の所定の部分にマスクＭＳＫを形成する（図４２Ａ参照）。マスクＭＳＫは、光反射膜３１の上面の導電材料層２３２’を残すように形成されている。そして、エッチングなどによる周知のパターニングを施し、導通部２３２Ａを形成する（図４２Ｂ参照）。

［工程－２２０Ａ］
その後、上述した［工程－２３０］ないし［工程－２５０］を行うことによって、表示装置２Ａを得ることができる。

表示装置２Ａにおいても、導通部２３２Ａは隔壁部４０によって覆われるように構成されている。

図４３Ａ、図４３Ｂ、及び、図４３Ｃは、隣接する第１電極の間に配置される隔壁部、第１電極に含まれる光反射膜、及び、導通部の配置関係を説明するための模式的な平面図である。図に示すように、透明電極３３の上面の周辺部は隔壁部４０によって環状に覆われている。そして、導通部２３２Ａは、透明電極３３の上面の周辺部に沿って、連続した環状に配置されている。尚、導通部２３２Ａは、離散的に配置されていてもよい。このような場合の配置関係を、図４４Ａ、図４４Ｂ、及び、図４４Ｃに示す。

［第３の実施形態］
第３の実施形態も、本開示に係る、表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器に関する。

図４５は、第３の実施形態に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。

第１の実施形態や第２の実施形態にあっては、光反射膜に、透明電極と導通する導通部が設けられていた。これに対し、第３の実施形態に係る表示装置３において、第１電極３３０を形成する光反射膜３３１は少なくともニッケルがドープされているアルミニウム系金属材料から構成されている。これによって、光反射膜の表面に絶縁性の酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）が形成され難くなる。よって、光反射膜３３１と、その上に形成される透明電極３３との間で良好な導通を確保することができる。

表示装置２の製造方法は、
画素が配置される絶縁層の部分にビアを形成する工程、
ビアを含む絶縁層上に導電性の光反射膜を形成する工程、及び、
光反射膜上に透明電極を形成する工程、
を含んでおり、更に、少なくともニッケルがドープされているアルミニウム系金属材料を用いて光反射膜を形成する。

以下、図を参照して、表示装置３の製造方法について説明する。

［工程－３００］
上述した［工程－１００］を行い、基板１０に、画素７０に用いられるトランジスタを形成し、次いで、画素の駆動に必要な配線層２０を形成する（図５Ｂ参照）。

［工程－３１０］
次いで、ビア２８を含む絶縁層２７上に光反射膜３３１を形成する。先ず、ビア２８を含む絶縁層２７上の全面に、光反射膜３３１を構成する金属材料層３３１’を形成する。ここでは、金属材料層３１’として、例えばニッケルとホウ素がドープされたアルミニウム系金属材料を用いて、膜厚１００ナノメートルの層を成膜した（図４６Ａ参照）。その後、リソグラフィーとエッチングなどによる周知のパターニング技術を用いて、金属材料層３３１’をパターニングし、画素が配置されるべき部分に光反射膜３３１を形成する（図４６Ｂ参照）。

この一連の工程内において、例えば２００°Ｃを超える熱履歴を加える。一例として、３００°Ｃで１０分間のアニール処理、あるいは又、パターニングの際のアッシング処理を３００°Ｃ以上で行っても良い。これらの熱処理によって、光反射膜３３１にはＡｌ₃Ｎｉが生成される。Ａｌ₃Ｎｉは酸化されにくいので、結果として、光反射膜３３１の表面に絶縁性の酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）が形成され難くなる。

［工程－３２０］
その後、光反射膜３３１上に透明電極３３を形成する。先ず、光反射膜３３１上を含む全面に、透明電極３３を構成する透明導電材料層３３’を形成する（図４７Ａ参照）。ここでは、透明導電材料層３３’として、膜厚２０ナノメートルのＩＴＯ膜を成膜した。引き続き、リソグラフィーとエッチングなどによる周知のパターニング技術を用いて透明導電材料層３３’をパターニングし、光反射膜３３１を覆う透明電極３３を形成する（図４７Ｂ参照）。以上の工程によって、第１電極３３０を形成することができる。

［工程－３３０］
その後、上述した［工程－１４０］ないし［工程－１６０］を行うことによって、表示装置３を得ることができる。

第３の実施形態についても、種々の変形が可能である。以下、第３の実施形態の変形例について説明する。

図４８は、第１変形例に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。

表示装置３において、透明電極は光反射膜上に直接形成されていた。光反射膜を構成する導電材料の種類にもよるが、通常、導電材料の表面に対して絶縁膜の表面は平坦性に優れている。第１変形例に係る表示装置３Ａにあっては、第１電極３３０Ａにおいて、透明電極３３は光反射膜３３１上に設けられた絶縁膜３３４Ａの上に形成されている。これによって、画素の透過率の更なる向上を図ることができる。

以下、図を参照して、表示装置３Ａの製造方法について説明する。

［工程－３００Ａ］
上述した［工程－１００］を行い、基板１０に、画素７０に用いられるトランジスタを形成し、次いで、画素の駆動に必要な配線層２０を形成する（図５Ｂ参照）。

［工程－３１０Ａ］
次いで、ビア２８を含む絶縁層２７上に光反射膜３３１を形成する。先ず、ビア２８を含む絶縁層２７上の全面に、光反射膜３３１を構成する金属材料層３３１’を形成する。ここでは、金属材料層３１’として、例えばニッケルとホウ素がドープされたアルミニウム系金属材料を用いて、膜厚１００ナノメートルの層を成膜した。引き続き、金属材料層３３１’上の全面に絶縁材料層３３４Ａ’を形成する。ここでは、絶縁材料層３３４Ａ’として膜厚２０ナノメートルのシリコン酸化物層を成膜した（図４９Ａ）。その後、リソグラフィーとエッチングなどによる周知のパターニング技術を用いて、金属材料層３３１’と絶縁材料層３３４Ａ’とをパターニングし、画素が配置されるべき部分に第１電極３３０Ａを形成する（図４６Ｂ参照）。この一連の工程内においても、例えば２００°Ｃを超える熱履歴を加える。光反射膜３３１にはＡｌ₃Ｎｉが生成される。

［工程－３２０Ａ］
次いで、上述した［工程－３２０］、及び、上述した［工程－１４０］ないし［工程－１６０］を行うことによって、表示装置３Ａを得ることができる。

以上、第１変形例について説明した。引き続き、第２変形例について説明する。

図５０は、第２変形例に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。

表示装置３において、第１電極は、平坦な絶縁層２７上に形成されている。これに対し、第２変形例の表示装置３Ｂにあっては、第１電極３３０Ｂは絶縁層４０に所定パターンで選択的に埋め込まれたダマシン構造を有する。

以下、図を参照して、表示装置３Ｂの製造方法について説明する。

［工程－３００Ｂ］
上述した［工程－１００］を行い、基板１０に、画素７０に用いられるトランジスタを形成すると共に、画素の駆動に必要な配線層２０を形成する（図５Ｂ参照）。

［工程－３１０Ｂ］
次いで、ビア２８を含む絶縁層２７上の全面に絶縁層４０を成膜する。絶縁層４０の厚さは１２０ナノメートルとした。引き続き、リソグラフィーとエッチングなどによる周知のパターニング技術を用いて、底部にビア２８が露出するように開口ＯＰを形成する（図２１参照）。

［工程－３２０Ｂ］
その後、例えばＩＴＯから成る透明導電材料層３３３Ｂａ’と光反射膜３３１を構成する金属材料層３３１’を順次積層する（図５１参照）。次いで、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polish）を用いて、絶縁層４０上の不要な透明導電材料層３３３Ｂａ’、金属材料層３３１’を除去する。引き続き、３００°Ｃで１０分間のアニール処理を施し、光反射膜３３１にＡｌ₃Ｎｉを生成させる（図５２参照）。

［工程－３３０Ｂ］
その後、全面に、例えばＩＴＯから成る透明導電材料層３３３Ｂｂ’を成膜する（図５３参照）。引き続き、リソグラフィーとエッチングなどによる周知のパターニング技術を用いて、光反射膜３３１上に設けられた透明電極３３３Ｂｂを形成する（図５４参照）。

［工程－３４０Ｂ］
その後、上述した［工程－１５０］ないし［工程－１６０］を行うことによって、表示装置３Ｂを得ることができる。

以上、第２変形例について説明した。引き続き、第３変形例について説明する。

図５５は、第３変形例に係る表示装置の画素アレイ部における画素を含む部分の模式的な一部断面図である。

第２変形例の表示装置３Ｂにあっては、第１電極３３０の下面にも透明電極３３３Ｂａが形成されていた。第３変形例の表示装置３Ｃは、表示装置３Ｂに対して、第１電極３３０の下面の透明導電膜が省かれているといった構成である。製造方法としては、図５１において透明導電材料層３３３Ｂａ’を形成する際に、第１電極下に位置する透明導電材料層３３３Ｂａ’の部分を除去する工程を加えればよい。

［電子機器の説明］
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。一例として、例えば、テレビジョンセット、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（頭部装着型ディスプレイ）等の表示部として用いることができる。

本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、デジタルスチルカメラ、及び、ヘッドマウントディスプレイを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これに限られるものではない。

（具体例１）
図５６は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図５６Ａにその正面図を示し、図５６Ｂにその背面図を示す。レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）４１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）４１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部４１３を有している。

そして、カメラ本体部４１１の背面略中央にはモニタ４１４が設けられている。モニタ４１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）４１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ４１５を覗くことによって、撮影レンズユニット４１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。

上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、そのビューファインダ４１５として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、そのビューファインダ４１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。

（具体例２）
図５７は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。ヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部５１１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部５１２を有している。このヘッドマウントディスプレイにおいて、その表示部５１１として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るヘッドマウントディスプレイは、その表示部５１１として本開示の表示装置を用いることによって作製される。

（具体例３）
図５８は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。シースルーヘッドマウントディスプレイ６１１は、本体部６１２、アーム６１３および鏡筒６１４で構成される。

本体部６１２は、アーム６１３および眼鏡６００と接続される。具体的には、本体部６１２の長辺方向の端部はアーム６１３と結合され、本体部６１２の側面の一側は接続部材を介して眼鏡６００と連結される。なお、本体部６１２は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。

本体部６１２は、シースルーヘッドマウントディスプレイ６１１の動作を制御するための制御基板や、表示部を内蔵する。アーム６１３は、本体部６１２と鏡筒６１４とを接続させ、鏡筒６１４を支える。具体的には、アーム６１３は、本体部６１２の端部および鏡筒６１４の端部とそれぞれ結合され、鏡筒６１４を固定する。また、アーム６１３は、本体部６１２から鏡筒６１４に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵する。

鏡筒６１４は、本体部６１２からアーム６１３を経由して提供される画像光を、接眼レンズを通じて、シースルーヘッドマウントディスプレイ６１１を装着するユーザの目に向かって投射する。このシースルーヘッドマウントディスプレイ６１１において、本体部６１２の表示部に、本開示の表示装置を用いることができる。

［その他］
なお、本開示の技術は以下のような構成も取ることができる。

［Ａ１］
第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る画素が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
第１電極は画素ごとに配置されていると共に、基板上に設けられた絶縁層上に形成された導電性の光反射膜と、光反射膜上に形成された透明電極とを含んでおり、
光反射膜下に位置する絶縁層の部分には、光反射膜と導通するビアが形成されており、
第１電極には、ビアを介して電圧が印加される、
表示装置。
［Ａ２］
光反射膜の側壁面側に、透明電極と導通する導通部が設けられている、
上記［Ａ１］に記載の表示装置。
［Ａ３］
導通部は、光反射膜の側壁面の少なくとも一部を覆うように設けられている、
上記［Ａ２］に記載の表示装置。
［Ａ４］
導通部は、光反射膜と絶縁層との間に設けられた導電材料層から成る、
上記［Ａ２］に記載の表示装置。
［Ａ５］
透明電極は光反射膜上に設けられた絶縁膜の上に形成されている、
上記［Ａ２］に記載の表示装置。
［Ａ６］
透明電極側に位置する光反射膜の上面に、透明電極と導通する導通部が設けられている、
上記［Ａ１］に記載の表示装置。
［Ａ７］
隣接する第１電極の間には隔壁部が形成されていると共に、第１電極を構成する透明電極の上面の一部は隔壁部によって覆われており、
導通部は、透明電極が隔壁部によって覆われている領域に重なるように配置されている、
上記［Ａ６］に記載の表示装置。
［Ａ８］
透明電極の上面の周辺部は隔壁部によって環状に覆われており、
導通部は、透明電極の上面の周辺部を囲むように配置されている、
上記［Ａ７］に記載の表示装置。
［Ａ９］
導通部は、光反射膜を構成する材料とは異なる導電材料から成る、
上記［Ａ１］ないし［Ａ８］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ１０］
導通部は、チタン、チタン窒化物、又は、タングステンから成る、
上記［Ａ９］に記載の表示装置。
［Ａ１１］
光反射膜は、少なくともニッケルがドープされているアルミニウム系金属材料から成る、
上記［Ａ１］ないし［Ａ１０］のいずれかにに記載の表示装置。
［Ａ１２］
光反射膜は、ニッケルとホウ素がドープされているアルミニウム系金属材料から成る、
上記［Ａ１１］に記載の表示装置。
［Ａ１３］
光反射膜にはアニール処理が施されている、
上記［Ａ１１］または［Ａ１２］に記載の表示装置。
［Ａ１４］
透明電極は光反射膜上に設けられた絶縁膜の上に形成されている、
上記［Ａ１１］ないし［Ａ１３］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ１５］
第１電極は絶縁層に所定パターンで選択的に埋め込まれたダマシン構造を有する、
上記［Ａ１］ないし［Ａ１４］のいずれかに記載の表示装置。

［Ｂ１］
第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る画素が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
第１電極は画素ごとに配置されていると共に、基板上に設けられた絶縁層上に形成された導電性の光反射膜と、光反射膜上に形成された透明電極とを含んでおり、
光反射膜下に位置する絶縁層の部分には、光反射膜と導通するビアが形成されており、
第１電極には、ビアを介して電圧が印加される、
表示装置を備えた電子機器。
［Ｂ２］
光反射膜の側壁面側に、透明電極と導通する導通部が設けられている、
上記［Ｂ１］に記載の電子機器。
［Ｂ３］
導通部は、光反射膜の側壁面の少なくとも一部を覆うように設けられている、
上記［Ｂ２］に記載の電子機器。
［Ｂ４］
導通部は、光反射膜と絶縁層との間に設けられた導電材料層から成る、
上記［Ｂ２］に記載の電子機器。
［Ｂ５］
透明電極は光反射膜上に設けられた絶縁膜の上に形成されている、
上記［Ｂ２］に記載の電子機器。
［Ｂ６］
透明電極側に位置する光反射膜の上面に、透明電極と導通する導通部が設けられている、
上記［Ｂ１］に記載の電子機器。
［Ｂ７］
隣接する第１電極の間には隔壁部が形成されていると共に、第１電極を構成する透明電極の上面の一部は隔壁部によって覆われており、
導通部は、透明電極が隔壁部によって覆われている領域に重なるように配置されている、
上記［Ｂ６］に記載の電子機器。
［Ｂ８］
透明電極の上面の周辺部は隔壁部によって環状に覆われており、
導通部は、透明電極の上面の周辺部を囲むように配置されている、
上記［Ｂ７］に記載の電子機器。
［Ｂ９］
導通部は、光反射膜を構成する材料とは異なる導電材料から成る、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ８］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ１０］
導通部は、チタン、チタン窒化物、又は、タングステンから成る、
上記［Ｂ９］に記載の電子機器。
［Ｂ１１］
光反射膜は、少なくともニッケルがドープされているアルミニウム系金属材料から成る、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ１０］のいずれかにに記載の電子機器。
［Ｂ１２］
光反射膜は、ニッケルとホウ素がドープされているアルミニウム系金属材料から成る、
上記［Ｂ１１］に記載の電子機器。
［Ｂ１３］
光反射膜にはアニール処理が施されている、
上記［Ｂ１１］または［Ｂ１２］に記載の電子機器。
［Ｂ１４］
透明電極は光反射膜上に設けられた絶縁膜の上に形成されている、
上記［Ｂ１１］ないし［Ｂ１３］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ１５］
第１電極は絶縁層に所定パターンで選択的に埋め込まれたダマシン構造を有する、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ１４］のいずれかに記載の電子機器。

［Ｃ１］
第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る画素が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
第１電極は画素ごとに配置されていると共に、基板上に設けられた絶縁層上に形成された導電性の光反射膜と、光反射膜上に形成された透明電極とを含んでいる、
表示装置の製造方法であって、
画素が配置される絶縁層の部分にビアを形成する工程、
ビアを含む絶縁層上に導電性の光反射膜を形成する工程、及び、
光反射膜上に透明電極を形成する工程、
を含んでいる、
表示装置の製造方法。
［Ｃ２］
光反射膜の側壁面側に透明電極と導通する導通部を設ける工程を更に含む、
上記［Ｃ１］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｃ３］
導通部は、光反射膜の側壁面の少なくとも一部を覆うように設けられている、
上記［Ｃ２］に記載の製造方法。
［Ｃ４］
導通部は、光反射膜と絶縁層との間に設けられた導電材料層から成る、
上記［Ｃ２］に記載の製造方法。
［Ｃ５］
透明電極は光反射膜上に設けられた絶縁膜の上に形成されている、
上記［Ｃ２］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｃ６］
光反射膜における透明電極側の面に透明電極と導通する導通部を設ける工程を更に含む、
上記［Ｃ１］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｃ７］
隣接する第１電極の間には隔壁部が形成されていると共に、第１電極を構成する透明電極の上面の一部は隔壁部によって覆われており、
導通部は、透明電極が隔壁部によって覆われている領域に重なるように配置されている、
上記［Ｃ６］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｃ８］
透明電極の上面の周辺部は隔壁部によって環状に覆われており、
導通部は、透明電極の上面の周辺部を囲むように配置されている、
上記［Ｃ７］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｃ９］
導通部は、光反射膜を構成する材料とは異なる導電材料から成る、
上記［Ｃ１］ないし［Ｃ８］のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
［Ｃ１０］
導通部は、チタン、チタン窒化物、又は、タングステンから成る、
上記［Ｃ９］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｃ１１］
少なくともニッケルがドープされているアルミニウム系金属材料を用いて光反射膜を形成する、
上記［Ｃ１］ないし［Ｃ１０］のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
［Ｃ１２］
光反射膜は、ニッケルとホウ素がドープされているアルミニウム系金属材料から成る、
上記［Ｃ１１］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｃ１３］
光反射膜にはアニール処理が施されている、
上記［Ｃ１１］または［Ｃ１２］に記載の表示装置の製造方法。

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，２，２Ａ，３，３Ａ，３Ｂ・・・表示装置、１０・・・基板、２０・・・配線層、２１・・・絶縁層、２２・・・ビア、２３・・・配線や電極、２４・・・絶縁層、２５・・・ビア、２６・・・配線や電極、２７・・・絶縁層、２８・・・ビア、３０，３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ，３０Ｅ，３０Ｆ，２３０，２３０Ａ，３３０，３３０Ａ，３３０Ｂ・・・第１電極（アノード電極）、３１・・・光反射膜、３２，３２Ａ，３２Ｃ，３２Ｄ，３２Ｅ，３２Ｆ，２３２，２３２Ａ・・・導通部、３３，３３Ｄａ，３３Ｄｂ，３３Ｅａ，３３Ｅｂ，３３Ｆ，３３３Ｂａ，３３３Ｂｂ・・・透明電極、３４，３３４Ａ・・・絶縁膜、４０・・・隔壁部（絶縁層）、４１・・・有機層、４２・・・第２電極（カソード電極）、５０・・・保護膜、５１・・・カラーフィルタ、５２・・・レンズ、５３・・・封止樹脂、６０・・・対向基板、１１０・・・ソースドライバ、１２０・・・垂直スキャナー、１３０・・・電源部、ＷＳ・・・走査線、ＤＴＬ・・・データ線、ＰＳ１・・・給電線、ＴＲ_W・・・書込みトランジスタ、ＴＲ_D・・・駆動トランジスタ、Ｃ_S・・・容量部、ＥＬＰ・・・有機エレクトロルミネッセンス発光部、Ｃ_EL・・・発光部ＥＬＰの容量、４１１・・・カメラ本体部、４１２・・・撮影レンズユニット、４１３・・・グリップ部、４１４・・・モニタ、４１５・・・ビューファインダ、５１１・・・眼鏡形の表示部、５１２・・・耳掛け部、６００・・・眼鏡、６１１・・・シースルーヘッドマウントディスプレイ、６１２・・・本体部、６１３・・・アーム、６１４・・・鏡筒

Claims (7)

1. 第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る画素が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
   前記第１電極は前記画素ごとに配置されていると共に、前記基板上に設けられた絶縁層上に形成された導電性の光反射膜と、前記光反射膜上に形成された透明電極とを含んでおり、
   前記光反射膜の側壁面側には、前記透明電極と導通する導通部が設けられており、
   前記光反射膜下に位置する前記絶縁層の部分には、前記光反射膜と導通するビアが形成されており、
   前記第１電極には、前記ビアを介して電圧が印加され、
   前記導通部は、チタン、チタン窒化物、又は、タングステンからなり、
   前記光反射膜は、アルミニウム系金属材料からなり、
   前記透明電極は、金属酸化物材料からなり、
   前記導通部は、前記光反射膜と前記絶縁層との間に設けられた導電材料層をさらに含み、
   前記導電材料層は、チタン窒化物とチタンの積層からなる、
   表示装置。
2. 前記光反射膜は、少なくともニッケルがドープされているアルミニウム系金属材料から成る、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記光反射膜は、ニッケルとホウ素がドープされているアルミニウム系金属材料から成る、
   請求項２に記載の表示装置。
4. 前記光反射膜にはアニール処理が施されている、
   請求項２又は３に記載の表示装置。
5. 前記第１電極は前記絶縁層に所定パターンで選択的に埋め込まれたダマシン構造を有する、
   請求項１～４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る画素が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
   前記第１電極は前記画素ごとに配置されていると共に、前記基板上に設けられた絶縁層上に形成された導電性の光反射膜と、前記光反射膜上に形成された透明電極とを含んでいる、
   表示装置の製造方法であって、
   前記画素が配置される前記絶縁層の部分にビアを形成する工程、
   前記ビアを含む前記絶縁層上に、チタン窒化物とチタンの積層を形成して、導電材料層を形成する工程、
   前記導電材料層上に、少なくともニッケルがドープされているアルミニウム系金属材料からなる前記光反射膜を形成する工程、
   前記光反射膜の側壁面側に前記透明電極と導通する、チタン、チタン窒化物、又は、タングステンからなる導通部を設ける工程、及び、
   前記光反射膜上に金属酸化物材料からなる前記透明電極を形成する工程、
   を含む、
   表示装置の製造方法。
7. 第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る画素が、基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
   前記第１電極は前記画素ごとに配置されていると共に、前記基板上に設けられた絶縁層上に形成された導電性の光反射膜と、前記光反射膜上に形成された透明電極とを含んでおり、
   前記光反射膜の側壁面側には、前記透明電極と導通する導通部が設けられており、
   前記光反射膜下に位置する前記絶縁層の部分には、前記光反射膜と導通するビアが形成されており、
   前記第１電極には、前記ビアを介して電圧が印加され、
   前記導通部は、チタン、チタン窒化物、又は、タングステンからなり、
   前記光反射膜は、アルミニウム系金属材料からなり、
   前記透明電極は、金属酸化物材料からなり、
   前記導通部は、前記光反射膜と前記絶縁層との間に設けられた導電材料層をさらに含み、
   前記導電材料層は、チタン窒化物とチタンの積層からなる、
   表示装置を備えた電子機器。

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