JP7459802B2 - スリットダイコート用剥離層形成用組成物及び剥離層 - Google Patents
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Description
1.(A)下記式(1)で表される繰り返し単位を含むポリウレア、
(B)酸化合物又はその塩、
(C)ヒドロキシアルキル基及び/又はアルコキシメチル基で置換された窒素原子を有する化合物から選ばれる架橋剤、
(D)下記式(a1)で表される繰り返し単位、下記式(b)で表される繰り返し単位及び下記式(c)で表される繰り返し単位を含む高分子添加剤、並びに
(E)20℃における蒸気圧が800Pa以下の溶剤を少なくとも1種含む溶剤
を含み、
(D)高分子添加剤が、(A)ポリウレア100質量部に対し、3~100質量部含まれる、スリットダイコート用剥離層形成用組成物。
X1は、下記式(1-1)、(1-2)、(1-3)又は(1-4)で表される基であり、
Q1は、下記式(1-5)又は(1-6)で表される基である。
2.(D)高分子添加物の式(b)で表される繰り返し単位において、RCが、炭素数2~10のヒドロキシアルキル基であって、ヒドロキシ基が結合する炭素原子が第2級炭素原子であり、かつ、式(a1)で表される繰り返し単位の含有割合が、(D)高分子添加物の全繰り返し単位中30モル%以上である1のスリットダイコート用剥離層形成用組成物。
3.X1が、式(1-3)で表される基である1又は2のスリットダイコート用剥離層形成用組成物。
4.R3が、2-プロペニル基である3のスリットダイコート用剥離層形成用組成物。
5.Q1が、式(1-5)で表される基である1~4のいずれかのスリットダイコート用剥離層形成用組成物。
6.(B)成分が、スルホン酸化合物又はその塩である1~5のいずれかのスリットダイコート用剥離層形成用組成物。
7.(C)架橋剤が、下記式(C-1)~(C-7)のいずれかで表される化合物である1~6のいずれかのスリットダイコート用剥離層形成用組成物。
8.(C)架橋剤の含有量が、(A)ポリウレア100質量部に対し、10~100質量部である1~7のいずれかのスリットダイコート用剥離層形成用組成物。
9.1~8のいずれかのスリットダイコート用剥離層形成用組成物から得られる剥離層。
10.9の剥離層に、波長400nmの光透過率が80%以上である樹脂層が積層された積層体。
11.1~8のいずれかのスリットダイコート用剥離層形成用組成物を基体に塗布し、剥離層を形成する工程、
前記剥離層上に、波長400nmの光透過率が80%以上である樹脂基板を形成する工程、及び
前記樹脂基板を、0.15N/25mm以下の剥離力で剥離する工程
を含む樹脂基板の製造方法。
本発明のスリットダイコート用剥離層形成用組成物は、(A)所定の繰り返し単位を含むポリウレア、(B)酸化合物又はその塩、(C)ヒドロキシアルキル基及び/又はアルコキシメチル基で置換された窒素原子を有する化合物から選ばれる架橋剤、(D)所定の繰り返し単位を含む高分子添加剤、並びに(E)溶剤を含むものである。
本発明の剥離層形成用組成物は、(B)成分として酸化合物又はその塩を含む。前記酸化合物としては、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウム-p-トルエンスルホネート、サリチル酸、カンファースルホン酸、スルホサリチル酸、4-クロロベンゼンスルホン酸、4-ヒドロキシベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、1-ナフタレンスルホン酸等のスルホン酸化合物や、サリチル酸、スルホサリチル酸、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸等のカルボン酸化合物が挙げられる。また、前記酸化合物の塩としては、前記酸のピリジニウム塩、イソプロパノールアミン塩、N-メチルモルホリン塩等が挙げられ、具体的には、p-トルエンスルホン酸ピリジニウム、1-ナフタレンスルホン酸ピリジニウム、イソプロパノールアミンp-トルエンスルホン酸塩、N-メチルモルホリンp-トルエンスルホン酸塩等が挙げられる。
本発明の剥離層形成用組成物は、(C)成分として架橋剤を含む。前記架橋剤は、ヒドロキシアルキル基及び/又はアルコキシメチル基で置換された窒素原子を有する化合物から選択されるものである。
本発明の剥離層形成用組成物は、(D)成分として、下記式(a1)で表される繰り返し単位、下記式(b)で表される繰り返し単位及び下記式(c)で表される繰り返し単位を含む高分子添加剤を含む。
本発明の剥離層形成用組成物は、(E)成分として溶剤を含む。前記溶剤としては、炭素数3~20のグリコールエーテル系溶剤、炭素数3~20のエステル系溶剤、炭素数3~20のケトン系溶剤又は炭素数3~20の環状化合物系溶剤が好ましい。
本発明の剥離層形成用組成物は、必要に応じて界面活性剤を含んでもよい。界面活性剤を添加することで、基板に対する前記剥離層形成用組成物の塗布性を向上させることができる。前記界面活性剤としては、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等の公知の界面活性剤を用いることができる。
本発明のスリットダイコート用剥離層形成用組成物の調製方法は、特に限定されない。調製方法としては、例えば、溶剤に溶解した(A)成分の溶液に(B)成分、(C)成分、(D)成分及び(E)成分等を所定の割合で混合し、均一な溶液とする方法や、前記調製方法の適当な段階において、必要に応じてその他添加剤を更に添加して混合する方法が挙げられる。
本発明のスリットダイコート用剥離層形成用組成物を、スリットダイコータを用いて基体上にスリットダイコート法によって塗布した後、180~250℃で焼成する工程を含む焼成法にて、基体との優れた密着性及び樹脂基板との適度な密着性と適度な剥離性とを有する剥離層を得ることができる。
本発明の剥離層を用いたフレキシブル電子デバイスの製造方法の一例について説明する。まず、本発明のスリットダイコート用剥離層形成用組成物を用いて、前述の方法によって、ガラス基体上に剥離層を形成する。この剥離層の上に、樹脂基板を形成するための樹脂基板形成用溶液を塗布し、得られた塗膜を焼成することで、本発明の剥離層を介してガラス基体に固定された樹脂基板を形成する。
PGME:プロピレングリコールモノメチルエーテル(蒸気圧1200Pa)
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(蒸気圧500Pa)
EL:エチルラクテート(蒸気圧279Pa)
GBL:γ-ブチロラクトン(蒸気圧150Pa)
DEGEEA:ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセタート(蒸気圧6Pa)
Triglyme:トリエチレングリコールジメチルエーテル(蒸気圧120Pa)
Diglyme:ジエチレングリコールジメチルエーテル(蒸気圧330Pa)
PL-LI:1,3,4,6-テトラキス(メトキシエチル)グリコールウリル(オルネクス社製、商品名:POWDERLINK 1174)
PPTS:p-トルエンスルホン酸ピリジニウム
IBXA:メタクリル酸イソボルニル
HPMA:メタクリル酸2-ヒドロキシプロピル
ADMA:メタクリル酸2-アダマンチル
HFiPMA:メタクリル酸1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロイソプロピル
AIBN:アゾビスイソブチロニトリル
[合成例1]ポリウレア(L1)の合成
モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸(四国化成工業(株)製)100g、5,5-ジエチルバルビツール酸66.4g及びベンジルトリエチルアンモニウムクロリド4.1gをPGME682gに溶解させた後、130℃で24時間反応させ、ポリウレア(L1)を含む溶液(固形分濃度20質量%)を得た。GPC分析の結果、得られたポリウレア(L1)のMwは8,000、Mw/Mnは1.5であった。
HFiPMA4.02g、HPMA2.22g、ADMA5.00g及びAIBN0.47gをPGME49.1gに溶解し、70℃にて20時間反応させ、アクリルポリマー(S1)溶液(固形分濃度20質量%)を得た。各単位の組成比は、HFiPMA:HPMA:ADMA=30:30:40であった。GPC分析の結果、得られたアクリルポリマー(S1)のMwは5,040、Mw/Mnは1.7であった。
HFiPMA3.98g、HPMA2.43g、IBXA5.00g及びAIBN0.46gをPGME49.8gに溶解し、70℃にて20時間反応させ、アクリルポリマー(S2)溶液(固形分濃度20質量%)を得た。各単位の組成比は、HFiPMA:HPMA:IBXA=30:30:40であった。GPC分析の結果、得られたアクリルポリマー(S2)のMwは4,720、Mw/Mnは1.7であった。
[調製例1]樹脂基板形成用組成物F1の調製
四塩化炭素100gを入れたナスフラスコに、ゼオノア(登録商標)1020R(日本ゼオン(株)製シクロオレフィンポリマー)10g及びエポリード(登録商標)GT401((株)ダイセル製)3gを添加した。この溶液を、窒素雰囲気下、24時間攪拌して溶解し、樹脂基板形成用組成物F1を調製した。
[実施例1-1]剥離層形成用組成物1の調製
合成例1で得られた反応液20gに、PL-LI1.00g、PPTS0.12g、アクリルポリマー(S1)溶液1.50g及びPGMEAを加え、固形分濃度が5質量%、PGMEA濃度が30質量%となるようにPGMEで希釈し、剥離層形成用組成物1を調製した。
固形分濃度が5質量%、PGMEA濃度が70質量%となるようにした以外は、実施例1-1と同様の方法で剥離層形成用組成物2を調製した。
PGMEAのかわりにELを使用し、固形分濃度が5質量%、EL濃度が30質量%となるようにした以外は、実施例1-1と同様の方法で剥離層形成用組成物3を調製した。
PGMEAのかわりにELを使用し、固形分濃度が5質量%、EL濃度が70質量%となるようにした以外は、実施例1-1と同様の方法で剥離層形成用組成物4を調製した。
PGMEAのかわりにGBLを使用し、固形分濃度が5質量%、GBL濃度が30質量%となるようにした以外は、実施例1-1と同様の方法で剥離層形成用組成物5を調製した。
PGMEAのかわりにGBLを使用し、固形分濃度が5質量%、GBL濃度が10質量%となるようにした以外は、実施例1-1と同様の方法で剥離層形成用組成物6を調製した。
PGMEAのかわりにTriglymeを使用し、固形分濃度が5質量%、Triglyme濃度が30質量%となるようにした以外は、実施例1-1と同様の方法で剥離層形成用組成物7を調製した。
PGMEAのかわりにTriglymeを使用し、固形分濃度が5質量%、Triglyme濃度が10質量%となるようにした以外は、実施例1-1と同様の方法で剥離層形成用組成物8を調製した。
PGMEAのかわりにDiglymeを使用し、固形分濃度が5質量%、Diglyme濃度が10質量%となるようにした以外は、実施例1-1と同様の方法で剥離層形成用組成物9を調製した。
PGMEAのかわりにDEGEEAを使用し、固形分濃度が5質量%、DEGEEA濃度が30質量%となるようにした以外は、実施例1-1と同様の方法で剥離層形成用組成物10を調製した。
合成例1で得られた反応液20gに、PL-LI1.28g、PPTS0.12g、アクリルポリマー(S1)溶液6.00g及びPGMEAを加え、固形分濃度が5質量%、PGMEA濃度が30質量%となるようにPGMEで希釈し、剥離層形成用組成物11を調製した。
合成例1で得られた反応液20gに、PL-LI1.00g、PPTS0.12g、アクリルポリマー(S2)溶液1.50g及びPGMEAを加え、固形分濃度が5質量%、PGMEA濃度が30質量%となるようにPGMEで希釈し、剥離層形成用組成物12を調製した。
合成例1で得られた反応液20gに、PL-LI1.00g、PPTS0.60g、アクリルポリマー(S2)溶液1.50g及びGBLを加え、固形分濃度が5質量%、GBL濃度が30質量%となるようにPGMEで希釈し、剥離層形成用組成物13を調製した。
合成例1で得られた反応液20gに、PL-LI1.00g、PPTS0.60g、アクリルポリマー(S1)溶液1.50g及びPGMEAを加え、固形分濃度が5質量%、PGMEA濃度が30質量%となるようにPGMEで希釈し、剥離層形成用組成物14を調製した。
合成例1で得られた反応液1gに、3,3'-5,5'-テトラキス(メトキシメチル)-[1,1'-ビフェニル]-4,4'-ジオール0.06g、PPTS0.01g、アクリルポリマー(S1)溶液0.08g、及びPGMEAを加え、固形分濃度が5質量%、PGMEA濃度が30質量%となるようにPGMEで希釈し、剥離層形成用組成物15を調製した。
PGMEAのかわりにPGMEを使用し、固形分濃度が5質量%、PGME濃度が95質量%となるようにした以外は、実施例1-1と同様の方法で剥離層形成用組成物16を調製した。
[実施例2-1]
剥離層形成用組成物1を、ガラス基板(100mm×100mm、以下同様)上にスリットダイコータ((株)テクノマシーン製、製品名:卓ダイ、条件:液量7μL、ギャップ25μm、塗布速度20mm/sec)を用いて塗布した。その後、得られた塗膜を、真空デシケータ(減圧度60Pa)で5秒間で減圧度に到達させ、真空乾燥させた。次に、ホットプレートを用いて100℃で2分間加熱し、更にホットプレートを用いて230℃で10分間加熱し、ガラス基板上に厚さ約0.1μmの剥離層を形成し、剥離層付きガラス基板1を得た。
剥離層形成用組成物1のかわりに剥離層形成用組成物2を用いた以外は、実施例2-1と同様の方法で剥離層付きガラス基板2を得た。
剥離層形成用組成物1のかわりに剥離層形成用組成物3を用いた以外は、実施例2-1と同様の方法で剥離層付きガラス基板3を得た。
剥離層形成用組成物1のかわりに剥離層形成用組成物4を用いた以外は、実施例2-1と同様の方法で剥離層付きガラス基板4を得た。
剥離層形成用組成物1のかわりに剥離層形成用組成物5を用いた以外は、実施例2-1と同様の方法で剥離層付きガラス基板5を得た。
剥離層形成用組成物1のかわりに剥離層形成用組成物6を用いた以外は、実施例2-1と同様の方法で剥離層付きガラス基板6を得た。
剥離層形成用組成物1のかわりに剥離層形成用組成物7を用いた以外は、実施例2-1と同様の方法で剥離層付きガラス基板7を得た。
剥離層形成用組成物1のかわりに剥離層形成用組成物8を用いた以外は、実施例2-1と同様の方法で剥離層付きガラス基板8を得た。
剥離層形成用組成物1のかわりに剥離層形成用組成物9を用いた以外は、実施例2-1と同様の方法で剥離層付きガラス基板9を得た。
剥離層形成用組成物1のかわりに剥離層形成用組成物10を用いた以外は、実施例2-1と同様の方法で剥離層付きガラス基板10を得た。
剥離層形成用組成物1のかわりに剥離層形成用組成物11を用いた以外は、実施例2-1と同様の方法で剥離層付きガラス基板11を得た。
剥離層形成用組成物1のかわりに剥離層形成用組成物12を用いた以外は、実施例2-1と同様の方法で剥離層付きガラス基板12を得た。
剥離層形成用組成物1のかわりに剥離層形成用組成物13を用いた以外は、実施例2-1と同様の方法で剥離層付きガラス基板13を得た。
剥離層形成用組成物1のかわりに剥離層形成用組成物14を用いた以外は、実施例2-1と同様の方法で剥離層付きガラス基板14を得た。
剥離層形成用組成物1のかわりに剥離層形成用組成物15を用いた以外は、実施例2-1と同様の方法で剥離層付きガラス基板15を得た。
剥離層形成用組成物1のかわりに剥離層形成用組成物16を用いた以外は、実施例2-1と同様の方法で剥離層付きガラス基板16を得た。剥離層のムラをNaランプで確認したところ、剥離層が白濁し、多数のムラを確認した。
[実施例3-1]
剥離層付ガラス基板1上にスピンコータ(条件:回転数200rpmで約15秒)を用いて、前記ガラス基板上の剥離層(樹脂薄膜)の上に樹脂基板形成用組成物F1を塗布した。得られた塗膜を、ホットプレートを用いて80℃で2分間加熱し、その後、ホットプレートを用いて230℃で30分間加熱し、剥離層上に厚さ約3μmの樹脂基板を形成し、樹脂基板・剥離層付きガラス基板1を得た。その後、紫外可視分光光度計((株)島津製作所製UV-2600)を用いて光透過率を測定した結果、樹脂基板は、400nmで90%以上の透過率を示した。
剥離層付ガラス基板1のかわりに剥離層付ガラス基板2を用いた以外は、実施例3-1と同様の方法で樹脂基板・剥離層付きガラス基板2を得た。樹脂基板は、400nmで90%以上の透過率を示した。
剥離層付ガラス基板1のかわりに剥離層付ガラス基板3を用いた以外は、実施例3-1と同様の方法で樹脂基板・剥離層付きガラス基板3を得た。樹脂基板は、400nmで90%以上の透過率を示した。
剥離層付ガラス基板1のかわりに剥離層付ガラス基板4を用いた以外は、実施例3-1と同様の方法で樹脂基板・剥離層付きガラス基板4を得た。樹脂基板は、400nmで90%以上の透過率を示した。
剥離層付ガラス基板1のかわりに剥離層付ガラス基板5を用いた以外は、実施例3-1と同様の方法で樹脂基板・剥離層付きガラス基板5を得た。樹脂基板は、400nmで90%以上の透過率を示した。
剥離層付ガラス基板1のかわりに剥離層付ガラス基板6を用いた以外は、実施例3-1と同様の方法で樹脂基板・剥離層付きガラス基板6を得た。樹脂基板は、400nmで90%以上の透過率を示した。
剥離層付ガラス基板1のかわりに剥離層付ガラス基板7を用いた以外は、実施例3-1と同様の方法で樹脂基板・剥離層付きガラス基板7を得た。樹脂基板は、400nmで90%以上の透過率を示した。
剥離層付ガラス基板1のかわりに剥離層付ガラス基板8を用いた以外は、実施例3-1と同様の方法で樹脂基板・剥離層付きガラス基板8を得た。樹脂基板は、400nmで90%以上の透過率を示した。
剥離層付ガラス基板1のかわりに剥離層付ガラス基板9を用いた以外は、実施例3-1と同様の方法で樹脂基板・剥離層付きガラス基板9を得た。樹脂基板は、400nmで90%以上の透過率を示した。
剥離層付ガラス基板1のかわりに剥離層付ガラス基板10を用いた以外は、実施例3-1と同様の方法で樹脂基板・剥離層付きガラス基板10を得た。樹脂基板は、400nmで90%以上の透過率を示した。
剥離層付ガラス基板1のかわりに剥離層付ガラス基板11を用いた以外は、実施例3-1と同様の方法で樹脂基板・剥離層付きガラス基板11を得た。樹脂基板は、400nmで90%以上の透過率を示した。
剥離層付ガラス基板1のかわりに剥離層付ガラス基板12を用いた以外は、実施例3-1と同様の方法で樹脂基板・剥離層付きガラス基板12を得た。樹脂基板は、400nmで90%以上の透過率を示した。
剥離層付ガラス基板1のかわりに剥離層付ガラス基板13を用いた以外は、実施例3-1と同様の方法で樹脂基板・剥離層付きガラス基板13を得た。樹脂基板は、400nmで90%以上の透過率を示した。
剥離層付ガラス基板1のかわりに剥離層付ガラス基板14を用いた以外は、実施例3-1と同様の方法で樹脂基板・剥離層付きガラス基板14を得た。樹脂基板は、400nmで90%以上の透過率を示した。
剥離層付ガラス基板1のかわりに剥離層付ガラス基板15を用いた以外は、実施例3-1と同様の方法で樹脂基板・剥離層付きガラス基板15を得た。樹脂基板は、400nmで90%以上の透過率を示した。
剥離層付きガラス基板1~16について剥離層とガラス基板との密着性を、剥離層のムラが生じなかった樹脂基板・剥離層付きガラス基板1~15について剥離層と樹脂皮膜との剥離性を下記方法にて確認した。なお、下記の試験は、同一のガラス基板で行った。
剥離層付きガラス基板1~16上の剥離層をクロスカット(縦横2mm間隔、以下同様)し、25マスカットを行った。すなわち、このクロスカットにより、2mm四方のマス目を25個形成した。この25マスカット部分に粘着テープを張り付けて、そのテープを剥がし、以下の基準に基づき、密着性を評価した。結果を表1に示す。
<判定基準>
5B:0%剥離(剥離なし)
4B:5%未満の剥離
3B:5~15%未満の剥離
2B:15~35%未満の剥離
1B:35~65%未満の剥離
0B:65%~80%未満の剥離
B:80%~95%未満の剥離
A:95%~100%未満の剥離
AA:100%剥離(すべて剥離)
樹脂基板・剥離層付きガラス基板1~15に、25mm×50mmの短冊を作製した。更に、セロテープ(登録商標)(ニチバン(株)製CT-24)を貼った後、オートグラフAGS-X500N((株)島津製作所製)を用いて、剥離角度90°、剥離速度300mm/minで剥離し、剥離力を測定した。なお、剥離できないものは、剥離不可とした。結果を表1に示す。
Claims (10)
- (A)下記式(1)で表される繰り返し単位を含むポリウレア、
(B)スルホン酸化合物又はその塩、
(C)ヒドロキシアルキル基及び/又はアルコキシメチル基で置換された窒素原子を有する化合物から選ばれる架橋剤、
(D)下記式(a1)で表される繰り返し単位、下記式(b)で表される繰り返し単位及び下記式(c)で表される繰り返し単位を含む高分子添加剤、並びに
(E)20℃における蒸気圧が800Pa以下の溶剤を少なくとも1種含む溶剤
を含み、
(D)高分子添加剤が、(A)ポリウレア100質量部に対し、3~100質量部含まれる、スリットダイコート用剥離層形成用組成物。
[式中、A1、A2、A3、A4、A5及びA6は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はエチル基であり、
X1は、下記式(1-1)、(1-2)、(1-3)又は(1-4)で表される基であり、
(式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~6のアルケニル基、ベンジル基又はフェニル基であり、前記フェニル基は、炭素数1~6のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基及び炭素数1~6のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基で置換されていてもよく、また、R1及びR2は、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数3~6の環を形成してもよく、R3は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~6のアルケニル基、ベンジル基又はフェニル基であり、前記フェニル基は、炭素数1~6のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基及び炭素数1~6のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基で置換されていてもよい。)
Q1は、下記式(1-5)又は(1-6)で表される基である。
(式中、X2は、式(1-1)、式(1-2)又は式(1-4)で表される基であり、Q2は、炭素数1~10のアルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基又はアントリレン基であり、前記フェニレン基、ナフチレン基及びアントリレン基は、炭素数1~6のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、及び炭素数1~6のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基で置換されていてもよく、n1及びn2は、それぞれ独立に、0又は1である。)]
(式中、RAは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基であり、RB1は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数3又は4の分岐状のアルキル基であり、RCは、炭素数1~10のヒドロキシアルキル基であり、RDは、炭素数6~20の多環式アルキル基又は炭素数6~12のアリール基である。) - (D)高分子添加物の式(b)で表される繰り返し単位において、RCが、炭素数2~10のヒドロキシアルキル基であって、ヒドロキシ基が結合する炭素原子が第2級炭素原子であり、かつ、式(a1)で表される繰り返し単位の含有割合が、(D)高分子添加物の全繰り返し単位中30モル%以上である請求項1記載のスリットダイコート用剥離層形成用組成物。
- X1が、式(1-3)で表される基である請求項1又は2記載のスリットダイコート用剥離層形成用組成物。
- R3が、2-プロペニル基である請求項3記載のスリットダイコート用剥離層形成用組成物。
- Q1が、式(1-5)で表される基である請求項1~4のいずれか1項記載のスリットダイコート用剥離層形成用組成物。
- (C)架橋剤の含有量が、(A)ポリウレア100質量部に対し、10~100質量部である請求項1~6のいずれか1項記載のスリットダイコート用剥離層形成用組成物。
- 請求項1~7のいずれか1項記載のスリットダイコート用剥離層形成用組成物から得られる剥離層。
- 請求項8記載の剥離層に、波長400nmの光透過率が80%以上である樹脂層が積層された積層体。
- 請求項1~7のいずれか1項記載のスリットダイコート用剥離層形成用組成物を基体に塗布し、剥離層を形成する工程、
前記剥離層上に、波長400nmの光透過率が80%以上である樹脂基板を形成する工程、及び
前記樹脂基板を、0.15N/25mm以下の剥離力で剥離する工程
を含む樹脂基板の製造方法。
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