JP7534192B2 - 加工方法 - Google Patents

Description

本発明は、被加工物の加工方法に関する。

被加工物にダイシングや研削、研磨、バイト切削時等、各種の加工を施す際には、被加工物のハンドリングを容易にするためや被加工物を保護するためにテープが広く利用されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。

特開平１１－３０７６２０号公報 特開平０１－２９７４８３号公報

ところが、被加工物のチップサイズが小さい場合や、サファイアやＳｉＣ等の硬質材で切削時の加工負荷が大きい場合、チップが個片化される際に動き、裏面に大きな欠けが発生することがある。研削においても、硬質材で研削負荷が大きい場合、被加工物が動く等して特に被加工物の外周縁に欠けが生じ易く、薄く研削することが難しい。

従来、このような場合には被加工物をサブストレイトにワックスダウン固定することで、サブストレイト上に強固に固定して加工を施していた。しかし、加工後の被加工物をサブストレイトから剥離し、ワックスを洗浄しなくてはならず手間であった。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、剥離の際の手間を抑制しながらも加工中の被加工物の破損を抑制することができる加工方法を提供することである。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の加工方法は、被加工物の加工方法であって、被加工物にテープを貼着して被加工物ユニットを形成するテープ貼着ステップと、該被加工物ユニットに対して透過性を有する波長のレーザビームを該被加工物ユニットに照射して該テープを該被加工物に密着させる密着ステップと、該密着ステップを実施した後、該被加工物ユニットのテープ側を保持テーブルで保持し、該被加工物を加工する加工ステップと、を備えたことを特徴とする。

前記加工方法において、該被加工物には、分割予定ラインが設定され、該密着ステップでは、該分割予定ラインに沿って該レーザビームを照射し、該加工ステップでは、切削ブレードで被加工物を該分割予定ラインに沿って切削しても良い。

前記加工方法において、該密着ステップでは、被加工物の外周縁に沿って該レーザビームを照射しても良い。

前記加工方法において、該密着ステップでは、該レーザビームの照射により該テープを軟化させ被加工物に密着させても良い。

前記加工方法において、該密着ステップでは、該レーザビームの集光点を、少なくとも該被加工物の一部から該テープの一部へと延在させた状態で該レーザビームを照射して、該被加工物に細孔と該細孔を囲繞する変質領域とを形成するとともに、該テープを軟化させても良い。

本発明の加工方法は、剥離の際の手間を抑制しながらも加工中の被加工物の破損を抑制することができるという効果を奏する。

図１は、実施形態１に係る加工方法の加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。 図２は、実施形態１に係る加工方法の流れを示すフローチャートである。 図３は、図２に示された加工方法のテープ貼着ステップ後の被加工物を示す斜視図である。 図４は、図２に示された加工方法の密着ステップを模式的に示す斜視図である。 図５は、図２に示された加工方法の密着ステップのテープのレーザビームを照射する領域を示す平面図である。 図６は、図２に示された加工方法の加工ステップを一部断面で示す側面図である。 図７は、実施形態２に係る加工方法の加工ステップを模式的に示す斜視図である。 図８は、実施形態２に係る加工方法の密着ステップを模式的に示す斜視図である。 図９は、実施形態２に係る加工方法の加工ステップを一部断面で示す側面図である。 図１０は、実施形態１及び実施形態２の変形例に係る加工方法の密着ステップ後の被加工物ユニットの要部の断面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る加工方法の加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。図２は、実施形態１に係る加工方法の流れを示すフローチャートである。

実施形態１に係る加工方法は、図１に示された被加工物１の加工方法である。実施形態１に係る加工方法の加工対象の被加工物１は、シリコン、ガリウムヒ素、ＳｉＣ（炭化ケイ素）又はサファイア、などを母材とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハ等である。被加工物１は、表面２の複数の分割予定ライン３によって格子状に区画された各領域にデバイス４が形成されている。このために、被加工物１は、表面２に分割予定ライン３が複数設定されている。デバイス４は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit)又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、又はＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のイメージセンサである。

被加工物１は、分割予定ライン３に沿って分割されて、複数のチップ５に分割される。なお、チップ５は、母材の一部分とデバイス４とにより構成される。実施形態１では、チップ５は、例えば、平面形状が０．３ｍｍ×０．３ｍｍの四角形に形成されているが、本発明では、チップ５は、長辺の長さが０．５ｍｍ以下でかつ平面形状が四角形の所謂小チップであるのが望ましい。

実施形態１において、被加工物１は、母材がＳｉＣにより形成されている。なお、本発明では、被加工物１は、母材がＳｉＣ又はサファイアなどのシリコンよりも硬質な材料で構成されているのが望ましい。実施形態１において、被加工物１は、表面２にデバイス４が形成されているが、本発明では、これに限定されずに、表面２にデバイス４が形成されていないものでも良い。

実施形態１に係る加工方法は、図２に示すように、テープ貼着ステップ１００１と、密着ステップ１００２と、加工ステップ１００３とを備える。

（テープ貼着ステップ）
図３は、図２に示された加工方法のテープ貼着ステップ後の被加工物を示す斜視図である。テープ貼着ステップ１００１は、被加工物１にテープ１０を貼着して被加工物ユニット１１を形成するステップである。

実施形態１において、テープ貼着ステップ１００１では、外縁部に環状フレーム１２が貼着された被加工物１よりも大径のテープ１０の糊層１０－１の中央に被加工物１の表面２の裏側の裏面６を貼着する。実施形態１において、テープ貼着ステップ１００１では、裏面６をテープ１０に貼着することで、環状フレーム１２の内側の開口１３内に被加工物１を支持した被加工物ユニット１１を形成する。なお、実施形態１において、テープ１０は、可撓性と粘着性とを有する樹脂で構成されかつ被加工物１の裏面６に貼着する糊層１０－１と、糊層１０－１に積層されかつ可撓性と非粘着性とを有する樹脂で構成された基材層１０－２とを備える。

（密着ステップ）
図４は、図２に示された加工方法の密着ステップを模式的に示す斜視図である。図５は、図２に示された加工方法の密着ステップのテープのレーザビームを照射する領域を示す平面図である。密着ステップ１００２は、被加工物ユニット１１に対して透過性を有する波長のレーザビーム２４を被加工物ユニット１１に照射してテープ１０を被加工物１に密着させるステップである。

実施形態１において、密着ステップ１００２では、レーザ加工装置２０が、被加工物ユニット１１の被加工物１の表面２側を保持テーブル２１の保持面２２に吸引保持する。密着ステップ１００２では、レーザ加工装置２０が、撮像ユニットで被加工物ユニット１１を撮像し、被加工物１の分割予定ライン３を検出して、分割予定ライン３とレーザビーム照射ユニット２３との位置合わせを行うアライメントを遂行する。

なお、本発明では、被加工物１の裏面６に金属膜などの赤外線を透過しない膜が形成されていない場合には、被加工物１の裏面６側を撮像ユニットである赤外線撮像カメラで撮像して分割予定ライン３を検出し、被加工物１の裏面６に金属膜などの赤外線を透過しない膜が形成されている場合には、被加工物１の表面２側を保持テーブル２１越しに被加工物１の下方から撮像ユニットで撮像して分割予定ライン３を検出するのが望ましい。また、本発明では、被加工物１の裏面６に金属膜などの赤外線を透過しない膜が形成されている場合には、保持テーブル２１をガラス等の透光性を有する材料で構成するのが望ましい。

実施形態１において、密着ステップ１００２では、レーザ加工装置２０は、レーザビーム２４の集光点をテープ１０の被加工物１の裏面６寄りの表層（実施形態１では、糊層１０－１の内部）に設定して、レーザビーム照射ユニット２３と被加工物１とを分割予定ライン３に沿って相対的に移動させながらレーザビーム照射ユニット２３から被加工物１とテープ１０との双方に対して透過性を有する波長のパルス状のレーザビーム２４を被加工物ユニット１１に照射する。

なお、実施形態１において、密着ステップ１００２では、被加工物ユニット１１のテープ１０の被加工物１のデバイス４の外縁部と分割予定ライン３とに重なりかつ分割予定ライン３に沿って直線状に延在した図５に示す領域７のうちのデバイス４の外縁部に重なる位置に分割予定ライン３の長手方向に沿って等間隔にレーザビーム２４を照射する。しかしながら、本発明では、領域７のうちの分割予定ライン３の幅方向の両縁部に重なる位置に分割予定ライン３の長手方向に沿って等間隔にレーザビーム２４を照射しても良く、領域７全体に等間隔にレーザビーム２４を照射しても良く、領域７のうちのデバイス４の角に重なる位置にレーザビーム２４を照射しても良い。

密着ステップ１００２では、テープ１０のレーザビーム２４の集光点及び集光点の近傍は、部分的に軟化、溶融して、被加工物１の裏面６に密着する。こうして、密着ステップ１００２では、レーザビーム２４の照射によりテープ１０を部分的に軟化させて被加工物１に密着させる。なお、実施形態１において、密着ステップ１００２では、レーザ加工装置２０は、波長が５３２ｎｍ、エネルギが１０μＪ、集光点のレーザビーム２４のスポット径が５μｍのパルス状のレーザビーム２４を１０μｍ間隔で照射する。なお、実施形態１において、密着ステップ１００２では、パルス状のレーザビーム２４をテープ１０に照射するが、本発明では、これに限定されることなく、連続波（Continuous Wave）のレーザビーム２４をテープ１０に照射しても良い。なお、本発明では、密着ステップ１００２でのレーザビーム２４の照射は、テープ１０側から入射させる他、テープ１０側を保持テーブル２１で保持し被加工物１側からレーザビーム２４を照射してもよい。

（加工ステップ）
図６は、図２に示された加工方法の加工ステップを一部断面で示す側面図である。加工ステップ１００３は、密着ステップ１００２を実施した後、被加工物ユニット１１のテープ１０側を保持テーブル３１で保持し、被加工物１を加工するステップである。

実施形態１において、加工ステップ１００３では、加工装置である切削装置３０が、テープ１０を介して被加工物１の裏面６側をテープ１０を介して保持テーブル３１の保持面３２に吸引保持し、保持テーブル３１の周囲に配置されたクランプ部３３で環状フレーム１２をクランプする。加工ステップ１００３では、切削装置３０が図示しない撮像ユニットで被加工物１を表面側を撮像し、分割予定ライン３と切削ユニット３４の切削ブレード３５との位置合わせを行うアライメントを遂行する。

加工ステップ１００３では、図６に示すように、切削装置３０が回転中の切削ブレード３５と被加工物１とを分割予定ライン３に沿って相対的に移動させながら、表面２側から被加工物１に切削ブレード３５をテープ１０に達するまで切り込ませて、被加工物１を切削加工（加工に相当）する。こうして、実施形態１では、加工ステップ１００３では、切削ブレード３５で被加工物１を分割予定ライン３に沿って切削加工して、被加工物１を個々のチップ５に分割する。

加工ステップ１００３では、切削装置３０が切削ブレード３５で全ての分割予定ライン３に沿って被加工物１を切削加工する。なお、実施形態１において、加工ステップ１００３では、切削ブレード３５をテープ１０に達するまで被加工物１に切り込ませて、被加工物１を所謂フルカットしたが、本発明は、フルカットに限定されることなく、加工ステップ１００３では、切削ブレード３５を被加工物１の厚み方向の中央まで切り込ませて、被加工物１を所謂ハーフカットしても良い。

なお、実施形態１において、加工ステップ１００３では、切削ブレード３５の回転数を３００００ｒｐｍとし、保持テーブル３１の移動速度（即ち、加工送り速度）を１００ｍｍ／ｓとしている。

以上説明した実施形態１に係る加工方法は、テープ貼着ステップ１００１において被加工物１にテープ１０を貼着して形成した被加工物ユニット１１に、密着ステップ１００２において、レーザビーム２４を照射し、テープ１０と被加工物１を密着させる。このために、実施形態１に係る加工方法は、ワックス等を用いて被加工物１にサブストレイトを貼着する必要がないので、被加工物１をサブストレイト等から剥離した際にワックスを洗浄して除去する手間が不要となる。

また、実施形態１に係る加工方法は、密着ステップ１００２において、被加工物ユニット１１にレーザビーム２４を照射し、テープ１０と被加工物１を密着させるので、加工ステップ１００３中に、被加工物１がテープ１０に対して相対的に位置ずれすることを抑制できる。

その結果、実施形態１に係る加工方法は、剥離の際の手間を抑制しながらも加工中の被加工物１及びチップ５の破損を抑制することができるという効果を奏する。

また、ホットプレートや加熱テーブルを用いて被加工物ユニット１１を加熱する場合、被加工物１全面が加熱されてしまい、テープ１０が縮みしわになりやすい。テープ１０にしわが生じると、テープ１０を介して被加工物１を吸引保持する際に負圧のリークが生じてしまい、加工中に被加工物１が保持テーブル３１して移動しやすくなる。しかしながら、実施形態１に係る加工方法は、密着ステップ１００２において、被加工物ユニット１１にパルス状のレーザビーム２４を部分的に照射し、テープ１０と被加工物１を密着させるので、テープ１０が縮む量を抑えられ、しわを発生させるおそれがなく、加工中に被加工物１が保持テーブル３１して移動することを抑制することができる。

また、実施形態１に係る加工方法は、密着ステップ１００２では、分割予定ライン３に沿ってレーザビーム２４を照射するので、被加工物１の切削加工中に切削ブレード３５が通過する領域をテープ１０に密着させることができ、被加工物１の裏面６の裏面チッピング、欠け、クラック等を抑制すること抑えることが可能となる。

また、実施形態１に係る加工方法は、密着ステップ１００２では、被加工物ユニット１１にレーザビーム２４を照射するので、レーザビーム２４の照射によってテープ１０が加熱され軟化し、溶融されるので、被加工物１の被貼着面である裏面６の微小凹凸にテープ１０が倣い、テープ１０と被加工物とを密着させることができる。

また、実施形態１に係る加工方法は、密着ステップ１００２において、被加工物ユニット１１にレーザビーム２４を照射し、テープ１０と被加工物１を密着させて、加工ステップ１００３中に、被加工物１がテープ１０に対して相対的に位置ずれすることを抑制できるので、加工ステップ１００３において被加工物１を切削加工する際に、保持テーブル の切削ブレード３５に対する移動速度の高速度化を図ることができる。その結果、実施形態１に係る加工方法は、密着ステップ１００２において、加工ステップ１００３において被加工物１を切削加工する際の加工効率を向上させることができる。

また、実施形態１に係る加工方法は、テープ貼着ステップ１００１において、被加工物１の裏面６にテープ１０を貼着し、密着ステップ１００２において、被加工物１の裏面６にテープ１０を密着するので、裏面６側のチッピング（所謂欠け）を抑制するのに有効である。このように、本発明の加工方法は、密着ステップ１００２において、被加工物１のテープ１０に貼着した面と、テープ１０とを密着することができ、チップ５のテープ１０に貼着した面のチッピングを抑えるのに有効である。

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係る加工方法を図面に基づいて説明する。図７は、実施形態２に係る加工方法の加工ステップを模式的に示す斜視図である。図８は、実施形態２に係る加工方法の密着ステップを模式的に示す斜視図である。図９は、実施形態２に係る加工方法の加工ステップを一部断面で示す側面図である。なお、図７、図８及び図９は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態２に係る加工方法のテープ貼着ステップ１００１では、図７に示すように、被加工物１と同径のテープ１０の糊層１０－１に被加工物１の表面２を貼着して、被加工物ユニット１１を形成する。

実施形態２に係る加工方法の密着ステップ１００２では、レーザ加工装置２０が、被加工物ユニット１１の被加工物１の表面２側をテープ１０を介して保持テーブル２１の保持面２２に吸引保持する。密着ステップ１００２では、レーザ加工装置２０は、レーザビーム２４の集光点をテープ１０の被加工物１の裏面６寄りの表層（実施形態２では、糊層１０－１の内部）に設定して、図８に示すように、レーザビーム照射ユニット２３と被加工物１とを被加工物１の外周縁に沿って相対的に移動させながらレーザビーム照射ユニット２３から被加工物１とテープ１０との双方に対して透過性を有する波長のパルス状のレーザビーム２４を被加工物ユニット１１に照射する。

なお、実施形態２において、密着ステップ１００２では、被加工物ユニット１１のテープ１０の被加工物１のデバイス４が形成された領域を囲繞しかつデバイス４が形成されていない領域に重なる領域に被加工物１外周縁に沿って等間隔にレーザビーム２４を照射する。実施形態１においても実施形態１と同様に、密着ステップ１００２では、テープ１０のレーザビーム２４の集光点及び集光点の近傍は、部分的に軟化、溶融して、被加工物１の表面２に密着する。

実施形態２に係る加工方法の加工ステップ１００３では、加工装置である研削装置４０が、被加工物ユニット１１のテープ１０側を保持テーブル４１の保持面４２に吸引保持する。加工ステップ１００３では、研削装置４０が、図９に示すように、図示しない供給ノズルから被加工物１の裏面６に研削水を供給しながら保持テーブル４１を軸心回りに回転させつつ研削ホイール４３を軸心回りに回転させて、研削砥石４４を被加工物１の裏面６に接触させてから研削砥石４４で被加工物１を保持テーブル４１に向けて押圧して、被加工物１の裏面６を研削加工（加工に相当）する。加工ステップ１００３では、研削装置４０が所定の厚みになるまで被加工物１を研削加工して薄化する。

なお、実施形態２に係る加工方法は、加工ステップ１００３において、被加工物１を研削加工するが、本発明では、研削加工に限定されずに、例えば、被加工物１を研磨加工、又はバイト切削加工しても良い。

実施形態２に係る加工方法は、密着ステップ１００２において、被加工物ユニット１１にレーザビーム２４を照射し、テープ１０と被加工物１を密着させるため、ワックス等を用いて被加工物１にサブストレイトを貼着する必要がないとともに、加工ステップ１００３中に、被加工物１がテープ１０に対して相対的に位置ずれすることを抑制できる。その結果、実施形態２に係る加工方法は、実施形態１と同様に、剥離の際の手間を抑制しながらも加工中の被加工物１の破損を抑制することができるという効果を奏する。

また、実施形態２に係る加工方法は、密着ステップ１００２において、被加工物１の外周縁に沿ってレーザビーム２４を照射するので、被加工物１の外周縁に沿った領域をテープ１０に密着させることができ、研削加工の際に被加工物１の外周がばたついて欠け等が生じることが防止できる。

〔変形例〕
本発明の実施形態１及び実施形態２の変形例に係る加工方法を図面に基づいて説明する。図１０は、実施形態１及び実施形態２の変形例に係る加工方法の密着ステップ後の被加工物ユニットの要部の断面図である。なお、図１０は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

変形例に係る加工方法の密着ステップ１００２では、加工装置であるレーザ加工装置２０が、テープ１０を介して被加工物１を保持テーブル２１の保持面２２に吸引保持し、レーザビーム照射ユニット２３の集光レンズ等により集光点を被加工物１の内部からテープ１０の糊層１０－１の内部へと延在させた状態で、レーザビーム照射ユニット２３からパルス状のレーザビーム２４を被加工物１に照射する。このように、変形例に係る加工方法の密着ステップ１００２では、加工装置であるレーザ加工装置２０が、集光レンズで集光されたレーザビーム２４に縦収差が生じた状態で、被加工物１にレーザビーム２４を照射する。変形例に係る加工方法の密着ステップ１００２では、レーザ加工装置２０が、被加工物１の内部に図１０に示す被加工物１を表面２から裏面６に貫通した細孔８１と細孔８１を囲繞する円筒状の変質領域８２とを有するシールドトンネル８を等間隔に複数形成する。なお、本発明の加工方法は、被加工物１の表面２から裏面６に至る細孔８１と変質領域８２とを形成する他、細孔８１と変質領域８２とは少なくとも被加工物１のテープ１０に貼着された面側に形成されていればよく、被加工物１のテープ１０に貼着された面の背面側には細孔８１と変質領域８２が形成されていなくても良い。

また、変形例に係る加工方法の密着ステップ１００２では、レーザ加工装置２０が、テープ１０の特に糊層１０－１のレーザビーム２４の集光点及び集光点の近傍を部分的に軟化、溶融して、被加工物１の裏面６に密着させるとともに、溶融した糊層１０－１を毛細管現象により細孔８１内に侵入させる。

なお、変形例において、密着ステップ１００２では、レーザ加工装置２０は、波長が５３２ｎｍ、エネルギが１０μＪ、集光点のレーザビーム２４のスポット径が５μｍのパルス状のレーザビーム２４を１０μｍ間隔で照射する。また、変形例において、密着ステップ１００２では、レーザ加工装置２０は、開口数を被加工物１の屈折率で割った値が０．０５以上でかつ０．２以下となる開口数の集光レンズを用いてレーザビーム２４を集光する。

また、変形例において、密着ステップ１００２では、図１０に示すように、互いに隣り合うシールドトンネル８の変質領域８２同士を間隔あけて（即ち、非連続で）形成したが、本発明では、互いに隣り合うシールドトンネル８の変質領域８２同士を連続させて形成しても良い。

変形例に係る加工方法は、密着ステップ１００２において、被加工物ユニット１１にレーザビーム２４を照射し、テープ１０と被加工物１を密着させるため、実施形態１等と同様に、剥離の際の手間を抑制しながらも加工中の被加工物１の破損を抑制することができるという効果を奏する。

また、変形例に係る加工方法は、密着ステップ１００２において、レーザビーム２４の照射によって、被加工物１の被貼着面に開口する細孔８１が形成されるとともに、テープ１０が加熱され軟化し、軟化したテープ１０が細孔８１内に侵入するので、テープ１０と被加工物とを強固に固定することができる。

次に、本発明の発明者らは、本発明の効果を確認した。結果を表１に示す。

表１の比較例は、実施形態１に係る加工方法のテープ貼着ステップ１００１を実施した後加工ステップ１００３を実施して、切削加工により被加工物１を、平面形状が０．３ｍｍ×０．３ｍｍの四角形のチップ５に分割した。

表１の本発明品は、実施形態１に係る加工方法を実施して、切削加工により被加工物１を平面形状が０．３ｍｍ×０．３ｍｍの四角形のチップ５に分割した。

比較例及び本発明品ともに、切削加工の際の切削ブレード３５の回転数を３００００ｒｐｍとし、保持テーブル３１の移動速度（即ち、加工送り速度）を１００ｍｍ／ｓとした。

比較例では、１００％のチップ５にチッピングが生じるなどの加工不良が生じた。このような比較例に対して、本発明品では、０．１％のチップ５にチッピングが生じるなどの加工不良が生じた。

したがって、表１によれば、密着ステップ１００２において、被加工物ユニット１１にレーザビーム２４を照射し、テープ１０と被加工物１を密着させることにより、分割後のチップ５のチッピングなどの加工不良を抑制でき、加工中の被加工物１及びチップ５の破損を抑制することができることが明らかとなった。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本発明では、テープ１０は、柔軟性と非粘着性の熱可塑性樹脂により構成され、粘着性を有する樹脂で構成された糊層１０－１を備えないものでも良い。この場合、テープ１０は、アルケンをモノマーとして合成されるポリマーのシートであり、例えば、熱可塑性樹脂として、ポリエチレン、ポリプロピレン、又はポリスチレン等により構成されるのが望ましい。この場合、テープ１０は、被加工物１に密着した状態で融点近傍の温度に加熱され、一部が溶融することで、被加工物１に貼着する。

また、本発明では、特に、実施形態１及び実施形態２において、被加工物１に貼着される前のテープ１０にレーザビーム２４を照射してから特に糊層１０－１が軟化したテープ１０を被加工物１に貼着しても良い。

１ 被加工物
３ 分割予定ライン
１０ テープ
１１ 被加工物ユニット
２４ レーザビーム
３１ 保持テーブル
３５ 切削ブレード
４１ 保持テーブル
８１ 細孔
８２ 変質領域
１００１ テープ貼着ステップ
１００２ 密着ステップ
１００３ 加工ステップ

Claims (5)

1. 被加工物の加工方法であって、
   被加工物にテープを貼着して被加工物ユニットを形成するテープ貼着ステップと、
   該被加工物ユニットに対して透過性を有する波長のレーザビームを該被加工物ユニットに照射して該テープを該被加工物に密着させる密着ステップと、
   該密着ステップを実施した後、該被加工物ユニットのテープ側を保持テーブルで保持し、該被加工物を加工する加工ステップと、を備えた加工方法。
2. 該被加工物には、分割予定ラインが設定され、
   該密着ステップでは、該分割予定ラインに沿って該レーザビームを照射し、
   該加工ステップでは、切削ブレードで被加工物を該分割予定ラインに沿って切削する、請求項１に記載の加工方法。
3. 該密着ステップでは、被加工物の外周縁に沿って該レーザビームを照射する、請求項１に記載の加工方法。
4. 該密着ステップでは、該レーザビームの照射により該テープを軟化させ被加工物に密着させる、請求項１に記載の加工方法。
5. 該密着ステップでは、該レーザビームの集光点を、少なくとも該被加工物の一部から該テープの一部へと延在させた状態で該レーザビームを照射して、該被加工物に細孔と該細孔を囲繞する変質領域とを形成するとともに、該テープを軟化させる、請求項１に記載の加工方法。

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