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JP7540239B2 - Electronics - Google Patents
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Description

この明細書における開示は、電子装置に関する。 The disclosure in this specification relates to electronic devices.

特許文献1は、リフトオフ現象の発生を低減させることが可能な多層プリント配線板、回路モジュールおよび電子機器を開示している。先行技術文献の記載内容は、この明細書における技術的要素の説明として、参照により援用される。 Patent Document 1 discloses a multilayer printed wiring board, a circuit module, and an electronic device that can reduce the occurrence of the lift-off phenomenon. The contents of the prior art documents are incorporated by reference as explanations of the technical elements in this specification.

特開2004-172329号公報JP 2004-172329 A

先行技術文献の構成では、スルーホールランド部と基板との密着面積を多くすることでリフトオフ現象の発生を低減させている。また、所望の性能のはんだを得る目的で、組成の異なる様々なはんだが開発されている。ここで、剥離が引き起こされる状況は様々であり、同じ電子装置であっても、はんだの性能によって剥離が引き起こされる場合と引き起こされない場合があり得る。このため、剥離が引き起こされやすいはんだに対しては、剥離を防止するための特別な対策を行う必要がある。上述の観点において、または言及されていない他の観点において、電子装置にはさらなる改良が求められている。 In the configuration of the prior art document, the occurrence of lift-off is reduced by increasing the contact area between the through-hole land portion and the substrate. Also, various solders with different compositions have been developed to obtain solder with desired performance. Here, there are various situations in which peeling occurs, and even in the same electronic device, peeling may or may not occur depending on the performance of the solder. For this reason, special measures must be taken to prevent peeling for solder that is prone to peeling. In the above respects, or in other respects not mentioned, further improvements in electronic devices are required.

開示される1つの目的は、多層基板に電子部品が安定して接合された電子装置を提供することにある。 One disclosed objective is to provide an electronic device in which electronic components are stably bonded to a multilayer substrate.

ここに開示された電子装置は、表層をなす絶縁基板である表層基板(20)と内層をなす絶縁基板である内層基板(30)とが互いに板厚方向に重なって設けられている多層基板(10)と、表層基板に設けられている表層ランド(21)と、表層基板に実装される電子部品(80)と、電子部品と表層ランドとを接合している接合はんだ(25)と、絶縁基板を貫通する電流経路を構成しているビアホール(50)とを備え、接合はんだは、固液相線幅が13℃以上であり、ビアホールは、接合はんだと板厚方向に重ならない位置に設けられたビアホールのうち接合はんだから最も近い距離に位置している近接ビアホール(51)を備え、ビアホールと表層ランドとの間に、金属材料が配置されることなく表層基板が設けられており、近接ビアホールは、接合はんだから近接ビアホールまでの距離である離間距離(Ld)が近接ビアホールの直径であるホール直径(Dh)よりも大きくなる位置に設けられている。 The electronic device disclosed herein includes a multilayer substrate (10) in which a surface substrate (20) which is an insulating substrate forming a surface layer and an inner substrate (30) which is an insulating substrate forming an inner layer are overlapped in the plate thickness direction, a surface land (21) provided on the surface substrate, an electronic component (80) mounted on the surface substrate, a joining solder (25) joining the electronic component and the surface land, and a via hole (50) which constitutes a current path passing through the insulating substrate, the joining solder having a solid-liquid phase width of 13° C. or more, the via hole includes a nearby via hole (51) which is located closest to the joining solder among the via holes provided in a position not overlapping with the joining solder in the plate thickness direction , the surface substrate is provided without any metal material being disposed between the via hole and the surface land, and the nearby via hole is provided in a position where a separation distance (Ld) which is a distance from the joining solder to the nearby via hole is larger than a hole diameter (Dh) which is a diameter of the nearby via hole.

開示された電子装置によると、近接ビアホールは、接合はんだから近接ビアホールまでの距離である離間距離が近接ビアホールの直径であるホール直径よりも大きくなる位置に設けられている。このため、温度変化に起因して多層基板表面に段差が発生した場合であっても、接合はんだが多層基板表面の段差の影響を受けにくい。したがって、接合はんだによる接合を安定させやすい。よって、多層基板に電子部品が安定して接合された電子装置を提供できる。 According to the disclosed electronic device, the adjacent via holes are provided at positions where the separation distance, which is the distance from the joining solder to the adjacent via hole, is greater than the hole diameter, which is the diameter of the adjacent via hole. Therefore, even if a step occurs on the surface of the multilayer board due to a temperature change, the joining solder is less affected by the step on the surface of the multilayer board. This makes it easier to stabilize the joining by the joining solder. Therefore, it is possible to provide an electronic device in which electronic components are stably joined to the multilayer board.

ここに開示された電子装置は、表層をなす絶縁基板である表層基板(20)と内層をなす絶縁基板である内層基板(30)とが互いに板厚方向に重なって設けられている多層基板(10)と、表層基板に設けられている表層ランド(21)と、表層基板に実装される電子部品(80)と、電子部品と表層ランドとを接合している接合はんだ(25)と、絶縁基板を貫通する電流経路を構成しているビアホール(250)とを備え、接合はんだは、固液相線幅が13℃以上であり、ビアホールは、接合はんだと板厚方向に重なる位置に設けられたビアホールのうち接合はんだから最も近い距離に位置している近接ビアホール(251)を備え、ビアホールと表層ランドとの間に、金属材料が配置されることなく表層基板が設けられており、近接ビアホールは、接合はんだから近接ビアホールまでの距離である離間距離(Ld)が表層基板の基板厚さ(Ts)よりも大きくなる位置に設けられている。 The electronic device disclosed herein comprises a multilayer substrate (10) in which a surface substrate (20) which is an insulating substrate forming a surface layer and an inner substrate (30) which is an insulating substrate forming an inner layer are overlapped with each other in the plate thickness direction, a surface land (21) provided on the surface substrate, an electronic component (80) mounted on the surface substrate, a joining solder (25) joining the electronic component and the surface land, and a via hole (250) which constitutes a current path passing through the insulating substrate, the joining solder having a solid-liquid phase width of 13° C. or more, the via hole comprising an adjacent via hole (251) which is located closest to the joining solder among the via holes provided at a position overlapping with the joining solder in the plate thickness direction, the surface substrate is provided without any metal material being disposed between the via hole and the surface land, and the adjacent via hole is provided at a position where a clearance distance (Ld) which is a distance from the joining solder to the adjacent via hole is greater than a substrate thickness (Ts) of the surface substrate.

開示された電子装置によると、近接ビアホールは、接合はんだから近接ビアホールまでの距離である離間距離が表層基板の基板厚さよりも大きくなる位置に設けられている。このため、温度変化に起因して多層基板表面に大きな段差が生じることを抑制できる。したがって、接合はんだが多層基板表面の段差の影響を受けにくい。よって、接合はんだによる接合を安定させやすい。以上により、多層基板に電子部品が安定して接合された電子装置を提供できる。 According to the disclosed electronic device, the adjacent via holes are provided at a position where the separation distance, which is the distance from the joining solder to the adjacent via holes, is greater than the board thickness of the surface board. This makes it possible to prevent large steps from occurring on the surface of the multilayer board due to temperature changes. Therefore, the joining solder is less susceptible to the effects of steps on the surface of the multilayer board. This makes it easier to stabilize the joining by the joining solder. As a result, it is possible to provide an electronic device in which electronic components are stably joined to a multilayer board.

この明細書における開示された複数の態様は、それぞれの目的を達成するために、互いに異なる技術的手段を採用する。請求の範囲およびこの項に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態の部分との対応関係を例示的に示すものであって、技術的範囲を限定することを意図するものではない。この明細書に開示される目的、特徴、および効果は、後続の詳細な説明、および添付の図面を参照することによってより明確になる。 The various aspects disclosed in this specification employ different technical means to achieve their respective objectives. The claims and the reference characters in parentheses in this section are illustrative of the corresponding relationships with the embodiments described below, and are not intended to limit the technical scope. The objectives, features, and advantages disclosed in this specification will become clearer with reference to the detailed description that follows and the accompanying drawings.

電子装置の上面図である。FIG. 2 is a top view of the electronic device. 図1のII-II線における断面を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing a cross section taken along line II-II in FIG. 1. 準備工程での多層基板表面を示す拡大断面図である。4 is an enlarged cross-sectional view showing a surface of a multilayer substrate in a preparation process. FIG. 溶融工程での多層基板表面を示す拡大断面図である。4 is an enlarged cross-sectional view showing the surface of the multilayer substrate in a melting process. FIG. 溶融工程での電子装置を示す断面図である。1 is a cross-sectional view showing an electronic device in a melting process. 第2実施形態における電子装置の上面図である。FIG. 11 is a top view of an electronic device according to a second embodiment. 図6のVII-VII線における断面を示す断面図である。7 is a cross-sectional view showing a cross section taken along line VII-VII in FIG. 6.

図面を参照しながら、複数の実施形態を説明する。複数の実施形態において、機能的におよび/または構造的に対応する部分および/または関連付けられる部分には同一の参照符号、または百以上の位が異なる参照符号が付される場合がある。対応する部分および/または関連付けられる部分については、他の実施形態の説明を参照することができる。以下において、互いに直交する3つの方向をX方向、Y方向、Z方向とする。また、Z方向を上下方向と対応させて説明する場合がある。 Several embodiments will be described with reference to the drawings. In several embodiments, functionally and/or structurally corresponding and/or associated parts may be given the same reference symbol or reference symbols differing in the hundredth or higher digit. For corresponding and/or associated parts, the descriptions of other embodiments may be referred to. In the following, the three mutually orthogonal directions are referred to as the X direction, Y direction, and Z direction. In addition, the Z direction may be described as corresponding to the up and down direction.

第1実施形態
図1において、電子装置1は、多層基板10と電子部品80とを備えている。多層基板10は、複数の絶縁基板を重ねて構成されている。多層基板10は、絶縁基板の表面や隣り合う絶縁基板同士の間に層を形成している。絶縁基板の表面の層は、多層基板10における表層であり、絶縁基板同士の間の層は、多層基板10における内層である。まとめると、多層基板10は、2つの表層と複数の内層とを備えている基板である。絶縁基板の板厚方向をZ方向とした場合、X方向とY方向とは、板厚方向に交差する方向である交差方向である。
First embodiment In Fig. 1, an electronic device 1 includes a multilayer substrate 10 and an electronic component 80. The multilayer substrate 10 is configured by stacking a plurality of insulating substrates. The multilayer substrate 10 has layers formed on the surfaces of the insulating substrates and between adjacent insulating substrates. The layers on the surfaces of the insulating substrates are surface layers in the multilayer substrate 10, and the layers between the insulating substrates are internal layers in the multilayer substrate 10. In summary, the multilayer substrate 10 is a substrate having two surface layers and a plurality of internal layers. When the thickness direction of the insulating substrate is the Z direction, the X direction and the Y direction are intersecting directions that intersect with the thickness direction.

多層基板10の表面には、表層ランド21が設けられている。表層ランド21は、X方向に沿う方向を長手方向とする長方形状である。表層ランド21は、銅などの金属材料で構成され、電流経路を構成している。表層ランド21は、互いに離間して2つ設けられている。2つの表層ランド21の並び方向は、X方向に沿う方向である。表層ランド21の形状、数および配置は、上述の例に限られない。表層ランド21は、他の配線部分に接続している。 Surface lands 21 are provided on the surface of the multilayer substrate 10. The surface lands 21 are rectangular with their longitudinal direction along the X direction. The surface lands 21 are made of a metal material such as copper and form a current path. Two surface lands 21 are provided spaced apart from each other. The two surface lands 21 are arranged in the X direction. The shape, number and arrangement of the surface lands 21 are not limited to the above example. The surface lands 21 are connected to other wiring parts.

電子部品80は、本体部81と接続部82とを備えている。本体部81は、電子部品80としての機能を発揮するための部分である。接続部82は、本体部81に通電するための部分である。接続部82は、例えば銅などの金属めっきで構成されている。接続部82は、本体部81の両端に設けられている。ただし、接続部82として機能する接続端子を3本以上備える構成としてもよい。 The electronic component 80 includes a main body 81 and a connection portion 82. The main body 81 is a portion for performing the function of the electronic component 80. The connection portion 82 is a portion for passing electricity through the main body 81. The connection portion 82 is made of a metal plating such as copper. The connection portions 82 are provided on both ends of the main body 81. However, the electronic component 80 may be configured to include three or more connection terminals that function as the connection portions 82.

電子部品80としては、チップ抵抗やチップコンデンサやチップダイオードなどを採用可能である。ここで、電子装置1が備える電子部品80の数は、1つに限られず、複数の電子部品80を採用可能である。複数の電子部品80としては、同一の機能を発揮する部品を採用してもよく、異なる機能を発揮する部品を採用してもよい。 As the electronic components 80, chip resistors, chip capacitors, chip diodes, etc. can be used. Here, the number of electronic components 80 included in the electronic device 1 is not limited to one, and multiple electronic components 80 can be used. As the multiple electronic components 80, components that perform the same function may be used, or components that perform different functions may be used.

電子装置1は、接合はんだ25を備えている。接合はんだ25は、表層ランド21上に設けられている。接合はんだ25は、表層ランド21と電子部品80の接続部82とを接合している。接合はんだ25が接続部82と接触して接合している部分は、接合はんだ25の中央部分よりも後述する近接ビアホール51から離れた位置に設けられている。言い換えると、接続部82から近接ビアホール51までの長さは、接合はんだ25の中央部分から近接ビアホール51までの長さよりも大きい。 The electronic device 1 includes a joint solder 25. The joint solder 25 is provided on the surface land 21. The joint solder 25 joins the surface land 21 to a connection portion 82 of an electronic component 80. The portion where the joint solder 25 contacts and joins with the connection portion 82 is provided at a position farther away from a nearby via hole 51 (described later) than the center portion of the joint solder 25. In other words, the length from the connection portion 82 to the nearby via hole 51 is greater than the length from the center portion of the joint solder 25 to the nearby via hole 51.

接合はんだ25は、表層ランド21と電子部品80との間の電流経路を構成する通電部材である。また、接合はんだ25は、多層基板10と電子部品80とを機械的に接着する接着部材である。電子部品80は、接合はんだ25によって適切に接合されることで実装されている。 The joint solder 25 is a conductive member that forms a current path between the surface land 21 and the electronic component 80. The joint solder 25 is also an adhesive member that mechanically bonds the multilayer substrate 10 and the electronic component 80. The electronic component 80 is mounted by being appropriately joined by the joint solder 25.

接合はんだ25は、ペースト状のリフローはんだである。接合はんだ25のリフロー処理については、後に詳述する。接合はんだ25は、様々なはんだの中でも固液相線幅が大きいはんだである。固液相線幅とは、はんだ全体が固相となる温度を示す固相線と、はんだ全体が液相となる温度を示す液相線との間の温度幅のことである。言い換えると、固液相線幅とは、固相のはんだと液相のはんだとが共存する温度幅のことである。固相のはんだと液相のはんだとが共存している二相共存状態は、半溶融状態とも呼ばれる。固液相線幅は、はんだの組成に応じて固有の値を示す。 The joining solder 25 is a reflow solder in a paste form. The reflow process of the joining solder 25 will be described in detail later. The joining solder 25 is a solder with a large solid-liquid phase width among various solders. The solid-liquid phase width is the temperature width between the solidus line indicating the temperature at which the entire solder becomes solid and the liquidus line indicating the temperature at which the entire solder becomes liquid. In other words, the solid-liquid phase width is the temperature width in which solid and liquid solder coexist. The two-phase coexistence state in which solid and liquid solder coexist is also called a semi-molten state. The solid-liquid phase width shows a specific value depending on the composition of the solder.

接合はんだ25の固相線の温度は、例えば200℃であり、液相線の温度は、例えば225℃である。この場合、接合はんだ25の固液相線幅は、25℃である。一般的なはんだにおいては、固液相線幅は、2℃から10℃程度である。このため、接合はんだ25の固液相線幅は、通常のはんだよりも大きい。 The solidus temperature of the joining solder 25 is, for example, 200°C, and the liquidus temperature is, for example, 225°C. In this case, the solid-liquidus width of the joining solder 25 is 25°C. In general solder, the solid-liquidus width is about 2°C to 10°C. Therefore, the solid-liquidus width of the joining solder 25 is larger than that of normal solder.

一般的に、固液相線幅が小さいはんだほどはんだ全体が素早く凝固するため、安定して接合しやすい。しかしながら、はんだに必要な条件を得る目的ではんだの組成を調整した結果として、固液相線幅が大きくなってしまう場合がある。はんだに必要な条件の一例としては、良好な熱衝撃性能を得ることが挙げられる。はんだに必要な条件の一例としては、所望の融点を得ることが挙げられる。はんだに必要な条件の一例としては、鉛などの特定の材料を含まないことが挙げられる。はんだに必要な条件の一例としては、安価であることが挙げられる。はんだは、用途に応じた様々な条件を踏まえて組成が調整されることとなる。 In general, the smaller the solidus-liquidus line width of a solder, the quicker the entire solder solidifies, and the easier it is to join stably. However, as a result of adjusting the composition of the solder to obtain the conditions required for solder, the solidus-liquidus line width may become larger. One example of the conditions required for solder is to obtain good thermal shock performance. One example of the conditions required for solder is to obtain a desired melting point. One example of the conditions required for solder is to be free of specific materials such as lead. One example of the conditions required for solder is to be inexpensive. The composition of solder is adjusted based on various conditions according to the application.

電子装置1は、ビアホール50を備えている。ビアホール50は、多層基板10の絶縁基板を貫通する電流経路を構成する部品である。ビアホール50は、銅などの金属材料で構成されている。ビアホール50は、Z方向に沿う方向を軸方向とする円筒形状である。 The electronic device 1 includes a via hole 50. The via hole 50 is a component that constitutes a current path that passes through the insulating substrate of the multilayer substrate 10. The via hole 50 is made of a metal material such as copper. The via hole 50 has a cylindrical shape with its axial direction aligned along the Z direction.

ビアホール50は、多層基板10の板厚方向であるZ方向において、接合はんだ25と重ならない位置に設けられている。言い換えると、ビアホール50は、接合はんだ25に対してX方向またはY方向に離れた位置に設けられている。 The via holes 50 are provided at positions that do not overlap with the joining solder 25 in the Z direction, which is the plate thickness direction of the multilayer substrate 10. In other words, the via holes 50 are provided at positions spaced apart from the joining solder 25 in the X direction or Y direction.

ビアホール50は、近接ビアホール51と遠隔ビアホール56とを備えている。近接ビアホール51は、ビアホール50のうち、接合はんだ25に最も近い位置に設けられているビアホール50である。ビアホール50のうち、近接ビアホール51以外のビアホール50は、遠隔ビアホール56である。仮に、ビアホール50が3つ存在する場合には、1つが近接ビアホール51であり、残りの2つが遠隔ビアホール56である。ただし、接合はんだ25から等距離に複数のビアホール50が存在する場合には、最も近いビアホール50である近接ビアホール51が複数存在する場合があり得る。 The via holes 50 include a nearby via hole 51 and a remote via hole 56. The nearby via hole 51 is the via hole 50 that is located closest to the joint solder 25. The other via holes 50 other than the nearby via hole 51 are remote via holes 56. If there are three via holes 50, one is a nearby via hole 51 and the remaining two are remote via holes 56. However, if there are multiple via holes 50 at the same distance from the joint solder 25, there may be multiple nearby via holes 51 that are the closest via holes 50.

近接ビアホール51と接合はんだ25とは、互いに離間して設けられている。近接ビアホール51から接合はんだ25までの距離は、離間距離Ldである。近接ビアホール51の直径は、ホール直径Dhである。ここで、離間距離Ldは、ホール直径Dhよりも大きい。遠隔ビアホール56から接合はんだ25までの距離は、離間距離Ldよりも大きい。 The adjacent via hole 51 and the joining solder 25 are spaced apart from each other. The distance from the adjacent via hole 51 to the joining solder 25 is the separation distance Ld. The diameter of the adjacent via hole 51 is the hole diameter Dh. Here, the separation distance Ld is greater than the hole diameter Dh. The distance from the remote via hole 56 to the joining solder 25 is greater than the separation distance Ld.

ビアホール50同士は、互いに絶縁されている状態を維持するため、互いに離間して設けられている。互いに隣り合うビアホール50同士の距離のうち、最も短い距離は、絶縁距離Liである。離間距離Ldは、絶縁距離Liよりも大きい。 The via holes 50 are spaced apart from each other to maintain insulation from each other. The shortest distance between adjacent via holes 50 is the insulation distance Li. The separation distance Ld is greater than the insulation distance Li.

まとめると、近接ビアホール51を含むすべてのビアホール50は、交差方向において接合はんだ25から十分に離れた位置に設けられている。 In summary, all via holes 50, including the adjacent via holes 51, are located sufficiently far away from the joining solder 25 in the cross direction.

図2において、多層基板10は、表層基板20と内層基板30とを備えている。表層基板20と内層基板30とは、ともにエポキシ樹脂などの樹脂材料で構成された絶縁基板である。表層基板20と内層基板30とは、絶縁基板の板厚方向であるZ方向に沿う方向に互いに重なっている。表層基板20の基板厚さTsは、内層基板30の基板厚さTiよりも小さい。言い換えると、表層基板20は、内層基板30よりも薄い基板である。 In FIG. 2, the multilayer substrate 10 comprises a surface substrate 20 and an inner substrate 30. Both the surface substrate 20 and the inner substrate 30 are insulating substrates made of a resin material such as epoxy resin. The surface substrate 20 and the inner substrate 30 overlap each other in the Z direction, which is the thickness direction of the insulating substrate. The substrate thickness Ts of the surface substrate 20 is smaller than the substrate thickness Ti of the inner substrate 30. In other words, the surface substrate 20 is a thinner substrate than the inner substrate 30.

3枚の内層基板30は、コア基板10cを構成している。ただし、コア基板10cを構成する内層基板30の枚数は、3枚に限られない。2枚の表層基板20は、ビルドアップ基板10bを構成している。ビルドアップ基板10bは、コア基板10cの外側に設けられた基板のことである。多層基板10は、コア基板10cに対してビルドアップ基板10bを形成することで構成されている。 The three inner layer substrates 30 make up the core substrate 10c. However, the number of inner layer substrates 30 that make up the core substrate 10c is not limited to three. The two surface substrates 20 make up the build-up substrate 10b. The build-up substrate 10b is a substrate that is provided on the outside of the core substrate 10c. The multilayer substrate 10 is constructed by forming the build-up substrate 10b on the core substrate 10c.

多層基板10は、電子部品80が実装されている1層目から反対側の6層目までの6つの層を備えている。多層基板10の表層は、1層目と6層目で構成されている。多層基板10の表側が1層目に対応し、多層基板10の裏側が6層目に対応している。多層基板10の内層は、2層目と3層目と4層目と5層目で構成されている。多層基板10の表側に最も近い内層が2層目に対応し、多層基板10の表側から最も遠い内層が5層目に対応している。ただし、多層基板10における層の数は、6層に限られない。多層基板10の各層には、任意の位置に任意の形状のランドを形成可能である。1層目や6層目の表層に設けられているランドは、表層ランド21である。2層目から5層目までの内層に設けられているランドは、内層ランドである。 The multilayer board 10 has six layers, from the first layer on which the electronic components 80 are mounted to the sixth layer on the opposite side. The surface layers of the multilayer board 10 are composed of the first and sixth layers. The surface side of the multilayer board 10 corresponds to the first layer, and the back side of the multilayer board 10 corresponds to the sixth layer. The inner layers of the multilayer board 10 are composed of the second, third, fourth, and fifth layers. The inner layer closest to the surface side of the multilayer board 10 corresponds to the second layer, and the inner layer farthest from the surface side of the multilayer board 10 corresponds to the fifth layer. However, the number of layers in the multilayer board 10 is not limited to six. Lands of any shape can be formed at any position on each layer of the multilayer board 10. The lands provided on the surface layers of the first and sixth layers are surface lands 21. The lands provided on the inner layers from the second layer to the fifth layer are inner layer lands.

多層基板10全体を貫通して表側と裏側の表層ランド21同士を接続するビアホール50は、スルーホールビアホールと呼ばれる。表層基板20を貫通して表層ランド21と内層ランドとを接続するビアホール50は、ブラインドビアホールと呼ばれる。内層基板30を貫通して内層ランド同士を接続するビアホール50は、ベリッドビアホールと呼ばれる。内層ランドを含んで接続しているブラインドビアホールとベリッドビアホールとは、インタースティシャルビアホールと呼ばれる。以下では、インタースティシャルビアホールのことを内層ビアホールと呼ぶことがある。近接ビアホール51は、コア基板10cを貫通し、表層基板20については貫通していない。近接ビアホール51は、2層目の内層ランドと5層目の内層ランドとを接続している。このため、近接ビアホール51は、ベリッドビアホールであり、内層ビアホールの一種である。 The via hole 50 that penetrates the entire multilayer substrate 10 and connects the surface lands 21 on the front and back sides is called a through-hole via hole. The via hole 50 that penetrates the surface substrate 20 and connects the surface lands 21 and the inner layer lands is called a blind via hole. The via hole 50 that penetrates the inner substrate 30 and connects the inner layer lands is called a buried via hole. The blind via hole and the buried via hole that include the inner layer land and connects them are called interstitial via holes. Hereinafter, the interstitial via hole may be called an inner layer via hole. The proximal via hole 51 penetrates the core substrate 10c but does not penetrate the surface substrate 20. The proximal via hole 51 connects the inner layer land of the second layer and the inner layer land of the fifth layer. Therefore, the proximal via hole 51 is a buried via hole, a type of inner layer via hole.

近接ビアホール51のZ方向の長さLhは、表層基板20の基板厚さTsよりも大きい。近接ビアホール51のZ方向の長さLhは、内層基板30の基板厚さTiよりも大きい。近接ビアホール51のZ方向の長さLhは、多層基板10の基板厚さTaよりも小さい。近接ビアホール51のZ方向の長さLhは、多層基板10の基板厚さTaの半分以上である。 The Z-direction length Lh of the adjacent via hole 51 is greater than the board thickness Ts of the surface substrate 20. The Z-direction length Lh of the adjacent via hole 51 is greater than the board thickness Ti of the inner substrate 30. The Z-direction length Lh of the adjacent via hole 51 is less than the board thickness Ta of the multilayer substrate 10. The Z-direction length Lh of the adjacent via hole 51 is greater than half the board thickness Ta of the multilayer substrate 10.

近接ビアホール51の内部には、埋設樹脂54が設けられている。埋設樹脂54は、円柱形状である。埋設樹脂54は、円筒形状の近接ビアホール51の内部に隙間なく充填されている。 The buried resin 54 is provided inside the adjacent via hole 51. The buried resin 54 is cylindrical. The buried resin 54 fills the inside of the cylindrical adjacent via hole 51 without leaving any gaps.

接合はんだ25によるリフロー処理について、以下に説明する。リフロー処理には、準備工程と溶融工程と凝固工程とが含まれる。準備工程では、表層ランド21の上にペースト状の接合はんだ25を塗布し、その上に電子部品80を載置する。これにより、接合はんだ25は、表層ランド21と電子部品80の接続部82との両方に接触した状態となる。準備工程における接合はんだ25は、フラックスが揮発する前の状態である。 The reflow process using the joining solder 25 is described below. The reflow process includes a preparation step, a melting step, and a solidification step. In the preparation step, the joining solder 25 in paste form is applied onto the surface land 21, and the electronic component 80 is placed on top of it. This brings the joining solder 25 into contact with both the surface land 21 and the connection portion 82 of the electronic component 80. The joining solder 25 in the preparation step is in a state before the flux volatilizes.

図3において、準備工程の状態では、多層基板10の表面全体は、平坦な形状である。より詳細には、多層基板10表面のうち近接ビアホール51の直上の部分とそれ以外の部分とで段差がほとんどない状態である。準備工程の完了後、溶融工程に進む。 In FIG. 3, in the preparation process, the entire surface of the multilayer substrate 10 is flat. More specifically, there is almost no difference in height between the portion of the surface of the multilayer substrate 10 directly above the adjacent via hole 51 and the other portions. After the preparation process is completed, the melting process is performed.

溶融工程では、接合はんだ25の液相線の温度を上回る温度まで電子装置1を加熱する。仮に、液相線の温度が225℃であれば、225℃を上回る250℃程度まで加熱する。電子装置1を加熱することで、接合はんだ25が溶融し、表層ランド21や接続部82の表面に濡れ広がる。 In the melting process, the electronic device 1 is heated to a temperature that exceeds the liquidus temperature of the joining solder 25. If the liquidus temperature is 225°C, the electronic device 1 is heated to about 250°C, which is higher than 225°C. By heating the electronic device 1, the joining solder 25 melts and spreads over the surfaces of the surface lands 21 and the connection parts 82.

また、電子装置1を加熱することで、電子装置1を構成している各部品が準備工程の状態に比べて膨張する。ここで、電子装置1は、金属材料部品と樹脂材料部品とを含んで構成されている。また、一般的に金属材料の熱膨張率は、樹脂材料の熱膨張率よりも小さい。このため、電子装置1において、金属材料が使われている部分と樹脂材料が使われている部分との間で、膨張の仕方が異なる。 In addition, by heating the electronic device 1, each component constituting the electronic device 1 expands compared to the state in the preparation process. Here, the electronic device 1 is composed of metal material components and resin material components. Furthermore, the thermal expansion coefficient of metal materials is generally smaller than that of resin materials. For this reason, the parts of the electronic device 1 that use metal materials and the parts that use resin materials expand in different ways.

図4において、準備工程における多層基板10表面の位置を仮想線VLで表示している。多層基板10表面の全体は、仮想線VLを超えて膨出している。ただし、多層基板10表面の仮想線VLに対する膨出量は、場所によって異なる。多層基板10表面のうち近接ビアホール51の直上に位置する部分は、膨出量が小さい。一方、多層基板10表面のうち近接ビアホール51の直上に位置しない部分は、膨出量が大きい。より詳細には、近接ビアホール51から離れるほど、膨出量が大きくなっている。 In Figure 4, the position of the surface of the multilayer substrate 10 in the preparation process is indicated by the imaginary line VL. The entire surface of the multilayer substrate 10 bulges beyond the imaginary line VL. However, the amount of bulging of the surface of the multilayer substrate 10 relative to the imaginary line VL varies depending on the location. The portion of the surface of the multilayer substrate 10 located directly above the adjacent via hole 51 bulges less. On the other hand, the portion of the surface of the multilayer substrate 10 that is not located directly above the adjacent via hole 51 bulges more. More specifically, the amount of bulging increases the further away from the adjacent via hole 51.

図5において、準備工程を基準とした状態からの多層基板10表面の膨出量は、近接ビアホール51から十分に離れた位置では、ほとんど一定である。言い換えると、近接ビアホール51から十分に離れた位置においては、多層基板10の表面が平坦な形状である。 In FIG. 5, the amount of bulging of the multilayer substrate 10 surface from the state based on the preparation process is almost constant at a position sufficiently far from the adjacent via hole 51. In other words, at a position sufficiently far from the adjacent via hole 51, the surface of the multilayer substrate 10 has a flat shape.

溶融工程の状態では、多層基板10の表面は、部分的に段差が形成されている形状である。より詳細には、多層基板10表面のうち近接ビアホール51の直上およびその周辺の部分は、それ以外の部分よりも凹んでいる状態である。 During the melting process, the surface of the multilayer substrate 10 has a shape in which steps are formed in parts. More specifically, the part of the surface of the multilayer substrate 10 directly above the adjacent via hole 51 and its surrounding area is recessed relative to the other parts.

溶融工程における膨出量の違いは、近接ビアホール51を構成している金属材料の熱膨張率と多層基板10を構成している樹脂材料の熱膨張率との違いに起因している。このため、近接ビアホール51のZ方向の長さLhが、多層基板10の基板厚さTaに近いほど、多層基板10の表面に形成される段差が大きくなる。言い換えると、近接ビアホール51のZ方向の端部から多層基板10表面までの距離が小さいほど、多層基板10の表面に形成される段差が大きくなる。 The difference in the amount of expansion during the melting process is due to the difference in the thermal expansion coefficient between the metal material constituting the adjacent via hole 51 and the resin material constituting the multilayer substrate 10. For this reason, the closer the Z-direction length Lh of the adjacent via hole 51 is to the substrate thickness Ta of the multilayer substrate 10, the larger the step formed on the surface of the multilayer substrate 10. In other words, the smaller the distance from the Z-direction end of the adjacent via hole 51 to the surface of the multilayer substrate 10, the larger the step formed on the surface of the multilayer substrate 10.

また、近接ビアホール51の熱膨張率と多層基板10の熱膨張率の違いが大きいほど、多層基板10の表面に形成される段差が大きくなる。また、溶融工程における温度が高いほど、多層基板10の表面に形成される段差が大きくなる。また、近接ビアホール51のホール直径Dhが大きいほど、多層基板10の表面に段差が形成される範囲が広くなる。溶融工程の完了後、凝固工程に進む。 The greater the difference between the thermal expansion coefficient of the adjacent via hole 51 and the thermal expansion coefficient of the multilayer substrate 10, the greater the step formed on the surface of the multilayer substrate 10. The higher the temperature in the melting process, the greater the step formed on the surface of the multilayer substrate 10. The greater the hole diameter Dh of the adjacent via hole 51, the greater the area over which steps are formed on the surface of the multilayer substrate 10. After the melting process is completed, the process proceeds to the solidification process.

凝固工程では、接合はんだ25の固相線の温度を下回る温度まで電子装置1を冷却する。仮に、固相線の温度が200℃であれば、200℃を下回る195℃程度まで加熱を弱めることで電子装置1を冷却する。電子装置1を冷却することで、接合はんだ25が凝固し、表層ランド21や接続部82に濡れ広がった状態で固定される。 In the solidification process, the electronic device 1 is cooled to a temperature below the solidus temperature of the joining solder 25. If the solidus temperature is 200°C, the electronic device 1 is cooled by reducing the heating to about 195°C, which is below 200°C. By cooling the electronic device 1, the joining solder 25 solidifies and is fixed in a state where it has spread wet to the surface lands 21 and the connection parts 82.

また、電子装置1を冷却することで、電子装置1を構成している各部品が溶融工程の状態に比べて収縮した状態となる。ただし、電子装置1を構成している各部品は、準備工程の状態に比べて膨張した状態である。このため、溶融工程の状態に比べて小さい膨出量ではあるが、多層基板10表面に部分的に段差が形成されている状態となる。 In addition, by cooling the electronic device 1, each component constituting the electronic device 1 is in a contracted state compared to the state in the melting process. However, each component constituting the electronic device 1 is in an expanded state compared to the state in the preparation process. Therefore, although the amount of expansion is smaller compared to the state in the melting process, a step is partially formed on the surface of the multilayer substrate 10.

凝固工程においては、接合はんだ25全体が均一な温度であることが好ましいが、実際には、接合はんだ25の部位によって温度に偏りが生じ得る。例えば、接合はんだ25の表面は、接合はんだ25の内部に比べて温度が低くなりやすい。このため、凝固工程が完了するまでの間、接合はんだ25は、温度の低い一部分が固相の状態となり、温度の高い一部分が液相の状態となる半溶融状態が発生し得る。接合はんだ25の量が多いほど、温度に偏りが生じやすく、半溶融状態が発生しやすい。 During the solidification process, it is preferable that the entire joint solder 25 be at a uniform temperature, but in reality, temperature bias may occur depending on the part of the joint solder 25. For example, the surface of the joint solder 25 is likely to have a lower temperature than the inside of the joint solder 25. For this reason, until the solidification process is completed, the joint solder 25 may enter a semi-molten state in which the low-temperature parts are in a solid phase and the high-temperature parts are in a liquid phase. The greater the amount of joint solder 25, the more likely it is that temperature bias will occur and the more likely it is that the semi-molten state will occur.

接合はんだ25には、ある程度の大きさの固液相線幅が存在する。このため、仮に接合はんだ25全体が均一な温度であったとしても、凝固工程が完了するまでの間、接合はんだ25は、半溶融状態となり得る。接合はんだ25の固液相線幅が大きいほど、半溶融状態が発生しやすい。 The joining solder 25 has a certain degree of solid-liquid phase width. Therefore, even if the entire joining solder 25 is at a uniform temperature, the joining solder 25 may be in a semi-molten state until the solidification process is completed. The larger the solid-liquid phase width of the joining solder 25, the more likely it is that the semi-molten state will occur.

凝固工程が完了するまでの間、電子装置1の温度は徐々に低下することとなる。このため、凝固工程が進む間に、多層基板10表面の段差の状態が変化し得る。したがって、接合はんだ25の一部は、温度が高く膨出量が多い状態で凝固し、接合はんだ25の他の一部は、温度が低く膨出量が少ない状態で凝固することとなる。よって、凝固工程の接合はんだ25において、凝固する前の部分が凝固した後の部分に引っ張られるなどして、表層ランド21との適切な接触状態が維持されない場合がある。この場合、接合はんだ25のうち本来であれば表層ランド21に接触した状態で凝固すべき部分が、表層ランド21から離れた状態で凝固してしまうことがある。言い換えると、接合はんだ25による接合が部分的に不適切な状態となり得る。このように、接合はんだ25に接合が不適切な部分が存在すると、接合はんだ25が表層ランド21から剥離してしまう場合がある。 Until the solidification process is completed, the temperature of the electronic device 1 gradually decreases. Therefore, the state of the steps on the surface of the multilayer substrate 10 may change as the solidification process progresses. Therefore, a part of the joint solder 25 solidifies at a high temperature and with a large amount of swelling, and another part of the joint solder 25 solidifies at a low temperature and with a small amount of swelling. Therefore, in the joint solder 25 during the solidification process, the part before solidification may be pulled by the part after solidification, and the appropriate contact state with the surface land 21 may not be maintained. In this case, the part of the joint solder 25 that should be solidified in contact with the surface land 21 may solidify away from the surface land 21. In other words, the joint by the joint solder 25 may be partially inappropriate. In this way, if there is a part of the joint solder 25 where the joint is inappropriate, the joint solder 25 may peel off from the surface land 21.

上述したような接合はんだ25の不適切な接合は、凝固の開始から完了までの間で多層基板10表面の段差の大きさが変化するほど、引き起こされやすい。言い換えると、凝固の開始から完了までの間で多層基板10表面の段差の大きさがほとんど変化しなければ、接合はんだ25の不適切な接合を抑制できる。このため、凝固の開始時点で多層基板10表面の段差が十分に小さい平坦な位置に接合はんだ25を配置することで、接合はんだ25の不適切な接合を抑制することができる。言い換えると、近接ビアホール51から十分に離れた位置に接合はんだ25を配置することで、接合はんだ25の不適切な接合を抑制することができる。 The more the magnitude of the step on the surface of the multilayer substrate 10 changes between the start and end of solidification, the more likely it is that improper bonding of the joint solder 25 as described above will occur. In other words, if the magnitude of the step on the surface of the multilayer substrate 10 changes very little between the start and end of solidification, improper bonding of the joint solder 25 can be suppressed. For this reason, by arranging the joint solder 25 on a flat position where the step on the surface of the multilayer substrate 10 is sufficiently small at the start of solidification, improper bonding of the joint solder 25 can be suppressed. In other words, by arranging the joint solder 25 at a position sufficiently far away from the adjacent via hole 51, improper bonding of the joint solder 25 can be suppressed.

固液相線幅が大きいほど、凝固工程で凝固完了までの温度変化が大きくなり、接合はんだ25の不適切な接合が引き起こされやすい。このため、近接ビアホール51と接合はんだ25との距離を離すことで接合の精度を高めることは、固液相線幅の大きな接合はんだ25を用いる電子装置1において非常に有用である。 The larger the solid-liquid phase line width, the greater the temperature change during the solidification process until solidification is complete, making it more likely that improper joining of the joining solder 25 will occur. For this reason, increasing the distance between the adjacent via hole 51 and the joining solder 25 to improve the joining accuracy is very useful in electronic devices 1 that use joining solder 25 with a large solid-liquid phase line width.

凝固工程の完了により、リフロー処理の全工程が完了することとなる。 Once the solidification process is complete, the entire reflow process is complete.

上述した実施形態によると、近接ビアホール51は、接合はんだ25から近接ビアホール51までの距離である離間距離Ldが近接ビアホール51の直径であるホール直径Dhよりも大きくなる位置に設けられている。言い換えると、近接ビアホール51は、接合はんだ25から十分に離れた位置に配置されている。このため、温度変化に起因して多層基板10表面に段差が発生した場合であっても、接合はんだ25が多層基板10表面の段差の影響を受けにくい。したがって、接合はんだ25による接合を安定させやすい。よって、多層基板10に電子部品80が安定して接合された電子装置1を提供できる。特に、リフロー処理の凝固工程において、接合はんだ25が多層基板10表面の段差の大きさの変化の影響を受けにくい。このため、接合はんだ25の凝固開始から凝固完了までの間、接合はんだ25が表層ランド21に接触した状態を維持しやすい。 According to the above-described embodiment, the adjacent via hole 51 is provided at a position where the distance Ld from the joining solder 25 to the adjacent via hole 51 is larger than the hole diameter Dh of the adjacent via hole 51. In other words, the adjacent via hole 51 is disposed at a position sufficiently distant from the joining solder 25. Therefore, even if a step occurs on the surface of the multilayer substrate 10 due to a temperature change, the joining solder 25 is not easily affected by the step on the surface of the multilayer substrate 10. Therefore, it is easy to stabilize the joining by the joining solder 25. Therefore, it is possible to provide an electronic device 1 in which the electronic component 80 is stably joined to the multilayer substrate 10. In particular, in the solidification process of the reflow process, the joining solder 25 is not easily affected by the change in the size of the step on the surface of the multilayer substrate 10. Therefore, it is easy for the joining solder 25 to maintain a state of contact with the surface land 21 from the start of solidification of the joining solder 25 to the completion of solidification.

接合はんだ25の固液相線幅は、13℃以上である。このため、接合はんだ25は、固液相線幅が13℃未満のはんだに比べて、不適切な接合の結果として剥離が引き起こされやすいはんだである。したがって、剥離が引き起こされやすいはんだに対して特別な剥離対策を行うこととなる。一方、剥離が引き起こされにくいはんだに対しては特別な剥離対策を行う必要がない。よって、電子装置1の設計において、はんだの性能の1つである固液相線幅の大きさの観点から、剥離対策が必要か否かを判断できる。以上により、剥離対策を行う場合と行わない場合とを適切に判断することで、不要な剥離対策により電子装置1が大型化してしまうことを抑制できる。 The solid-liquid phase width of the joining solder 25 is 13°C or more. Therefore, compared to solder with a solid-liquid phase width of less than 13°C, the joining solder 25 is a solder that is more likely to peel off as a result of improper joining. Therefore, special peeling countermeasures are taken for solder that is more likely to peel off. On the other hand, special peeling countermeasures are not necessary for solder that is less likely to peel off. Therefore, in designing the electronic device 1, it is possible to determine whether or not peeling countermeasures are necessary from the perspective of the size of the solid-liquid phase width, which is one of the solder performance characteristics. As described above, by appropriately determining when to take peeling countermeasures and when not to take them, it is possible to prevent the electronic device 1 from becoming larger due to unnecessary peeling countermeasures.

接続部82は、接合はんだ25のうち接合はんだ25の中央部分よりも近接ビアホール51から離れた部分に接触している。このため、接続部82を接合はんだ25の中央部分よりも近接ビアホール51に近い部分に接触させる場合に比べて、接続部82と接触している部分の接合はんだ25を近接ビアホール51から離れた位置とすることができる。したがって、リフロー処理などで大きな温度変化が生じた場合であっても、接続部82と接合すべき接合はんだ25が多層基板10表面の段差の変化の影響を受けにくい。 The connection portion 82 contacts a portion of the joining solder 25 that is farther from the adjacent via hole 51 than the center portion of the joining solder 25. Therefore, the portion of the joining solder 25 that is in contact with the connection portion 82 can be positioned farther from the adjacent via hole 51 than in a case where the connection portion 82 is in contact with a portion of the joining solder 25 that is closer to the adjacent via hole 51 than the center portion of the joining solder 25. Therefore, even if a large temperature change occurs during a reflow process or the like, the joining solder 25 to be joined to the connection portion 82 is less susceptible to changes in the steps on the surface of the multilayer substrate 10.

近接ビアホール51は、少なくとも電子部品80が実装されている表層基板20を貫通しない電流経路を構成している内層ビアホールである。このため、近接ビアホール51と表層ランド21との絶縁を表層基板20によって確保することができる。したがって、近接ビアホール51と表層ランド21との絶縁に必要な距離を考慮することなく、近接ビアホール51と表層ランド21の位置関係を設定できる。 The adjacent via hole 51 is an inner layer via hole that forms a current path that does not penetrate at least the surface substrate 20 on which the electronic component 80 is mounted. Therefore, insulation between the adjacent via hole 51 and the surface land 21 can be ensured by the surface substrate 20. Therefore, the positional relationship between the adjacent via hole 51 and the surface land 21 can be set without considering the distance required for insulation between the adjacent via hole 51 and the surface land 21.

第2実施形態
この実施形態は、先行する実施形態を基礎的形態とする変形例である。この実施形態では、近接ビアホール251が多層基板10の板厚方向であるZ方向に十分大きく離れている。
Second Embodiment This embodiment is a modification of the preceding embodiment, in which adjacent via holes 251 are spaced apart from each other by a sufficient distance in the Z direction, which is the thickness direction of the multilayer substrate 10.

図6において、ビアホール250は、多層基板10の板厚方向であるZ方向において、接合はんだ25と重なる位置に設けられている。言い換えると、ビアホール250は、接合はんだ25に対してZ方向に離れた位置に設けられている。 In FIG. 6, the via hole 250 is provided at a position overlapping the joining solder 25 in the Z direction, which is the plate thickness direction of the multilayer substrate 10. In other words, the via hole 250 is provided at a position separated from the joining solder 25 in the Z direction.

ビアホール250は、近接ビアホール251を備えている。近接ビアホール251は、ビアホール250のうち、接合はんだ25に最も近い位置に設けられているビアホール250である。 The via holes 250 include a proximate via hole 251. The proximate via hole 251 is the via hole 250 that is located closest to the joining solder 25.

図7において、近接ビアホール251は、2枚の内層基板30を貫通し、1枚の内層基板30と2枚の表層基板20については貫通していない。近接ビアホール251は、3層目の内層ランドと5層目の内層ランドとを接続している。このため、近接ビアホール251は、ベリッドビアホールであり、内層ビアホールの一種である。 In FIG. 7, the proximal via hole 251 penetrates two inner layer substrates 30, but does not penetrate one inner layer substrate 30 and two surface layer substrates 20. The proximal via hole 251 connects the inner layer land of the third layer and the inner layer land of the fifth layer. Therefore, the proximal via hole 251 is a buried via hole, a type of inner layer via hole.

近接ビアホール251のZ方向の長さLhは、表層基板20の基板厚さTsよりも大きい。近接ビアホール251のZ方向の長さLhは、内層基板30の基板厚さTiよりも大きい。近接ビアホール251のZ方向の長さLhは、多層基板10の基板厚さTaよりも小さい。近接ビアホール251のZ方向の長さLhは、多層基板10の基板厚さTaの半分以下である。 The Z-direction length Lh of the adjacent via hole 251 is greater than the board thickness Ts of the surface substrate 20. The Z-direction length Lh of the adjacent via hole 251 is greater than the board thickness Ti of the inner substrate 30. The Z-direction length Lh of the adjacent via hole 251 is less than the board thickness Ta of the multilayer substrate 10. The Z-direction length Lh of the adjacent via hole 251 is less than half the board thickness Ta of the multilayer substrate 10.

接合はんだ25から近接ビアホール251までの距離である離間距離Ldは、表層基板20の基板厚さTsよりも大きい。接合はんだ25から近接ビアホール251までの距離である離間距離Ldは、内層基板30の基板厚さTiよりも大きい。近接ビアホール251の直上である1層目までの距離は、近接ビアホール251の直下である6層目までの距離よりも大きい。言い換えると、近接ビアホール251は、Z方向において、最上層である1層目よりも最下層である6層目に近い位置に設けられている。言い換えると、近接ビアホール251のZ方向の中央部分は、多層基板10全体のZ方向の中央部分よりも接合はんだ25から離れた位置に設けられている。 The distance Ld from the joining solder 25 to the adjacent via hole 251 is greater than the board thickness Ts of the surface substrate 20. The distance Ld from the joining solder 25 to the adjacent via hole 251 is greater than the board thickness Ti of the inner substrate 30. The distance to the first layer directly above the adjacent via hole 251 is greater than the distance to the sixth layer directly below the adjacent via hole 251. In other words, the adjacent via hole 251 is located closer to the sixth layer, which is the bottom layer, in the Z direction than the first layer, which is the top layer. In other words, the center part of the adjacent via hole 251 in the Z direction is located farther from the joining solder 25 than the center part of the entire multilayer substrate 10 in the Z direction.

リフロー処理の溶融工程において、近接ビアホール251のZ方向の端部から多層基板10表面までの距離が小さいほど、多層基板10の表面に形成される段差が大きくなる。言い換えると、近接ビアホール251のZ方向の端部から多層基板10表面までの距離が大きいほど、多層基板10表面に形成される段差が小さくなる。ここで、多層基板10表面のうち、電子部品80が実装される面を上面、電子部品80が実装されない面を下面とする。この場合、多層基板10の上面から近接ビアホール251までの距離は、多層基板10の下面から近接ビアホール251までの距離よりも大きい。このため、多層基板10の上面に形成される段差は、多層基板10の下面に形成される段差よりも小さな段差となる。 In the melting step of the reflow process, the smaller the distance from the Z-direction end of the adjacent via hole 251 to the surface of the multilayer substrate 10, the larger the step formed on the surface of the multilayer substrate 10. In other words, the greater the distance from the Z-direction end of the adjacent via hole 251 to the surface of the multilayer substrate 10, the smaller the step formed on the surface of the multilayer substrate 10. Here, the surface of the multilayer substrate 10 on which the electronic component 80 is mounted is referred to as the upper surface, and the surface on which the electronic component 80 is not mounted is referred to as the lower surface. In this case, the distance from the upper surface of the multilayer substrate 10 to the adjacent via hole 251 is greater than the distance from the lower surface of the multilayer substrate 10 to the adjacent via hole 251. Therefore, the step formed on the upper surface of the multilayer substrate 10 is smaller than the step formed on the lower surface of the multilayer substrate 10.

凝固工程における接合はんだ25の不適切な接合は、凝固の開始から完了までの間で多層基板10表面の段差の大きさが変化するほど、引き起こされやすい。言い換えると、凝固開始から凝固完了までの間で多層基板10表面の段差の大きさがほとんど変化しなければ、接合はんだ25の不適切な接合を抑制できる。このため、凝固の開始時点で多層基板10表面の段差が十分に小さい平坦な位置に接合はんだ25を配置することで、接合はんだ25の不適切な接合を抑制できる。言い換えると、近接ビアホール251から板厚方向に十分に離れた位置に接合はんだ25を配置することで、接合はんだ25の不適切な接合を抑制することができる。 The more the magnitude of the step on the surface of the multilayer substrate 10 changes between the start and end of solidification, the more likely it is that improper bonding of the joining solder 25 will occur during the solidification process. In other words, if the magnitude of the step on the surface of the multilayer substrate 10 changes very little between the start and end of solidification, improper bonding of the joining solder 25 can be suppressed. For this reason, by arranging the joining solder 25 on a flat position where the step on the surface of the multilayer substrate 10 is sufficiently small at the start of solidification, improper bonding of the joining solder 25 can be suppressed. In other words, by arranging the joining solder 25 at a position sufficiently far away from the adjacent via hole 251 in the plate thickness direction, improper bonding of the joining solder 25 can be suppressed.

上述した実施形態によると、近接ビアホール251は、接合はんだ25から近接ビアホール251までの距離である離間距離Ldが表層基板20の基板厚さTsよりも大きくなる位置に設けられている。このため、温度変化に起因して多層基板10表面に大きな段差が生じることを抑制できる。したがって、接合はんだ25が多層基板10表面の段差の影響を受けにくい。よって、接合はんだ25による接合を安定させやすい。以上により、多層基板10に電子部品80が安定して接合された電子装置1を提供できる。特に、リフロー処理の凝固工程において、接合はんだ25の凝固開始から凝固完了までの間、接合はんだ25が表層ランド21に接触した状態を維持しやすい。 According to the above-described embodiment, the adjacent via hole 251 is provided at a position where the separation distance Ld, which is the distance from the joining solder 25 to the adjacent via hole 251, is greater than the board thickness Ts of the surface board 20. This can prevent large steps from occurring on the surface of the multilayer board 10 due to temperature changes. Therefore, the joining solder 25 is less susceptible to the effects of steps on the surface of the multilayer board 10. This makes it easier to stabilize the joining by the joining solder 25. As a result, it is possible to provide an electronic device 1 in which the electronic component 80 is stably joined to the multilayer board 10. In particular, during the solidification process of the reflow process, the joining solder 25 is likely to maintain contact with the surface land 21 from the start of solidification of the joining solder 25 to the completion of solidification.

近接ビアホール251は、離間距離Ldが内層基板30の基板厚さTiよりも大きくなる位置に設けられている。このため、離間距離Ldが内層基板30の基板厚さTiよりも小さい場合に比べて、凝固工程において多層基板10表面の段差の大きさが変化することを抑制しやすい。 The adjacent via holes 251 are provided at a position where the separation distance Ld is greater than the substrate thickness Ti of the inner substrate 30. Therefore, it is easier to prevent the size of the steps on the surface of the multilayer substrate 10 from changing during the solidification process, compared to when the separation distance Ld is smaller than the substrate thickness Ti of the inner substrate 30.

他の実施形態
この明細書および図面等における開示は、例示された実施形態に制限されない。開示は、例示された実施形態と、それらに基づく当業者による変形態様を包含する。例えば、開示は、実施形態において示された部品および/または要素の組み合わせに限定されない。開示は、多様な組み合わせによって実施可能である。開示は、実施形態に追加可能な追加的な部分をもつことができる。開示は、実施形態の部品および/または要素が省略されたものを包含する。開示は、1つの実施形態と他の実施形態との間における部品および/または要素の置き換え、または組み合わせを包含する。開示される技術的範囲は、実施形態の記載に限定されない。開示されるいくつかの技術的範囲は、請求の範囲の記載によって示され、さらに請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内での全ての変更を含むものと解されるべきである。
Other embodiments The disclosure in this specification and drawings, etc. is not limited to the exemplified embodiments. The disclosure includes the exemplified embodiments and modifications by those skilled in the art based thereon. For example, the disclosure is not limited to the combination of parts and/or elements shown in the embodiments. The disclosure can be implemented by various combinations. The disclosure can have additional parts that can be added to the embodiments. The disclosure includes the omission of parts and/or elements of the embodiments. The disclosure includes the substitution or combination of parts and/or elements between one embodiment and another embodiment. The disclosed technical scope is not limited to the description of the embodiments. Some disclosed technical scopes are indicated by the description of the claims, and should be interpreted as including all modifications within the meaning and scope equivalent to the description of the claims.

明細書および図面等における開示は、請求の範囲の記載によって限定されない。明細書および図面等における開示は、請求の範囲に記載された技術的思想を包含し、さらに請求の範囲に記載された技術的思想より多様で広範な技術的思想に及んでいる。よって、請求の範囲の記載に拘束されることなく、明細書および図面等の開示から、多様な技術的思想を抽出することができる。 The disclosure in the specification and drawings, etc. is not limited by the claims. The disclosure in the specification and drawings, etc. encompasses the technical ideas described in the claims, and extends to more diverse and extensive technical ideas than the technical ideas described in the claims. Therefore, various technical ideas can be extracted from the disclosure in the specification and drawings, etc., without being bound by the claims.

1 電子装置、 10 多層基板、 10b ビルドアップ基板、 10c コア基板、 20 表層基板、 21 表層ランド、 25 接合はんだ、 30 内層基板、 50 ビアホール、 51 近接ビアホール、 56 遠隔ビアホール、 80 電子部品、 81 本体部、 82 接続部、 250 ビアホール、 251 近接ビアホール 1 Electronic device, 10 Multilayer board, 10b Build-up board, 10c Core board, 20 Surface board, 21 Surface land, 25 Joint solder, 30 Inner board, 50 Via hole, 51 Proximal via hole, 56 Remote via hole, 80 Electronic component, 81 Main body, 82 Connection, 250 Via hole, 251 Proximal via hole

Claims (5)

表層をなす絶縁基板である表層基板(20)と内層をなす前記絶縁基板である内層基板(30)とが互いに板厚方向に重なって設けられている多層基板(10)と、
前記表層基板に設けられている表層ランド(21)と、
前記表層基板に実装される電子部品(80)と、
前記電子部品と前記表層ランドとを接合している接合はんだ(25)と、
前記絶縁基板を貫通する電流経路を構成しているビアホール(50)とを備え、
前記接合はんだは、固液相線幅が13℃以上であり、
前記ビアホールは、前記接合はんだと前記板厚方向に重ならない位置に設けられた前記ビアホールのうち前記接合はんだから最も近い距離に位置している近接ビアホール(51)を備え、
前記ビアホールと前記表層ランドとの間に、金属材料が配置されることなく前記表層基板が設けられており、
前記近接ビアホールは、前記接合はんだから前記近接ビアホールまでの距離である離間距離(Ld)が前記近接ビアホールの直径であるホール直径(Dh)よりも大きくなる位置に設けられている電子装置。
A multilayer board (10) in which a surface layer substrate (20) which is an insulating substrate forming a surface layer and an inner layer substrate (30) which is an insulating substrate forming an inner layer are overlapped with each other in a board thickness direction;
A surface land (21) provided on the surface substrate;
An electronic component (80) mounted on the surface substrate;
A joining solder (25) joining the electronic component and the surface land;
A via hole (50) that constitutes a current path penetrating the insulating substrate;
The joining solder has a solid-liquid phase width of 13° C. or more,
The via holes include a nearby via hole (51) that is located closest to the joining solder among the via holes provided at a position not overlapping with the joining solder in the plate thickness direction,
the surface substrate is provided without any metal material being disposed between the via hole and the surface land;
The adjacent via holes are provided at positions where a separation distance (Ld) from the joining solder to the adjacent via holes is greater than a hole diameter (Dh) of the adjacent via holes.
前記電子部品は、前記接合はんだに接触している接続部(82)を備え、
前記接続部は、前記接合はんだのうち前記接合はんだの中央部分よりも前記近接ビアホールから離れた部分に接触している請求項1に記載の電子装置。
The electronic component has a connection portion (82) in contact with the joining solder,
The electronic device according to claim 1 , wherein the connection portion is in contact with a portion of the joint solder that is farther from the adjacent via hole than a central portion of the joint solder.
表層をなす絶縁基板である表層基板(20)と内層をなす前記絶縁基板である内層基板(30)とが互いに板厚方向に重なって設けられている多層基板(10)と、
前記表層基板に設けられている表層ランド(21)と、
前記表層基板に実装される電子部品(80)と、
前記電子部品と前記表層ランドとを接合している接合はんだ(25)と、
前記絶縁基板を貫通する電流経路を構成しているビアホール(250)とを備え、
前記接合はんだは、固液相線幅が13℃以上であり、
前記ビアホールは、前記接合はんだと前記板厚方向に重なる位置に設けられた前記ビアホールのうち前記接合はんだから最も近い距離に位置している近接ビアホール(251)を備え、
前記ビアホールと前記表層ランドとの間に、金属材料が配置されることなく前記表層基板が設けられており、
前記近接ビアホールは、前記接合はんだから前記近接ビアホールまでの距離である離間距離(Ld)が前記表層基板の基板厚さ(Ts)よりも大きくなる位置に設けられている電子装置。
A multilayer board (10) in which a surface layer substrate (20) which is an insulating substrate forming a surface layer and an inner layer substrate (30) which is an insulating substrate forming an inner layer are overlapped with each other in a board thickness direction;
A surface land (21) provided on the surface substrate;
An electronic component (80) mounted on the surface substrate;
A joining solder (25) joining the electronic component and the surface land;
A via hole (250) that constitutes a current path penetrating the insulating substrate;
The joining solder has a solid-liquid phase width of 13° C. or more,
The via holes include a nearby via hole (251) that is located closest to the joining solder among the via holes provided at a position overlapping the joining solder in the plate thickness direction,
the surface substrate is provided without any metal material being disposed between the via hole and the surface land;
The adjacent via hole is provided at a position where a separation distance (Ld) from the joining solder to the adjacent via hole is greater than a board thickness (Ts) of the surface layer board.
前記内層基板は、前記表層基板よりも厚い前記絶縁基板であり、
前記近接ビアホールは、前記離間距離が前記内層基板の基板厚さ(Ti)よりも大きくなる位置に設けられている請求項3に記載の電子装置。
the inner layer substrate is an insulating substrate having a thickness greater than that of the outer layer substrate,
4. The electronic device according to claim 3 , wherein the adjacent via holes are provided at positions where the separation distance is greater than a substrate thickness (Ti) of the inner layer substrate.
前記近接ビアホールは、少なくとも前記電子部品が実装されている前記表層基板を貫通しない電流経路を構成している内層ビアホールである請求項1から請求項のいずれかに記載の電子装置。 5. The electronic device according to claim 1, wherein the adjacent via hole is an inner layer via hole that constitutes a current path that does not penetrate at least the surface layer substrate on which the electronic component is mounted.
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