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JP7540240B2 - Electronics - Google Patents
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Description

この明細書における開示は、電子装置に関する。 The disclosure in this specification relates to electronic devices.

特許文献1は、リフトオフ現象の発生を低減させることが可能な多層プリント配線板、回路モジュールおよび電子機器を開示している。先行技術文献の記載内容は、この明細書における技術的要素の説明として、参照により援用される。 Patent Document 1 discloses a multilayer printed wiring board, a circuit module, and an electronic device that can reduce the occurrence of the lift-off phenomenon. The contents of the prior art documents are incorporated by reference as explanations of the technical elements in this specification.

特開2004-172329号公報JP 2004-172329 A

先行技術文献の構成では、スルーホールランド部と基板との密着面積を多くすることでリフトオフ現象の発生を低減させている。また、所望の性能のはんだを得る目的で、組成の異なる様々なはんだが開発されている。ここで、剥離が引き起こされる状況は様々であり、同じ電子装置であっても、はんだの性能によって剥離が引き起こされる場合と引き起こされない場合があり得る。このため、剥離が引き起こされやすいはんだに対しては、剥離を防止するための特別な対策を行う必要がある。上述の観点において、または言及されていない他の観点において、電子装置にはさらなる改良が求められている。 In the configuration of the prior art document, the occurrence of lift-off is reduced by increasing the contact area between the through-hole land portion and the substrate. Also, various solders with different compositions have been developed to obtain solder with desired performance. Here, there are various situations in which peeling occurs, and even in the same electronic device, peeling may or may not occur depending on the performance of the solder. For this reason, special measures must be taken to prevent peeling for solder that is prone to peeling. In the above respects, or in other respects not mentioned, further improvements in electronic devices are required.

開示される1つの目的は、多層基板に電子部品が安定して接合された電子装置を提供することにある。 One disclosed objective is to provide an electronic device in which electronic components are stably bonded to a multilayer substrate.

ここに開示された電子装置は、表層をなす絶縁基板である表層基板(20)と内層をなす絶縁基板である内層基板(30)とが互いに板厚方向に重なって設けられている多層基板(10)と、表層基板に設けられている表層ランド(21、221)と、表層基板に実装される電子部品(80)と、電子部品と表層ランドとを接合している接合はんだ(25)と、内層基板を貫通する電流経路を構成しているビアホール(50、250、350、450)とを備え、ビアホールおよびビアホールで囲まれた部位と、表層ランドとの間に、金属材料が配置されることなく表層基板が設けられており、接合はんだは、固液相線幅が13℃以上であり、ビアホールは、少なくとも一部が接合はんだと板厚方向に重なる位置に設けられている。 The electronic device disclosed herein comprises a multilayer substrate (10) in which a surface substrate (20) which is an insulating substrate forming a surface layer and an inner substrate (30) which is an insulating substrate forming an inner layer are overlapped in the plate thickness direction, surface lands (21, 221) provided on the surface substrate, electronic components (80) mounted on the surface substrate, joining solder (25) joining the electronic components and the surface lands, and via holes (50, 250, 350, 450) which form a current path passing through the inner substrate, the surface substrate being provided without any metal material being disposed between the via holes and the areas surrounded by the via holes and the surface lands, the joining solder having a solid-liquid phase width of 13° C. or more, and the via holes being provided at a position where at least a portion of the via holes overlaps with the joining solder in the plate thickness direction.

開示された電子装置によると、ビアホールは、少なくとも一部が接合はんだと板厚方向に重なる位置に設けられている。このため、多層基板表面のうち、膨張しにくい部分に接合はんだを配置することができる。したがって、接合はんだが多層基板表面に生じる段差の影響を受けにくい。よって、接合はんだによる接合を安定させやすい。以上により、多層基板に電子部品が安定して接合された電子装置を提供できる。 According to the disclosed electronic device, the via holes are provided at positions where at least a portion of the via holes overlaps with the joining solder in the board thickness direction. This allows the joining solder to be placed on the surface of the multilayer board in a portion that is less likely to expand. This means that the joining solder is less susceptible to the effects of steps that occur on the surface of the multilayer board. This makes it easier to stabilize the joining by the joining solder. As a result, it is possible to provide an electronic device in which electronic components are stably joined to the multilayer board.

この明細書における開示された複数の態様は、それぞれの目的を達成するために、互いに異なる技術的手段を採用する。請求の範囲およびこの項に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態の部分との対応関係を例示的に示すものであって、技術的範囲を限定することを意図するものではない。この明細書に開示される目的、特徴、および効果は、後続の詳細な説明、および添付の図面を参照することによってより明確になる。 The various aspects disclosed in this specification employ different technical means to achieve their respective objectives. The claims and the reference characters in parentheses in this section are illustrative of the corresponding relationships with the embodiments described below, and are not intended to limit the technical scope. The objectives, features, and advantages disclosed in this specification will become clearer with reference to the detailed description that follows and the accompanying drawings.

電子装置の上面図である。FIG. 2 is a top view of the electronic device. 図1のII-II線における断面を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing a cross section taken along line II-II in FIG. 1. 準備工程での多層基板表面を示す拡大断面図である。4 is an enlarged cross-sectional view showing a surface of a multilayer substrate in a preparation process. FIG. 溶融工程での多層基板表面を示す拡大断面図である。4 is an enlarged cross-sectional view showing the surface of the multilayer substrate in a melting process. FIG. 第2実施形態における電子装置の上面図である。FIG. 13 is a top view of an electronic device according to a second embodiment. 第2実施形態における準備工程での多層基板表面を示す拡大断面図である。FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view showing a surface of a multilayer substrate in a preparation step in a second embodiment. 第2実施形態における溶融工程での多層基板表面を示す拡大断面図である。FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view showing a surface of a multilayer substrate in a melting step in a second embodiment. 第3実施形態における電子装置の上面図である。FIG. 13 is a top view of an electronic device according to a third embodiment. 第4実施形態における電子装置の上面図である。FIG. 13 is a top view of an electronic device according to a fourth embodiment.

図面を参照しながら、複数の実施形態を説明する。複数の実施形態において、機能的におよび/または構造的に対応する部分および/または関連付けられる部分には同一の参照符号、または百以上の位が異なる参照符号が付される場合がある。対応する部分および/または関連付けられる部分については、他の実施形態の説明を参照することができる。以下において、互いに直交する3つの方向をX方向、Y方向、Z方向とする。また、Z方向を上下方向と対応させて説明する場合がある。 Several embodiments will be described with reference to the drawings. In several embodiments, functionally and/or structurally corresponding and/or associated parts may be given the same reference symbol or reference symbols differing in the hundredth or higher digit. For corresponding and/or associated parts, the descriptions of other embodiments may be referred to. In the following, the three mutually orthogonal directions are referred to as the X direction, Y direction, and Z direction. In addition, the Z direction may be described as corresponding to the up and down direction.

第1実施形態
図1において、電子装置1は、多層基板10と電子部品80とを備えている。多層基板10は、複数の絶縁基板を重ねて構成されている。多層基板10は、絶縁基板の表面や隣り合う絶縁基板同士の間に層を形成している。絶縁基板の表面の層は、多層基板10における表層であり、絶縁基板同士の間の層は、多層基板10における内層である。まとめると、多層基板10は、2つの表層と複数の内層とを備えている基板である。絶縁基板の板厚方向をZ方向とした場合、X方向とY方向とは、板厚方向に交差する方向である交差方向である。
First embodiment In Fig. 1, an electronic device 1 includes a multilayer substrate 10 and an electronic component 80. The multilayer substrate 10 is configured by stacking a plurality of insulating substrates. The multilayer substrate 10 has layers formed on the surfaces of the insulating substrates and between adjacent insulating substrates. The layers on the surfaces of the insulating substrates are surface layers in the multilayer substrate 10, and the layers between the insulating substrates are internal layers in the multilayer substrate 10. In summary, the multilayer substrate 10 is a substrate having two surface layers and a plurality of internal layers. When the thickness direction of the insulating substrate is the Z direction, the X direction and the Y direction are intersecting directions that intersect with the thickness direction.

多層基板10の表面には、表層ランド21が設けられている。表層ランド21は、正方形状である。表層ランド21は、銅などの金属材料で構成され、電流経路を構成している。表層ランド21は、互いに離間して2つ設けられている。2つの表層ランド21の並び方向は、X方向に沿う方向である。表層ランド21の形状、数および配置は、上述の例に限られない。表層ランド21は、他の配線部分に接続している。 Surface lands 21 are provided on the surface of the multilayer substrate 10. The surface lands 21 are square-shaped. The surface lands 21 are made of a metal material such as copper and form a current path. Two surface lands 21 are provided spaced apart from each other. The two surface lands 21 are aligned along the X direction. The shape, number and arrangement of the surface lands 21 are not limited to the above example. The surface lands 21 are connected to other wiring parts.

電子部品80は、本体部81と接続部82とを備えている。本体部81は、電子部品80としての機能を発揮するための部分である。接続部82は、本体部81に通電するための部分である。接続部82は、例えば銅などの金属めっきで構成されている。接続部82は、本体部81の両端に設けられている。ただし、接続部82として機能する接続端子を3本以上備える構成としてもよい。 The electronic component 80 includes a main body 81 and a connection portion 82. The main body 81 is a portion for performing the function of the electronic component 80. The connection portion 82 is a portion for passing electricity through the main body 81. The connection portion 82 is made of a metal plating such as copper. The connection portions 82 are provided on both ends of the main body 81. However, the electronic component 80 may be configured to include three or more connection terminals that function as the connection portions 82.

電子部品80としては、チップ抵抗やチップコンデンサやチップダイオードなどを採用可能である。ここで、電子装置1が備える電子部品80の数は、1つに限られず、複数の電子部品80を採用可能である。複数の電子部品80としては、同一の機能を発揮する部品を採用してもよく、異なる機能を発揮する部品を採用してもよい。 As the electronic component 80, chip resistors, chip capacitors, chip diodes, etc. can be used. Here, the number of electronic components 80 included in the electronic device 1 is not limited to one, and multiple electronic components 80 can be used. As the multiple electronic components 80, components that perform the same function may be used, or components that perform different functions may be used.

電子装置1は、接合はんだ25を備えている。接合はんだ25は、表層ランド21上に設けられている。接合はんだ25は、表層ランド21上を濡れ広がったことで、略正方形状をなしている。接合はんだ25は、表層ランド21と電子部品80の接続部82とを接合している。 The electronic device 1 includes a joint solder 25. The joint solder 25 is provided on the surface land 21. The joint solder 25 wets and spreads over the surface land 21, forming a substantially square shape. The joint solder 25 joins the surface land 21 and the connection portion 82 of the electronic component 80.

接合はんだ25は、表層ランド21と電子部品80との間の電流経路を構成する通電部材である。また、接合はんだ25は、多層基板10と電子部品80とを機械的に接着する接着部材である。電子部品80は、接合はんだ25によって適切に接合されることで実装されている。 The joint solder 25 is a conductive member that forms a current path between the surface land 21 and the electronic component 80. The joint solder 25 is also an adhesive member that mechanically bonds the multilayer substrate 10 and the electronic component 80. The electronic component 80 is mounted by being appropriately joined by the joint solder 25.

接合はんだ25は、ペースト状のリフローはんだである。接合はんだ25のリフロー処理については、後に詳述する。接合はんだ25は、様々なはんだの中でも固液相線幅が大きいはんだである。固液相線幅とは、はんだ全体が固相となる温度を示す固相線と、はんだ全体が液相となる温度を示す液相線との間の温度幅のことである。言い換えると、固液相線幅とは、固相のはんだと液相のはんだとが共存する温度幅のことである。固相のはんだと液相のはんだとが共存している二相共存状態は、半溶融状態とも呼ばれる。固液相線幅は、はんだの組成に応じて固有の値を示す。 The joining solder 25 is a reflow solder in a paste form. The reflow process of the joining solder 25 will be described in detail later. The joining solder 25 is a solder with a large solid-liquid phase width among various solders. The solid-liquid phase width is the temperature width between the solidus line indicating the temperature at which the entire solder becomes solid and the liquidus line indicating the temperature at which the entire solder becomes liquid. In other words, the solid-liquid phase width is the temperature width in which solid and liquid solder coexist. The two-phase coexistence state in which solid and liquid solder coexist is also called a semi-molten state. The solid-liquid phase width shows a specific value depending on the composition of the solder.

接合はんだ25の固相線の温度は、例えば200℃であり、液相線の温度は、例えば225℃である。この場合、接合はんだ25の固液相線幅は、25℃である。一般的なはんだにおいては、固液相線幅は、2℃から10℃程度である。このため、接合はんだ25の固液相線幅は、通常のはんだよりも大きい。 The solidus temperature of the joining solder 25 is, for example, 200°C, and the liquidus temperature is, for example, 225°C. In this case, the solid-liquidus width of the joining solder 25 is 25°C. In general solder, the solid-liquidus width is about 2°C to 10°C. Therefore, the solid-liquidus width of the joining solder 25 is larger than that of normal solder.

一般的に、固液相線幅が小さいはんだほどはんだ全体が素早く凝固するため、安定して接合しやすい。しかしながら、はんだに必要な条件を得る目的ではんだの組成を調整した結果として、固液相線幅が大きくなってしまう場合がある。はんだに必要な条件の一例としては、良好な熱衝撃性能を得ることが挙げられる。はんだに必要な条件の一例としては、所望の融点を得ることが挙げられる。はんだに必要な条件の一例としては、鉛などの特定の材料を含まないことが挙げられる。はんだに必要な条件の一例としては、安価であることが挙げられる。はんだは、用途に応じた様々な条件を踏まえて組成が調整されることとなる。 In general, the smaller the solidus-liquidus line width of a solder, the quicker the entire solder solidifies, and the easier it is to join stably. However, as a result of adjusting the composition of the solder to obtain the conditions required for solder, the solidus-liquidus line width may become larger. One example of the conditions required for solder is to obtain good thermal shock performance. One example of the conditions required for solder is to obtain a desired melting point. One example of the conditions required for solder is to be free of specific materials such as lead. One example of the conditions required for solder is to be inexpensive. The composition of solder is adjusted based on various conditions according to the application.

電子装置1は、ビアホール50を備えている。ビアホール50は、多層基板10の絶縁基板を貫通する電流経路を構成する部品である。ビアホール50は、銅などの金属材料で構成されている。ビアホール50は、Z方向に沿う方向を軸方向とする円筒形状である。ビアホール50の直径は、表層ランド21のX方向に沿う長さおよび接合はんだ25のX方向に沿う長さよりもわずかに小さい。ただし、ビアホール50の直径を表層ランド21のX方向に沿う長さおよび接合はんだ25のX方向に沿う長さよりもわずかに大きくしてもよい。少なくともビアホール50の直径は、表層ランド21のX方向に沿う長さの半分以上の大きさである。 The electronic device 1 includes a via hole 50. The via hole 50 is a component that constitutes a current path that penetrates the insulating substrate of the multilayer substrate 10. The via hole 50 is made of a metal material such as copper. The via hole 50 has a cylindrical shape with its axial direction along the Z direction. The diameter of the via hole 50 is slightly smaller than the length of the surface land 21 along the X direction and the length of the joining solder 25 along the X direction. However, the diameter of the via hole 50 may be slightly larger than the length of the surface land 21 along the X direction and the length of the joining solder 25 along the X direction. The diameter of the via hole 50 is at least half the size of the length of the surface land 21 along the X direction.

ビアホール50は、少なくとも一部が多層基板10の板厚方向であるZ方向において、接合はんだ25に重なる位置に設けられている。ビアホール50は、少なくとも一部が電子部品80の接続部82に対してZ方向に重なる位置に設けられている。まとめると、ビアホール50は、接合はんだ25と接続部82との両方に対して、Z方向に重なる位置に設けられている。より詳細には、接合はんだ25において、ビアホール50の内側領域とZ方向に重なっている部分の面積は、ビアホール50の内側領域とZ方向に重なっていない部分の面積よりも大きい。また、接続部82において、ビアホール50の内側領域とZ方向に重なっている部分の面積は、ビアホール50の内側領域とZ方向に重なっていない部分の面積よりも大きい。 The via hole 50 is provided at a position where at least a portion overlaps the joining solder 25 in the Z direction, which is the plate thickness direction of the multilayer substrate 10. The via hole 50 is provided at a position where at least a portion overlaps the connection portion 82 of the electronic component 80 in the Z direction. In summary, the via hole 50 is provided at a position where it overlaps both the joining solder 25 and the connection portion 82 in the Z direction. More specifically, the area of the portion of the joining solder 25 that overlaps with the inner region of the via hole 50 in the Z direction is larger than the area of the portion that does not overlap with the inner region of the via hole 50 in the Z direction. Also, the area of the portion of the connection portion 82 that overlaps with the inner region of the via hole 50 in the Z direction is larger than the area of the portion that does not overlap with the inner region of the via hole 50 in the Z direction.

ビアホール50は、ビアホール50全体がZ方向において、接合はんだ25に重なる位置に設けられている。ただし、ビアホール50の一部がZ方向において接合はんだ25に重ならない状態であってもよい。 The via hole 50 is provided at a position where the entire via hole 50 overlaps the joining solder 25 in the Z direction. However, a portion of the via hole 50 may not overlap the joining solder 25 in the Z direction.

図2において、多層基板10は、表層基板20と内層基板30とを備えている。表層基板20と内層基板30とは、ともにエポキシ樹脂などの樹脂材料で構成された絶縁基板である。表層基板20と内層基板30とは、絶縁基板の板厚方向であるZ方向に沿う方向に互いに重なっている。表層基板20の基板厚さTsは、内層基板30の基板厚さTiよりも小さい。言い換えると、表層基板20は、内層基板30よりも薄い基板である。 In FIG. 2, the multilayer substrate 10 comprises a surface substrate 20 and an inner substrate 30. Both the surface substrate 20 and the inner substrate 30 are insulating substrates made of a resin material such as epoxy resin. The surface substrate 20 and the inner substrate 30 overlap each other in the Z direction, which is the thickness direction of the insulating substrate. The substrate thickness Ts of the surface substrate 20 is smaller than the substrate thickness Ti of the inner substrate 30. In other words, the surface substrate 20 is a thinner substrate than the inner substrate 30.

3枚の内層基板30は、コア基板10cを構成している。ただし、コア基板10cを構成する内層基板30の枚数は、3枚に限られない。2枚の表層基板20は、ビルドアップ基板10bを構成している。ビルドアップ基板10bは、コア基板10cの外側に設けられた基板のことである。多層基板10は、コア基板10cに対してビルドアップ基板10bを形成することで構成されている。 The three inner layer substrates 30 make up the core substrate 10c. However, the number of inner layer substrates 30 that make up the core substrate 10c is not limited to three. The two surface substrates 20 make up the build-up substrate 10b. The build-up substrate 10b is a substrate that is provided on the outside of the core substrate 10c. The multilayer substrate 10 is constructed by forming the build-up substrate 10b on the core substrate 10c.

多層基板10は、電子部品80が実装されている1層目から反対側の6層目までの6つの層を備えている。多層基板10の表層は、1層目と6層目で構成されている。多層基板10の表側が1層目に対応し、多層基板10の裏側が6層目に対応している。多層基板10の内層は、2層目と3層目と4層目と5層目で構成されている。多層基板10の表側に最も近い内層が2層目に対応し、多層基板10の表側から最も遠い内層が5層目に対応している。ただし、多層基板10における層の数は、6層に限られない。多層基板10の各層には、任意の位置に任意の形状のランドを形成可能である。1層目や6層目の表層に設けられているランドは、表層ランド21である。2層目から5層目までの内層に設けられているランドは、内層ランドである。 The multilayer board 10 has six layers, from the first layer on which the electronic components 80 are mounted to the sixth layer on the opposite side. The surface layers of the multilayer board 10 are composed of the first and sixth layers. The surface side of the multilayer board 10 corresponds to the first layer, and the back side of the multilayer board 10 corresponds to the sixth layer. The inner layers of the multilayer board 10 are composed of the second, third, fourth, and fifth layers. The inner layer closest to the surface side of the multilayer board 10 corresponds to the second layer, and the inner layer farthest from the surface side of the multilayer board 10 corresponds to the fifth layer. However, the number of layers in the multilayer board 10 is not limited to six. Lands of any shape can be formed at any position on each layer of the multilayer board 10. The lands provided on the surface layers of the first and sixth layers are surface lands 21. The lands provided on the inner layers from the second layer to the fifth layer are inner layer lands.

多層基板10全体を貫通して表側と裏側の表層ランド21同士を接続するビアホール50は、スルーホールビアホールと呼ばれる。表層基板20を貫通して表層ランド21と内層ランドとを接続するビアホール50は、ブラインドビアホールと呼ばれる。内層基板30を貫通して内層ランド同士を接続するビアホール50は、ベリッドビアホールと呼ばれる。内層ランドを含んで接続しているブラインドビアホールとベリッドビアホールとは、インタースティシャルビアホールと呼ばれる。以下では、インタースティシャルビアホールのことを内層ビアホールと呼ぶことがある。ビアホール50は、コア基板10cを貫通し、表層基板20については貫通していない。ビアホール50は、2層目の内層ランドと5層目の内層ランドとを接続している。このため、ビアホール50は、ベリッドビアホールであり、内層ビアホールの一種である。 The via hole 50 that penetrates the entire multilayer substrate 10 and connects the surface lands 21 on the front and back sides is called a through-hole via hole. The via hole 50 that penetrates the surface substrate 20 and connects the surface lands 21 and the inner layer lands is called a blind via hole. The via hole 50 that penetrates the inner substrate 30 and connects the inner layer lands is called a buried via hole. The blind via hole and the buried via hole that include the inner layer lands and connects them are called interstitial via holes. Hereinafter, the interstitial via hole may be called an inner layer via hole. The via hole 50 penetrates the core substrate 10c but does not penetrate the surface substrate 20. The via hole 50 connects the inner layer land of the second layer and the inner layer land of the fifth layer. Therefore, the via hole 50 is a buried via hole, a type of inner layer via hole.

ビアホール50のZ方向の長さLhは、表層基板20の基板厚さTsよりも大きい。ビアホール50のZ方向の長さLhは、内層基板30の基板厚さTiよりも大きい。ビアホール50のZ方向の長さLhは、多層基板10の基板厚さTaよりも小さい。ビアホール50のZ方向の長さLhは、多層基板10の基板厚さTaの半分以上である。 The Z-direction length Lh of the via hole 50 is greater than the substrate thickness Ts of the surface substrate 20. The Z-direction length Lh of the via hole 50 is greater than the substrate thickness Ti of the inner substrate 30. The Z-direction length Lh of the via hole 50 is less than the substrate thickness Ta of the multilayer substrate 10. The Z-direction length Lh of the via hole 50 is equal to or greater than half the substrate thickness Ta of the multilayer substrate 10.

ビアホール50の内部には、埋設樹脂54が設けられている。埋設樹脂54は、円柱形状である。埋設樹脂54は、円筒形状のビアホール50の内部に隙間なく充填されている。 The embedded resin 54 is provided inside the via hole 50. The embedded resin 54 is cylindrical. The embedded resin 54 fills the inside of the cylindrical via hole 50 without leaving any gaps.

接合はんだ25によるリフロー処理について、以下に説明する。リフロー処理には、準備工程と溶融工程と凝固工程とが含まれる。準備工程では、表層ランド21の上にペースト状の接合はんだ25を塗布し、その上に電子部品80を載置する。これにより、接合はんだ25は、表層ランド21と電子部品80の接続部82との両方に接触した状態となる。準備工程における接合はんだ25は、フラックスが揮発する前の状態である。 The reflow process using the joining solder 25 is described below. The reflow process includes a preparation step, a melting step, and a solidification step. In the preparation step, the joining solder 25 in paste form is applied onto the surface land 21, and the electronic component 80 is placed on top of it. This brings the joining solder 25 into contact with both the surface land 21 and the connection portion 82 of the electronic component 80. The joining solder 25 in the preparation step is in a state before the flux volatilizes.

図3は、準備工程での電子装置1の部分断面を示している。ただし、表層ランド21上の接合はんだ25と電子部品80については、図示を省略している。準備工程の状態では、多層基板10の表面全体は、平坦な形状である。より詳細には、多層基板10表面のうちビアホール50の直上の部分とそれ以外の部分とで段差がほとんどない状態である。表層ランド21は、ビアホール50の直上の部分を含む平坦な部分に設けられている。準備工程の完了後、溶融工程に進む。 Figure 3 shows a partial cross section of the electronic device 1 in the preparation process. However, the joining solder 25 on the surface land 21 and the electronic component 80 are not shown. In the preparation process, the entire surface of the multilayer substrate 10 is flat. More specifically, there is almost no difference in level between the portion of the surface of the multilayer substrate 10 directly above the via hole 50 and the other portion. The surface land 21 is provided on the flat portion including the portion directly above the via hole 50. After the preparation process is completed, the melting process is started.

溶融工程では、接合はんだ25の液相線の温度を上回る温度まで電子装置1を加熱する。仮に、液相線の温度が225℃であれば、225℃を上回る250℃程度まで加熱する。電子装置1を加熱することで、接合はんだ25が溶融し、表層ランド21や接続部82の表面に濡れ広がる。 In the melting process, the electronic device 1 is heated to a temperature that exceeds the liquidus temperature of the joining solder 25. If the liquidus temperature is 225°C, the electronic device 1 is heated to about 250°C, which is higher than 225°C. By heating the electronic device 1, the joining solder 25 melts and spreads over the surfaces of the surface lands 21 and the connection parts 82.

また、電子装置1を加熱することで、電子装置1を構成している各部品が準備工程の状態に比べて膨張する。ここで、電子装置1は、金属材料部品と樹脂材料部品とを含んで構成されている。また、一般的に金属材料の熱膨張率は、樹脂材料の熱膨張率よりも小さい。このため、電子装置1において、金属材料が使われている部分と樹脂材料が使われている部分との間で、膨張の仕方が異なる。 In addition, by heating the electronic device 1, each component constituting the electronic device 1 expands compared to the state in the preparation process. Here, the electronic device 1 is composed of metal material components and resin material components. Furthermore, the thermal expansion coefficient of metal materials is generally smaller than that of resin materials. For this reason, the parts of the electronic device 1 that use metal materials and the parts that use resin materials expand in different ways.

図4において、準備工程における多層基板10表面の位置を仮想線VLで表示している。多層基板10表面の全体は、仮想線VLを超えて膨出している。ただし、多層基板10表面の仮想線VLに対する膨出量は、場所によって異なる。多層基板10表面のうちビアホール50の直上に位置する部分は、熱膨張率の小さなビアホール50の影響が大きく、膨出量が小さい。一方、多層基板10表面のうちビアホール50の直上に位置しない部分は、熱膨張率の小さなビアホール50の影響が小さく、膨出量が大きい。ここで、多層基板10表面の膨出量は、ビアホール50から離れるほど大きくなる。ただし、多層基板10表面の膨出量は、ビアホール50から十分に離れた位置では、ほとんど一定である。言い換えると、ビアホール50から十分に離れた位置においては、多層基板10の表面が平坦な形状である。 In FIG. 4, the position of the surface of the multilayer substrate 10 in the preparation process is indicated by the imaginary line VL. The entire surface of the multilayer substrate 10 bulges beyond the imaginary line VL. However, the amount of bulging of the surface of the multilayer substrate 10 relative to the imaginary line VL varies depending on the location. The portion of the surface of the multilayer substrate 10 located directly above the via hole 50 is greatly influenced by the via hole 50, which has a small thermal expansion coefficient, and the amount of bulging is small. On the other hand, the portion of the surface of the multilayer substrate 10 that is not located directly above the via hole 50 is less influenced by the via hole 50, which has a small thermal expansion coefficient, and the amount of bulging is large. Here, the amount of bulging of the surface of the multilayer substrate 10 increases the farther away from the via hole 50. However, the amount of bulging of the surface of the multilayer substrate 10 is almost constant at a position sufficiently far from the via hole 50. In other words, at a position sufficiently far from the via hole 50, the surface of the multilayer substrate 10 has a flat shape.

溶融工程の状態では、多層基板10の表面は、部分的に段差が形成されている形状である。より詳細には、多層基板10表面のうちビアホール50の直上およびその周辺の部分は、それ以外の部分よりも凹んでいる状態である。ただし、ビアホール50の直上である円形の領域は、全体がほぼ同じ膨出量で周囲よりも凹んでいる。このため、多層基板10の表面におけるビアホール50の直上部分は、円形に平坦な形状をなしている。表層ランド21は、このビアホール50の直上部分に設けられており、溶融工程において多層基板10表面の段差がほとんど影響していない状態である。 During the melting process, the surface of the multilayer substrate 10 has a shape in which steps are formed in parts. More specifically, the portion of the surface of the multilayer substrate 10 directly above the via hole 50 and its surrounding area is recessed relative to the other areas. However, the circular area directly above the via hole 50 is recessed relative to its surroundings by approximately the same amount of bulge as a whole. Therefore, the portion of the surface of the multilayer substrate 10 directly above the via hole 50 has a circular, flat shape. The surface land 21 is provided directly above this via hole 50, and the step on the surface of the multilayer substrate 10 has almost no effect during the melting process.

溶融工程における膨出量の違いは、ビアホール50を構成している金属材料の熱膨張率と多層基板10を構成している樹脂材料の熱膨張率との違いに起因している。このため、ビアホール50のZ方向の長さLhが、多層基板10の基板厚さTaに近いほど、多層基板10の表面に形成される段差が大きくなる。言い換えると、ビアホール50のZ方向の端部から多層基板10表面までの距離が小さいほど、多層基板10の表面に形成される段差が大きくなる。 The difference in the amount of expansion during the melting process is due to the difference in the thermal expansion coefficient between the metal material constituting the via hole 50 and the resin material constituting the multilayer substrate 10. For this reason, the closer the Z-direction length Lh of the via hole 50 is to the substrate thickness Ta of the multilayer substrate 10, the larger the step formed on the surface of the multilayer substrate 10. In other words, the smaller the distance from the Z-direction end of the via hole 50 to the surface of the multilayer substrate 10, the larger the step formed on the surface of the multilayer substrate 10.

また、ビアホール50の熱膨張率と多層基板10の熱膨張率の違いが大きいほど、多層基板10の表面に形成される段差が大きくなる。また、溶融工程における温度が高いほど、多層基板10の表面に形成される段差が大きくなる。溶融工程の完了後、凝固工程に進む。 The greater the difference between the thermal expansion coefficient of the via hole 50 and the thermal expansion coefficient of the multilayer substrate 10, the greater the step formed on the surface of the multilayer substrate 10. The higher the temperature in the melting process, the greater the step formed on the surface of the multilayer substrate 10. After the melting process is completed, the solidification process is performed.

凝固工程では、接合はんだ25の固相線の温度を下回る温度まで電子装置1を冷却する。仮に、固相線の温度が200℃であれば、200℃を下回る195℃程度まで加熱を弱めることで電子装置1を冷却する。電子装置1を冷却することで、接合はんだ25が凝固し、表層ランド21や接続部82に濡れ広がった状態で固定される。 In the solidification process, the electronic device 1 is cooled to a temperature below the solidus temperature of the joining solder 25. If the solidus temperature is 200°C, the electronic device 1 is cooled by reducing the heating to about 195°C, which is below 200°C. By cooling the electronic device 1, the joining solder 25 solidifies and is fixed in a state where it has spread wet to the surface lands 21 and the connection parts 82.

また、電子装置1を冷却することで、電子装置1を構成している各部品が溶融工程の状態に比べて収縮した状態となる。ただし、電子装置1を構成している各部品は、準備工程の状態に比べて膨張した状態である。このため、溶融工程の状態に比べて小さい膨出量ではあるが、多層基板10表面に部分的に段差が形成されている状態となる。 In addition, by cooling the electronic device 1, each component constituting the electronic device 1 is in a contracted state compared to the state in the melting process. However, each component constituting the electronic device 1 is in an expanded state compared to the state in the preparation process. Therefore, although the amount of expansion is smaller compared to the state in the melting process, a step is partially formed on the surface of the multilayer substrate 10.

凝固工程においては、接合はんだ25全体が均一な温度であることが好ましいが、実際には、接合はんだ25の部位によって温度に偏りが生じ得る。例えば、接合はんだ25の表面は、接合はんだ25の内部に比べて温度が低くなりやすい。このため、凝固工程が完了するまでの間、接合はんだ25は、温度の低い一部分が固相の状態となり、温度の高い一部分が液相の状態となる半溶融状態が発生し得る。接合はんだ25の量が多いほど、温度に偏りが生じやすく、半溶融状態が発生しやすい。 During the solidification process, it is preferable that the entire joint solder 25 be at a uniform temperature, but in reality, temperature bias may occur depending on the part of the joint solder 25. For example, the surface of the joint solder 25 is likely to have a lower temperature than the inside of the joint solder 25. For this reason, until the solidification process is completed, the joint solder 25 may enter a semi-molten state in which the low-temperature parts are in a solid phase and the high-temperature parts are in a liquid phase. The greater the amount of joint solder 25, the more likely it is that temperature bias will occur and the more likely it is that the semi-molten state will occur.

接合はんだ25には、ある程度の大きさの固液相線幅が存在する。このため、仮に接合はんだ25全体が均一な温度であったとしても、凝固工程が完了するまでの間、接合はんだ25は、半溶融状態となり得る。接合はんだ25の固液相線幅が大きいほど、半溶融状態が発生しやすい。 The joining solder 25 has a certain degree of solid-liquid phase width. Therefore, even if the entire joining solder 25 is at a uniform temperature, the joining solder 25 may be in a semi-molten state until the solidification process is completed. The larger the solid-liquid phase width of the joining solder 25, the more likely it is that the semi-molten state will occur.

凝固工程が完了するまでの間、電子装置1の温度は徐々に低下することとなる。このため、凝固工程が進む間に、多層基板10表面の段差の状態が変化し得る。したがって、接合はんだ25の一部は、温度が高く膨出量が多い状態で凝固し、接合はんだ25の他の一部は、温度が低く膨出量が少ない状態で凝固することとなる。よって、凝固工程の接合はんだ25において、凝固する前の部分が凝固した後の部分に引っ張られるなどして、表層ランド21との適切な接触状態が維持されない場合がある。この場合、接合はんだ25のうち本来であれば表層ランド21に接触した状態で凝固すべき部分が、表層ランド21から離れた状態で凝固してしまうことがある。言い換えると、接合はんだ25による接合が部分的に不適切な状態となり得る。このように、接合はんだ25に接合が不適切な部分が存在すると、接合はんだ25が表層ランド21から剥離してしまう場合がある。 Until the solidification process is completed, the temperature of the electronic device 1 gradually decreases. Therefore, the state of the steps on the surface of the multilayer substrate 10 may change as the solidification process progresses. Therefore, a part of the joint solder 25 solidifies at a high temperature and with a large amount of swelling, and another part of the joint solder 25 solidifies at a low temperature and with a small amount of swelling. Therefore, in the joint solder 25 during the solidification process, the part before solidification may be pulled by the part after solidification, and the appropriate contact state with the surface land 21 may not be maintained. In this case, the part of the joint solder 25 that should be solidified in contact with the surface land 21 may solidify away from the surface land 21. In other words, the joint by the joint solder 25 may be partially inappropriate. In this way, if there is a part of the joint solder 25 where the joint is inappropriate, the joint solder 25 may peel off from the surface land 21.

上述したような接合はんだ25の不適切な接合は、凝固の開始から完了までの間で多層基板10表面の段差の大きさが変化するほど、引き起こされやすい。言い換えると、凝固の開始から完了までの間で多層基板10表面の段差の大きさがほとんど変化しなければ、接合はんだ25の不適切な接合を抑制できる。このため、凝固の開始時点で多層基板10表面の段差が十分に小さい平坦な位置に接合はんだ25を配置することで、接合はんだ25の不適切な接合を抑制することができる。言い換えると、ビアホール50が存在することで膨出量が小さく維持されている位置に接合はんだ25を配置することで、接合はんだ25の不適切な接合を抑制することができる。 The more the magnitude of the step on the surface of the multilayer substrate 10 changes between the start and end of solidification, the more likely it is that improper bonding of the joint solder 25 as described above will occur. In other words, if the magnitude of the step on the surface of the multilayer substrate 10 changes very little between the start and end of solidification, improper bonding of the joint solder 25 can be suppressed. For this reason, by arranging the joint solder 25 in a flat position where the step on the surface of the multilayer substrate 10 is sufficiently small at the start of solidification, improper bonding of the joint solder 25 can be suppressed. In other words, by arranging the joint solder 25 in a position where the amount of bulging is kept small due to the presence of the via hole 50, improper bonding of the joint solder 25 can be suppressed.

固液相線幅が大きいほど、凝固工程で凝固完了までの温度変化が大きくなり、接合はんだ25の不適切な接合が引き起こされやすい。このため、ビアホール50を接合はんだ25と板厚方向に重なる位置にすることで接合の精度を高めることは、固液相線幅の大きな接合はんだ25を用いる電子装置1において非常に有用である。 The larger the solid-liquid phase line width, the greater the temperature change during the solidification process until solidification is complete, making it more likely that improper joining of the joining solder 25 will occur. For this reason, locating the via hole 50 so that it overlaps with the joining solder 25 in the plate thickness direction to improve the joining accuracy is extremely useful in electronic devices 1 that use joining solder 25 with a large solid-liquid phase line width.

凝固工程の完了により、リフロー処理の全工程が完了することとなる。 Once the solidification process is complete, the entire reflow process is complete.

上述した実施形態によると、ビアホール50は、少なくとも一部が接合はんだ25と板厚方向に重なる位置に設けられている。ここで、ビアホール50は、多層基板10のうち接合はんだ25が設けられている部分において、温度変化に起因した膨出量を小さくしている。このため、多層基板10表面のうち、膨張しにくい部分に接合はんだ25を配置することができる。したがって、温度変化に起因して多層基板10表面全体が膨出して段差が形成された場合であっても、接合はんだ25が多層基板10表面の段差の影響を受けにくい。よって、接合はんだ25による接合を安定させやすい。以上により、多層基板10に電子部品80が安定して接合された電子装置1を提供できる。特に、リフロー処理の凝固工程において、接合はんだ25が多層基板10表面の段差の変化の影響を受けにくい。このため、接合はんだ25の凝固開始から凝固完了までの間、接合はんだ25が表層ランド21に接触した状態を維持しやすい。 According to the above embodiment, the via hole 50 is provided at a position where at least a part of it overlaps with the joining solder 25 in the plate thickness direction. Here, the via hole 50 reduces the amount of swelling caused by temperature changes in the part of the multilayer substrate 10 where the joining solder 25 is provided. Therefore, the joining solder 25 can be arranged in a part of the surface of the multilayer substrate 10 that is less likely to expand. Therefore, even if the entire surface of the multilayer substrate 10 swells due to a temperature change and a step is formed, the joining solder 25 is less likely to be affected by the step on the surface of the multilayer substrate 10. Therefore, it is easy to stabilize the joining by the joining solder 25. As a result, it is possible to provide an electronic device 1 in which the electronic component 80 is stably joined to the multilayer substrate 10. In particular, in the solidification process of the reflow process, the joining solder 25 is less likely to be affected by changes in the step on the surface of the multilayer substrate 10. Therefore, it is easy to maintain the joining solder 25 in contact with the surface land 21 from the start of solidification of the joining solder 25 to the completion of solidification.

接合はんだ25の固液相線幅は、13℃以上である。このため、接合はんだ25は、固液相線幅が13℃未満のはんだに比べて、不適切な接合の結果として剥離が引き起こされやすいはんだである。したがって、剥離が引き起こされやすいはんだに対して特別な剥離対策を行うこととなる。一方、剥離が引き起こされにくいはんだに対しては特別な剥離対策を行う必要がない。よって、電子装置1の設計において、はんだの性能の1つである固液相線幅の大きさの観点から、剥離対策が必要か否かを判断できる。以上により、剥離対策を行う場合と行わない場合とを適切に判断することで、不要な剥離対策により電子装置1が大型化してしまうことを抑制できる。 The solid-liquid phase width of the joining solder 25 is 13°C or more. Therefore, compared to solder with a solid-liquid phase width of less than 13°C, the joining solder 25 is a solder that is more likely to peel off as a result of improper joining. Therefore, special peeling countermeasures are taken for solder that is more likely to peel off. On the other hand, special peeling countermeasures are not necessary for solder that is less likely to peel off. Therefore, in designing the electronic device 1, it is possible to determine whether or not peeling countermeasures are necessary from the perspective of the size of the solid-liquid phase width, which is one of the solder performance characteristics. As described above, by appropriately determining when to take peeling countermeasures and when not to take them, it is possible to prevent the electronic device 1 from becoming larger due to unnecessary peeling countermeasures.

ビアホール50は、少なくとも一部が電子部品80と接合はんだ25の両方と板厚方向に重なる位置に設けられている。このため、接合はんだ25のうち電子部品80と板厚方向に重なる部分において、多層基板10表面の膨出の影響を低減し、接合を安定させることができる。ここで、接合はんだ25のうち電子部品80と板厚方向に重なる部分は、電子部品80に流れる電流の最短経路をなし得る部分である。言い換えると、接合はんだ25のうち電子部品80と板厚方向に重なる部分は、接合はんだ25の中でも特に安定した接合が求められる部分である。 The via hole 50 is provided at a position where at least a portion overlaps both the electronic component 80 and the joining solder 25 in the plate thickness direction. Therefore, in the portion of the joining solder 25 that overlaps with the electronic component 80 in the plate thickness direction, the effect of swelling of the multilayer substrate 10 surface can be reduced, and the joining can be stabilized. Here, the portion of the joining solder 25 that overlaps with the electronic component 80 in the plate thickness direction is a portion that can form the shortest path for the current flowing through the electronic component 80. In other words, the portion of the joining solder 25 that overlaps with the electronic component 80 in the plate thickness direction is the portion of the joining solder 25 that requires a particularly stable joining.

ビアホール50は、ビアホール50全体が接合はんだ25と板厚方向に重なる位置に設けられている。このため、ビアホール50の一部が接合はんだ25と板厚方向に重ならない位置に設けられている場合に比べて、接合はんだ25のより広い部分に対して多層基板10表面の膨出の影響を低減できる。したがって、接合はんだ25の広い範囲で接合を安定させやすい。 The via hole 50 is provided in a position where the entire via hole 50 overlaps the joining solder 25 in the plate thickness direction. Therefore, compared to a case where the via hole 50 is provided in a position where only a portion of the via hole 50 does not overlap the joining solder 25 in the plate thickness direction, the effect of the swelling of the multilayer substrate 10 surface can be reduced for a wider portion of the joining solder 25. Therefore, it is easier to stabilize the joining over a wider area of the joining solder 25.

一方の接合はんだ25には、板厚方向に重なる位置にビアホール50が配置されており、他方の接合はんだ25には、板厚方向に重なる位置にビアホール50が配置されていない。言い換えると、1つの電子部品80に対して、ビアホール50によって接合を安定させている部分と、ビアホール50によって接合を安定させていない部分とが存在している。このため、全ての接合部分に対してビアホール50を用いて接合を安定させる場合に比べて、ビアホール50を形成する数を少なくできる。したがって、電子装置1の製造性を高めやすい。 In one of the joining solders 25, a via hole 50 is arranged at a position where they overlap in the plate thickness direction, and in the other joining solder 25, a via hole 50 is not arranged at a position where they overlap in the plate thickness direction. In other words, for one electronic component 80, there are parts where the joining is stabilized by the via hole 50 and parts where the joining is not stabilized by the via hole 50. Therefore, the number of via holes 50 formed can be reduced compared to when the joining is stabilized using via holes 50 for all joining parts. This makes it easier to improve the manufacturability of the electronic device 1.

第2実施形態
この実施形態は、先行する実施形態を基礎的形態とする変形例である。この実施形態では、ビアホール250が複数の第1ビアホール250aを備えている。また、ビアホール250は、複数の第2ビアホール250bを備えている。
Second Embodiment This embodiment is a modification of the preceding embodiment. In this embodiment, the via hole 250 includes a plurality of first via holes 250a. The via hole 250 also includes a plurality of second via holes 250b.

図5において、表層ランド221は、X方向に沿う方向を長手方向とする四角形状、すなわち長方形状である。2つの表層ランド221は、各表層ランド221の長手方向であるX方向に沿って並んで設けられている。接合はんだ25は、表層ランド221上に濡れ広がったことで、略長方形状をなしている。 In FIG. 5, the surface land 221 has a quadrangular shape, i.e., a rectangular shape, with the longitudinal direction along the X direction. The two surface lands 221 are arranged side by side along the X direction, which is the longitudinal direction of each surface land 221. The joining solder 25 spreads over the surface land 221 to form a substantially rectangular shape.

ビアホール250の直径は、表層ランド221の短辺の長さの半分以下である。ビアホール250は、第1ビアホール250aと第2ビアホール250bとを備えている。第1ビアホール250a同士の距離は、第1ビアホール250aから第2ビアホール250bまでの最短距離よりも小さい。また、第2ビアホール250b同士の距離は、第1ビアホール250a同士の距離よりも小さい。 The diameter of the via hole 250 is less than half the length of the short side of the surface land 221. The via hole 250 has a first via hole 250a and a second via hole 250b. The distance between the first via holes 250a is smaller than the shortest distance from the first via hole 250a to the second via hole 250b. In addition, the distance between the second via holes 250b is smaller than the distance between the first via holes 250a.

第1ビアホール250aは、1つの接合はんだ25とZ方向に重なる位置に2つ設けられている。2つの第1ビアホール250aは、互いにX方向に離間して並んで設けられている。第1ビアホール250aは、長方形状をなしている表層ランド221の2つの短辺の中央部分をつなぐ直線上に設けられている。2つの第1ビアホール250aの一方は、電子部品80の接続部82とZ方向に重なる位置に設けられている。2つの第1ビアホール250aの間には、表層ランド221および接合はんだ25のX方向における中央部分が位置している。 Two first via holes 250a are provided at positions overlapping one joint solder 25 in the Z direction. The two first via holes 250a are provided next to each other at a distance in the X direction. The first via hole 250a is provided on a straight line connecting the central parts of the two short sides of the rectangular surface land 221. One of the two first via holes 250a is provided at a position overlapping with the connection part 82 of the electronic component 80 in the Z direction. The central parts of the surface land 221 and the joint solder 25 in the X direction are located between the two first via holes 250a.

第2ビアホール250bは、1つの接合はんだ25とZ方向に重なる位置に2つ設けられている。2つの第2ビアホール250bは、互いにY方向に離間して並んで設けられている。第2ビアホール250bは、長方形状をなしている表層ランド221の2つの長辺の中央部分をつなぐ直線上に設けられている。2つの第2ビアホール250bは、電子部品80の接続部82と一部がZ方向に重なる位置に設けられている。2つの第2ビアホール250bの間には、表層ランド221および接合はんだ25のY方向における中央部分が位置している。 Two second via holes 250b are provided at positions overlapping one joint solder 25 in the Z direction. The two second via holes 250b are provided next to each other at a distance in the Y direction. The second via hole 250b is provided on a straight line connecting the central parts of the two long sides of the rectangular surface land 221. The two second via holes 250b are provided at positions partially overlapping the connection part 82 of the electronic component 80 in the Z direction. The central parts of the surface land 221 and the joint solder 25 in the Y direction are located between the two second via holes 250b.

接合はんだ25によるリフロー処理について、溶融工程を中心に以下に説明する。図6は、準備工程での電子装置1の部分断面を示している。ただし、表層ランド221上の接合はんだ25と電子部品80については、図示を省略している。準備工程の状態では、多層基板10の表面全体が平坦な形状である。より詳細には、多層基板10表面のうちビアホール250の直上の部分とそれ以外の部分との間で、段差がほとんどない状態である。表層ランド221は、ビアホール250の直上部分を含む平坦な部分に設けられている。準備工程の完了後、溶融工程に進む。 The reflow process using the joining solder 25 will be described below, focusing on the melting process. Figure 6 shows a partial cross section of the electronic device 1 in the preparation process. However, the joining solder 25 on the surface land 221 and the electronic components 80 are not shown. In the preparation process, the entire surface of the multilayer substrate 10 is flat. More specifically, there is almost no difference in level between the portion of the surface of the multilayer substrate 10 directly above the via hole 250 and the other portion. The surface land 221 is provided on the flat portion including the portion directly above the via hole 250. After the preparation process is completed, the melting process begins.

溶融工程では、接合はんだ25の液相線の温度を上回る温度まで電子装置1を加熱して接合はんだ25を溶融させる。電子装置1を加熱することで、電子装置1の各構成部品が準備工程の状態に比べて膨張する。ただし、電子装置1において、金属材料が使われている部分と樹脂材料が使われている部分との間で、膨張の仕方が異なる。 In the melting process, the electronic device 1 is heated to a temperature above the liquidus temperature of the joining solder 25 to melt the joining solder 25. By heating the electronic device 1, each component of the electronic device 1 expands compared to the state in the preparation process. However, the manner of expansion differs between the parts of the electronic device 1 that use metal materials and the parts that use resin materials.

図7において、準備工程における多層基板10表面の位置を仮想線VLで表示している。多層基板10表面全体は、仮想線VLを超えて膨出している。ただし、多層基板10表面の仮想線VLに対する膨出量は、場所ごとに異なる。多層基板10表面のうち第1ビアホール250aの直上に位置する部分は、熱膨張率の小さな第1ビアホール250aの影響が大きく、膨出量が小さい。また、多層基板10表面のうち第1ビアホール250a同士の間の直上に位置する部分は、両側に位置する第1ビアホール250aの影響が大きく、膨出量が小さい。一方、多層基板10表面のうち第1ビアホール250aから十分に離れている部分は、熱膨張率の小さな第1ビアホール250aの影響が小さく、膨出量が大きい。 In FIG. 7, the position of the surface of the multilayer substrate 10 in the preparation process is indicated by the imaginary line VL. The entire surface of the multilayer substrate 10 bulges beyond the imaginary line VL. However, the amount of bulging of the surface of the multilayer substrate 10 relative to the imaginary line VL differs from place to place. The portion of the surface of the multilayer substrate 10 located directly above the first via hole 250a is more influenced by the first via hole 250a, which has a small thermal expansion coefficient, and the amount of bulging is small. Furthermore, the portion of the surface of the multilayer substrate 10 located directly above the first via holes 250a is more influenced by the first via holes 250a located on both sides, and the amount of bulging is small. On the other hand, the portion of the surface of the multilayer substrate 10 that is sufficiently distant from the first via hole 250a is less influenced by the first via hole 250a, which has a small thermal expansion coefficient, and the amount of bulging is large.

溶融工程の状態では、多層基板10の表面は、部分的に段差が形成されている形状である。より詳細には、多層基板10表面のうち第1ビアホール250aの直上部分および第1ビアホール250a同士の間の直上部分の周辺は、それ以外の部分よりも凹んでいる。ただし、第1ビアホール250aの直上部分および第1ビアホール250a同士の間の直上部分は、全体がほぼ同じ膨出量で周囲よりも凹んでいる。このため、多層基板10の表面における第1ビアホール250aの直上部分および第1ビアホール250a同士の間の直上部分は、X方向を長手方向とする楕円形に平坦な形状をなしている。表層ランド221は、この第1ビアホール250aの直上部分および第1ビアホール250a同士の間の直上部分を含む位置に設けられており、溶融工程において多層基板10表面の段差がほとんど影響していない状態である。溶融工程の完了後、凝固工程に進む。 In the melting process, the surface of the multilayer substrate 10 has a shape in which a step is partially formed. More specifically, the area directly above the first via hole 250a and the area directly above the first via holes 250a are recessed from the other areas. However, the area directly above the first via hole 250a and the area directly above the first via holes 250a are recessed from the surrounding area by approximately the same amount of bulge. Therefore, the area directly above the first via hole 250a and the area directly above the first via holes 250a on the surface of the multilayer substrate 10 have a flat elliptical shape with the X direction as the longitudinal direction. The surface land 221 is provided at a position including the area directly above the first via hole 250a and the area directly above the first via holes 250a, and the step on the surface of the multilayer substrate 10 has almost no effect on the melting process. After the melting process is completed, the solidification process is started.

凝固工程では、接合はんだ25の固相線の温度を下回る温度まで電子装置1を冷却して、接合はんだ25を凝固させる。電子装置1を冷却することで、電子装置1の各構成部品が溶融工程の状態に比べて収縮した状態となる。ただし、電子装置1の各構成部品は、準備工程の状態に比べて膨張した状態である。このため、溶融工程の状態に比べて小さい膨出量で、多層基板10表面に部分的に段差が形成されている状態となる。 In the solidification process, the electronic device 1 is cooled to a temperature below the solidus temperature of the joining solder 25, causing the joining solder 25 to solidify. By cooling the electronic device 1, each component of the electronic device 1 is in a contracted state compared to the state in the melting process. However, each component of the electronic device 1 is in an expanded state compared to the state in the preparation process. Therefore, the amount of expansion is smaller compared to the state in the melting process, and partial steps are formed on the surface of the multilayer substrate 10.

凝固工程の接合はんだ25において、凝固する前の部分が凝固した後の部分に引っ張られるなどして、接合はんだ25による接合が部分的に不適切な状態となり得る。このような接合はんだ25の不適切な接合は、凝固の開始から完了までの間で多層基板10表面の段差の大きさが変化するほど、引き起こされやすい。このため、第1ビアホール250aが存在することで膨出量が小さく維持されている位置に接合はんだ25を配置することで、接合はんだ25の不適切な接合を抑制することができる。まとめると、X方向に並んで設けられている第1ビアホール250aによって、接合はんだ25の接合が安定する部分をX方向に沿って確保することができる。同様に、Y方向に並んで設けられている第2ビアホール250bによって、接合はんだ25の接合が安定する部分をY方向に沿って確保することができる。 In the solidification process, the portion of the joining solder 25 before solidification may be pulled by the portion after solidification, and the joining by the joining solder 25 may become partially inappropriate. The more the size of the step on the surface of the multilayer substrate 10 changes between the start and end of solidification, the more likely such inappropriate joining of the joining solder 25 is to occur. For this reason, by arranging the joining solder 25 at a position where the amount of swelling is kept small due to the presence of the first via hole 250a, it is possible to suppress inappropriate joining of the joining solder 25. In summary, the first via holes 250a arranged in a row in the X direction can ensure a portion along the X direction where the joining of the joining solder 25 is stable. Similarly, the second via holes 250b arranged in a row in the Y direction can ensure a portion along the Y direction where the joining of the joining solder 25 is stable.

凝固工程の完了により、リフロー処理の全工程が完了する。 Once the solidification process is complete, the entire reflow process is complete.

上述した実施形態によると、2つの第1ビアホール250aは、互いに離間して設けられている。このため、第1ビアホール250aの直上部分に加えて、第1ビアホール250a同士の間の直上部分の膨出量を小さくすることができる。したがって、接合はんだ25の接合が安定する部分を広く確保しやすい。 In the above-described embodiment, the two first via holes 250a are spaced apart from each other. This reduces the amount of bulging of the area directly above the first via holes 250a, as well as the area directly above the first via holes 250a. This makes it easier to ensure a wide area where the joining solder 25 is stable.

第1ビアホール250aは、表層ランド221の2つの短辺の中央部分をつなぐ直線上に設けられている。このため、表層ランド221のX方向に沿って延びている中央部分における接合はんだ25の接合を安定させやすい。 The first via hole 250a is provided on a straight line connecting the center parts of the two short sides of the surface land 221. This makes it easier to stabilize the bonding of the bonding solder 25 in the center part extending along the X direction of the surface land 221.

第2ビアホール250bは、表層ランド221の2つの長辺の中央部分をつなぐ直線上に設けられている。このため、表層ランド221のY方向に沿って延びている中央部分における接合はんだ25の接合を安定させやすい。 The second via hole 250b is provided on a straight line connecting the center portions of the two long sides of the surface land 221. This makes it easier to stabilize the bonding of the bonding solder 25 in the center portion of the surface land 221 extending along the Y direction.

ビアホール250が第1ビアホール250aと第2ビアホール250bとを備えている構成を例に説明を行ったが、ビアホール250の構成は、上述の例に限られない。例えば、ビアホール250が第1ビアホール250aと第2ビアホール250bとのどちらか一方のみを備えていてもよい。 Although the above description is given taking as an example a configuration in which the via hole 250 includes the first via hole 250a and the second via hole 250b, the configuration of the via hole 250 is not limited to the above example. For example, the via hole 250 may include only one of the first via hole 250a and the second via hole 250b.

第3実施形態
この実施形態は、先行する実施形態を基礎的形態とする変形例である。この実施形態では、ビアホール350が複数の第1ビアホール350aを備えている。また、ビアホール350は、複数の第2ビアホール350bを備えている。
Third Embodiment This embodiment is a modification of the preceding embodiment. In this embodiment, the via hole 350 includes a plurality of first via holes 350a. The via hole 350 also includes a plurality of second via holes 350b.

図8において、ビアホール350の直径は、表層ランド221の短辺の長さの半分以下である。ビアホール350は、第1ビアホール350aと第2ビアホール350bとを備えている。 In FIG. 8, the diameter of the via hole 350 is less than half the length of the short side of the surface land 221. The via hole 350 has a first via hole 350a and a second via hole 350b.

第1ビアホール350aは、1つの接合はんだ25とZ方向に重なる位置に4つ設けられている。4つの第1ビアホール350aは、Z方向から見た場合に、全体でひし形形状をなしている。より詳細には、2つの第1ビアホール350aは、長方形状をなしている表層ランド221の2つの短辺の中央部分をつなぐ直線上に設けられている。残りの2つの第1ビアホール350aは、長方形状をなしている表層ランド221の2つの短辺の中央部分をつなぐ直線上に設けられている。3つの第1ビアホール350aは、少なくとも一部が電子部品80の接続部82とZ方向に重なる位置に設けられている。4つの第1ビアホール350aで構成されているひし形の中心部分は、表層ランド221および接合はんだ25の中心部分に一致している。 Four first via holes 350a are provided at positions overlapping one joint solder 25 in the Z direction. The four first via holes 350a form a diamond shape as a whole when viewed from the Z direction. More specifically, two first via holes 350a are provided on a straight line connecting the central parts of the two short sides of the rectangular surface land 221. The remaining two first via holes 350a are provided on a straight line connecting the central parts of the two short sides of the rectangular surface land 221. The three first via holes 350a are provided at positions at which at least a portion overlaps the connection part 82 of the electronic component 80 in the Z direction. The central part of the diamond formed by the four first via holes 350a coincides with the central parts of the surface land 221 and the joint solder 25.

第2ビアホール350bは、1つの接合はんだ25とZ方向に重なる位置に4つ設けられている。4つの第2ビアホール350bは、Z方向から見た場合に、全体でX方向を長手方向とする長方形状をなしている。より詳細には、4つの第2ビアホール350bは、長方形状をなしている表層ランド221の4つの角部に設けられている。4つの第2ビアホール350bは、長方形状をなしている接合はんだ25の4つの角部とZ方向に重なる位置に設けられている。2つの第2ビアホール350bは、少なくとも一部が電子部品80の接続部82とZ方向に重なる位置に設けられている。4つの第1ビアホール350aで構成されている長方形の中心部分は、表層ランド221および接合はんだ25の中心部分に一致している。 Four second via holes 350b are provided at positions overlapping one joint solder 25 in the Z direction. When viewed from the Z direction, the four second via holes 350b are generally rectangular with the X direction as the longitudinal direction. More specifically, the four second via holes 350b are provided at the four corners of the rectangular surface land 221. The four second via holes 350b are provided at positions overlapping four corners of the rectangular joint solder 25 in the Z direction. Two second via holes 350b are provided at positions at which at least a portion overlaps the connection portion 82 of the electronic component 80 in the Z direction. The center of the rectangle formed by the four first via holes 350a coincides with the center of the surface land 221 and the joint solder 25.

ひし形に並んで設けられている第1ビアホール350aによって、接合はんだ25の接合が安定する部分を略ひし形に確保することができる。同様に、長方形に並んで設けられている第2ビアホール350bによって、接合はんだ25の接合が安定する部分を略長方形に確保することができる。 The first via holes 350a arranged in a diamond shape ensure that the portion where the joining solder 25 is stable is approximately diamond shaped. Similarly, the second via holes 350b arranged in a rectangle ensure that the portion where the joining solder 25 is stable is approximately rectangular shaped.

上述した実施形態によると、第2ビアホール350bは、表層ランド221の角部に設けられている。このため、外部から加えられる衝撃などによって剥離が引き起こされやすい接合はんだ25の角部周辺の接合を安定させやすい。 In the embodiment described above, the second via hole 350b is provided at the corner of the surface land 221. This makes it easier to stabilize the joint around the corner of the joint solder 25, which is prone to peeling due to external impacts, etc.

ビアホール350が第1ビアホール350aと第2ビアホール350bとを備えている構成を例に説明を行ったが、ビアホール350の構成は、上述の例に限られない。例えば、ビアホール350が第1ビアホール350aと第2ビアホール350bとのどちらか一方のみを備えていてもよい。 Although the above description is given taking as an example a configuration in which the via hole 350 includes the first via hole 350a and the second via hole 350b, the configuration of the via hole 350 is not limited to the above example. For example, the via hole 350 may include only one of the first via hole 350a and the second via hole 350b.

第4実施形態
この実施形態は、先行する実施形態を基礎的形態とする変形例である。この実施形態では、ビアホール450が複数の第1ビアホール450aを備えている。また、ビアホール450は、複数の第2ビアホール450bを備えている。
Fourth embodiment This embodiment is a modification of the preceding embodiment. In this embodiment, the via hole 450 includes a plurality of first via holes 450a. The via hole 450 also includes a plurality of second via holes 450b.

図9において、第1ビアホール450aは、1つの接合はんだ25とZ方向に重なる位置に3つ設けられている。3つの第1ビアホール450aは、Z方向から見た場合に、全体で三角形状をなしている。より詳細には、2つの第1ビアホール450aは、長方形状をなしている表層ランド221の一方の短辺を含む2つの角部に対応して設けられている。残りの1つの第1ビアホール450aは、表層ランド221の残りの短辺の中央部分に設けられている。2つの第1ビアホール450aは、少なくとも一部が電子部品80の接続部82とZ方向に重なる位置に設けられている。 In FIG. 9, three first via holes 450a are provided at positions overlapping one joint solder 25 in the Z direction. The three first via holes 450a form a triangle as a whole when viewed from the Z direction. More specifically, two first via holes 450a are provided corresponding to two corners including one short side of the rectangular surface land 221. The remaining one first via hole 450a is provided in the center part of the remaining short side of the surface land 221. The two first via holes 450a are provided at positions at which at least a portion overlaps with the connection portion 82 of the electronic component 80 in the Z direction.

第2ビアホール450bは、1つの接合はんだ25とZ方向に重なる位置に5つ設けられている。5つの第2ビアホール450bのうち4つの第2ビアホール450bは、長方形状をなしている表層ランド221の4つの角部に設けられている。残りの1つの第2ビアホール450bは、表層ランド221の中央部分に設けられている。言い換えると、残りの1つの第2ビアホール450bは、長方形状をなす4つの第2ビアホール450bのそれぞれから等しい距離に設けられている。3つの第2ビアホール450bは、少なくとも一部が電子部品80の接続部82とZ方向に重なる位置に設けられている。 Five second via holes 450b are provided at positions overlapping one joint solder 25 in the Z direction. Four of the five second via holes 450b are provided at the four corners of the rectangular surface land 221. The remaining second via hole 450b is provided in the center of the surface land 221. In other words, the remaining second via hole 450b is provided at equal distances from each of the four rectangular second via holes 450b. The three second via holes 450b are provided at positions at which at least a portion overlaps with the connection portion 82 of the electronic component 80 in the Z direction.

第2ビアホール450bの数が5つの場合を例に説明を行ったが、第2ビアホール450bの数が6つ以上であってもよい。この場合、隣り合う第2ビアホール450b同士を等間隔で規則的に配置することが好ましい。言い換えると、複数の第2ビアホール450bは、格子状をなすように並んでいることが好ましい。これによると、第2ビアホール450bが設けられている部分全体の接合を略均一に安定させることができる。ただし、所望の接合強度が得られる場合には、複数の第2ビアホール450bを不規則に配置してもよい。 Although the example has been described with five second via holes 450b, the number of second via holes 450b may be six or more. In this case, it is preferable to arrange adjacent second via holes 450b regularly and at equal intervals. In other words, it is preferable that the multiple second via holes 450b are arranged in a lattice pattern. This makes it possible to stabilize the bonding of the entire portion in which the second via holes 450b are provided in a substantially uniform manner. However, if the desired bonding strength is obtained, the multiple second via holes 450b may be arranged irregularly.

ビアホール450が第1ビアホール450aと第2ビアホール450bとを備えている構成を例に説明を行ったが、ビアホール450の構成は、上述の例に限られない。例えば、ビアホール450が第1ビアホール450aと第2ビアホール450bとのどちらか一方のみを備えていてもよい。 Although the above description is given taking as an example a configuration in which the via hole 450 includes the first via hole 450a and the second via hole 450b, the configuration of the via hole 450 is not limited to the above example. For example, the via hole 450 may include only one of the first via hole 450a and the second via hole 450b.

他の実施形態
この明細書および図面等における開示は、例示された実施形態に制限されない。開示は、例示された実施形態と、それらに基づく当業者による変形態様を包含する。例えば、開示は、実施形態において示された部品および/または要素の組み合わせに限定されない。開示は、多様な組み合わせによって実施可能である。開示は、実施形態に追加可能な追加的な部分をもつことができる。開示は、実施形態の部品および/または要素が省略されたものを包含する。開示は、1つの実施形態と他の実施形態との間における部品および/または要素の置き換え、または組み合わせを包含する。開示される技術的範囲は、実施形態の記載に限定されない。開示されるいくつかの技術的範囲は、請求の範囲の記載によって示され、さらに請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内での全ての変更を含むものと解されるべきである。
Other embodiments The disclosure in this specification and drawings, etc. is not limited to the exemplified embodiments. The disclosure includes the exemplified embodiments and modifications by those skilled in the art based thereon. For example, the disclosure is not limited to the combination of parts and/or elements shown in the embodiments. The disclosure can be implemented by various combinations. The disclosure can have additional parts that can be added to the embodiments. The disclosure includes the omission of parts and/or elements of the embodiments. The disclosure includes the substitution or combination of parts and/or elements between one embodiment and another embodiment. The disclosed technical scope is not limited to the description of the embodiments. Some disclosed technical scopes are indicated by the description of the claims, and should be interpreted as including all modifications within the meaning and scope equivalent to the description of the claims.

明細書および図面等における開示は、請求の範囲の記載によって限定されない。明細書および図面等における開示は、請求の範囲に記載された技術的思想を包含し、さらに請求の範囲に記載された技術的思想より多様で広範な技術的思想に及んでいる。よって、請求の範囲の記載に拘束されることなく、明細書および図面等の開示から、多様な技術的思想を抽出することができる。 The disclosure in the specification and drawings, etc. is not limited by the claims. The disclosure in the specification and drawings, etc. encompasses the technical ideas described in the claims, and extends to more diverse and extensive technical ideas than the technical ideas described in the claims. Therefore, various technical ideas can be extracted from the disclosure in the specification and drawings, etc., without being bound by the claims.

1 電子装置、 10 多層基板、 10b ビルドアップ基板、 10c コア基板、 20 表層基板、 21 表層ランド、 25 接合はんだ、 30 内層基板、 50 ビアホール、 80 電子部品、 81 本体部、 82 接続部、 221 表層ランド、 250 ビアホール、 250a 第1ビアホール、 250b 第2ビアホール、 350 ビアホール、 350a 第1ビアホール、 350b 第2ビアホール、 450 ビアホール、 450a 第1ビアホール、 450b 第2ビアホール 1 Electronic device, 10 Multilayer board, 10b Build-up board, 10c Core board, 20 Surface board, 21 Surface land, 25 Joint solder, 30 Inner board, 50 Via hole, 80 Electronic component, 81 Main body, 82 Connection, 221 Surface land, 250 Via hole, 250a First via hole, 250b Second via hole, 350 Via hole, 350a First via hole, 350b Second via hole, 450 Via hole, 450a First via hole, 450b Second via hole

Claims (8)

表層をなす絶縁基板である表層基板(20)と内層をなす前記絶縁基板である内層基板(30)とが互いに板厚方向に重なって設けられている多層基板(10)と、
前記表層基板に設けられている表層ランド(21、221)と、
前記表層基板に実装される電子部品(80)と、
前記電子部品と前記表層ランドとを接合している接合はんだ(25)と、
前記内層基板を貫通する電流経路を構成しているビアホール(50、250、350、450)とを備え、
前記ビアホールおよび前記ビアホールで囲まれた部位と、前記表層ランドとの間に、金属材料が配置されることなく表層基板が設けられており、
前記接合はんだは、固液相線幅が13℃以上であり、
前記ビアホールは、少なくとも一部が前記接合はんだと前記板厚方向に重なる位置に設けられている電子装置。
A multilayer board (10) in which a surface layer substrate (20) which is an insulating substrate forming a surface layer and an inner layer substrate (30) which is an insulating substrate forming an inner layer are overlapped with each other in a board thickness direction;
A surface land (21, 221) provided on the surface substrate;
An electronic component (80) mounted on the surface substrate;
A joining solder (25) joining the electronic component and the surface land;
via holes (50, 250, 350, 450) forming a current path penetrating the inner layer substrate;
a surface substrate is provided without any metal material being disposed between the surface land and the via hole or a portion surrounded by the via hole,
The joining solder has a solid-liquid phase width of 13° C. or more,
The via hole is provided at a position where at least a portion of the via hole overlaps with the joining solder in the plate thickness direction.
前記ビアホールは、少なくとも一部が前記電子部品と前記接合はんだの両方と前記板厚方向に重なる位置に設けられている請求項1に記載の電子装置。 The electronic device according to claim 1 , wherein the via hole is provided at a position where at least a portion of the via hole overlaps both the electronic component and the joining solder in the plate thickness direction. 前記ビアホールは、前記ビアホールの全体が前記接合はんだと前記板厚方向に重なる位置に設けられている請求項1または請求項2に記載の電子装置。 3. The electronic device according to claim 1, wherein the via hole is provided at a position where the entire via hole overlaps the joining solder in the plate thickness direction. 前記ビアホールは、互いに離間して複数設けられている請求項1から請求項のいずれかに記載の電子装置。 4. The electronic device according to claim 1, wherein the via holes are provided in a plurality of locations spaced apart from each other. 前記ビアホールは、前記ビアホール同士の間に前記表層ランドの中央部分が含まれる位置に設けられている請求項に記載の電子装置。 The electronic device according to claim 4 , wherein the via holes are provided at positions including central portions of the surface lands between the adjacent via holes. 前記表層ランドは、長方形状であり、
前記ビアホールは、前記表層ランドの2つの短辺の中央部分をつなぐ直線上に設けられている請求項5または請求項に記載の電子装置。
The surface land has a rectangular shape,
6. The electronic device according to claim 5 , wherein the via hole is provided on a straight line connecting central portions of two short sides of the surface land.
前記表層ランドは、長方形状であり、
前記ビアホールは、前記表層ランドの2つの長辺の中央部分をつなぐ直線上に設けられている請求項5または請求項に記載の電子装置。
The surface land has a rectangular shape,
6. The electronic device according to claim 5 , wherein the via hole is provided on a straight line connecting central portions of two long sides of the surface land.
前記表層ランドは、四角形状であり、
前記ビアホールは、前記表層ランドの角部に設けられている請求項または請求項に記載の電子装置。
The surface land has a rectangular shape,
6. The electronic device according to claim 4 , wherein the via hole is provided at a corner of the surface land.
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