JP7587624B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。

特許文献１は、半導体ウエハを研削によって薄化する工程と、薄化された半導体ウエハから複数の半導体チップ（半導体装置）を切り出す工程と、を含む、半導体装置の製造方法が開示している。

特開２０１０－０１６１８８号公報

近年、半導体装置の製造技術の発展に伴って、半導体装置の薄化が進んでいる。その一方で、半導体ウエハの製造技術の発展に伴って、半導体ウエハの大径化が進んでいる。半導体ウエハの厚さは、自重によるたわみ等を抑制する観点から、径の大きさに比例して大きくなっている。つまり、半導体ウエハの製造技術は、半導体装置の薄化を目的とする半導体装置の製造技術に反して、半導体ウエハの厚化の方向に進んでいる。

たとえば、特許文献１に開示された従来の製造方法では、厚い半導体ウエハを研削によって薄化した後で、複数の半導体装置を切り出している。このような製造方法であれば、半導体ウエハの厚さによらずに所望の厚さを有する半導体装置を製造できる。

しかし、従来の製造方法の場合、半導体ウエハの厚化が進むと、半導体ウエハにおいて研削によって除去すべき部分が増加する。つまり、従来の製造方法によれば、大径でかつ厚い半導体ウエハの場合、小径でかつ薄い半導体ウエハの場合に比べて、半導体装置を薄化するための研削時間が増加すると同時に、単位体積当たりの半導体装置の取れ数が相対的に減少する。そのため、半導体ウエハを効率よく消費できない。

本発明の一実施形態は、半導体ウエハを効率よく消費できる半導体装置の製造方法を提供する。

本発明の一実施形態は、一方側の第１主面、他方側の第２主面、ならびに、前記第１主面および前記第２主面を接続する側壁を含むＳｉＣ（炭化ケイ素）からなる半導体ウエハ源を用意する工程と、前記半導体ウエハ源の前記第１主面にＳｉＣからなるエピタキシャル層を形成する工程と、前記エピタキシャル層に複数の素子形成領域を設定し、前記複数の素子形成領域に半導体素子をそれぞれ作り込む素子形成工程と、前記エピタキシャル層の前記素子形成領域に半導体素子が形成された前記半導体ウエハ源の前記第１主面側に第１主面側支持部材を貼着する貼着工程と、前記半導体ウエハ源が前記第１主面側支持部材に支持された状態で、前記半導体ウエハ源の厚さ方向途中部から前記第１主面に平行な水平方向に沿って前記半導体ウエハ源に変質層を形成する工程と、前記半導体ウエハ源を、前記第１主面側支持部材によって支持された前記半導体素子が形成された素子形成ウエハおよび素子未形成ウエハに、前記半導体ウエハ源に形成した前記変質層に沿って分離するウエハ源分離工程と、を含む、半導体装置の製造方法を提供する。

この半導体装置の製造方法によれば、素子形成ウエハ（素子形成済みウエハ）から複数の半導体装置を切り出すことができる一方で、素子未形成ウエハを新たな半導体ウエハ源として再利用できる。これにより、製造の遅延を抑制できると同時に半導体ウエハ源の過剰な消費を抑制できる。よって、半導体ウエハ源を効率よく消費できる半導体装置の製造方法を提供できる。

本発明における上述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。

図１Ａは、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法に適用され得る半導体ウエハ源の一形態例を説明するための斜視図である。 図１Ｂは、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法に適用され得るウエハ貼着構造体の一形態例を説明するための斜視図である。 図２Ａは、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。 図２Ｂは、図２Ａに示す工程から取得される素子形成ウエハに対して実施される工程を説明するための工程図である。 図３Ａは、図２Ａおよび図２Ｂに示す製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図３Ｂは、図３Ａの後の工程を説明するための断面図である。 図３Ｃは、図３Ｂの後の工程を説明するための断面図である。 図３Ｄは、図３Ｃの後の工程を説明するための断面図である。 図３Ｅは、図３Ｄの後の工程を説明するための断面図である。 図３Ｆは、図３Ｅの後の工程を説明するための断面図である。 図３Ｇは、図３Ｆの後の工程を説明するための断面図である。 図３Ｈは、図３Ｇの後の工程を説明するための断面図である。 図３Ｉは、図３Ｈの後の工程を説明するための断面図である。 図３Ｊは、図３Ｉの後の工程を説明するための断面図である。 図３Ｋは、図３Ｊの後の工程を説明するための断面図である。 図４は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。 図５は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。 図６Ａは、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。 図６Ｂは、図６Ａに示す工程から取得される素子形成ウエハに対して実施される工程を説明するための工程図である。 図７Ａは、図６Ａおよび図６Ｂに示す製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図７Ｂは、図７Ａの後の工程を説明するための断面図である。 図７Ｃは、図７Ｂの後の工程を説明するための断面図である。 図７Ｄは、図７Ｃの後の工程を説明するための断面図である。 図７Ｅは、図７Ｄの後の工程を説明するための断面図である。 図７Ｆは、図７Ｅの後の工程を説明するための断面図である。 図７Ｇは、図７Ｆの後の工程を説明するための断面図である。 図８Ａは、本発明の第５実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。 図８Ｂは、図８Ａに示す工程から取得される素子形成ウエハに対して実施される工程を説明するための工程図である。 図９Ａは、図８Ａおよび図８Ｂに示す製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図９Ｂは、図９Ａの後の工程を説明するための断面図である。 図９Ｃは、図９Ｂの後の工程を説明するための断面図である。 図９Ｄは、図９Ｃの後の工程を説明するための断面図である。 図９Ｅは、図９Ｄの後の工程を説明するための断面図である。 図９Ｆは、図９Ｅの後の工程を説明するための断面図である。 図９Ｇは、図９Ｆの後の工程を説明するための断面図である。 図９Ｈは、図９Ｇの後の工程を説明するための断面図である。 図９Ｉは、図９Ｈの後の工程を説明するための断面図である。 図９Ｊは、図９Ｉの後の工程を説明するための断面図である。 図９Ｋは、図９Ｊの後の工程を説明するための断面図である。 図９Ｌは、図９Ｋの後の工程を説明するための断面図である。 図９Ｍは、図９Ｌの後の工程を説明するための断面図である。 図１０は、本発明の一形態例に係る半導体装置を示す断面図である。 図１１Ａは、本発明の第６実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。 図１１Ｂは、図１１Ａに示す工程から取得される素子形成ウエハに対して実施される工程を説明するための工程図である。 図１２Ａは、図１１Ａおよび図１１Ｂに示す製造方法を図１０に示す半導体装置の製造方法に適用し、図１１Ａおよび図１１Ｂに示す製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図１２Ｂは、図１２Ａの後の工程を説明するための断面図である。 図１２Ｃは、図１２Ｂの後の工程を説明するための断面図である。 図１２Ｄは、図１２Ｃの後の工程を説明するための断面図である。 図１２Ｅは、図１２Ｄの後の工程を説明するための断面図である。 図１２Ｆは、図１２Ｅの後の工程を説明するための断面図である。 図１２Ｇは、図１２Ｆの後の工程を説明するための断面図である。 図１２Ｈは、図１２Ｇの後の工程を説明するための断面図である。 図１２Ｉは、図１２Ｈの後の工程を説明するための断面図である。 図１３は、ウエハ貼着構造体の第１変形例を示す断面図である。 図１４は、ウエハ貼着構造体の第２変形例を示す斜視図である。

図１Ａは、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法に適用され得る半導体ウエハ源１の一形態例を説明するための斜視図である。

図１Ａを参照して、円板状の半導体ウエハ源１が、半導体装置の製造に適用されてもよい。半導体ウエハ源１は、この形態ではＳｉＣ（炭化珪素）を含む。半導体ウエハ源１は、より具体的には、ＳｉＣ単結晶製の半導体ウエハからなる。

半導体ウエハ源１は、一方側の第１主面２、他方側の第２主面３、ならびに、第１主面２および第２主面３を接続する側壁４を有している。半導体ウエハ源１の第１主面２は、半導体素子が形成される素子形成面である。

半導体ウエハ源１は、厚さ方向途中部から第１主面２に平行な水平方向に沿って切断できる厚さＴ１を有している。半導体ウエハ源１の厚さＴ１は、取得されるべき半導体装置（半導体チップ）の半導体基板の厚さを超えている。半導体ウエハ源１の厚さＴ１は、１００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。半導体ウエハ源１の厚さＴ１は、２５０μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。

半導体ウエハ源１は、第１ウエハ縁部５および第２ウエハ縁部６を含む。第１ウエハ縁部５は、第１主面２および側壁４を接続している。第１ウエハ縁部５は、より具体的には、第１主面２および側壁４を直角に接続している。つまり、第１ウエハ縁部５は、面取り加工されていない。

第２ウエハ縁部６は、第２主面３および側壁４を接続している。第２ウエハ縁部６は、より具体的には、第２主面３および側壁４を直角に接続している。つまり、第２ウエハ縁部６は、面取り加工されていない。半導体ウエハ源１では、少なくとも第２ウエハ縁部６が面取り加工されていないことが好ましい。

半導体ウエハ源１には、結晶方位等を示す第１オリエンテーションフラット７（第１目印）が形成されている。第１オリエンテーションフラット７は、半導体ウエハ源１の周縁に形成された切欠部を含む。第１オリエンテーションフラット７は、半導体ウエハ源１の周縁において直線状に延びている。

半導体ウエハ源１の第１主面２には、複数の素子形成領域１０（チップ形成領域）が設定される。複数の素子形成領域１０には、半導体素子１１がそれぞれ形成される。複数の素子形成領域１０は、互いに間隔を空けてマトリクス状に設定されていてもよい。各素子形成領域１０は、第１主面２の法線方向から見た平面視において、四角形状に設定されていてもよい。

半導体素子１１は、半導体材料や、半導体材料の性質等を利用して形成される種々の機能素子を含んでいてもよい。半導体素子１１は、半導体整流素子、半導体スイッチング素子または半導体受動素子のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

半導体整流素子は、ｐｎ接合ダイオード、ツェナーダイオード、ショットキーバリアダイオード、ファーストリカバリーダイオード等の各種ダイオード素子を含んでいてもよい。半導体スイッチング素子は、バイポーラトランジスタ、ＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等の各種トランジスタ素子を含んでいてもよい。半導体受動素子は、コンデンサ、抵抗、インダクタ等の各種受動素子を含んでいてもよい。

半導体素子１１は、半導体整流素子、半導体スイッチング素子および半導体受動素子のうちの任意の２つ以上の素子が選択的に組み合わされた回路網を含んでいてもよい。回路網は、集積回路の一部または全部を形成していてもよい。

集積回路は、ＳＳＩ（Small Scale Integration），ＬＳＩ（Large Scale Integration），ＭＳＩ（Medium Scale Integration），ＶＬＳＩ（Very Large Scale Integration）またはＵＬＳＩ（Ultra-Very Large Scale Integration）を含んでいてもよい。

複数の素子形成領域１０の間の境界領域には、ダイシングライン１２が区画されている。ダイシングライン１２に沿って半導体ウエハ源１が切断されることによって、複数の半導体装置が切り出される。

図１Ｂは、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法に適用され得るウエハ貼着構造体１０１の一形態例を説明するための斜視図である。

図１Ｂを参照して、円板状のウエハ貼着構造体１０１が、半導体装置の製造に適用されてもよい。ウエハ貼着構造体１０１は、半導体ウエハ源１および第１支持部材２１を含む積層構造を有している。半導体ウエハ源１は、第１支持部材２１に貼着されている。

ウエハ貼着構造体１０１によれば、半導体ウエハ源１および第１支持部材２１が一体的にハンドリングされる。これにより、半導体ウエハ源１のハンドリングの利便性が高まる。この明細書において「ハンドリング」の文言には、半導体装置を製造するための製造装置に対する搬出入だけでなく、市場への流通も含まれる。つまり、ウエハ貼着構造体１０１は、市場において取引対象になり得る。

第１支持部材２１は、円板状の基板（ウエハ）からなり、半導体ウエハ源１を第２主面３側から支持する。第１支持部材２１は、一方側の第１支持主面２２、他方側の第２支持主面２３、ならびに、第１支持主面２２および第２支持主面２３を接続する支持側壁２４を有している。

第１支持部材２１は、第１支持縁部２５および第２支持縁部２６を含む。第１支持縁部２５は、第１支持主面２２および支持側壁２４を接続している。第１支持縁部２５は、面取り加工された面取り部を含む。第１支持縁部２５は、Ｃ面取り加工されていてもよい。第１支持縁部２５は、Ｒ面取り加工されていてもよい。この場合、第１支持縁部２５は、凸湾曲状または凸湾曲状に近い状態に面取りされた面取り部を含んでいてもよい。

第１支持縁部２５は、ワイヤーソー加工法、ダイシングブレード加工法またはエッチング加工法のうちの少なくとも一つの方法によって面取り加工されてもよい。第１支持縁部２５の面取り加工によって、ウエハ貼着構造体１０１のハンドリングの利便性を高めることができる。

第２支持縁部２６は、第２支持主面２３および支持側壁２４を接続している。第２支持縁部２６は、面取り加工された面取り部を含む。第２支持縁部２６は、Ｃ面取り加工されていてもよい。第２支持縁部２６は、Ｒ面取り加工されていてもよい。この場合、第２支持縁部２６は、凸湾曲状または凸湾曲状に近い状態に面取りされた面取り部を含んでいてもよい。

第２支持縁部２６は、ワイヤーソー加工法、ダイシングブレード加工法またはエッチング加工法のうちの少なくとも一つの方法によって面取り加工されてもよい。第２支持縁部２６の面取り加工によって、ウエハ貼着構造体１０１のハンドリングの利便性を高めることができる。

第１支持部材２１は、第２主面３側から半導体ウエハ源１を支持している。つまり、半導体ウエハ源１は、第２主面３を第１支持部材２１の第１支持主面２２に対向させた姿勢で第１支持部材２１の第１支持主面２２の上に配置されている。第１支持部材２１の第１支持主面２２は、半導体ウエハ源１の第２主面３に貼着されている。

第１支持部材２１の平面面積は、この形態では、半導体ウエハ源１の平面面積以上に形成されている。ウエハ貼着構造体１０１のハンドリングの利便性を高めることができる。第１支持部材２１の中央部に半導体ウエハ源１が支持された状態において、半導体ウエハ源１の周縁および第１支持部材２１の周縁の間の距離Ｄは、０ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよい。

第１支持部材２１の材料としては、半導体ウエハ源１を固定的に支持できる限り、種々の材料を適用できる。第１支持部材２１は、半導体ウエハ源１を支持する都合上、半導体ウエハ源１の物理的性質と比較的近い物理的性質を有していることが好ましい。物理的性質には、たとえば、熱膨張係数や融点等が含まれる。

半導体ウエハ源１の熱膨張係数に対する第１支持部材２１の熱膨張係数の比は、０．５以上１．５以下であってもよい。熱膨張係数比は、０．８以上１．２以下であることが好ましい。第１支持部材２１の融点は、半導体ウエハ源１の融点以上であってもよい。第１支持部材２１の融点は、１６００℃以上であってもよい。

第１支持部材２１は、半導体ウエハ源１と同一の材料種を含むことが好ましい。つまり、第１支持部材２１は、ＳｉＣ（炭化珪素）を含むことが好ましい。第１支持部材２１は、ＳｉＣ単結晶製の半導体ウエハからなることがさらに好ましい。これにより、第１支持部材２１の物理的性質が、半導体ウエハ源１の物理的性質とほぼ等しくなる。

第１支持部材２１の厚さＴ２は、１００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。第１支持部材２１の厚さＴ２は、２５０μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。第１支持部材２１の厚さＴ２は、半導体ウエハ源１の厚さＴ１と等しくてもよい。

半導体装置の製造方法では、第１支持部材２１を介して半導体ウエハ源１にレーザ光が照射されてもよい。この場合、第１支持部材２１は、光透過性を有していることが好ましい。第１支持部材２１は、半導体ウエハ源１に照射されるレーザ光の減衰を抑制する光透過性ウエハであることが好ましい。光透過性ウエハには、透光性ウエハおよび透明ウエハが含まれてもよい。

第１支持部材２１は、不純物無添加または低不純物濃度の単結晶半導体ウエハ（ＳｉＣ単結晶製の半導体ウエハ）であることが好ましい。この場合、第１支持部材２１によるレーザ光の吸収（減衰）が抑制される。

第１支持部材２１が不純物を含む場合、第１支持部材２１の不純物濃度は、１．０×１０１８ｃｍ－３以下であることが好ましい。３９０μｍ以下の波長を有するレーザ光については、不純物添加の有無によらずに、ＳｉＣ単結晶製の半導体ウエハからなる第１支持部材２１によって吸収（減衰）される傾向がある点に留意する。

第１支持部材２１は、バナジウムが添加された単結晶半導体ウエハ（ＳｉＣ単結晶製の半導体ウエハ）であってもよい。第１支持部材２１は、ｐ型不純物が添加された単結晶半導体ウエハ（ＳｉＣ単結晶製の半導体ウエハ）であってもよい。第１支持部材２１は、ｎ型不純物が添加された単結晶半導体ウエハ（ＳｉＣ単結晶製の半導体ウエハ）であってもよい。

第１支持部材２１は、ｐ型不純物およびｎ型不純物が添加された単結晶半導体ウエハ（ＳｉＣ単結晶製の半導体ウエハ）であってもよい。ｐ型不純物濃度およびｎ型不純物濃度は、同程度であってもよい。その他、半導体ウエハ源１の物理的性質やレーザ光の波長に基づいて、種々の材料種からなる第１支持部材２１が採用され得る。

第１支持部材２１には、結晶方位等を示す第２オリエンテーションフラット２７（第２目印）が形成されている。第２オリエンテーションフラット２７は、第１支持部材２１の周縁に形成された切欠部を含む。第２オリエンテーションフラット２７は、第１支持部材２１の周縁において直線状に延びている。

第１支持部材２１の第２オリエンテーションフラット２７は、半導体ウエハ源１の第１オリエンテーションフラット７と等しい結晶方位を示していてもよい。これにより、結晶方位を把握しながら、半導体ウエハ源１を第１支持部材２１に貼着できる。

第１支持部材２１の第２オリエンテーションフラット２７は、半導体ウエハ源１の第１オリエンテーションフラット７に位置整合していてもよい。つまり、第２オリエンテーションフラット２７は、第１オリエンテーションフラット７に近接する位置で、第１オリエンテーションフラット７に沿って平行に延びていてもよい。

これにより、半導体ウエハ源１の結晶方位および第１支持部材２１の結晶方位が一致するから、半導体ウエハ源１の結晶方位を容易に判別できる。これにより、ウエハ貼着構造体１０１のハンドリングの利便性を高めることができる。

図２Ａは、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。図２Ｂは、図２Ａに示す工程から取得される素子形成ウエハ４１（新たな半導体ウエハ源５１、素子形成済みウエハ）に対して実施される工程を説明するための工程図である。

図３Ａ～図３Ｋは、図２Ａおよび図２Ｂに示す製造方法を説明するための模式的な断面図である。図３Ａ～図３Ｋでは、説明の便宜上、半導体ウエハ源１の構造および第１支持部材２１の構造を簡略化して示している。

まず、図３Ａを参照して、半導体ウエハ源１が用意される（図２ＡのステップＳ１）。また、第１支持部材２１が用意される。

次に、図３Ｂを参照して、半導体ウエハ源１が、第１支持部材２１に貼着される（図２ＡのステップＳ２）。半導体ウエハ源１は、第２主面３を第１支持部材２１の第１支持主面２２に対向させた姿勢で第１支持部材２１に貼着される。これにより、ウエハ貼着構造体１０１が形成される。

半導体ウエハ源１は、接着剤によって第１支持部材２１に貼着されてもよい。半導体ウエハ源１および第１支持部材２１が同一の材料種（ＳｉＣ）からなる場合、半導体ウエハ源１は、ウエハ直接接合法によって、第１支持部材２１に接合されてもよい。ウエハ直接接合法は、常温接合法、水酸基接合法またはプラズマ接合法を含んでいてもよい。

常温接合法では、まず、半導体ウエハ源１の第２主面３および第１支持部材２１の第１支持主面２２に対してイオンビームがそれぞれ照射される。これにより、結合手を有する原子が、半導体ウエハ源１の第２主面３および第１支持部材２１の第１支持主面２２にそれぞれ形成される。その後、半導体ウエハ源１の第２主面３が、第１支持部材２１の第１支持主面２２に貼着される。

水酸基接合法では、まず、半導体ウエハ源１の第２主面３および第１支持部材２１の第１支持主面２２に対して親水化処理がそれぞれ施される。親水化処理には、硫酸過酸化水素等の酸化性の薬液が使用されてもよい。これにより、半導体ウエハ源１の第２主面３および第１支持部材２１の第１支持主面２２に水酸基がそれぞれ導入される。その後、半導体ウエハ源１の第２主面３が、第１支持部材２１の第１支持主面２２に貼着される。

プラズマ接合法では、まず、半導体ウエハ源１の第２主面３および第１支持部材２１の第１支持主面２２に対して酸素プラズマ処理がそれぞれ施される。これにより、半導体ウエハ源１の第２主面３および第１支持部材２１の第１支持主面２２に活性領域がそれぞれ形成される。活性領域は、水酸基および／または結合手を有する原子を含んでいてもよい。その後、半導体ウエハ源１の第２主面３が、第１支持部材２１の第１支持主面２２に貼着される。

ウエハ直接接合法では、必要に応じて、半導体ウエハ源１および第１支持部材２１の接合強度を高めるための熱処理工程や加圧工程が実施されてもよい。

ウエハ貼着構造体１０１は、半導体ウエハ源１および第１支持部材２１の間の境界領域において、半導体ウエハ源１および第１支持部材２１を接合する接合層２８を含んでいてもよい。半導体ウエハ源１および第１支持部材２１が接着剤によって貼着されている場合、接合層２８は、接着剤を含んでいてもよい。

半導体ウエハ源１および第１支持部材２１がウエハ直接接合法によって貼着されている場合、接合層２８は、半導体接合層を含んでいてもよい。半導体接合層は、半導体ウエハ源１の結晶状態および／または第１支持部材２１の結晶状態とは異なる結晶状態を有していてもよい。半導体接合層は、アモルファス層を含んでいてもよい。アモルファス層は、半導体ウエハ源１の材料および／または第１支持部材２１の材料を有していてもよい。

次に、図３Ｃを参照して、半導体素子１１が、半導体ウエハ源１の第１主面２に設定された複数の素子形成領域１０にそれぞれ作り込まれる（図２ＡのステップＳ３）。

半導体素子１１の形成工程は、半導体ウエハ源１の第１主面２を研磨する工程を含んでいてもよい。半導体素子１１の形成工程は、半導体ウエハ源１の第１主面２にエピタキシャル層２９を形成する工程を含んでいてもよい。

半導体素子１１の形成工程は、半導体素子１１の性質に応じて、ｎ型不純物および／またはｐ型不純物をエピタキシャル層２９に選択的に導入する工程を含んでいてもよい。半導体素子１１の形成工程は、エピタキシャル層２９の上に第１主面電極３０を形成する工程を含んでいてもよい。

研磨工程では、算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下になるまで、半導体ウエハ源１の第１主面２が研磨されてもよい。研磨工程は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学機械研磨）法によって実施されてもよい。

エピタキシャル層２９の形成工程では、半導体ウエハ源１の第１主面２からＳｉＣがエピタキシャル成長される。研磨工程の後であれば、半導体ウエハ源１の第１主面２に対してエピタキシャル層２９を適切に形成できる。これにより、半導体ウエハ源１の第１主面２に、半導体素子１１を適切に作り込むことができる。

第１主面電極３０の形成工程では、素子形成領域１０に電気的に接続される第１主面電極３０が、複数の素子形成領域１０にそれぞれ形成される。

次に、図３Ｄを参照して、第２支持部材３１が半導体ウエハ源１に貼着される（図２ＡのステップＳ４）。ウエハ貼着構造体１０１は、第２支持部材３１を備えた状態でハンドリングされてもよい。

第２支持部材３１は、半導体ウエハ源１の第１主面２側から半導体ウエハ源１を支持する。第２支持部材３１は、両面接着性のテープ３２を介して半導体ウエハ源１に貼着されてもよい。

第２支持部材３１は、半導体ウエハ源１を支持できる限り、種々の材料が適用され得る。たとえば、第１支持部材２１の構造と同様の構造を有する部材が、第２支持部材３１として採用されてもよい。この場合、第１支持部材２１の説明は、第２支持部材３１の説明に準用される。

第２支持部材３１は、円板状のガラス板であってもよい。ガラス板は、第１支持部材２１の外形と同様の外形を有していてもよい。第２支持部材３１は、テープ３２を介さずに、半導体ウエハ源１に直接貼着されてもよい。この場合、第２支持部材３１は、片面接着性のテープであってもよい。

第２支持部材３１の平面面積は、ハンドリングの利便性から、半導体ウエハ源１の平面面積以上に設定されていてもよい。この場合、ウエハ貼着構造体１０１は、第１支持部材２１および第２支持部材３１が互いに対向する対向領域に、半導体ウエハ源１が収容された構造を有している。

これにより、第１支持部材２１および第２支持部材３１によって、半導体ウエハ源１を外力等から適切に保護できる。むろん、第２支持部材３１の平面面積は、半導体ウエハ源１の平面面積以下であってもよい。

次に、図３Ｅを参照して、レーザ光照射装置３３から半導体ウエハ源１に向けてレーザ光が照射される（図２ＡのステップＳ５）。レーザ光は、半導体ウエハ源１が第２支持部材３１に支持された状態で半導体ウエハ源１に向けて照射される。レーザ光は、半導体ウエハ源１の第２主面３側から第１支持部材２１を介して半導体ウエハ源１に照射される。

レーザ光の集光部（焦点）は、半導体ウエハ源１の厚さ方向途中部に設定される。半導体ウエハ源１の第１主面２からレーザ光の集光部までの距離Ｗ１は、取得すべき半導体装置の厚さに応じて設定される。距離Ｗ１は、５０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。

半導体ウエハ源１に対するレーザ光の照射位置は、半導体ウエハ源１の第１主面２に平行な水平方向に沿って移動される。これにより、半導体ウエハ源１の厚さ方向途中部に、結晶状態が他の領域とは異なる性質に変質した第１変質層３４が形成される。

第１変質層３４は、半導体ウエハ源１の厚さ方向途中部において水平方向に沿って形成される。第１変質層３４は、レーザ光の照射によって形成されたレーザ加工痕である。第１変質層３４は、変質によって密度、屈折率または機械的強度（結晶強度）、もしくは、その他の物理的特性が、他の領域とは異なる状態となった層でもある。

第１変質層３４は、溶融再硬化層、欠陥層、絶縁破壊層または屈折率変化層のうちの少なくとも１つの層を含んでいてもよい。溶融再硬化層は、半導体ウエハ源１の一部が溶融した後再度硬化した層である。欠陥層は、空孔や亀裂等を含む層である。絶縁破壊層は、絶縁破壊によって生じた層である。屈折率変化層は、他の領域とは異なる屈折率を有する層である。

次に、図３Ｆを参照して、半導体ウエハ源１の厚さ方向途中部から第１主面２に平行な水平方向に沿って半導体ウエハ源１が切断される（図２ＡのステップＳ６）。より具体的には、半導体ウエハ源１は、第１変質層３４を起点にして水平方向に沿って劈開される。半導体ウエハ源１の劈開は、半導体ウエハ源１が第１支持部材２１および第２支持部材３１によって支持（挟持）された状態で実施される。

これにより、半導体ウエハ源１が、半導体素子１１を有する素子形成ウエハ４１、および、半導体素子１１を有さない素子未形成ウエハ４２に分離される。素子形成ウエハ４１は、一方側の第１主面２および他方側の第１切断面４３を含む。素子形成ウエハ４１は、厚さＴａを有している。素子未形成ウエハ４２は、一方側の第２切断面４４および他方側の第２主面３を含む。素子未形成ウエハ４２は、厚さＴｂを有している。

図３Ｇを参照して、半導体ウエハ源１の分離工程の後、素子形成ウエハ４１の第１切断面４３が研削される（図２ＢのステップＳ１１）。第１切断面４３の研削工程は、ＣＭＰ法によって実施されてもよい。

第１切断面４３の研削工程は、素子形成ウエハ４１が所望の厚さになるまで実行されてもよい。つまり、第１切断面４３の研削工程は、素子形成ウエハ４１の薄化工程を含んでいてもよい。

第１切断面４３の研削工程の後、素子形成ウエハ４１の第１切断面４３に第２主面電極４５が形成される（図２ＢのステップＳ１２）。むろん、第１切断面４３の研削工程は省略されてもよい。つまり、半導体ウエハ源１の分離工程直後の第１切断面４３に対して第２主面電極４５が直接形成されてもよい。

その後、ダイシングライン１２（図１Ａおよび図１Ｂも併せて参照）に沿って素子形成ウエハ４１が切断される（図２ＢのステップＳ１３）。これにより、素子形成ウエハ４１から複数の半導体装置が切り出される。

素子形成ウエハ４１の切断工程は、第２支持部材３１に支持された状態で実施されてもよい。この場合、素子形成ウエハ４１の切断工程の後、第２支持部材３１が除去される。素子形成ウエハ４１の切断工程は、第２支持部材３１が除去された後に実施されてもよい。

半導体ウエハ源１の分離工程の後、素子未形成ウエハ４２を新たな半導体ウエハ源として再利用可能であるか否かが判定される（図２ＡのステップＳ７）。

素子未形成ウエハ４２の再利用の可否判定は、素子形成ウエハ４１の厚さＴａおよび素子未形成ウエハ４２の厚さＴｂに基づいて実施されてもよい。素子未形成ウエハ４２の厚さＴｂが、素子形成ウエハ４１の厚さＴａ以下（Ｔｂ≦Ｔａ）の場合、再利用不能であると判定されてもよい。再利用不能条件は、Ｔｂ＜Ｔａであってもよい。

素子未形成ウエハ４２の再利用の可否判定は、素子未形成ウエハ４２から取得すべき半導体装置の厚さＴｃｈ１に基づいて実施されてもよい。取得すべき半導体装置の厚さＴｃｈ１が、素子未形成ウエハ４２の厚さＴｂ以上（Ｔｃｈ１≧Ｔｂ）の場合、再利用不能であると判定されてもよい。再利用不能条件は、Ｔｃｈ１＞Ｔｂであってもよい。

素子未形成ウエハ４２の再利用不能条件には、素子未形成ウエハ４２が十分な厚さＴｂ（たとえばＴｃｈ１＜Ｔｂ）を有している一方で、再利用できない事情が生じた場合が含まれてもよい。

素子未形成ウエハ４２が再利用不能である場合（図２ＡのステップＳ７：ＮＯ）、一つの半導体ウエハ源１を用いた半導体装置の製造方法が終了する。

素子未形成ウエハ４２が再利用不能の場合、第１支持部材２１から素子未形成ウエハ４２を除去する工程を実施してもよい。再利用不能な素子未形成ウエハ４２は、研磨工程によって除去されてもよい。研磨工程は、ＣＭＰ法によって実施されてもよい。除去工程の後、第１支持部材２１を別の半導体ウエハ源を支持する支持部材として再利用する工程が実施されてもよい。

図３Ｈを参照して、素子未形成ウエハ４２が新たな半導体ウエハ源として再利用可能である場合（図２ＡのステップＳ７：ＹＥＳ）、新たな半導体素子５２が、素子未形成ウエハ４２に形成される（図２ＡのステップＳ８）。

以下では、素子未形成ウエハ４２を「新たな半導体ウエハ源５１」という。新たな半導体ウエハ源５１の第２切断面４４は、半導体ウエハ源１の第１主面２に相当する。新たな半導体素子５２は、新たな半導体ウエハ源５１が第１支持部材２１によって支持された状態で、新たな半導体ウエハ源５１の第２切断面４４に形成されてもよい。

新たな半導体素子５２は、前述の半導体素子１１と同一の種類または異なる種類であってもよい。図３Ｈでは、新たな半導体素子５２が、半導体素子１１と同一の種類である例が示されている。新たな半導体素子５２は、新たな半導体ウエハ源５１の第２切断面４４に設定された複数の素子形成領域１０にそれぞれ作り込まれる。

新たな半導体素子５２の形成工程は、新たな半導体ウエハ源５１の第２切断面４４を研磨する工程を含んでいてもよい。新たな半導体素子５２の形成工程は、新たな半導体ウエハ源５１の第２切断面４４にエピタキシャル層２９を形成する工程を含んでいてもよい。

新たな半導体素子５２の形成工程は、新たな半導体素子５２の性質に応じて、ｎ型不純物および／またはｐ型不純物をエピタキシャル層２９に選択的に導入する工程を含んでいてもよい。新たな半導体素子５２の形成工程は、エピタキシャル層２９の上に第１主面電極３０を形成する工程を含んでいてもよい。

研磨工程では、算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下になるまで、新たな半導体ウエハ源５１の第２切断面４４が研磨されてもよい。研磨工程は、ＣＭＰ法によって実施されてもよい。

エピタキシャル層２９の形成工程では、新たな半導体ウエハ源５１の第２切断面４４からＳｉＣがエピタキシャル成長される。研磨工程の後であれば、新たな半導体ウエハ源５１の第２切断面４４に対してエピタキシャル層２９を適切に形成できる。これにより、新たな半導体ウエハ源５１の第２切断面４４に、新たな半導体素子５２を適切に作り込むことができる。

第１主面電極３０の形成工程では、素子形成領域１０に電気的に接続される第１主面電極３０が、複数の素子形成領域１０にそれぞれ形成される。

次に、図３Ｉを参照して、第２支持部材３１が新たな半導体ウエハ源５１に貼着される（図２ＡのステップＳ４）。第２支持部材３１は、新たな半導体ウエハ源５１の第２切断面４４側から半導体ウエハ源１を支持する。第２支持部材３１は、両面接着性のテープ３２を介して半導体ウエハ源１に貼着されてもよい。

次に、図３Ｊを参照して、レーザ光照射装置３３から新たな半導体ウエハ源５１に向けてレーザ光が照射される（図２ＡのステップＳ５）。レーザ光は、新たな半導体ウエハ源５１が第２支持部材３１に支持された状態で新たな半導体ウエハ源５１に向けて照射される。レーザ光は、新たな半導体ウエハ源５１の第２主面３側から第１支持部材２１を介して新たな半導体ウエハ源５１に照射される。

レーザ光の集光部（焦点）は、新たな半導体ウエハ源５１の厚さ方向途中部に設定される。新たな半導体ウエハ源５１の第２切断面４４からレーザ光の集光部までの距離Ｗ２は、取得すべき半導体装置の厚さＴｃｈ１に応じて設定される。距離Ｗ２は、５０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。

新たな半導体ウエハ源５１に対するレーザ光の照射位置は、新たな半導体ウエハ源５１の第２切断面４４に平行な水平方向に沿って移動される。これにより、新たな半導体ウエハ源５１の厚さ方向途中部に、結晶状態が他の領域とは異なる性質に変質した第２変質層５５が形成される。

第２変質層５５は、新たな半導体ウエハ源５１の厚さ方向途中部において水平方向に沿って形成される。第２変質層５５は、前述の第１変質層３４の構成と略同様の構成を有している。第２変質層５５についての具体的な説明は省略する。

次に、図３Ｋを参照して、新たな半導体ウエハ源５１の厚さ方向途中部から第２切断面４４に平行な水平方向に沿って新たな半導体ウエハ源５１が切断される（図２ＡのステップＳ６）。

より具体的には、新たな半導体ウエハ源５１は、第２変質層５５を起点にして水平方向に沿って劈開される。新たな半導体ウエハ源５１の劈開は、新たな半導体ウエハ源５１が第１支持部材２１および第２支持部材３１によって支持（挟持）された状態で実施される。

これにより、新たな半導体ウエハ源５１が、新たな半導体素子５２が形成された第２の素子形成ウエハ６１（素子形成済みウエハ）、および、新たな半導体素子５２が形成されていない第２の素子未形成ウエハ６２に分離される。

第２の素子形成ウエハ６１は、一方側の第２切断面４４および他方側の第３切断面６３を含む。第２の素子形成ウエハ６１は、厚さＴｃを有している。第２の素子未形成ウエハ６２は、一方側の第４切断面６４および他方側の第２主面３を含む。第２の素子未形成ウエハ６２は、厚さＴｄを有している。

新たな半導体ウエハ源５１の分離工程の後、第２の素子形成ウエハ６１の第３切断面６３が研削される（図２ＢのステップＳ１１）。第３切断面６３の研削工程は、ＣＭＰ法によって実施されてもよい。

第３切断面６３の研削工程は、第２の素子形成ウエハ６１が所望の厚さになるまで実行されてもよい。つまり、第３切断面６３の研削工程は、第２の素子形成ウエハ６１の薄化工程を含んでいてもよい。

第３切断面６３の研削工程の後、第２の素子形成ウエハ６１の第３切断面６３に第２主面電極４５が形成される（図２ＢのステップＳ１２）。むろん、第３切断面６３の研削工程は省略されてもよい。つまり、新たな半導体ウエハ源５１の分離工程直後の第３切断面６３に対して第２主面電極４５が直接形成されてもよい。

その後、ダイシングライン１２（図１Ａおよび図１Ｂも併せて参照）に沿って第２の素子形成ウエハ６１が切断される（図２ＢのステップＳ１３）。これにより、第２の素子形成ウエハ６１から複数の半導体装置が切り出される。

第２の素子形成ウエハ６１の切断工程は、第２支持部材３１に支持された状態で実施されてもよい。この場合、第２の素子形成ウエハ６１の切断工程の後、第２支持部材３１が除去される。第２の素子形成ウエハ６１の切断工程は、第２支持部材３１が除去された後に実施されてもよい。

新たな半導体ウエハ源５１の分離工程の後、第２の素子未形成ウエハ６２を新たな半導体ウエハ源として再利用可能であるか否かが判定される（図２ＡのステップＳ７）。

第２の素子未形成ウエハ６２の再利用の可否判定は、第２の素子形成ウエハ６１の厚さＴｃおよび第２の素子未形成ウエハ６２の厚さＴｄに基づいて実施されてもよい。第２の素子未形成ウエハ６２の厚さＴｄが、第２の素子形成ウエハ６１の厚さＴｃ以下（Ｔｄ≦Ｔｃ）の場合、再利用不能と判定されてもよい。再利用不能条件は、Ｔｄ＜Ｔｃであってもよい。

第２の素子未形成ウエハ６２の再利用の可否判定は、第２の素子未形成ウエハ６２から取得すべき半導体装置の厚さＴｃｈ２に基づいて実施されてもよい。取得すべき半導体装置の厚さＴｃｈ２が、第２の素子未形成ウエハ６２の厚さＴｄ以上（Ｔｃｈ２≧Ｔｄ）の場合、再利用不能であると判定されてもよい。再利用不能条件は、Ｔｃｈ２＞Ｔｄであってもよい。

第２の素子未形成ウエハ６２の再利用不能条件には、第２の素子未形成ウエハ６２が十分な厚さＴｄ（たとえばＴｃｈ２＜Ｔｄ）を有している一方で、再利用できない事情が生じた場合が含まれてもよい。

第２の素子未形成ウエハ６２が、新たな半導体ウエハ源として再利用不能である場合（図２ＡのステップＳ７：ＮＯ）、一つの半導体ウエハ源１を用いた半導体装置の製造方法が終了する。

第２の素子未形成ウエハ６２が再利用不能の場合、第１支持部材２１から第２の素子未形成ウエハ６２を除去する工程を実施してもよい。再利用不能な第２の素子未形成ウエハ６２は、研磨工程によって除去されてもよい。研磨工程は、ＣＭＰ法によって実施されてもよい。除去工程の後、第１支持部材２１を別の半導体ウエハ源を支持する支持部材として再利用する工程が実施されてもよい。

第２の素子未形成ウエハ６２が、新たな半導体ウエハ源として再利用可能である場合（図２ＡのステップＳ７：ＹＥＳ）、ステップＳ８が実施される。このように、この形態では、素子未形成ウエハが新たな半導体ウエハ源として再利用不能になるまで、ステップＳ４～ステップＳ７の工程が繰り返される。

以上、この形態では、半導体素子１１の形成工程（図２ＡのステップＳ３）の後、半導体ウエハ源１の分離工程（図２ＡのステップＳ５およびステップＳ６）が実施される。半導体ウエハ源１の分離工程は、半導体ウエハ源１が第１支持部材２１に貼着されたウエハ貼着構造体１０１に対して実施される。

半導体ウエハ源１は、劈開によって素子形成ウエハ４１および素子未形成ウエハ４２に分離される。この場合、素子未形成ウエハ４２は、第１支持部材２１に貼着された状態となる。したがって、素子形成ウエハ４１から複数の半導体装置を切り出すことができる一方で、第１支持部材２１に支持された素子未形成ウエハ４２を新たな半導体ウエハ源５１として再利用できる。

これにより、製造の遅延を抑制できると同時に半導体ウエハ源１の過剰な消費を抑制できる。よって、半導体ウエハ源１を効率よく消費できるウエハ貼着構造体１０１を提供できる。

また、この形態では、再利用された新たな半導体ウエハ源５１に新たな半導体素子５２が作り込まれる（図２ＡのステップＳ８）。また、この形態では、半導体ウエハ源１の分離工程および半導体ウエハ源１の再利用工程を交互に繰り返すウエハ源再利用繰り返し工程（図２ＡのステップＳ５～ステップＳ７）が実施される。これにより、一つの半導体ウエハ源１から取得可能な半導体装置の取れ数を増加させることができる。

また、この形態では、半導体ウエハ源１の分離工程（図２ＡのステップＳ５およびステップＳ６）においてレーザ光照射法を利用した半導体ウエハ源１の劈開工程が実施される。これにより、半導体ウエハ源１の研削によって半導体装置の厚さを調整しなくて済む。よって、研削に起因するコストの増加を抑制できる。

特に、レーザ光照射法によれば、比較的硬度の高いＳｉＣ単結晶製の半導体ウエハ源１に適用できる。また、ＳｉＣ単結晶製の半導体ウエハ源１を素子形成ウエハ４１および素子未形成ウエハ４２に適切に分離できる。

また、レーザ光照射法によれば、仮に、初回の素子未形成ウエハ４２が再利用不能である場合であっても（図２ＡのステップＳ７：ＮＯ）、研削に起因するコストの増加を抑制できる点において利点がある。レーザ光照射法は、比較的硬度の高いＳｉＣ単結晶製の半導体ウエハ源１に対して特に有益である。

また、この形態では、半導体ウエハ源１の分離工程（図２ＡのステップＳ５およびステップＳ６）において、半導体ウエハ源１の第２主面３側から半導体ウエハ源１の厚さ方向途中部にレーザ光が照射される。

半導体ウエハ源１の第２主面３には、半導体素子１１が形成されていない。したがって、障害物の少ない半導体ウエハ源１の第２主面３側からレーザ光を半導体ウエハ源１の内部に向けて照射できる。これにより、半導体ウエハ源１に第１変質層３４および第２変質層５５を適切に形成できるから、半導体ウエハ源１を適切に分離（劈開）できる。

半導体ウエハ源１の第２ウエハ縁部６が面取り部を有している場合、半導体ウエハ源１の第２ウエハ縁部６および第１支持部材２１の第１支持主面２２の間の領域に隙間が形成される。レーザ光の集光部（焦点）に生じる誤差には、この隙間に起因するものが含まれる。

そこで、この形態では、半導体ウエハ源１において面取り部を有さない第２ウエハ縁部６を形成した。これにより、半導体ウエハ源１の第２ウエハ縁部６および第１支持部材２１の第１支持主面２２の間の領域に隙間が形成されるのを抑制できる。

よって、レーザ光の集光部（焦点）に誤差が生じるのを抑制できるから、半導体ウエハ源１の内部に第１変質層３４を適切に形成できる。その結果、半導体ウエハ源１を、素子形成ウエハ４１および素子未形成ウエハ４２に適切に分離（劈開）できる。

また、レーザ光の集光部（焦点）に誤差が生じるのを抑制できるから、新たな半導体ウエハ源５１の内部に第２変質層５５を適切に形成できる。その結果、新たな半導体ウエハ源５１を、第２の素子形成ウエハ６１および第２の素子未形成ウエハ６２に適切に分離（劈開）できる。

第１支持部材２１が、不純物無添加または低不純物濃度の単結晶半導体ウエハ等からなる場合には、レーザ光の吸収（減衰）を抑制できる。したがって、第１支持部材２１の材質を工夫することによっても、半導体ウエハ源１に形成される第１変質層３４の質や、新たな半導体ウエハ源５１に形成される第２変質層５５の質を向上させることができる。

また、この形態では、第１支持部材２１の融点が、半導体ウエハ源１の融点以上である。これにより、製造過程における第１支持部材２１の溶融や変形を抑制できる。

また、この形態では、半導体ウエハ源１の熱膨張係数に対する支持部材の熱膨張係数の比が、０．５以上１．５以下である。これにより、製造過程において半導体ウエハ源１（新たな半導体ウエハ源５１）側で生じる熱応力と、第１支持部材２１側で生じる熱応力との間に生じる応力差を低減できる。よって、半導体ウエハ源１（新たな半導体ウエハ源５１）の反りを抑制できる。

第１支持部材２１が、半導体ウエハ源１と同一材料種（ＳｉＣ）によって形成されている場合には、融点および熱膨張係数がほぼ等しくなるから、半導体ウエハ源１（新たな半導体ウエハ源５１）の反りを確実に抑制できる。また、第１支持部材２１の溶融や変形も確実に抑制できる。

図４は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。以下では、第１実施形態において述べた工程に対応する工程については説明を省略する。

この形態では、第１実施形態に係るステップＳ１～ステップＳ３（図２Ａ参照）に代えて、ステップＳ２１～ステップＳ２２が実施される。より具体的には、まず、半導体素子１１が複数の素子形成領域１０にそれぞれ形成された半導体ウエハ源１が用意される（図４のステップＳ２１）。

次に、半導体素子１１が形成された半導体ウエハ源１が、第１支持部材２１に貼着される（図４のステップＳ２２）。これにより、ウエハ貼着構造体１０１が形成される。その後、ステップＳ４～ステップＳ８が実施される。

以上、この形態では、第１支持部材２１に半導体ウエハ源１を貼着する工程（図４のステップＳ２２）に先立って、半導体ウエハ源１に半導体素子１１が形成される（図４のステップＳ２１）。このような製造方法によっても、第１実施形態において述べた効果と同様の効果を奏することができる。

図５は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。以下では、第１実施形態において述べた工程に対応する工程については、説明を省略する。

この形態では、第１実施形態に係るステップＳ１～ステップＳ３（図２Ａ参照）に代えて、ステップＳ３１が実施される。より具体的には、まず、ウエハ貼着構造体１０１が用意される（ステップＳ３１）。ウエハ貼着構造体１０１の用意工程には、市場に流通しているウエハ貼着構造体１０１を取得する工程が含まれてもよい。

ウエハ貼着構造体１０１は、第１実施形態に係るステップＳ１～ステップＳ３と同様の工程を経て製造されていてもよい（図２Ａも併せて参照）。その後、ステップＳ４～ステップＳ８が実施される。このような製造方法によっても、第１実施形態において述べた効果と同様の効果を奏することができる。

図６Ａは、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。図６Ｂは、図６Ａに示す工程から取得される素子形成ウエハ４１（新たな半導体ウエハ源５１）に対して実施される工程を説明するための工程図である。

図７Ａ～図７Ｇは、図６Ａおよび図６Ｂに示す製造方法を説明するための模式的な断面図である。以下では、第１実施形態において述べた工程に対応する工程については、説明を省略する。

この形態では、第１実施形態に係るステップＳ１～ステップＳ３（図２Ａ参照）に代えて、ステップＳ４１が実施される。また、この形態では、第１実施形態に係るステップＳ５の後、ステップＳ６に先立ってステップＳ４２が実施される。また、この形態では、ステップＳ８の後に、ステップＳ４３が実施される。

より具体的には、図７Ａを参照して、第１主面２に半導体素子１１が形成された半導体ウエハ源１が用意される（図６ＡのステップＳ４１）。半導体ウエハ源１の第２主面３は、この形態では、外部に露出している。つまり、半導体ウエハ源１の第２主面３には、第２主面電極４５は形成されていない。

次に、図７Ｂを参照して、第２支持部材３１が半導体ウエハ源１の第１主面２側に貼着される（図６ＡのステップＳ４）。第２支持部材３１は、両面接着性のテープ３２を介して半導体ウエハ源１に貼着されてもよい。

次に、図７Ｃを参照して、レーザ光照射装置３３から半導体ウエハ源１に向けてレーザ光が照射される（図６ＡのステップＳ５）。レーザ光は、半導体ウエハ源１が第２支持部材３１に支持された状態で半導体ウエハ源１の第２主面３に向けて照射される。

レーザ光は、この形態では、半導体ウエハ源１の第２主面３側から半導体ウエハ源１の厚さ方向途中部に直接照射される。半導体ウエハ源１の第１主面２からレーザ光の集光部までの距離Ｗ１は、取得すべき半導体装置の厚さに応じて設定される。距離Ｗ１は、５０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。

半導体ウエハ源１に対するレーザ光の照射位置は、半導体ウエハ源１の第１主面２に平行な水平方向に沿って移動される。これにより、半導体ウエハ源１の厚さ方向途中部に、結晶状態が他の領域とは異なる性質に変質した第１変質層３４が形成される。半導体ウエハ源１がｎ＋型のＳｉＣ半導体基板を含む場合、第１変質層３４はＳｉＣ半導体基板の途中部に形成されてもよい。

半導体ウエハ源１がその縁部において面取り部を有している場合、レーザ光の集光部（焦点）に誤差が生じるため、第１変質層３４が第１主面２に平行に形成されなくなる虞がある。そこで、この形態では、面取り加工されていない第２ウエハ縁部６を含む半導体ウエハ源１を用意した。

これにより、レーザ光の集光部（焦点）の誤差を抑制できる。その結果、半導体ウエハ源１の内部に第１変質層３４を半導体ウエハ源１の厚さ方向全域にわたって、第１主面２に平行に形成できる。よって、半導体ウエハ源１を、素子形成ウエハ４１および素子未形成ウエハ４２に適切に分離（劈開）できる。

次に、図７Ｄを参照して、第１変質層３４を有する半導体ウエハ源１が、第１支持部材２１に貼着される（図６ＡのステップＳ４２）。半導体ウエハ源１は、第２主面３を第１支持部材２１の第１支持主面２２に対向させた姿勢で第１支持部材２１に貼着される。これにより、ウエハ貼着構造体１０１が形成される。第１支持部材２１に対する半導体ウエハ源１の貼着法は、第１実施形態において説明した通りであるので説明を省略する。

次に、図７Ｅを参照して、半導体ウエハ源１の厚さ方向途中部から第１主面２に平行な水平方向に沿って半導体ウエハ源１が切断される（図６ＡのステップＳ６）。より具体的には、半導体ウエハ源１は、第１変質層３４を起点にして水平方向に沿って劈開される。

半導体ウエハ源１の劈開は、半導体ウエハ源１が第１支持部材２１および第２支持部材３１によって支持（挟持）された状態で実施される。これにより、半導体ウエハ源１が、半導体素子１１を有する素子形成ウエハ４１、および、半導体素子１１を有さない素子未形成ウエハ４２に分離される。

半導体ウエハ源１の切断工程（図６ＡのステップＳ６）では、半導体ウエハ源１が、半導体素子１１を有する素子形成ウエハ４１、および、半導体素子１１を有さない素子未形成ウエハ４２に分離されればよい。この形態のように劈開する場合だけでなく、たとえば第１変質層３４の形成位置や形成条件を調整して、半導体ウエハ源１が自発的に素子形成ウエハ４１および素子未形成ウエハ４２に分離されるようにしてもよい。

図７Ｆを参照して、半導体ウエハ源１の分離工程の後、素子形成ウエハ４１の第１切断面４３が研削される（図６ＢのステップＳ４４）。第１切断面４３の研削工程は、ＣＭＰ法によって実施されてもよい。

第１切断面４３の研削工程は、素子形成ウエハ４１が所望の厚さになるまで実行されてもよい。つまり、第１切断面４３の研削工程は、素子形成ウエハ４１の薄化工程を含んでいてもよい。

次に、図７Ｇを参照して、素子形成ウエハ４１の第１切断面４３に第２主面電極４５が形成される（図６ＢのステップＳ４５）。むろん、第１切断面４３の研削工程は省略されてもよい。つまり、半導体ウエハ源１の分離工程直後の第１切断面４３に対して第２主面電極４５が直接形成されてもよい。

素子形成ウエハ４１の研削工程（図６ＢのステップＳ４４）の後、第２主面電極４５の形成工程（図６ＢのステップＳ４５）に先立って、素子形成ウエハ４１の第１切断面４３（研削面）に対してアニール処理を実施してもよい。アニール処理は、レーザ光照射法によって実施されてもよい。この場合、素子形成ウエハ４１の第１切断面４３に対する第２主面電極４５のオーミック性を高めることができる。

その後、ダイシングライン１２（図１Ａおよび図１Ｂも併せて参照）に沿って素子形成ウエハ４１が切断される（図６ＢのステップＳ４６）。これにより、素子形成ウエハ４１から複数の半導体装置が切り出される。

素子形成ウエハ４１の切断工程は、第２支持部材３１に支持された状態で実施されてもよい。この場合、素子形成ウエハ４１の切断工程の後、第２支持部材３１が除去される。素子形成ウエハ４１の切断工程は、第２支持部材３１が除去された後に実施されてもよい。

半導体ウエハ源１の分離工程の後、素子未形成ウエハ４２を新たな半導体ウエハ源５１として再利用可能であるか否かが判定される（図６ＡのステップＳ７）。素子未形成ウエハ４２の再利用の可否判定法は、第１実施形態において説明した通りであるので説明を省略する。

素子未形成ウエハ４２が再利用不能である場合（図６ＡのステップＳ７：ＮＯ）、一つの半導体ウエハ源１を用いた半導体装置の製造方法が終了する。

素子未形成ウエハ４２が新たな半導体ウエハ源５１として再利用可能である場合（図６ＡのステップＳ７：ＹＥＳ）、新たな半導体素子５２が、素子未形成ウエハ４２に形成される（図６ＡのステップＳ８）。

次に、新たな半導体ウエハ源５１から第１支持部材２１が除去される（図６ＡのステップＳ４３）。これにより、新たな半導体ウエハ源５１の第２主面３が外部に露出する。新たな半導体ウエハ源５１の第２主面３に接合層２８が付着している場合には、導体ウエハ源５１から接合層２８が除去される。

第１支持部材２１は、研磨工程によって除去されてもよい。研磨工程は、ＣＭＰ法によって実施されてもよい。第１支持部材２１は、エッチング法によって除去されてもよい。第１支持部材２１は、剥離によって除去されてもよい。第１支持部材２１が再利用可能である場合、第１支持部材２１は、別の半導体ウエハ源を支持する支持部材として利用されてもよい。その後、ステップＳ４が実施される。

そして、第１実施形態の場合と同様に、素子未形成ウエハが新たな半導体ウエハ源として再利用不能になるまで、ステップＳ４～ステップＳ７の工程が繰り返される。このような製造方法によっても、第１実施形態において述べた効果と同様の効果を奏することができる。

この形態では、新たな半導体素子５２の形成工程（図６ＡのステップＳ８）の後に、第１支持部材２１の除去工程（図６ＡのステップＳ４３）が実施される例について説明した。しかし、第１支持部材２１の除去工程（図６ＡのステップＳ４３）は、素子未形成ウエハ４２の再利用の可否判定（図６ＡのステップＳ７）の後、新たな半導体素子５２の形成工程（図６ＡのステップＳ８）に先立って実施されてもよい。

図８Ａは、本発明の第５実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。図８Ｂは、図８Ａに示す工程から取得される素子形成ウエハ４１（新たな半導体ウエハ源５１）に対して実施される工程を説明するための工程図である。

図９Ａ～図９Ｍは、図８Ａおよび図８Ｂに示す製造方法を説明するための模式的な断面図である。以下では、第１実施形態において述べた工程に対応する工程については、説明を省略する。

この形態では、第１実施形態に係るステップＳ１～ステップＳ３（図２Ａ参照）に代えて、ステップＳ５１が実施される。また、この形態では、第１実施形態に係るステップＳ５の後、ステップＳ６に先立ってステップＳ５２が実施される。さらに、この形態では、第１実施形態に係るステップＳ７の後、ステップＳ５３～Ｓ５６、または、ステップＳ５３，Ｓ５７，Ｓ５８が実施される。

より具体的には、図９Ａを参照して、第１主面２に半導体素子１１が形成された半導体ウエハ源１が用意される（図８ＡのステップＳ５１）。

次に、図９Ｂを参照して、第２支持部材３１が半導体ウエハ源１の第１主面２側に貼着される（図８ＡのステップＳ４）。第２支持部材３１は、両面接着性のテープ３２を介して半導体ウエハ源１に貼着されてもよい。

次に、図９Ｃを参照して、レーザ光照射装置３３から半導体ウエハ源１に向けてレーザ光が照射される（図８ＡのステップＳ５）。レーザ光は、半導体ウエハ源１が第２支持部材３１に支持された状態で半導体ウエハ源１の第２主面３に向けて照射される。

レーザ光は、この形態では、半導体ウエハ源１の第２主面３側から半導体ウエハ源１の厚さ方向途中部に直接照射される。半導体ウエハ源１の第１主面２からレーザ光の集光部までの距離Ｗ１は、取得すべき半導体装置の厚さに応じて設定される。距離Ｗ１は、５０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。

半導体ウエハ源１に対するレーザ光の照射位置は、半導体ウエハ源１の第１主面２に平行な水平方向に沿って移動される。これにより、半導体ウエハ源１の厚さ方向途中部に、結晶状態が他の領域とは異なる性質に変質した第１変質層３４が形成される。半導体ウエハ源１がｎ＋型のＳｉＣ半導体基板を含む場合、第１変質層３４はＳｉＣ半導体基板の途中部に形成されてもよい。

半導体ウエハ源１がその縁部において面取り部を有している場合、レーザ光の集光部（焦点）に誤差が生じるため、第１変質層３４が第１主面２に平行に形成されなくなる虞がある。そこで、この形態では、面取り加工されていない第２ウエハ縁部６を含む半導体ウエハ源１を用意した。

これにより、レーザ光の集光部（焦点）の誤差を抑制できる。その結果、半導体ウエハ源１の内部に第１変質層３４を半導体ウエハ源１の厚さ方向全域にわたって、第１主面２に平行に形成できる。よって、半導体ウエハ源１を、素子形成ウエハ４１および素子未形成ウエハ４２に適切に分離（劈開）できる。

次に、図９Ｄを参照して、第１変質層３４を有する半導体ウエハ源１が、第１支持部材２１に貼着される（図８ＡのステップＳ５２）。半導体ウエハ源１は、第２主面３を第１支持部材２１の第１支持主面２２に対向させた姿勢で第１支持部材２１に貼着される。これにより、ウエハ貼着構造体１０１が形成される。第１支持部材２１に対する半導体ウエハ源１の貼着法は、第１実施形態において説明した通りであるので説明を省略する。

次に、図９Ｅを参照して、半導体ウエハ源１の厚さ方向途中部から第１主面２に平行な水平方向に沿って半導体ウエハ源１が切断される（図８ＡのステップＳ６）。より具体的には、半導体ウエハ源１は、第１変質層３４を起点にして水平方向に沿って劈開される。

半導体ウエハ源１の劈開は、半導体ウエハ源１が第１支持部材２１および第２支持部材３１によって支持（挟持）された状態で実施される。これにより、半導体ウエハ源１が、半導体素子１１を有する素子形成ウエハ４１、および、半導体素子１１を有さない素子未形成ウエハ４２に分離される。

半導体ウエハ源１の切断工程（図６ＡのステップＳ６）では、半導体ウエハ源１が、半導体素子１１を有する素子形成ウエハ４１、および、半導体素子１１を有さない素子未形成ウエハ４２に分離されればよい。この形態のように劈開する場合だけでなく、たとえば第１変質層３４の形成位置や形成条件を調整して、半導体ウエハ源１が自発的に素子形成ウエハ４１および素子未形成ウエハ４２に分離されるようにしてもよい。

図９Ｆを参照して、半導体ウエハ源１の分離工程の後、素子形成ウエハ４１の第１切断面４３が研削される（図８ＢのステップＳ５９）。第１切断面４３の研削工程は、ＣＭＰ法によって実施されてもよい。

第１切断面４３の研削工程は、素子形成ウエハ４１が所望の厚さになるまで実行されてもよい。つまり、第１切断面４３の研削工程は、素子形成ウエハ４１の薄化工程を含んでいてもよい。

次に、図９Ｇを参照して、素子形成ウエハ４１の第１切断面４３に第２主面電極４５が形成される（図８ＢのステップＳ６０）。むろん、第１切断面４３の研削工程は省略されてもよい。つまり、半導体ウエハ源１の分離工程直後の第１切断面４３に対して第２主面電極４５が直接形成されてもよい。

素子形成ウエハ４１の研削工程（図６ＢのステップＳ４４）の後、第２主面電極４５の形成工程（図６ＢのステップＳ４５）に先立って、素子形成ウエハ４１の第１切断面４３（研削面）に対してアニール処理を実施してもよい。アニール処理は、レーザ光照射法によって実施されてもよい。この場合、素子形成ウエハ４１の第１切断面４３に対する第２主面電極４５のオーミック性を高めることができる。

その後、ダイシングライン１２（図１Ａおよび図１Ｂも併せて参照）に沿って素子形成ウエハ４１が切断される（図８ＢのステップＳ６１）。これにより、素子形成ウエハ４１から複数の半導体装置が切り出される。

素子形成ウエハ４１の切断工程は、第２支持部材３１に支持された状態で実施されてもよい。この場合、素子形成ウエハ４１の切断工程の後、第２支持部材３１が除去される。素子形成ウエハ４１の切断工程は、第２支持部材３１が除去された後に実施されてもよい。

半導体ウエハ源１の分離工程の後、素子未形成ウエハ４２を新たな半導体ウエハ源５１として再利用可能であるか否かが判定される（図８ＡのステップＳ７）。素子未形成ウエハ４２が再利用不能である場合（図８ＡのステップＳ７：ＮＯ）、一つの半導体ウエハ源１を用いた半導体装置の製造方法が終了する。素子未形成ウエハ４２の再利用の可否判定法は、第１実施形態において説明した通りであるので説明を省略する。

素子未形成ウエハ４２が新たな半導体ウエハ源５１として再利用可能である場合（図８ＡのステップＳ７：ＹＥＳ）、素子未形成ウエハ４２が、再度の分割が不可であり、かつ、最後の半導体ウエハ源になるか否かが判定される（図８ＡのステップＳ５３）。素子未形成ウエハ４２の再分割可否判定は、取得すべき半導体装置の厚さに基づいて行われてもよい。

素子未形成ウエハ４２は、分割不可であり、かつ、短時間の研削によって半導体装置の厚さに合わせ込むことができる程度の厚さを有している場合に、最後の半導体ウエハ源になると判定されてもよい。また、素子未形成ウエハ４２は、分割不可であり、かつ、取得すべき半導体装置の厚さとほぼ等しい厚さを有している場合に、最後の半導体ウエハ源になると判定されてもよい。

図９Ｈを参照して、素子未形成ウエハ４２が分割不可であり、かつ、最後の半導体ウエハ源になる場合（図８ＡのステップＳ５３：ＹＥＳ）、素子未形成ウエハ４２は、最後の半導体ウエハ源８１として再利用される。

そして、最後の半導体ウエハ源８１から第１支持部材２１が除去される（図８ＡのステップＳ５４）。これにより、最後の半導体ウエハ源８１の第２主面３が外部に露出する。

第１支持部材２１は、研磨工程によって除去されてもよい。研磨工程は、ＣＭＰ法によって実施されてもよい。第１支持部材２１は、エッチング法によって除去されてもよい。第１支持部材２１は、剥離によって除去されてもよい。第１支持部材２１が再利用可能である場合、第１支持部材２１は、別の半導体ウエハ源を支持する支持部材として利用されてもよい。

次に、図９Ｉを参照して、最後の半導体ウエハ源８１の第２主面３に接合層２８が付着している場合には、最後の半導体ウエハ源８１から接合層２８が除去される。

次に、図９Ｊを参照して、新たな半導体素子５２が、最後の半導体ウエハ源８１の第２切断面４４に形成される（図８ＡのステップＳ５５）。新たな半導体素子５２は、前述の半導体素子１１と同一の種類または異なる種類であってもよい。

図９Ｊでは、新たな半導体素子５２が、半導体素子１１と同一の種類である例が示されている。新たな半導体素子５２は、最後の半導体ウエハ源８１の第２切断面４４に設定された複数の素子形成領域１０にそれぞれ作り込まれる。新たな半導体素子５２の形成工程は、第１実施形態において説明した通りであるので説明を省略する。そして、最後の半導体ウエハ源８１の第２主面３に第２主面電極４５が形成される。

第２主面電極４５の形成工程に先立って、最後の半導体ウエハ源８１の第２主面３（研削面）に対してアニール処理を実施してもよい。アニール処理は、レーザ光照射法によって実施されてもよい。この場合、最後の半導体ウエハ源８１の第２主面３に対する第２主面電極４５のオーミック性を高めることができる。

その後、ダイシングライン１２（図１Ａおよび図１Ｂも併せて参照）に沿って最後の半導体ウエハ源８１が切断される（図２ＢのステップＳ１３）。これにより、最後の半導体ウエハ源８１から複数の半導体装置が切り出される。

一方、図９Ｋを参照して、素子未形成ウエハ４２が再度の分割が可能であり、かつ、最後の半導体ウエハ源にならない場合（図８ＡのステップＳ５３：ＮＯ）、素子未形成ウエハ４２が新たな半導体ウエハ源５１として再利用される。

そして、第１支持部材２１が、新たな半導体ウエハ源５１から除去される（図８ＡのステップＳ５７）。これにより、新たな半導体ウエハ源５１の第２主面３が外部に露出する。

第１支持部材２１は、研磨工程によって除去されてもよい。研磨工程は、ＣＭＰ法によって実施されてもよい。第１支持部材２１は、エッチング法によって除去されてもよい。第１支持部材２１は、剥離によって除去されてもよい。第１支持部材２１が再利用可能である場合、第１支持部材２１は、別の半導体ウエハ源を支持する支持部材として利用されてもよい。

次に、図９Ｌを参照して、新たな半導体ウエハ源５１の第２主面３に接合層２８が付着している場合には、新たな半導体ウエハ源５１から接合層２８が除去される。

次に、図９Ｍを参照して、新たな半導体素子５２が、新たな半導体ウエハ源５１の第２切断面４４に形成される（図８ＡのステップＳ５８）。新たな半導体素子５２は、前述の半導体素子１１と同一の種類または異なる種類であってもよい。

図９Ｍでは、新たな半導体素子５２が、半導体素子１１と同一の種類である例が示されている。新たな半導体素子５２は、新たな半導体ウエハ源５１の第２切断面４４に設定された複数の素子形成領域１０にそれぞれ作り込まれる。新たな半導体素子５２の形成工程は、第１実施形態において説明した通りであるので説明を省略する。

このように、この形態では、素子未形成ウエハが新たな半導体ウエハ源として再利用不能になるまでステップＳ４～ステップＳ７の工程が繰り返される。また、この形態では、素子未形成ウエハが最後の半導体ウエハ源になるまでステップＳ４～ステップＳ５３の工程が繰り返される。

このような製造方法によっても、第１実施形態において述べた効果と同様の効果を奏することができる。特に、この実施形態では、素子未形成ウエハ４２を最後の半導体ウエハ源８１として再利用できる（ステップＳ５３～ステップＳ５６）。これにより、最初の半導体ウエハ源１を無駄なく消費できる。

この工程では、最後の半導体ウエハ源８１に対する新たな半導体素子５２の形成工程（図８ＡのステップＳ５５）が、第１支持部材２１の除去工程（図８ＡのステップＳ５４）の後に実施される例について説明した。しかし、新たな半導体素子５２の形成工程（図８ＡのステップＳ５５）は、第１支持部材２１の除去工程（図８ＡのステップＳ５４）に先立って実施されてもよい。

この工程では、新たな半導体ウエハ源５１に対する新たな半導体素子５２の形成工程（図８ＡのステップＳ５８）が、第１支持部材２１の除去工程（図８ＡのステップＳ５７）の後に実施される例について説明した。しかし、新たな半導体素子５２の形成工程（図８ＡのステップＳ５８）は、第１支持部材２１の除去工程（図８ＡのステップＳ５７）に先立って実施されてもよい。

図１０は、本発明の一形態例に係る半導体装置１１１を示す断面図である。

図１０を参照して、半導体装置１１１は、半導体素子１１の一例としてのショットキーバリアダイオードを含む。半導体装置１１１は、チップ状のＳｉＣ半導体層１１２を含む。ＳｉＣ半導体層１１２は、一方側の第１主面１１３、他方側の第２主面１１４、ならびに、第１主面１１３および第２主面１１４を接続する側面１１５を有している。

ＳｉＣ半導体層１１２は、この形態では、ｎ＋型のＳｉＣ半導体基板１１６およびｎ型のＳｉＣエピタキシャル層１１７を含む積層構造を有している。ＳｉＣエピタキシャル層１１７のｎ型不純物濃度は、ＳｉＣ半導体基板１１６のｎ型不純物濃度未満である。

ＳｉＣ半導体基板１１６は、ＳｉＣ半導体層１１２の第２主面１１４を形成している。ＳｉＣエピタキシャル層１１７は、ＳｉＣ半導体層１１２の第１主面１１３を形成している。ＳｉＣ半導体基板１１６およびＳｉＣエピタキシャル層１１７は、ＳｉＣ半導体層１１２の側面１１５を形成している。

ＳｉＣ半導体層１１２の第１主面１１３の表層部には、ｎ型のダイオード領域１１８が形成されている。ダイオード領域１１８は、この形態では、ＳｉＣ半導体層１１２の第１主面１１３の法線方向から見た平面視（以下、単に「平面視」という。）においてＳｉＣ半導体層１１２の第１主面１１３の中央部に形成されている。ダイオード領域１１８は、この形態では、ＳｉＣエピタキシャル層１１７の一部を利用して形成されている。

ＳｉＣ半導体層１１２の第１主面１１３の表層部には、ｐ＋型のガード領域１１９が形成されている。ガード領域１１９は、平面視においてダイオード領域１１８に沿って延びる帯状に形成されている。ガード領域１１９は、より具体的には、平面視においてダイオード領域１１８を取り囲む無端状（たとえば四角環状、角を面取りした四角環状、または円環状）に形成されている。これにより、ガード領域１１９は、ガードリング領域として形成されている。

ガード領域１１９のｐ型不純物は、活性化されていなくてもよい。この場合、ガード領域１１９は、非半導体領域として形成される。ガード領域１１９のｐ型不純物は、活性化されていてもよい。この場合、ガード領域１１９は、ｐ型半導体領域として形成される。

ＳｉＣ半導体層１１２の第１主面１１３の上には、絶縁層１２０が形成されている。絶縁層１２０には、ダイオード領域１１８を露出させる開口１２１が形成されている。この形態では、開口１２１からは、ダイオード領域１１８に加えてガード領域１１９の内周縁も露出している。

絶縁層１２０の上には、第１主面電極３０が形成されている。第１主面電極３０は、絶縁層１２０の上から開口１２１に入り込んでいる。第１主面電極３０は、開口１２１内においてダイオード領域１１８に電気的に接続されている。

第１主面電極３０は、ダイオード領域１１８との間でショットキー接合を形成している。これにより、第１主面電極３０をアノードとし、ダイオード領域１１８をカソードとするショットキーバリアダイオードが形成されている。

ＳｉＣ半導体層１１２の第２主面１１４の上には、第２主面電極４５が形成されている。第２主面電極４５は、ＳｉＣ半導体層１１２の第２主面１１４との間でオーミック接触を形成している。

図１１Ａは、本発明の第６実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示す工程から取得される素子形成ウエハ４１に対して実施される工程を説明するための工程図である。

図１２Ａ～図１２Ｉは、図１１Ａおよび図１１Ｂに示す製造方法を図１０に示す半導体装置１１１の製造方法に適用し、図１１Ａおよび図１１Ｂに示す製造方法を説明するための模式的な断面図である。

以下では、第１実施形態において述べた工程に対応する工程については、説明を省略する。図１２Ａ～図１２Ｉでは、説明の便宜上、１つの半導体装置１１１が形成される領域のみを示し、他の半導体装置の領域や半導体ウエハ源１の端部領域を省略している。

この形態では、第１実施形態に係るステップＳ１～ステップＳ５（図２Ａ参照）に代えて、ステップＳ７１～ステップＳ７４が実施される。また、この形態では、第１実施形態に係るステップＳ７の後、ステップＳ７５が実施される。

より具体的には、まず、図１２Ａを参照して、ｎ＋型のＳｉＣ単結晶製の半導体ウエハ源１が用意される。次に、半導体ウエハ源１の第１主面２に半導体素子１１の一部が形成される（図１１ＡのステップＳ７１）。

半導体素子１１の一部を形成する工程は、この形態では、半導体ウエハ源１の第１主面２の上にｎ型のＳｉＣエピタキシャル層１１７を形成する工程を含む。また、半導体素子１１の一部を形成する工程は、ＳｉＣエピタキシャル層１１７の表層部にｎ型のダイオード領域１１８およびｐ＋型のガード領域１１９を形成する工程を含む。

ＳｉＣエピタキシャル層１１７の形成工程では、半導体ウエハ源１の第１主面２からＳｉＣがエピタキシャル成長される。ダイオード領域１１８は、ＳｉＣエピタキシャル層１１７の一部を利用して形成される。

次に、図１２Ｂを参照して、半導体素子１１の一部が形成された半導体ウエハ源１が、第１支持部材２１に貼着される（図１１ＡのステップＳ７２）。半導体ウエハ源１は、第２主面３を第１支持部材２１の第１支持主面２２に対向させた姿勢で第１支持部材２１に貼着される。これにより、ウエハ貼着構造体１０１が形成される。第１支持部材２１に対する半導体ウエハ源１の貼着法は、第１実施形態において説明した通りであるので説明を省略する。

次に、図１２Ｃを参照して、レーザ光照射装置３３から半導体ウエハ源１に向けてレーザ光が照射される（図１１ＡのステップＳ７３）。レーザ光は、この形態では、半導体ウエハ源１の第１主面２側から半導体ウエハ源１の厚さ方向途中部に照射される。

この工程では、半導体ウエハ源１の第１主面２側においてＳｉＣエピタキシャル層１１７の表面の上には電極層が形成されていない。また、半導体ウエハ源１の第１主面２側においてＳｉＣエピタキシャル層１１７の表面には絶縁層が形成されていない。したがって、障害物の少ない半導体ウエハ源１の第１主面２側からレーザ光を半導体ウエハ源１の内部に向けて照射できる。

半導体ウエハ源１の第１主面２からレーザ光の集光部までの距離Ｗ１は、取得すべき半導体装置の厚さに応じて設定される。距離Ｗ１は、５０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。

半導体ウエハ源１に対するレーザ光の照射位置は、半導体ウエハ源１の第１主面２に平行な水平方向に沿って移動される。これにより、半導体ウエハ源１の厚さ方向途中部に、結晶状態が他の領域とは異なる性質に変質した第１変質層３４が形成される。第１変質層３４は、ｎ＋型の半導体ウエハ源１の途中部に形成されてもよい。

半導体ウエハ源１がその縁部において面取り部を有している場合、レーザ光の集光部（焦点）に誤差が生じるため、第１変質層３４が第１主面２に平行に形成されなくなる虞がある。そこで、この形態では、面取り加工されていない第２ウエハ縁部６を含む半導体ウエハ源１を用意した。

これにより、レーザ光の集光部（焦点）の誤差を抑制できる。その結果、半導体ウエハ源１の内部に第１変質層３４を半導体ウエハ源１の厚さ方向全域にわたって、第１主面２に平行に形成できる。よって、半導体ウエハ源１を、素子形成ウエハ４１および素子未形成ウエハ４２に適切に分離（劈開）できる。

次に、図１２Ｄを参照して、第２支持部材３１が半導体ウエハ源１の第１主面２に貼着される（図１１ＡのステップＳ７４）。第２支持部材３１は、両面接着性のテープ３２を介して半導体ウエハ源１に貼着されてもよい。

次に、図１２Ｅを参照して、半導体ウエハ源１の厚さ方向途中部から第１主面２に平行な水平方向に沿って半導体ウエハ源１が切断される（図１１ＡのステップＳ６）。より具体的には、半導体ウエハ源１は、第１変質層３４を起点にして水平方向に沿って劈開される。

半導体ウエハ源１の劈開は、半導体ウエハ源１が第１支持部材２１および第２支持部材３１によって支持（挟持）された状態で実施される。これにより、半導体ウエハ源１が、半導体素子１１の一部を有する素子形成ウエハ４１、および、半導体素子１１を有さない素子未形成ウエハ４２に分離される。

半導体ウエハ源１の切断工程（図１１ＡのステップＳ６）では、半導体ウエハ源１が、半導体素子１１を有する素子形成ウエハ４１、および、半導体素子１１を有さない素子未形成ウエハ４２に分離されればよい。この形態のように劈開する場合だけでなく、たとえば第１変質層３４の形成位置や形成条件を調整して、半導体ウエハ源１が自発的に素子形成ウエハ４１および素子未形成ウエハ４２に分離されるようにしてもよい。

図１２Ｆを参照して、半導体ウエハ源１の分離工程の後、素子形成ウエハ４１の第１切断面４３が研削される（図１１ＢのステップＳ７６）。第１切断面４３の研削工程は、ＣＭＰ法によって実施されてもよい。

第１切断面４３の研削工程は、素子形成ウエハ４１が所望の厚さになるまで実行されてもよい。つまり、第１切断面４３の研削工程は、素子形成ウエハ４１の薄化工程を含んでいてもよい。

次に、図１２Ｇを参照して、素子形成ウエハ４１の第１切断面４３に第２主面電極４５が形成される（図１１ＢのステップＳ７７）。むろん、第１切断面４３の研削工程は省略されてもよい。つまり、半導体ウエハ源１の分離工程直後の第１切断面４３に対して第２主面電極４５が直接形成されてもよい。

素子形成ウエハ４１の研削工程（図１１ＢのステップＳ７６）の後、第２主面電極４５の形成工程（図１１ＢのステップＳ７７）に先立って、素子形成ウエハ４１の第１切断面４３（研削面）に対してアニール処理を実施してもよい。アニール処理は、レーザ光照射法によって実施されてもよい。この場合、素子形成ウエハ４１の第１切断面４３に対する第２主面電極４５のオーミック性を高めることができる。

次に、図１２Ｈを参照して、半導体ウエハ源１の第１主面２から第２支持部材３１が除去される（図１１ＢのステップＳ７８）。第２支持部材３１の除去工程は、第１切断面４３の研削工程または第２主面電極４５の形成工程に先立って実施されてもよい。

次に、図１２Ｉを参照して、半導体ウエハ源１の第１主面２の上に、半導体素子１１の残りの部分が形成される（図１１ＢのステップＳ７９）。この形態では、半導体ウエハ源１の第１主面２の上に、半導体素子１１の残りの部分として、絶縁層１２０および第１主面電極３０が形成される。

その後、ダイシングライン１２（図１Ａおよび図１Ｂも併せて参照）に沿って素子形成ウエハ４１が切断される（図１１ＢのステップＳ８０）。これにより、素子形成ウエハ４１から複数の半導体装置１１１が切り出される。

半導体ウエハ源１の分離工程の後、素子未形成ウエハ４２を新たな半導体ウエハ源５１として再利用可能であるか否かが判定される（図１１ＡのステップＳ７）。素子未形成ウエハ４２の再利用の可否判定法は、第１実施形態において説明した通りであるので説明を省略する。

素子未形成ウエハ４２が再利用不能である場合（図１１ＡのステップＳ７：ＮＯ）、一つの半導体ウエハ源１を用いた半導体装置の製造方法が終了する。

素子未形成ウエハ４２が新たな半導体ウエハ源５１として再利用可能である場合（図１１ＡのステップＳ７：ＹＥＳ）、ステップＳ７１と同様に、新たな半導体素子５２の一部が、素子未形成ウエハ４２（新たな半導体ウエハ源５１）に形成される（図１１ＡのステップＳ７５）。

新たな半導体素子５２の一部の形成工程（図１１ＡのステップＳ７５）は、新たな半導体ウエハ源５１が支持部材２１に貼着された状態で実施されてもよい。むろん、新たな半導体素子５２の一部の形成工程（図１１ＡのステップＳ７５）に先立って、第１支持部材２１が除去されてもよい。この場合、新たな半導体素子５２の一部の形成工程（図１１ＡのステップＳ７５）の後、新たな半導体ウエハ源５１に支持部材２１が再度貼着されてもよい。

その後、ステップＳ７３が実施される。このように、この形態では、素子未形成ウエハが新たな半導体ウエハ源として再利用不能になるまで、ステップＳ７３～ステップＳ７の工程が繰り返される。このような製造方法によっても、第１実施形態において述べた効果と同様の効果を奏することができる。

この形態では、半導体素子１１の一例としてショットキーバリアダイオードが形成された例について説明した。しかし、半導体素子１１は、ショットキーバリアダイオードとは異なる機能素子を含んでいてもよい。半導体素子１１は、第１実施形態において述べた通り、半導体整流素子、半導体スイッチング素子または半導体受動素子のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

本発明の実施形態について説明したが、本発明は、さらに他の形態で実施することもできる。

前述の各実施形態において、図１３に示されるウエハ貼着構造体１０１が採用されてもよい。図１３は、ウエハ貼着構造体１０１の第１変形例を示す断面図である。以下では、第１実施形態において述べた構成に対応する構成については説明を省略する。

図１３を参照して、本変形例に係るウエハ貼着構造体１０１では、半導体ウエハ源１の第１ウエハ縁部５は、面取り部を有している。第１ウエハ縁部５は、Ｃ面取りされたＣ面取り部を有していてもよい。第１ウエハ縁部５は、Ｒ面取りされたＲ面取り部を有していてもよい。

その一方で、半導体ウエハ源１の第２ウエハ縁部６は、面取り部を有していない。これにより、半導体ウエハ源１が第１支持部材２１に支持された状態で、半導体ウエハ源１の第２ウエハ縁部６および第１支持部材２１の第１支持主面２２の間の領域に隙間が形成されるのを抑制できる。

その結果、半導体ウエハ源１の内部に照射されるレーザ光の集光部（焦点）に誤差が生じるのを抑制できる。以上、本変形例に係るウエハ貼着構造体１０１によっても、第１実施形態において述べた効果と同様の効果を奏することができる。

前述の各実施形態において、図１４に示されるウエハ貼着構造体１０１が採用されてもよい。図１４は、ウエハ貼着構造体１０１の第２変形例を示す断面図である。以下では、第１実施形態において述べた構成に対応する構成については説明を省略する。

図１４を参照して、本変形例に係るウエハ貼着構造体１０１では、第１オリエンテーションフラット７に代えて結晶方位等を示す第１オリエンテーションノッチ７１（第１目印）が半導体ウエハ源１に形成されている。

第１オリエンテーションノッチ７１は、半導体ウエハ源１の周縁に形成された切欠部を含む。第１オリエンテーションノッチ７１は、半導体ウエハ源１の周縁において半導体ウエハ源１の中央部に向かって窪んだ凹部を含む。

また、本変形例に係るウエハ貼着構造体１０１では、第２オリエンテーションフラット２７に代えて結晶方位等を示す第２オリエンテーションノッチ７２（第２目印）が第１支持部材２１に形成されている。

第２オリエンテーションノッチ７２は、第１支持部材２１の周縁に形成された切欠部を含む。第２オリエンテーションノッチ７２は、第１支持部材２１の周縁において第１支持部材２１の中央部に向かって窪んだ凹部を含む。

第１支持部材２１の第２オリエンテーションノッチ７２は、半導体ウエハ源１の第１オリエンテーションノッチ７１と等しい結晶方位を示していてもよい。これにより、結晶方位を把握しながら、半導体ウエハ源１を第１支持部材２１に貼着できる。

第１支持部材２１の第２オリエンテーションノッチ７２は、半導体ウエハ源１の第１オリエンテーションノッチ７１に位置整合していてもよい。つまり、第２オリエンテーションノッチ７２は、第１オリエンテーションノッチ７１に近接する位置で、第１オリエンテーションノッチ７１に対向していてもよい。

これにより、半導体ウエハ源１の結晶方位および第１支持部材２１の結晶方位が一致するから、半導体ウエハ源１の結晶方位を容易に判別できる。これにより、半導体ウエハ源１のハンドリングの利便性を高めることができる。

以上、本変形例に係るウエハ貼着構造体１０１によっても、第１実施形態において述べた効果と同様の効果を奏することができる。

むろん、半導体ウエハ源１が第１オリエンテーションフラット７を有している一方で、第１支持部材２１が第２オリエンテーションノッチ７２を有していてもよい。また、半導体ウエハ源１が第１オリエンテーションノッチ７１を有している一方で、第１支持部材２１が第２オリエンテーションフラット２７を有していてもよい。

前述の各実施形態において、ＳｉＣ単結晶製の半導体ウエハ源１に代えてＳｉ（珪素）単結晶製の半導体ウエハ源１が採用されてもよい。この場合、半導体ウエハ源１の厚さＴ１は、１００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。半導体ウエハ源１の厚さＴ１は、５００μｍ以上８００μｍ以下であってもよい。

Ｓｉ単結晶製の半導体ウエハ源１が採用された場合、第１支持部材２１は、Ｓｉ単結晶製の半導体ウエハを含むことが好ましい。これにより、第１支持部材２１の物理的性質が、半導体ウエハ源１の物理的性質とほぼ等しくなる。

第１支持部材２１の厚さＴ２は、１００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。第１支持部材２１の厚さＴ２は、具体的には、５００μｍ以上８００μｍ以下である。第１支持部材２１の厚さＴ２は、半導体ウエハ源１の厚さＴ１と等しくてもよい。

その他、前述の第１実施形態に係る第１支持部材２１の構成についての説明は、第１支持部材２１がＳｉ単結晶製の半導体ウエハからなる場合にも適用される。

Ｓｉの硬度は、ＳｉＣの硬度よりも低い。そのため、Ｓｉ単結晶製の半導体ウエハ源１に対する加工の難易度は、ＳｉＣ単結晶製の半導体ウエハ源１に対する加工の難易度よりも低い。よって、Ｓｉ単結晶製の半導体ウエハ源１によっても、第１実施形態において述べた効果と同様の効果を奏することができる。

むろん、前述の各実施形態において、第１支持部材２１は、半導体ウエハ以外の材料からなる基板（ウエハ）を含んでいてもよい。たとえば、第１支持部材２１は、光透過性を有する絶縁基板を含んでいてもよい。絶縁基板は、ガラス基板または樹脂基板を含んでいてもよい。

前述の各実施形態において、レーザ光照射法を利用した半導体ウエハ源１の分離工程（図２ＡのステップＳ５およびステップＳ６）について説明した。しかし、分離工程に用いられる切断法は、半導体ウエハ源１を効率的に消費できる限り、レーザ光照射法に限定されない。

半導体ウエハ源１の分離工程は、レーザ光照射法に代えてまたはこれに加えて、ワイヤーソー加工法、ダイシングブレード加工法またはエッチング加工法のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。これらのうち、半導体ウエハ源１の分離工程は、レーザ光照射法を含むことが好ましい。

前述の各実施形態において、第１支持部材２１から素子未形成ウエハ４２が取り外された後に、新たな半導体素子５２が、当該素子未形成ウエハ４２に形成されてもよい。

この場合、新たな半導体素子５２が形成された素子未形成ウエハ４２は、ステップＳ４～ステップＳ８を実施すべく、第１支持部材２１に再度接合されてもよい。新たな半導体素子５２が形成された素子未形成ウエハ４２は、ステップＳ４～ステップＳ８を実施すべく、第１支持部材２１とは異なる支持部材に再度接合されてもよい。

前述の各実施形態において、第１支持部材２１から第２の素子未形成ウエハ６２が取り外された後、新たな半導体素子が第２の素子未形成ウエハ６２に形成されてもよい。

この場合、新たな半導体素子が形成された第２の素子未形成ウエハ６２は、ステップＳ４～ステップＳ８を実施すべく、第１支持部材２１に再度接合されてもよい。新たな半導体素子が形成された第２の素子未形成ウエハ６２は、ステップＳ４～ステップＳ８を実施すべく、第１支持部材２１とは異なる支持部材に再度接合されてもよい。

前述の各実施形態において、素子未形成ウエハ４２は、新たな半導体素子５２の形成以外の用途で使用されてもよい。素子未形成ウエハ４２は、別の半導体ウエハ源を支持するための支持部材として再利用されてもよい。別の半導体ウエハ源は、素子未形成ウエハ４２よりも小径でかつ薄型の半導体ウエハ源であってもよい。

前述の各実施形態では、第１主面電極３０および第２主面電極４５を含む縦型の半導体装置が製造される例が示された。しかし、第１主面電極３０だけを含む横型の半導体装置が製造されてもよい。この場合、第２主面電極４５の形成工程は除かれる。

前述の各実施形態において、エピタキシャル層２９の形成工程は除かれてもよい。つまり、エピタキシャル層２９を有さない半導体装置が製造されてもよい。

この明細書は、第１～第６実施形態に示された特徴の如何なる組み合わせ形態をも制限しない。第１～第６実施形態は、それらの間で任意の態様および任意の形態において組み合わせられることができる。つまり、第１～第６実施形態に示された特徴が任意の態様および任意の形態で組み合わされた形態は、本発明の例に含まれる。

この出願は、２０１７年６月１９日に日本国特許庁に提出された特願２０１７－１１９７０４号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれるものとする。

本発明の実施形態について詳細に説明してきたが、これらは本発明の技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の範囲は添付の請求の範囲によってのみ限定される。

１ 半導体ウエハ源
２ 半導体ウエハ源の第１主面
３ 半導体ウエハ源の第２主面
４ 半導体ウエハ源の側壁
５ 半導体ウエハ源の第１ウエハ縁部
６ 半導体ウエハ源の第２ウエハ縁部
１０ 素子形成領域
１１ 半導体素子
２１ 第１支持部材
２２ 第１支持部材の第１支持主面
２３ 第１支持部材の第２支持主面
２４ 第１支持部材の支持側壁
２５ 第１支持部材の第１支持縁部
２６ 第１支持部材の第２支持縁部
３４ 第１変質層
４１ 素子形成ウエハ
４２ 素子未形成ウエハ
５１ 新たな半導体ウエハ源
５２ 新たな半導体素子
５５ 第２変質層
６１ 第２の素子形成ウエハ
６２ 第２の素子未形成ウエハ

Claims (17)

1. 一方側の第１主面、他方側の第２主面、ならびに、前記第１主面および前記第２主面を接続する側壁を含むＳｉＣ（炭化ケイ素）からなる半導体ウエハ源を用意する工程と、
   前記半導体ウエハ源の前記第１主面にＳｉＣからなるエピタキシャル層を形成する工程と、
   前記エピタキシャル層に複数の素子形成領域を設定し、前記複数の素子形成領域に半導体素子をそれぞれ作り込む素子形成工程と、
   前記エピタキシャル層の前記素子形成領域に半導体素子が形成された前記半導体ウエハ源の前記第１主面側に第１主面側支持部材を貼着する貼着工程と、
   前記半導体ウエハ源が前記第１主面側支持部材に支持された状態で、前記半導体ウエハ源の厚さ方向途中部から前記第１主面に平行な水平方向に沿って前記半導体ウエハ源に変質層を形成する工程と、
   前記半導体ウエハ源を、前記第１主面側支持部材によって支持された前記半導体素子が形成された素子形成ウエハおよび素子未形成ウエハに、前記半導体ウエハ源に形成した前記変質層に沿って分離するウエハ源分離工程と、
   前記ウエハ源分離工程の後、前記第１主面側支持部材によって支持された前記素子形成ウエハの分離面（素子形成ウエハの下面）に、第２主面電極を形成する第２主面電極形成工程と、を含む、半導体装置の製造方法。
2. 前記変質層の形成は、前記半導体ウエハ源にレーザ光を照射して行う、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記変質層を形成する工程は、前記半導体ウエハ源の前記第２主面側から前記半導体ウエハ源にレーザ光を照射することにより行う、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記変質層を形成する工程は、前記半導体ウエハ源にレーザ光の集光部（焦点）を前記半導体ウエハ源の厚さ方向途中部に設定してレーザ光を照射し、前記半導体ウエハ源に対するレーザ光の照射位置を前記半導体の前記第1主面に平行な水平方向に移動させることによって行う、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記変質層を形成する工程の後、前記変質層が形成された前記半導体ウエハ源の前記第２主面に、第２主面側支持部材を貼着する第２貼着工程を含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記素子形成工程は、前記エピタキシャル層の上に第１主面電極を形成する工程を含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記ウエハ源分離工程の後、前記第１主面側支持部材によって支持された前記素子形成ウエハの分離面（素子形成ウエハの下面）を研削する研削工程を含み、
   前記第２主面電極形成工程は、前記研削工程の後、前記素子形成ウエハの下面に、前記第２主面電極を形成する工程を含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記ウエハ源分離工程の後、前記素子未形成ウエハが再利用可能である場合、前記素子未形成ウエハを新たな半導体ウエハ源をして再利用し、前記素子未形成ウエハの第１主面にＳiＣからなるエピタキシャル層を形成する工程と、
   前記エピタキシャル層に複数の素子形成領域を設定し、前記複数の素子形成領域に半導体素子をそれぞれ作り込む素子形成工程と、
   を行う、請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記素子未形成ウエハの第１主面にＳｉＣからなるエピタキシャル層を形成する工程、および、前記エピタキシャル層に複数の素子形成領域を設定し、前記複数の素子形成領域に半導体素子をそれぞれ作り込む素子形成工程は、前記素子未形成ウエハの第２主面が第２主面側支持部材によって支持された状態で行う、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記ウエハ源分離工程の後、前記新たな半導体素子を作り込む工程に先立って、前記新たな半導体ウエハ源の前記分離面を研磨する研磨工程をさらに含む、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記研磨工程において、前記新たな半導体ウエハ源の前記分離面は、算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下になるまで研磨される、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記素子未形成ウエハの前記第１主面にエピタキシャル層を形成する工程、および、前記素子形成工程の後、前記第１主面側支持部材を貼着するのに先立ち、前記第２主面側支持部材を前記再利用する半導体ウエハ源から除去する、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
13. 一方側の第１主面、他方側の第２主面、ならびに、前記第１主面および前記第２主面を接続する側壁を含むＳｉＣ（炭化ケイ素）からなる半導体ウエハ源を用意する工程と、
    前記半導体ウエハ源の前記第１主面にＳｉＣからなるエピタキシャル層を形成する工程と、
    前記エピタキシャル層に複数の素子形成領域を設定し、前記複数の素子形成領域に半導体素子をそれぞれ作り込む素子形成工程と、
    前記エピタキシャル層の前記素子形成領域に半導体素子が形成された前記半導体ウエハ源の前記第１主面側に第１主面側支持部材を貼着する貼着工程と、
    前記半導体ウエハ源が前記第１主面側支持部材に支持された状態で、前記半導体ウエハ源の厚さ方向途中部から前記第１主面に平行な水平方向に沿って前記半導体ウエハ源に変質層を形成する工程と、
    前記半導体ウエハ源を、前記第１主面側支持部材によって支持された前記半導体素子が形成された素子形成ウエハおよび素子未形成ウエハに、前記半導体ウエハ源に形成した前記変質層に沿って分離するウエハ源分離工程と、を含み、
    前記変質層を形成する工程の後、前記変質層が形成された前記半導体ウエハ源の前記第２主面に、第２主面側支持部材を貼着する第２貼着工程を含む、半導体装置の製造方法。
14. 一方側の第１主面、他方側の第２主面、ならびに、前記第１主面および前記第２主面を接続する側壁を含むＳｉＣ（炭化ケイ素）からなる半導体ウエハ源を用意する工程と、
    前記半導体ウエハ源の前記第１主面にＳｉＣからなるエピタキシャル層を形成する工程と、
    前記エピタキシャル層に複数の素子形成領域を設定し、前記複数の素子形成領域に半導体素子をそれぞれ作り込む素子形成工程と、
    前記エピタキシャル層の前記素子形成領域に半導体素子が形成された前記半導体ウエハ源の前記第１主面側に第１主面側支持部材を貼着する貼着工程と、
    前記半導体ウエハ源が前記第１主面側支持部材に支持された状態で、前記半導体ウエハ源の厚さ方向途中部から前記第１主面に平行な水平方向に沿って前記半導体ウエハ源に変質層を形成する工程と、
    前記半導体ウエハ源を、前記第１主面側支持部材によって支持された前記半導体素子が形成された素子形成ウエハおよび素子未形成ウエハに、前記半導体ウエハ源に形成した前記変質層に沿って分離するウエハ源分離工程と、
    前記ウエハ源分離工程の後、前記素子未形成ウエハが再利用可能である場合、前記素子未形成ウエハを新たな半導体ウエハ源として再利用し、前記素子未形成ウエハの第１主面にＳｉＣからなるエピタキシャル層を形成する工程と、
    前記エピタキシャル層に複数の素子形成領域を設定し、前記複数の素子形成領域に半導体素子をそれぞれ作り込む素子形成工程と、を含み、
    前記素子未形成ウエハの第１主面にＳｉＣからなるエピタキシャル層を形成する工程、および、前記エピタキシャル層に複数の素子形成領域を設定し、前記複数の素子形成領域に半導体素子をそれぞれ作り込む素子形成工程は、前記素子未形成ウエハの第２主面が第２主面側支持部材によって支持された状態で行う、半導体装置の製造方法。
15. 前記ウエハ源分離工程の後、前記新たな半導体素子を作り込む工程に先立って、前記新たな半導体ウエハ源の前記分離面を研磨する研磨工程をさらに含む、請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
16. 前記研磨工程において、前記新たな半導体ウエハ源の前記分離面は、算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下になるまで研磨される、請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
17. 前記素子未形成ウエハを新たな半導体ウエハ源として再利用する工程は、前記素子未形成ウエハの厚さが、前記素子形成ウエハの厚さ以上である場合に実施される、請求項１４～１６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。

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