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JP7630889B2 - How to use the board - Google Patents
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Description

本発明は、切削ブレードの高さ位置を検出するときに用いられる基板の使用方法に関する。 The present invention relates to a method for using a substrate that is used to detect the height position of a cutting blade.

携帯電話、パソコン等の電子機器には、デバイスチップが搭載されている。デバイスチップは、例えば、IC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)等のデバイスが表面側に形成された半導体ウェーハ等の被加工物の裏面側を研削して薄化した後、当該被加工物をデバイス単位に分割することで製造される。 Electronic devices such as mobile phones and personal computers are equipped with device chips. Device chips are manufactured by grinding and thinning the back side of a workpiece such as a semiconductor wafer on which devices such as ICs (Integrated Circuits) and LSIs (Large Scale Integration) are formed on the front side, and then dividing the workpiece into device units.

被加工物を分割する際には、例えば、切削ブレードが装着された切削装置で被加工物を切削する。切削装置で切削を行う前には、切削ブレードの高さ方向の原点位置を検出することがある。原点位置の検出方法の1つとして、チョッパーカットセットアップ(Chopper Cut Setup:CCS)がある。 When dividing a workpiece, for example, the workpiece is cut using a cutting device equipped with a cutting blade. Before cutting with the cutting device, the origin position in the height direction of the cutting blade may be detected. One method for detecting the origin position is Chopper Cut Setup (CCS).

チョッパーカットセットアップでは、矩形状のサブチャックテーブルで矩形状のシリコン基板の一面側を吸引保持した状態で、スピンドルを回転中心として高速回転している切削ブレードを略垂直に下降させる。これにより、切削ブレードの下端部をシリコン基板の他面(即ち、上面)側に切り込み、溝(切削溝)を形成する。 In the chopper cut setup, one side of a rectangular silicon substrate is held by suction on a rectangular sub-chuck table, and a cutting blade rotating at high speed around a spindle is lowered almost vertically. This causes the lower end of the cutting blade to cut into the other side (i.e., the top surface) of the silicon substrate, forming a groove (cutting groove).

そして、シリコン基板の上面における切削溝の長さと、切削ブレードの半径と、に基づいて、切削ブレードの下端がシリコン基板の上面に接するときの切削ブレードの高さ方向の原点位置を算出する(例えば、特許文献1参照)。 Then, based on the length of the cutting groove on the top surface of the silicon substrate and the radius of the cutting blade, the origin position in the height direction of the cutting blade when the lower end of the cutting blade contacts the top surface of the silicon substrate is calculated (see, for example, Patent Document 1).

特開2002-59365号公報JP 2002-59365 A

しかし、チョッパーカットセットアップを行う際には、溝間の距離(所謂、インデックス量)、切り込み位置、切り込みを行った回数等の切り込み条件等を、使用する度に、オペレータが切削装置に入力しなければならず、作業が煩雑である。 However, when performing chopper cut setup, the operator must input cutting conditions such as the distance between grooves (the so-called index amount), cutting position, and the number of cuts made into the cutting device each time it is used, making the work complicated.

本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、オペレータにとって切削装置への切り込み条件の入力を簡略化することを目的とする。 The present invention was made in consideration of these problems, and aims to simplify the input of cutting conditions into the cutting device for the operator.

本発明の一態様によれば、基板を保持するチャックテーブルと、スピンドルを有し該スピンドルの先端部に切削ブレードが装着される切削ユニットと、を有する切削装置において、該チャックテーブルで保持された該基板に対して該基板の厚さ方向に該切削ブレードを切り込んで、切り込み深さに基づいて該切削ブレードの高さ位置を検出するときに用いられる基板の使用方法であって、該チャックテーブルに該基板を載置する載置工程と、該基板の外周部に該切削ブレードで複数の溝を形成して、該切削ブレードを切り込む際の切り込む条件に関する情報を該基板に記録する記録工程と、を備える基板の使用方法を提供する。 According to one aspect of the present invention, a method of using a substrate in a cutting device having a chuck table for holding a substrate and a cutting unit having a spindle and a cutting blade attached to the tip of the spindle, in which the cutting blade cuts into the substrate held by the chuck table in the thickness direction of the substrate and detects the height position of the cutting blade based on the cutting depth, is provided, the method of using a substrate comprising a step of placing the substrate on the chuck table and a step of forming a plurality of grooves with the cutting blade on the outer periphery of the substrate and recording information on the cutting conditions when the cutting blade cuts into the substrate.

好ましくは、基板の使用方法は、該記録工程の後、該基板に形成された該複数の溝を撮像し、該複数の溝の画像から該切り込み条件に関する情報を読み取る読取工程を更に備える。 Preferably, the method of using the substrate further includes, after the recording step, a reading step of imaging the plurality of grooves formed on the substrate and reading information relating to the cutting conditions from the image of the plurality of grooves.

また、好ましくは、該切り込み条件に関する情報は、各溝の長さ及び該複数の溝の配列に応じて定められており、該読取工程では、該画像から各溝の長さ及び該複数の溝の配列に応じた情報を読み取る。 In addition, preferably, the information regarding the cutting conditions is determined according to the length of each groove and the arrangement of the multiple grooves, and in the reading process, information corresponding to the length of each groove and the arrangement of the multiple grooves is read from the image.

また、好ましくは、基板の使用方法は、該読取工程後に、該基板の厚さ方向に該切削ブレードを切り込んで、該切削ブレードの切り込み深さ測定用の溝を形成するチョッパーカットセットアップ工程と、該チョッパーカットセットアップ工程後に、該基板の外周部に該切削ブレードで複数の溝を形成して該切り込み条件に関する更新情報を記録する追加の記録工程と、を更に備え、該更新情報は、該基板に形成された切り込み深さ測定用の溝の個数と、最後に該切削ブレードが切り込まれた切り込み深さ測定用の溝の位置と、の少なくともいずれかを含む。 In addition, preferably, the method of using the substrate further includes, after the reading step, a chopper cut setup step of cutting the cutting blade in the thickness direction of the substrate to form a groove for measuring the cutting depth of the cutting blade, and an additional recording step of forming multiple grooves with the cutting blade on the outer periphery of the substrate after the chopper cut setup step to record updated information regarding the cutting conditions, the updated information including at least one of the number of grooves for measuring the cutting depth formed on the substrate and the position of the groove for measuring the cutting depth finally cut by the cutting blade.

また、好ましくは、該切り込み条件に関する情報は、該切削ブレードの切り込み深さ測定用の溝同士の間隔を含む。 Also, preferably, the information regarding the cutting conditions includes the spacing between grooves for measuring the cutting depth of the cutting blade.

本発明の一態様に係る基板の使用方法では、基板の外周部に切削ブレードで複数の溝を形成して、切削ブレードを切り込む際の切り込み条件に関する情報を基板に記録する(記録工程)。 In one embodiment of the method of using a substrate according to the present invention, a cutting blade is used to form multiple grooves on the outer periphery of the substrate, and information regarding the cutting conditions when the cutting blade is used to cut is recorded on the substrate (recording process).

切削装置が、予め定められた規則に従い当該複数の溝の画像を、切り込み条件に関する情報に変換すれば、オペレータによる切り込み条件の入力を省略できる。これにより、切削装置への切り込み条件の入力を簡略化できる。 If the cutting device converts the images of the multiple grooves into information about the cutting conditions according to predetermined rules, the operator does not have to input the cutting conditions. This simplifies the input of the cutting conditions into the cutting device.

切削装置の斜視図である。FIG. シリコン基板の使用方法のフロー図である。FIG. 1 is a flow diagram of a method for using a silicon substrate. 記録工程を示す図である。FIG. 読取工程を示す図である。FIG. シリコン基板の上面図である。FIG. 2 is a top view of a silicon substrate. 矩形領域の拡大図である。FIG. CCS工程を示す側面図である。FIG. 2 is a side view showing the CCS process. CCS工程後のシリコン基板の上面図である。FIG. 2 is a top view of the silicon substrate after the CCS process. 追加の記録工程後のシリコン基板の上面図である。FIG. 13 is a top view of the silicon substrate after an additional recording process. 第2の実施形態に係る基板の上面図である。FIG. 11 is a top view of a substrate according to a second embodiment.

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図1は、切削装置2の斜視図である。なお、図1では、切削装置2の構成要素の一部を機能ブロックで示している。また、以下において、X軸方向(加工送り方向)、Y軸方向(割り出し送り方向)及びZ軸方向(高さ方向)は、互いに直交する方向である。 An embodiment of the present invention will be described with reference to the attached drawings. FIG. 1 is a perspective view of a cutting device 2. In FIG. 1, some of the components of the cutting device 2 are shown in functional blocks. In the following description, the X-axis direction (machining feed direction), the Y-axis direction (indexing feed direction), and the Z-axis direction (height direction) are mutually orthogonal.

切削装置2の前方側(Y軸方向の一方側)には、入力装置として機能する操作パネル4が設けられている。オペレータは、例えば、操作パネル4を介して、切削装置2に対して加工条件等を設定できる。切削装置2の前方側の側面には、表示装置として機能するモニタ6が設けられている。 An operation panel 4 that functions as an input device is provided on the front side of the cutting device 2 (one side in the Y-axis direction). An operator can set processing conditions and the like for the cutting device 2, for example, via the operation panel 4. A monitor 6 that functions as a display device is provided on the side of the front side of the cutting device 2.

モニタ6には、オペレータに対して操作を案内する案内画面や、後述する顕微鏡カメラユニット(撮像ユニット)26によって撮像された画像等が表示される。なお、モニタ6は、入力装置及び表示装置として機能するタッチパネルであってもよい。この場合、操作パネル4は省略してよい。 The monitor 6 displays a guide screen that guides the operator through operations, images captured by a microscope camera unit (imaging unit) 26 (described later), and the like. The monitor 6 may be a touch panel that functions as both an input device and a display device. In this case, the operation panel 4 may be omitted.

切削装置2では、シリコン等の半導体材料で形成された円板状のウェーハ11(図4参照)が切削される。ウェーハ11の裏面11b側には、樹脂製で円形のテープ25(ダイシングテープ、図10参照)の中央部が貼り付けられる。 The cutting device 2 cuts a disk-shaped wafer 11 (see FIG. 4) made of a semiconductor material such as silicon. The center of a circular resin tape 25 (dicing tape, see FIG. 10) is attached to the back surface 11b of the wafer 11.

ダイシングテープの外周部には、ウェーハ11の径よりも大きい径の開口を有する金属製の環状のフレーム27(図10参照)の一面が貼り付けられる。ウェーハ11、ダイシングテープ及び環状フレームは、ウェーハユニットを構成する。 One side of a metal ring-shaped frame 27 (see FIG. 10) having an opening with a diameter larger than that of the wafer 11 is attached to the outer periphery of the dicing tape. The wafer 11, dicing tape, and ring-shaped frame form a wafer unit.

複数(例えば、25個)のウェーハユニットは、1つのカセット8に収容され、当該カセット8は、切削装置2の前方側の角部に設けられているカセットテーブル10に載置される。カセットテーブル10の下方には、カセットテーブル10を上下に移動させることができるエレベータ12が連結されている。 Multiple (e.g., 25) wafer units are stored in one cassette 8, and the cassette 8 is placed on a cassette table 10 provided at the front corner of the cutting device 2. An elevator 12 that can move the cassette table 10 up and down is connected to the bottom of the cassette table 10.

カセットテーブル10の後方(Y軸方向の他方側)には、カセット8にアクセス可能なプッシュプルアーム14が設けられている。プッシュプルアーム14の移動経路の両脇には、ウェーハユニットのX軸方向の位置を調整する一対のガイドレール16が設けられている。 A push-pull arm 14 that can access the cassette 8 is provided behind the cassette table 10 (the other side in the Y-axis direction). A pair of guide rails 16 that adjust the position of the wafer unit in the X-axis direction are provided on both sides of the movement path of the push-pull arm 14.

一対のガイドレール16の近傍には、一対のガイドレール16にアクセス可能な第1の搬送ユニット18が設けられている。第1の搬送ユニット18は、一対のガイドレール16から搬入搬出領域Aに位置する円板状のチャックテーブル20へ、ウェーハユニットを搬送する。 A first transport unit 18 that can access the pair of guide rails 16 is provided near the pair of guide rails 16. The first transport unit 18 transports a wafer unit from the pair of guide rails 16 to a disk-shaped chuck table 20 that is located in the load/unload area A1 .

チャックテーブル20は、金属製の円板状の枠体と、枠体の中央部に配置された円板状の多孔質板と、を有する。多孔質板には、エジェクタ等の吸引源(不図示)から負圧が伝達される。多孔質板の上面と、枠体の上面とは、略面一となっており、ウェーハユニット(ウェーハ11)を吸引保持する保持面20aを構成する。 The chuck table 20 has a disk-shaped metal frame and a disk-shaped porous plate located in the center of the frame. Negative pressure is transmitted to the porous plate from a suction source (not shown) such as an ejector. The top surface of the porous plate and the top surface of the frame are approximately flush with each other, forming a holding surface 20a that holds the wafer unit (wafer 11) by suction.

チャックテーブル20の外周部には、フレーム27を固定するための複数のクランプユニット20bが設けられている。また、チャックテーブル20の下方には、チャックテーブル20を所定の回転軸の周りに回転させるモータ等の回転駆動源(不図示)が連結されている。 A plurality of clamp units 20b for fixing the frame 27 are provided on the outer periphery of the chuck table 20. In addition, a rotational drive source (not shown) such as a motor that rotates the chuck table 20 around a predetermined rotation axis is connected below the chuck table 20.

回転駆動源と、チャックテーブル20との間には、矩形状のテーブルカバー22が設けられている。テーブルカバー22の上面には、金属で形成され矩形板状のサブチャックテーブル24が設けられている。 A rectangular table cover 22 is provided between the rotary drive source and the chuck table 20. A rectangular plate-shaped sub-chuck table 24 made of metal is provided on the upper surface of the table cover 22.

サブチャックテーブル24の保持面24aの高さは、保持面20aと略同じ高さに設定されている。保持面24aには、矩形環状の溝が形成されており、矩形環状の溝よりも保持面24aの中心側には、矩形環状の溝に接続する十字状の溝が形成されている。 The height of the holding surface 24a of the sub-chuck table 24 is set to be approximately the same as the height of the holding surface 20a. A rectangular annular groove is formed in the holding surface 24a, and a cross-shaped groove that connects to the rectangular annular groove is formed closer to the center of the holding surface 24a than the rectangular annular groove.

各溝には、エジェクタ等の吸引源(不図示)から負圧が伝達される。保持面24aは、この負圧により、単結晶シリコンで形成された矩形板状のシリコン基板(基板)13を吸引保持する。シリコン基板13は、後述する切削ブレード34の高さ位置を検出するときに使用される。 Negative pressure is transmitted to each groove from a suction source (not shown) such as an ejector. This negative pressure causes the holding surface 24a to suction and hold a rectangular plate-shaped silicon substrate (substrate) 13 made of single crystal silicon. The silicon substrate 13 is used to detect the height position of the cutting blade 34, which will be described later.

シリコン基板13は、保持面24aと略同じ大きさの一面を有する。本実施形態のシリコン基板13は、長辺75mm、短辺37.5mm、厚さ0.8mmから1.0mm程度の矩形板状である。 The silicon substrate 13 has one surface that is approximately the same size as the holding surface 24a. In this embodiment, the silicon substrate 13 is a rectangular plate with long sides of 75 mm, short sides of 37.5 mm, and a thickness of approximately 0.8 mm to 1.0 mm.

チャックテーブル20の回転駆動源の下方には、X軸方向移動機構22aが設けられている。X軸方向移動機構22aは、回転駆動源、チャックテーブル20、テーブルカバー22、サブチャックテーブル24等を、X軸方向に沿って一体的に移動させる。 An X-axis direction movement mechanism 22a is provided below the rotary drive source of the chuck table 20. The X-axis direction movement mechanism 22a moves the rotary drive source, the chuck table 20, the table cover 22, the sub-chuck table 24, etc., together along the X-axis direction.

なお、図1では、X軸方向移動機構22aの概略の位置が矢印で示されているが、具体的な構造は省略されている。X軸方向移動機構22aは、X軸方向に沿って配置された一対のガイドレール(不図示)を有する。 In FIG. 1, the general position of the X-axis direction movement mechanism 22a is indicated by an arrow, but the specific structure is omitted. The X-axis direction movement mechanism 22a has a pair of guide rails (not shown) arranged along the X-axis direction.

一対のガイドレール上には、X軸方向移動テーブル(不図示)がスライド可能に連結されている。X軸方向移動テーブルの上面には、チャックテーブル20の回転駆動源が固定されている。X軸方向移動テーブルの下面側にはナット部(不図示)が設けられている。 An X-axis direction moving table (not shown) is slidably connected to the pair of guide rails. A rotation drive source for the chuck table 20 is fixed to the upper surface of the X-axis direction moving table. A nut portion (not shown) is provided on the underside of the X-axis direction moving table.

ナット部には、ボールねじ(不図示)が回転可能に連結されている。ボールねじは、一対のガイドレールの間に配置されており、ボールねじの一端部には、ステッピングモータ(不図示)が設けられている。ステッピングモータを動作させれば、X軸方向移動テーブルがX軸方向に沿って移動する。 A ball screw (not shown) is rotatably connected to the nut portion. The ball screw is disposed between a pair of guide rails, and a stepping motor (not shown) is provided at one end of the ball screw. When the stepping motor is operated, the X-axis direction moving table moves along the X-axis direction.

X軸方向移動機構22aは、チャックテーブル20を搬入搬出領域Aと切削領域Aとの間で移動させる。また、X軸方向移動機構22aは、切削領域Aにおいてチャックテーブル20を所定の加工送り速度で加工送りする。 The X-axis direction moving mechanism 22a moves the chuck table 20 between the load/unload area A1 and the cutting area A2 . Furthermore, the X-axis direction moving mechanism 22a feeds the chuck table 20 at a predetermined processing feed speed in the cutting area A2 .

チャックテーブル20の移動経路の上方には、保持面20a又は保持面24aに対面可能な態様で、顕微鏡カメラユニット26が設けられている。顕微鏡カメラユニット26は、所定の光学系と、CCDイメージセンサ又はCMOSイメージセンサ等の撮像素子と、を含むカメラを有する。 A microscope camera unit 26 is provided above the movement path of the chuck table 20 so as to face the holding surface 20a or the holding surface 24a. The microscope camera unit 26 has a camera including a predetermined optical system and an imaging element such as a CCD image sensor or a CMOS image sensor.

顕微鏡カメラユニット26には、ボールねじ式のY軸方向移動ユニット(不図示)が連結されている。顕微鏡カメラユニット26の位置をY軸方向で調整し、チャックテーブル20の位置をX軸方向で調整することで、保持面20a上に位置するウェーハ11の表面11a側の任意の領域が撮像される。顕微鏡カメラユニット26で撮像された画像は、後述する制御ユニット44へ送られる。 A ball screw type Y-axis direction movement unit (not shown) is connected to the microscope camera unit 26. By adjusting the position of the microscope camera unit 26 in the Y-axis direction and adjusting the position of the chuck table 20 in the X-axis direction, any area on the front surface 11a side of the wafer 11 located on the holding surface 20a can be imaged. The image captured by the microscope camera unit 26 is sent to the control unit 44, which will be described later.

同様に、顕微鏡カメラユニット26の位置をY軸方向で調整し、サブチャックテーブル24の位置をX軸方向で調整することで、保持面24a上に位置するシリコン基板13の上面13a側の任意の領域が撮像される。撮像された画像は、制御ユニット44へ送られる。 Similarly, by adjusting the position of the microscope camera unit 26 in the Y-axis direction and adjusting the position of the sub-chuck table 24 in the X-axis direction, an image of any area on the upper surface 13a of the silicon substrate 13 located on the holding surface 24a is captured. The captured image is sent to the control unit 44.

切削領域Aの上方には、切削ユニット28が設けられている。ここで、図3を参照し、切削ユニット28について説明する。切削ユニット28は、長手方向がY軸方向に沿って配置された筒状のスピンドルハウジング30を有する。 A cutting unit 28 is provided above the cutting area A2 . The cutting unit 28 will now be described with reference to Fig. 3. The cutting unit 28 has a cylindrical spindle housing 30 whose longitudinal direction is disposed along the Y-axis direction.

スピンドルハウジング30には、円柱状のスピンドル32の一部が回転可能に収容されている。スピンドル32の基端部には、モータ等の回転駆動源(不図示)が設けられており、スピンドル32の先端部には、円環状の切り刃を有する切削ブレード34が装着されている。回転駆動源を動作させると、切削ブレード34は所定方向Rに高速で回転する。 A part of the cylindrical spindle 32 is rotatably housed in the spindle housing 30. A rotary drive source such as a motor (not shown) is provided at the base end of the spindle 32, and a cutting blade 34 having an annular cutting edge is attached to the tip end of the spindle 32. When the rotary drive source is operated, the cutting blade 34 rotates at high speed in a predetermined direction R.

切削ブレード34の上部は、ブレードカバー36で覆われている。ブレードカバー36には、切削ブレード34に純水等の切削水を供給するノズルユニット38が設けられている。 The upper part of the cutting blade 34 is covered by a blade cover 36. The blade cover 36 is provided with a nozzle unit 38 that supplies cutting water, such as pure water, to the cutting blade 34.

スピンドルハウジング30には、切削ユニット28をZ軸方向に沿って移動させるボールねじ式の切り込み送り機構(不図示)が連結されている。また、切り込み送り機構は、切削ユニット28と共に、ボールねじ式の割り出し送り機構(不図示)により、Y軸方向に沿って移動させられる。 A ball screw type cutting feed mechanism (not shown) that moves the cutting unit 28 along the Z-axis direction is connected to the spindle housing 30. The cutting feed mechanism is also moved along the Y-axis direction together with the cutting unit 28 by a ball screw type indexing feed mechanism (not shown).

ここで図1に戻り、切削装置2の他の構成要素について説明する。搬入搬出領域Aの後方には、第2の搬送ユニット40及びスピンナ洗浄ユニット42が設けられている。 1, a description will now be given of other components of the cutting device 2. A second transport unit 40 and a spinner cleaning unit 42 are provided behind the carry-in/carry-out area A1 .

第2の搬送ユニット40は、ウェーハ11の切削後に搬入搬出領域Aに配置されたチャックテーブル20にアクセスし、搬入搬出領域Aのチャックテーブル20から、スピンナ洗浄ユニット42のスピンナテーブルへウェーハ11を搬送する。 After the wafer 11 has been cut, the second transport unit 40 accesses the chuck table 20 arranged in the carry-in/carry-out area A1 and transports the wafer 11 from the chuck table 20 in the carry-in/carry-out area A1 to the spinner table of the spinner cleaning unit 42.

スピンナ洗浄ユニット42でのスピン洗浄及びスピン乾燥の後、ウェーハ11は、第1の搬送ユニット18で一対のガイドレール16へ搬送され、その後、プッシュプルアーム14等により、カセット8へ搬入される。 After being spin-cleaned and spin-dried in the spinner cleaning unit 42, the wafer 11 is transported to a pair of guide rails 16 by the first transport unit 18, and then loaded into the cassette 8 by a push-pull arm 14 or the like.

切削装置2の各構成要素は、制御ユニット44により制御される。本実施形態の制御ユニット44は、コンピュータによって構成されている。制御ユニット44は、CPU(Central Processing Unit)に代表されるプロセッサ(処理装置)と、主記憶装置と、補助記憶装置と、を含む。 Each component of the cutting device 2 is controlled by a control unit 44. In this embodiment, the control unit 44 is configured by a computer. The control unit 44 includes a processor (processing device) represented by a CPU (Central Processing Unit), a main memory device, and an auxiliary memory device.

主記憶装置は、DRAM(Dynamic Random Access Memory)、SRAM(Static Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)等を含む。また、補助記憶装置は、フラッシュメモリ、ハードディスクドライブ、ソリッドステートドライブ等を含む。 Primary storage devices include dynamic random access memory (DRAM), static random access memory (SRAM), read only memory (ROM), etc. Secondary storage devices include flash memory, hard disk drives, solid state drives, etc.

補助記憶装置には、所定のプログラムを含むソフトウェアが記憶されている。このソフトウェアに従い処理装置等を動作させることによって、制御ユニット44の機能が実現される。 The auxiliary storage device stores software including a specific program. The functions of the control unit 44 are realized by operating the processing device and the like in accordance with this software.

制御ユニット44は、顕微鏡カメラユニット26から送られた画像を処理する画像処理部46を含む。画像処理部46は、例えば、補助記憶装置に記憶されている所定のプログラムである。画像処理部46は、シリコン基板13の上面13a側の画像に基づき、上面13a側の所定領域に形成されている複数の溝15(図5参照)の長さを特定する。 The control unit 44 includes an image processing unit 46 that processes the image sent from the microscope camera unit 26. The image processing unit 46 is, for example, a predetermined program stored in an auxiliary storage device. The image processing unit 46 identifies the lengths of the multiple grooves 15 (see FIG. 5) formed in a predetermined area on the upper surface 13a side of the silicon substrate 13 based on the image of the upper surface 13a side.

例えば、画像中の1画素の長さは撮影倍率に応じて予め定められており、画像処理部46は、溝15に対応する画素の数から溝15の長さを算出することで、各溝15の長さを特定する。 For example, the length of one pixel in the image is predetermined according to the shooting magnification, and the image processing unit 46 determines the length of each groove 15 by calculating the length of the groove 15 from the number of pixels corresponding to the groove 15.

複数の溝15は、シリコン基板13の上面13a側の外周部の一部において、シリコン基板13の直線状の縁に直交する態様で形成される。本実施形態の複数の溝15は、図5に示す様に、シリコン基板13の角部近傍に形成される。 The multiple grooves 15 are formed in a portion of the outer periphery of the upper surface 13a of the silicon substrate 13, perpendicular to the linear edge of the silicon substrate 13. In this embodiment, the multiple grooves 15 are formed near the corners of the silicon substrate 13, as shown in FIG. 5.

本実施形態では、切削ブレード34を用いて各溝15を形成するので、各溝15は、略同じ幅と、下面13bに至らない所定深さ(例えば、50μm)と、を有する。しかし、各溝15の長さは必ずしも同じではない。 In this embodiment, each groove 15 is formed using a cutting blade 34, so that each groove 15 has approximately the same width and a predetermined depth (e.g., 50 μm) that does not reach the lower surface 13 b. However, the length of each groove 15 is not necessarily the same.

各溝15の長さ及び複数の溝15の配列は、情報変換部48により、切削ブレード34をシリコン基板13に切り込む際の切り込み条件に関する情報17(図6参照)に変換される。情報変換部48は、例えば、補助記憶装置に記憶されている所定のプログラムである。 The length of each groove 15 and the arrangement of the multiple grooves 15 are converted by the information conversion unit 48 into information 17 (see FIG. 6) regarding the cutting conditions when the cutting blade 34 cuts into the silicon substrate 13. The information conversion unit 48 is, for example, a predetermined program stored in an auxiliary storage device.

まず、図6を参照し、溝15の長さが示す数字について説明する。図6の左端から1つ目の溝15aは、溝15a除く複数の溝15の基準長さを示す(第1規則)。左端から2つ目の溝15bの長さは、溝15aの長さを基準として情報変換部48により数字に変換される。 First, referring to FIG. 6, the numbers indicated by the length of the groove 15 will be explained. The first groove 15a from the left end of FIG. 6 indicates the reference length of the multiple grooves 15 excluding groove 15a (first rule). The length of the second groove 15b from the left end is converted into a number by the information conversion unit 48 using the length of groove 15a as the reference.

本実施形態において、溝15aの長さは1mmであり、溝15bの長さは3mmである。この場合、情報変換部48は、溝15aを数字「1」に変換し、溝15bを数字「3」に変換する。 In this embodiment, the length of groove 15a is 1 mm, and the length of groove 15b is 3 mm. In this case, the information conversion unit 48 converts groove 15a into the number "1" and groove 15b into the number "3."

次に、複数の溝15の配列について説明する。複数の溝15の配列は、所定の情報を示す。例えば、溝15a及び溝15bは、シリコン基板13の管理番号(例えば、品番や製品ロット番号)を示す情報17aに対応する(第2規則)。 Next, the arrangement of the multiple grooves 15 will be described. The arrangement of the multiple grooves 15 indicates specific information. For example, grooves 15a and 15b correspond to information 17a indicating the management number of the silicon substrate 13 (e.g., product number or product lot number) (second rule).

溝15a及び15bで特定される数字「13」は、補助記憶装置に予め記憶されているテーブル、数式等により、シリコン基板13の管理番号に一対一で紐付けられている。それゆえ、制御ユニット44は、溝15a及び溝15bの画像に基づいて、シリコン基板13の管理番号を読み取ることができる。 The number "13" specified by grooves 15a and 15b is linked one-to-one to the management number of silicon substrate 13 by a table, formula, etc. pre-stored in the auxiliary storage device. Therefore, control unit 44 can read the management number of silicon substrate 13 based on the images of grooves 15a and 15b.

溝15の間隔について説明すると、本実施形態の溝15a及び溝15bは、シリコン基板13の長辺方向において0.5mm離れて配置されている。これに対して、溝15bと、図6の左端から3つ目の溝15cとは、1mm離れている。しかし、数値は一例であり、適宜変更してよい。 Regarding the spacing between the grooves 15, in this embodiment, grooves 15a and 15b are spaced 0.5 mm apart in the long side direction of the silicon substrate 13. In contrast, groove 15b is spaced 1 mm apart from groove 15c, the third groove from the left end in FIG. 6. However, these numerical values are merely examples and may be changed as appropriate.

溝15cは、チョッパーカットセットアップの際に、切削ブレード34を略垂直にシリコン基板13の上面13aに切り込むことで形成される切り込み深さ測定用の溝19(図8、図9参照)同士の割り出し送り方向での間隔(所謂、インデックス量)を示す情報17bに対応する(第3規則)。 Groove 15c corresponds to information 17b indicating the distance (so-called index amount) in the index feed direction between grooves 19 (see Figures 8 and 9) for measuring the cutting depth, which are formed by cutting the cutting blade 34 approximately vertically into the upper surface 13a of the silicon substrate 13 during chopper cut setup (Third Rule).

溝15cの長さが示す数字は、溝15bにより指定される数字をN(N:自然数)とした場合に、(N+1)進数で表現される。本実施形態では、溝15bの長さが示す数が3であるので、溝15cから溝15fの各々の長さが示す数字は、4(=3+1)進数で表現される。 The number indicated by the length of groove 15c is expressed in base (N+1) when the number specified by groove 15b is N (N: natural number). In this embodiment, the number indicated by the length of groove 15b is 3, so the number indicated by the length of each of grooves 15c to 15f is expressed in base 4 (=3+1).

本実施形態において、溝15cの長さは1mmであるので、溝15cは4進数で数字「1」を示し、これは、10進数の1(=4×1)に対応する。溝15cにより指定される10進数の数字は、予め補助記憶装置に記憶されているテーブル、数式等に従い、切り込み深さ測定用の溝19の間隔に一対一で紐付けられている。それゆえ、制御ユニット44は、溝15cの画像に基づいて、溝19の間隔の情報17bを読み取ることができる。 In this embodiment, the length of the groove 15c is 1 mm, so that the groove 15c indicates the number "1" in base 4, which corresponds to the decimal number 1 (=4 0 ×1). The decimal number specified by the groove 15c is linked one-to-one to the interval of the grooves 19 for measuring the cutting depth, according to a table, formula, or the like stored in advance in the auxiliary storage device. Therefore, the control unit 44 can read the information 17b of the interval of the grooves 19 based on the image of the groove 15c.

なお、溝15cに対して、溝15a、15bとは反対側に、更に別の溝15d、15e、15f、15g、15h(図9参照)を形成することにより、シリコン基板13の使用に伴うシリコン基板13の更新情報(情報17c、17d)を更に記録してもよい。 In addition, by forming additional grooves 15d, 15e, 15f, 15g, and 15h (see FIG. 9) on the opposite side of groove 15c from grooves 15a and 15b, update information (information 17c and 17d) of silicon substrate 13 associated with use of silicon substrate 13 may be further recorded.

溝15d、15e、15fは、既に形成された切り込み深さ測定用の溝19の個数を示す情報17cに対応する(第4規則)。本実施形態において溝15dの長さは1mmであり、溝15eの長さは3mmであり、溝15fの長さは2mmであるので、溝15d、15e、15は4進数で数字「132」を示す。 Grooves 15d, 15e, and 15f correspond to information 17c indicating the number of already formed grooves 19 for measuring the cutting depth (fourth rule). In this embodiment, the length of groove 15d is 1 mm, the length of groove 15e is 3 mm, and the length of groove 15f is 2 mm, so grooves 15d, 15e, and 15 indicate the number "132" in base 4.

4進数の数字「132」は、10進数の30(=4×1+4×3+4×2)に対応する。溝15d、15e、15fにより指定される10進数の数字は、予め補助記憶装置に記憶されているテーブル、数式等に従い、シリコン基板13に形成された溝19の個数に変換される。この様にして、制御ユニット44は、溝15d、15e、15fを含む画像に基づいて、既に形成された溝19の個数を示す情報17cを読み取ることができる。 The quaternary number "132" corresponds to the decimal number 30 (= 42 x 1 + 41 x 3 + 40 x 2). The decimal number specified by grooves 15d, 15e, and 15f is converted into the number of grooves 19 formed in silicon substrate 13 according to a table, formula, etc. pre-stored in the auxiliary storage device. In this way, control unit 44 can read information 17c indicating the number of grooves 19 already formed, based on the image including grooves 15d, 15e, and 15f.

なお、本実施形態において、溝15d、15e、15fは、シリコン基板13の長辺方向において0.5mm間隔で配置されている。これに対して、溝15c及び溝15dは同方向において1mm離れている。しかし、数値は一例であり、適宜変更してよい。 In this embodiment, grooves 15d, 15e, and 15f are spaced apart at 0.5 mm intervals in the long side direction of silicon substrate 13. In contrast, grooves 15c and 15d are spaced apart at 1 mm in the same direction. However, these numerical values are merely examples and may be changed as appropriate.

溝15g、15hは、最後に切削ブレード34が切り込まれた溝19の位置19aに対応するシリコン基板13の上面13a内の位置(二次元座標)を示す情報17dに対応する(第5規則)。 Grooves 15g and 15h correspond to information 17d indicating the position (two-dimensional coordinates) on the top surface 13a of the silicon substrate 13 corresponding to the position 19a of the groove 19 where the cutting blade 34 was last cut (Rule 5).

図9に示す溝15gの長さは3mmであるので、溝15gは4進数で数字「3」を示す。また、溝15hは2mmであるので、溝15hは4進数で数字「2」を示す。4進数の数字「3」は、10進数の3(=4×3)に対応し、4進数の数字「2」は、10進数の2(=4×2)に対応する。 9, the length of groove 15g is 3 mm, so groove 15g represents the number "3" in base 4. Groove 15h is 2 mm, so groove 15h represents the number "2" in base 4. The number "3" in base 4 corresponds to the decimal number 3 (=4 0 ×3), and the number "2" in base 4 corresponds to the decimal number 2 (=4 0 ×2).

溝15g、15hにより指定される10進数の数字は、予め補助記憶装置に記憶されているテーブル、数式等に従い、最後にシリコン基板13に形成された溝19のXY座標に変換される。例えば、溝15gにより指定される10進数の数字が、X座標に対応し、溝15hにより指定される10進数の数字が、Y座標に対応する。 The decimal numbers specified by grooves 15g and 15h are finally converted into the XY coordinates of groove 19 formed in silicon substrate 13 according to tables, formulas, etc. previously stored in the auxiliary storage device. For example, the decimal number specified by groove 15g corresponds to the X coordinate, and the decimal number specified by groove 15h corresponds to the Y coordinate.

なお、本実施形態において、溝15g、15hは、シリコン基板13の長辺方向において0.5mm離れている。これに対して、溝15f及び溝15gは、同方向において1mm離れている。しかし、数値は一例であり、適宜変更してよい。 In this embodiment, grooves 15g and 15h are spaced apart by 0.5 mm in the long side direction of silicon substrate 13. In contrast, grooves 15f and 15g are spaced apart by 1 mm in the same direction. However, these numerical values are merely examples and may be changed as appropriate.

溝15dから溝15hが示す更新情報を更に更新する場合には、溝15dから溝15h自体を変更することなく、溝15aから溝15cが形成されている角部とは異なる他の角部に、この更新された更新情報に対応する追加的な1又は複数の溝を形成する。 When the update information indicated by grooves 15d to 15h is to be further updated, grooves 15d to 15h themselves are not changed, and one or more additional grooves corresponding to the updated update information are formed at a corner other than the corner where grooves 15a to 15c are formed.

例えば、追加的な溝は、溝15aから溝15cが形成されている角部を起点として、更新の順番に応じて時計回りに進んだ他の角部に形成する。この場合、顕微鏡カメラユニット26でシリコン基板13の角部を時計回りに順番に撮像することで最新情報を確認できる。 For example, the additional grooves are formed at other corners, starting from the corner where grooves 15a to 15c are formed, proceeding clockwise in accordance with the update order. In this case, the latest information can be confirmed by capturing images of the corners of the silicon substrate 13 in clockwise order with the microscope camera unit 26.

次に、図1から図9を参照して、第1の実施形態に係るシリコン基板13の使用方法について説明する。図2は、シリコン基板13の使用方法のフロー図である。 Next, a method of using the silicon substrate 13 according to the first embodiment will be described with reference to Figures 1 to 9. Figure 2 is a flow diagram of a method of using the silicon substrate 13.

まず、図1に示す様に、未使用の(即ち、溝15、溝19が形成されていない)シリコン基板13を、オペレータがサブチャックテーブル24に載置する(載置工程S10)。載置工程S10の後、シリコン基板13を保持面24aで吸引保持する。 First, as shown in FIG. 1, an operator places an unused silicon substrate 13 (i.e., a substrate on which grooves 15 and 19 are not formed) on the sub-chuck table 24 (placement step S10). After the placement step S10, the silicon substrate 13 is suction-held by the holding surface 24a.

そして、オペレータは、シリコン基板13の管理番号、形成される切り込み深さ測定用の溝19同士の間隔(インデックス量)、複数の溝15を形成する領域等の情報を、操作パネル4を通じて入力する(入力工程S20)。 Then, the operator inputs information such as the control number of the silicon substrate 13, the distance (index amount) between the grooves 19 for measuring the cutting depth to be formed, and the area in which the multiple grooves 15 are to be formed through the operation panel 4 (input step S20).

制御ユニット44は、入力工程S20で入力された情報等に基づいて、X軸方向移動機構22a、顕微鏡カメラユニット26、切削ユニット28等を制御し、シリコン基板13の外周部に切削ブレード34を切り込み、各々所定深さの溝15a、15b、15cを形成する(記録工程S30)。 The control unit 44 controls the X-axis direction moving mechanism 22a, the microscope camera unit 26, the cutting unit 28, etc. based on the information input in the input process S20, and cuts the cutting blade 34 into the outer periphery of the silicon substrate 13 to form grooves 15a, 15b, and 15c each having a predetermined depth (recording process S30).

図3は、記録工程S30を示す図である。記録工程S30では、まず、顕微鏡カメラユニット26でシリコン基板13の前方側の角部を撮像し、シリコン基板13に対する切削ブレード34のY軸方向の位置を調整する。 Figure 3 shows the recording process S30. In the recording process S30, first, the microscope camera unit 26 captures an image of the front corner of the silicon substrate 13, and adjusts the position of the cutting blade 34 in the Y-axis direction relative to the silicon substrate 13.

そして、回転する切削ブレード34の下端をシリコン基板13の外側において上面13aから所定の切り込み深さ(例えば、50μm)の深さに位置付け、X軸方向移動機構22aでサブチャックテーブル24を加工送りする。 Then, the lower end of the rotating cutting blade 34 is positioned at a predetermined cutting depth (e.g., 50 μm) from the upper surface 13 a on the outside of the silicon substrate 13, and the sub-chuck table 24 is moved in the processing direction by the X-axis movement mechanism 22 a.

溝15aの長さに対応する距離だけサブチャックテーブル24を加工送りした後、切削ユニット28を溝15の間隔に対応する距離だけ割り出し送りし、溝15aと同様に、溝15bを形成する。更に、溝15cを形成する。 After the sub-chuck table 24 is fed for processing by a distance corresponding to the length of the groove 15a, the cutting unit 28 is indexed and fed by a distance corresponding to the spacing between the grooves 15, forming groove 15b in the same manner as groove 15a. Furthermore, groove 15c is formed.

この様にして、入力工程S20で入力された情報(情報17a、17bに対応する)を複数の溝15a、15b、15cとして記録する。記録工程S30の完了後、複数の溝15aから溝15cが形成されたシリコン基板13を、一旦、サブチャックテーブル24から取り外す(取り外し工程S40)。 In this way, the information input in the input process S20 (corresponding to information 17a, 17b) is recorded as multiple grooves 15a, 15b, 15c. After the recording process S30 is completed, the silicon substrate 13 on which multiple grooves 15a to 15c are formed is temporarily removed from the sub-chuck table 24 (removal process S40).

取り外し工程S40の後、チョッパーカットセットアップを行わない場合(S50でNO)にはフローを終了するが、チョッパーカットセットアップを行う場合(S50でYES)には読取工程S60へ進む。 After the removal step S40, if chopper cut setup is not to be performed (NO in S50), the flow ends, but if chopper cut setup is to be performed (YES in S50), the flow proceeds to the reading step S60.

読取工程S60では、まず、複数の溝15a、15b、15cが形成されたシリコン基板13を、オペレータがサブチャックテーブル24に載置し、保持面24aでシリコン基板13の下面13b側を吸引保持する。 In the reading process S60, first, the operator places the silicon substrate 13, on which multiple grooves 15a, 15b, and 15c are formed, on the sub-chuck table 24, and the holding surface 24a holds the lower surface 13b of the silicon substrate 13 by suction.

そして、顕微鏡カメラユニット26で複数の溝15a、15b、溝15cを撮像して得られた画像から、予め定められた上述の第1規則及び第3規則に従い、切り込み条件に関する情報17を読み取る。なお、このとき、第2規則に基づいて、シリコン基板13の管理番号も読み取られる。図4は、読取工程S60を示す図である。 Then, from the images obtained by capturing images of the multiple grooves 15a, 15b, and 15c with the microscope camera unit 26, information 17 relating to the cutting conditions is read according to the above-mentioned predetermined first and third rules. At this time, the management number of the silicon substrate 13 is also read based on the second rule. Figure 4 shows the reading process S60.

本実施形態では、複数の溝15a、15b、15cにより、切り込み条件に関する情報17を切削ブレード34で記録した後、複数の溝15の画像に基づいて、切り込み条件に関する情報17を読み取ることができる。 In this embodiment, the cutting condition information 17 is recorded by the cutting blade 34 using the multiple grooves 15a, 15b, and 15c, and then the cutting condition information 17 can be read based on the image of the multiple grooves 15.

これにより、切削装置2が、予め定められた規則に従い、複数の溝15a、15b、15cの画像を切り込み条件に関する情報に変換できるので、オペレータによる切り込み条件の入力を省略できる。 This allows the cutting device 2 to convert images of multiple grooves 15a, 15b, and 15c into information about the cutting conditions according to predetermined rules, eliminating the need for the operator to input the cutting conditions.

それゆえ、切削装置2への切り込み条件の入力を簡略化できる。また、オペレータが操作パネル4を介して切り込み条件を入力する手間が低減され、入力する際の入力ミスも回避できる。 This simplifies the input of cutting conditions to the cutting device 2. It also reduces the time and effort required for the operator to input cutting conditions via the operation panel 4, and also helps to avoid input errors.

図5は、読取工程S60時におけるシリコン基板13の上面図であり、図6は、図5の一点鎖線で示す矩形領域Bの拡大図である。なお、情報17a、17bは、スピンドル32に装着されている切削ブレード34の種類の情報と共に、モニタ6に表示されてもよい。 Figure 5 is a top view of the silicon substrate 13 during the reading process S60, and Figure 6 is an enlarged view of the rectangular area B indicated by the dashed line in Figure 5. The information 17a and 17b may be displayed on the monitor 6 together with information on the type of cutting blade 34 attached to the spindle 32.

読取工程S60後、チョッパーカットセットアップ工程(以下、単にCCS工程)S70を行う。図7は、CCS工程S70を示す側面図であり、図8は、CCS工程S70後のシリコン基板13の上面図である。 After the reading step S60, a chopper cut setup step (hereinafter, simply referred to as the CCS step) S70 is performed. Figure 7 is a side view showing the CCS step S70, and Figure 8 is a top view of the silicon substrate 13 after the CCS step S70.

CCS工程S70では、切削ブレード34をZ軸方向に沿って下降させ、シリコン基板13の厚さ方向に切削ブレード34の下端部を切り込む。これにより、シリコン基板13の上面13a側に保持面24aには達しない溝19を形成する。 In the CCS process S70, the cutting blade 34 is lowered along the Z-axis direction, and the lower end of the cutting blade 34 cuts into the silicon substrate 13 in the thickness direction. This forms a groove 19 on the upper surface 13a side of the silicon substrate 13 that does not reach the holding surface 24a.

そして、顕微鏡カメラユニット26で測定される溝19の長さCと、切削ブレード34の半径Dと、に基づいて、切削ブレード34の下端が上面13aに接するときの切削ブレード34の中心のZ軸方向の位置を算出する。 Then, based on the length C of the groove 19 measured by the microscope camera unit 26 and the radius D of the cutting blade 34, the position in the Z-axis direction of the center of the cutting blade 34 when the lower end of the cutting blade 34 contacts the upper surface 13a is calculated.

具体的には、まず、切削ブレード34の半径Dを算出する。そのために、切削ブレード34の中心のZ軸方向の位置Zと、シリコン基板13の上面13aのZ軸方向の位置Zと、の差分から、中心及び上面13a間の距離hを算出する。 Specifically, first, the radius D of the cutting blade 34 is calculated. To this end, the distance h between the center and the upper surface 13a is calculated from the difference between the position Z1 of the center of the cutting blade 34 in the Z-axis direction and the position Z2 of the upper surface 13a of the silicon substrate 13 in the Z-axis direction.

距離h及び長さCにより、切削ブレード34の半径Dは、{h+(C/2)1/2と表すことができる。長さC及び半径Dにより、切り込み深さEは、D-{D-(C/2)1/2と表すことができる。以上により、切削ブレード34の下端が上面13aに接するときの切削ブレード34のZ軸方向の位置(原点位置)は、Z+Eと算出される。 The radius D of the cutting blade 34 can be expressed as {h 2 + (C/2) 2 } 1/2 from the distance h and the length C. The cutting depth E can be expressed as D - {D 2 - (C/2) 2 } 1/2 from the length C and the radius D. From the above, the position of the cutting blade 34 in the Z-axis direction (origin position) when the lower end of the cutting blade 34 contacts the upper surface 13a is calculated to be Z 1 + E.

CCS工程S70の後、既に形成された溝19の個数を示す情報17cに対応する溝15d、15e、15fと、最後に形成された溝19の位置19aを示す情報17dに対応する溝15g、15hと、を切削ブレード34で記録する(追加の記録工程S80)。 After the CCS step S70, grooves 15d, 15e, and 15f corresponding to information 17c indicating the number of grooves 19 already formed, and grooves 15g and 15h corresponding to information 17d indicating the position 19a of the last groove 19 formed are recorded by the cutting blade 34 (additional recording step S80).

図9は、追加の記録工程S80後のシリコン基板13の上面である。なお、図9では、説明の便宜上、複数の溝19を示すが、1つの溝19を形成した後に、追加の記録工程S80を行ってもよい。 Figure 9 shows the top surface of the silicon substrate 13 after the additional recording step S80. Note that, for ease of explanation, multiple grooves 19 are shown in Figure 9, but the additional recording step S80 may be performed after forming one groove 19.

溝15dから溝15hにより、次回の読取工程S60では、形成済の溝19の個数と、最後に形成された溝19の位置とを、制御ユニット44が自動的に読み取ることができる。それゆえ、オペレータが操作パネル4を介して切り込み条件を入力する手間が低減され、入力する際の入力ミスも回避できる。 By using grooves 15d to 15h, in the next reading step S60, the control unit 44 can automatically read the number of grooves 19 that have been formed and the position of the last groove 19 that was formed. This reduces the time and effort required for the operator to input the cutting conditions via the operation panel 4, and also helps to avoid input errors.

なお、既に形成された溝19の個数(情報17c)と、最後に切削ブレード34が切り込まれた溝19の位置19a(情報17d)と、のいずれか一方が、シリコン基板13に記録されてもよい。 In addition, either the number of grooves 19 already formed (information 17c) or the position 19a of the groove 19 last cut by the cutting blade 34 (information 17d) may be recorded on the silicon substrate 13.

例えば、インデックス量(情報17b)と、シリコン基板13の大きさと、溝19が形成される順序と、が既知である場合、情報17cにより情報17dを特定でき、逆に、情報17dにより情報17cを特定できる。 For example, if the index amount (information 17b), the size of silicon substrate 13, and the order in which grooves 19 are formed are known, information 17c can be used to identify information 17d, and conversely, information 17d can be used to identify information 17c.

また、最後に切削ブレード34が切り込まれた溝19の位置19aが判明すれば、制御ユニット44は、次に溝19を形成する位置19b(図9において破線で示す)を、自動的に決定できる。 In addition, once the position 19a of the groove 19 where the cutting blade 34 last cut is determined, the control unit 44 can automatically determine the position 19b (shown by the dashed line in FIG. 9) where the next groove 19 will be formed.

ところで、溝15a、15b以外の溝15は、任意の(N+1)進数で表現することもできる。但し、2進数(N=1)の場合、記録される情報量に応じて並列に配置される溝15の数が比較的多くなる。 By the way, grooves 15 other than grooves 15a and 15b can also be expressed in any (N+1)-ary number. However, in the case of binary numbers (N=1), the number of grooves 15 arranged in parallel becomes relatively large depending on the amount of information to be recorded.

それゆえ、N(自然数)の下限は、2以上(即ち、3進数、4進数…等)が好ましい。これに対して、1つの溝15に記録される情報量を多くするために、例えば、16進数(N=15)を採用することが考えられる。 Therefore, it is preferable that the lower limit of N (a natural number) be 2 or more (i.e., ternary, quaternary, etc.). On the other hand, in order to increase the amount of information recorded in one groove 15, it is possible to adopt, for example, hexadecimal numbers (N=15).

しかし、切削装置2に搭載される顕微鏡カメラユニット26の撮像視野の大きさは、通常、Y軸方向が約5.1mm、X軸方向が4.8mmであるので、16進数の場合、例えば5mmを超える長さの溝15が形成されると、当該溝15を一回で撮像できない。つまり、一回の撮像では、溝15の全長を把握できない。 However, the size of the imaging field of view of the microscope camera unit 26 mounted on the cutting device 2 is usually about 5.1 mm in the Y-axis direction and 4.8 mm in the X-axis direction, so in the case of hexadecimal, if a groove 15 with a length exceeding, for example, 5 mm is formed, the groove 15 cannot be imaged in one go. In other words, the entire length of the groove 15 cannot be grasped in one image.

勿論、画像処理部46が、複数の画像をつなぎ合わせて1つの画像を作成することで、溝15の全長を把握することも可能であるが、画像のつなぎ合わせ等により、画像処理部46に負荷がかかる。 Of course, it is possible for the image processing unit 46 to grasp the total length of the groove 15 by stitching together multiple images to create a single image, but stitching together images places a burden on the image processing unit 46.

そこで、N(自然数)の上限は、撮像視野の大きさに応じて定めることが好ましい。例えば、撮像視野のX軸方向の長さが4.8mmである場合、Nは3以下(即ち、3進数、4進数)が好ましく、同長さが8.0mmである場合、Nは7以下(即ち、3進数から8進数)が好ましい。 Therefore, it is preferable to set the upper limit of N (a natural number) according to the size of the imaging field of view. For example, if the length of the imaging field of view in the X-axis direction is 4.8 mm, N is preferably 3 or less (i.e., a ternary or quaternary number), and if the length is 8.0 mm, N is preferably 7 or less (i.e., a ternary to octal number).

次に、第2の実施形態について説明する。第2の実施形態では、サブチャックテーブル24ではなく、チャックテーブル20を用いて、円板状のシリコン基板23を吸引保持する(図10参照)。 Next, a second embodiment will be described. In the second embodiment, the disk-shaped silicon substrate 23 is held by suction using the chuck table 20 instead of the sub-chuck table 24 (see FIG. 10).

図10は、第2の実施形態に係るシリコン基板23の上面図であり、特に、追加の記録工程S80後の状態を示す。本実施形態では、200mmの直径と、0.8mm程度の厚さと、を有する円板状のシリコン基板(シリコンウェーハ)23が使用される。 Figure 10 is a top view of the silicon substrate 23 according to the second embodiment, particularly showing the state after the additional recording step S80. In this embodiment, a disk-shaped silicon substrate (silicon wafer) 23 having a diameter of 200 mm and a thickness of about 0.8 mm is used.

シリコン基板23の裏面側には、シリコン基板23の径よりも大きい径を有するテープ25の中央部が貼り付けられている。テープ25の外周部には、金属製で環状のフレーム27の一面が貼り付けられている。 The center of tape 25, which has a diameter larger than that of silicon substrate 23, is attached to the back side of silicon substrate 23. One surface of a metal ring-shaped frame 27 is attached to the outer periphery of tape 25.

この様にして、シリコン基板23がテープ25を介してフレーム27で支持されたウェーハユニット29が形成されている。ウェーハユニット29は、カセット8に収容されており、使用時にチャックテーブル20へ搬送される。 In this way, a wafer unit 29 is formed in which the silicon substrate 23 is supported by the frame 27 via the tape 25. The wafer unit 29 is stored in a cassette 8 and is transported to the chuck table 20 when in use.

第2の実施形態に係るシリコン基板23の使用方法も、図2に示す手順に従って進める。第2の実施形態の記録工程S30及び追加の記録工程S80では、シリコン基板23の周方向に沿って、シリコン基板23の上面23a側の外周部に複数の溝15を放射状に形成する。 The method of using the silicon substrate 23 according to the second embodiment also follows the procedure shown in FIG. 2. In the recording step S30 and the additional recording step S80 of the second embodiment, a plurality of grooves 15 are formed radially on the outer periphery of the upper surface 23a of the silicon substrate 23 along the circumferential direction of the silicon substrate 23.

本実施形態の読取工程S60においても、制御ユニット44が、予め定められた規則に従い、当該複数の溝15の画像を切り込み条件に関する情報に変換するので、オペレータによる切り込み条件の入力を省略できる。 In the reading step S60 of this embodiment, the control unit 44 also converts the images of the multiple grooves 15 into information related to the cutting conditions according to predetermined rules, eliminating the need for the operator to input the cutting conditions.

その他、上述の実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。例えば、シリコン基板13、23に代えて、ガラス製又はガリウムヒ素(GaAs)製の基板を用いてもよい。基板の形状は、矩形状でも円板状でもよい。 The structures, methods, etc. according to the above-described embodiments can be modified as appropriate without departing from the scope of the present invention. For example, instead of the silicon substrates 13 and 23, a substrate made of glass or gallium arsenide (GaAs) can be used. The shape of the substrate can be rectangular or disk-shaped.

ところで、溝15a、15b…等の長さにより指定される数字と、情報17a、17b…等と、の対応関係は、上述の実施形態の様に、予め補助記憶装置に記憶されていてもよく、USBメモリ等の外部記憶装置や、インターネット等(いずれも不図示)を通じて補助記憶装置に提供されてもよい。 The correspondence between the numbers specified by the lengths of grooves 15a, 15b, etc. and information 17a, 17b, etc. may be stored in advance in an auxiliary storage device, as in the above-described embodiment, or may be provided to the auxiliary storage device via an external storage device such as a USB memory or the Internet, etc. (neither of which are shown).

また、制御ユニット44が、外部のサーバやコンピュータ(いずれも不図示)に接続されている場合、上述の対応関係は、サーバやコンピュータのメモリに保存されてもよい。この場合、制御ユニット44は、サーバやコンピュータにアクセスして、各溝15の長さ及び複数の溝15の配列に対応した情報17を読み取ることができる。 In addition, if the control unit 44 is connected to an external server or computer (neither of which are shown), the above-mentioned correspondence may be stored in the memory of the server or computer. In this case, the control unit 44 can access the server or computer to read information 17 corresponding to the length of each groove 15 and the arrangement of multiple grooves 15.

2:切削装置、4:操作パネル、6:モニタ、8:カセット、10:カセットテーブル
11:ウェーハ、11a:表面、11b:裏面
12:エレベータ、14:プッシュプルアーム、16:ガイドレール
13,23:シリコン基板、13a:上面、13b:下面
15,15a,15b,15c,15d,15e,15f,15g,15h:溝
17,17a,17b,17c,17d:情報
18:第1の搬送ユニット
19:溝、19a,19b:位置
20:チャックテーブル、20a:保持面、20b:クランプユニット
22:テーブルカバー、22a:X軸方向移動機構
23a:上面、25:テープ、27:フレーム、29:ウェーハユニット
24:サブチャックテーブル、24a:保持面、26:顕微鏡カメラユニット
28:切削ユニット、30:スピンドルハウジング、32:スピンドル
34:切削ブレード、36:ブレードカバー、38:ノズルユニット
40:第2の搬送ユニット、42:スピンナ洗浄ユニット
44:制御ユニット、46:画像処理部、48:情報変換部
:搬入搬出領域、A:切削領域、B:矩形領域、C:長さ、D:半径
E:切り込み深さ、R:所定方向、Z,Z:位置
2: cutting device, 4: operation panel, 6: monitor, 8: cassette, 10: cassette table 11: wafer, 11a: front surface, 11b: back surface 12: elevator, 14: push-pull arm, 16: guide rails 13, 23: silicon substrate, 13a: top surface, 13b: bottom surface 15, 15a, 15b, 15c, 15d, 15e, 15f, 15g, 15h: grooves 17, 17a, 17b, 17c, 17d: information 18: first transport unit 19: grooves, 19a, 19b: positions 20: chuck table, 20a: holding surface , 20b: clamp unit 22: table cover, 22a: X-axis direction movement mechanism 23a: upper surface, 25: tape, 27: frame, 29: wafer unit 24: sub-chuck table, 24a: holding surface, 26: microscope camera unit 28: cutting unit, 30: spindle housing, 32: spindle 34: cutting blade, 36: blade cover, 38: nozzle unit 40: second transport unit, 42: spinner cleaning unit 44: control unit, 46: image processing unit, 48: information conversion unit A1 : load/unload area, A2 : cutting area, B: rectangular area, C: length, D: radius, E: cutting depth, R: specified direction, Z1 , Z2 : position

Claims (5)

基板を保持するチャックテーブルと、スピンドルを有し該スピンドルの先端部に切削ブレードが装着される切削ユニットと、を有する切削装置において、該チャックテーブルで保持された該基板に対して該基板の厚さ方向に該切削ブレードを切り込んで、切り込み深さに基づいて該切削ブレードの高さ位置を検出するときに用いられる基板の使用方法であって、
該チャックテーブルに該基板を載置する載置工程と、
該基板の外周部に該切削ブレードで複数の溝を形成して、該切削ブレードを切り込む際の切り込み条件に関する情報を該基板に記録する記録工程と、
を備えることを特徴とする基板の使用方法。
A method of using a substrate in a cutting device having a chuck table for holding a substrate, and a cutting unit having a spindle and a cutting blade attached to a tip of the spindle, the method comprising the steps of: cutting the substrate held by the chuck table with the cutting blade in a thickness direction of the substrate, and detecting a height position of the cutting blade based on a cutting depth, the method comprising the steps of:
a step of placing the substrate on the chuck table;
a recording step of forming a plurality of grooves on an outer periphery of the substrate with the cutting blade and recording information on the substrate regarding cutting conditions when the cutting blade is used for cutting;
A method of using a substrate comprising:
該記録工程の後、該基板に形成された該複数の溝を撮像し、該複数の溝の画像から該切り込み条件に関する情報を読み取る読取工程を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の基板の使用方法。 The method for using the substrate according to claim 1 further comprises, after the recording step, imaging the plurality of grooves formed on the substrate and reading information relating to the cutting conditions from the image of the plurality of grooves. 該切り込み条件に関する情報は、各溝の長さ及び該複数の溝の配列に応じて定められており、
該読取工程では、該画像から各溝の長さ及び該複数の溝の配列に応じた情報を読み取ることを特徴とする請求項2に記載の基板の使用方法。
The information on the cutting conditions is determined according to a length of each groove and an arrangement of the plurality of grooves,
3. The method for using a substrate according to claim 2, wherein said reading step includes reading information corresponding to the length of each groove and the arrangement of the plurality of grooves from the image.
該読取工程後に、該基板の厚さ方向に該切削ブレードを切り込んで、該切削ブレードの切り込み深さ測定用の溝を形成するチョッパーカットセットアップ工程と、
該チョッパーカットセットアップ工程後に、該基板の外周部に該切削ブレードで複数の溝を形成して該切り込み条件に関する更新情報を記録する追加の記録工程と、
を更に備え、
該更新情報は、該基板に形成された切り込み深さ測定用の溝の個数と、最後に該切削ブレードが切り込まれた切り込み深さ測定用の溝の位置と、の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項2又は3に記載の基板の使用方法。
a chopper cut setup step of cutting the cutting blade in the thickness direction of the substrate after the reading step to form a groove for measuring the cutting depth of the cutting blade;
an additional recording step of forming a plurality of grooves in the outer periphery of the substrate with the cutting blade after the chopper cut setup step and recording updated information regarding the cutting conditions;
Further comprising:
A method for using a substrate as described in claim 2 or 3, characterized in that the updated information includes at least one of the number of grooves for measuring cutting depth formed in the substrate and the position of the groove for measuring cutting depth last cut by the cutting blade.
該切り込み条件に関する情報は、該切削ブレードの切り込み深さ測定用の溝同士の間隔を含むことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の基板の使用方法。 A method for using a substrate according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the information on the cutting conditions includes the distance between grooves for measuring the cutting depth of the cutting blade.
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