JP7684080B2 - 基板剥離装置、成膜装置、基板キャリア、基板剥離方法、及び、成膜方法 - Google Patents
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Description
複数配された粘着式の吸着パッドにより基板を保持する基板キャリアから前記基板を剥
離する基板剥離装置であって、
前記基板キャリアには、保持した前記基板における外周部と、保持した前記基板におけるディスプレイ素子領域の間に対応した境界部と、にそれぞれ沿うように、複数の前記粘着式の吸着パッドと、複数の貫通孔と、が設けられており、
前記複数の貫通孔を通して前記基板キャリアの基板保持面から出没するように設けられた複数の剥離ピンを備え、
前記粘着式の吸着パッドは、粘着部材と、昇降台が降下した状態では前記粘着部材は平板形状を維持し、前記昇降台が上昇すると前記粘着部材を変形させる金属球と、を備えることを特徴とする。
本実施形態においては、基板がマザーガラスの場合を例にして説明する。ただし、実施
形態において適用可能な基板の材料はガラスに限られるものではない。
図1は本実施形態に係わる基板としてのマザーガラス10の一例を示す平面図である。図示のように、マザーガラス10の頂点をO,P,Q,Rで表わすこととする。このマザーガラス10は、後工程で画像表示部11,12,13に三面取りされる。これらの画像表示部11,12,13は、ディスプレイ素子領域に相当する。辺OR上の点Jと辺PQ上の点Kを結ぶ線JKと、辺OP上の点Gと辺JK上の点Hを結ぶ線GHが、後工程で裁断される裁断線である。図1において、裁断線に対応する領域を、境界部としての内部領域14、マザーガラス10の周縁部を、外周部としての外部領域15と称する。裁断された後においては、内部領域14と外部領域15を除く部位が、ディスプレイ素子領域に相当する。
本実施形態に係わる基板キャリア100について図2~図5を用いて説明する。特徴的な構成を強調して示すために縮尺は実際とは異なる場合がある。
図4を参照して吸着パッド120について、より詳しく説明する。吸着パッド120は、金属製のシャフト126に不図示の接着層を介して粘着部材123が設けられている。粘着部材123の材料としては、真空下での製造プロセスに悪影響を及ぼすアウトガスの発生を抑制するために、シロキサン結合を含まないフッ素ゴムを採用するのが好ましい。また、接着層を構成する材料も同様に、アウトガス成分を放出しない公知の接着剤、両面テープを使用するのが望ましい。本実施形態においては、φ10mmのステンレス製のシャフト126を使用し、φ10mm、厚み0.5mmのフッ素ゴムからなる粘着部材123を使用した。粘着部材123は、基板保持面110xからの突出量を管理できるよう不図示のスペーサ等を用いて一定の範囲内で図中上下方向に調整可能に構成されている。上記の突出量は、吸着パッド120を構成する部材のサイズや、粘着部材123の圧縮特性にもよるが、マザーガラス10の厚さ未満である。吸着パッド用の貫通孔112の径はシャフト126の外径より大きく、吸着パッド120は鉛直方向の上下動に加えある程度の揺動が許容されている。
本実施形態に係る成膜装置は、基板キャリア100に基板を保持するための装置と、成膜源を用いて基板に薄膜を形成する装置と、薄膜が形成された基板を基板キャリア100から剥離させる基板剥離装置など、各種の基板処理装置を備えている。そして、基板は搬送されながら各種処理が施される。以下、基板処理工程について、図6に示すフローチャートを参照して説明する。
る。1.基板保持工程は、さらに、(a)準備工程、(b)基板戴置工程、(c)基板粘着工程、で構成される。以下、工程順に説明する。
この工程は、基板としてのマザーガラス10が基板キャリア100に保持される工程であり、図7に示す基板保持装置にて行われる。この基板保持装置は、基板保持室R1と、マザーガラス10をZ軸方向に上下動させる基板戴置ピンユニット200(基板移動機構)と、マザーガラス10を押圧する押圧ユニット400と、基板キャリア100を支持する支持台500とを備えている。基板キャリア100は、平板状部材110を備えている。この平板状部材110は、支持台500に支持されて基板保持面110xが水平面と平行となるように構成されている。なお、図7においては、基板戴置ピン240、押圧ユニット400に備えられる軸部440を上下動させる機構としてボールネジ機構を採用する場合を示すが、ラックアンドピニオン方式などその他の公知技術も採用し得る。これらの機構は電源710および制御部720で制御される。
マザーガラス10の保持動作が行われる前の準備状態では、基板戴置ピン240および押圧部450はいずれも鉛直方向最上方の位置で待機している。基板戴置ピン240は基板キャリア100における平板状部材110のピン用の貫通孔111から基板保持面110xよりも鉛直方向上方に飛び出した状態となっている。吸着パッド120における粘着部材123は、基板保持面110xよりも僅かに突出して平板状部材110に固定されている(図4参照)。また、押圧部450は、基板キャリア100から離間している。この状態で、基板保持室R1の基板処理領域A1にマザーガラス10が搬入され、図7に示す
ようにマザーガラス10は複数の基板戴置ピン240の上に戴置される。なお、マザーガラス10の基板保持室R1内への搬送は、不図示の搬送ロボットなどにより行われる。搬送ロボットについては公知技術であるので、その説明は省略する。
モータ210によって、基板戴置ピン240が鉛直方向下方に移動すると、基板戴置ピン240の先端は平板状部材110のピン用の貫通孔111を通って基板保持面110xとは反対側の面よりも下方に移動する。その結果、マザーガラス10は吸着パッド120の粘着部材123に接した状態となる。
次に、押圧機構を用いてマザーガラス10を押圧する。モータ410によって、押圧部450が鉛直方向下方に移動することで、吸着パッド120の粘着部材123とマザーガラス10との接触面を十分に確保することができる。この際、複数の押圧部450を同時にマザーガラスに押圧するのではなく、押圧領域が、特定の開始点から特定の終了地点に向かって徐々に変化するように制御しても良い。例えば、マザーガラス10の長手方向中央部から押圧を開始して、両端部に向かって順次押圧されるように制御するとよい。図9は、押圧部450が下方に移動し、平板状部材110から僅かに突出した粘着部材123に、マザーガラス10が接触して粘着(吸着)された状態を示している。
図11(A)(B)は、反転装置の模式的断面図である。反転装置は、反転室R2を備えている。この反転室R2内に、基板キャリア100を保持する保持部材610と、保持部材610に固定される回転軸620と、回転軸620を回転させるモータ630と、回転軸620を軸支する支持部材640とが設けられている。
マザーガラス10を保持した基板キャリア100は、反転室R2からアライメント室に搬送される。アライメント室に待機するマスク20とマザーガラス10とが位置合わせされ、基板キャリア100はマスク20の上方にアライメントされた状態で戴置される。基板キャリア100とマスク20とを固定する手段としては、適宜の公知技術を採用すればよい。例えば、電磁石等の磁気を利用する手段や、クランプなどの機械的な機構を採用す
ることもできる。また、基板キャリア100とマスク20とを固定せず、ローラ等の搬送用部材上にあるマスク20の上に基板キャリア100を載せ、搬送用部材の上を一体的に移動させることも可能である。
本実施形態においては、成膜方式の一例として真空蒸着方式を採用する場合を示す。図12は蒸着装置の模式的断面図である。蒸着装置は、成膜室R3を備えており、成膜室R3の内部には成膜源としての蒸発源30が設けられている。マザーガラス10およびマスク20を一体的に保持した基板キャリア100は、アライメント室から成膜室R3に搬送される。蒸発源30から成膜材料が蒸発または昇華している空間を、基板キャリア100が通過することで、マザーガラス10に薄膜が形成される。なお、複数の成膜室を設けて、それぞれに異なる成膜源を配置し、基板キャリア100が順次搬送され、複数種類の薄膜をマザーガラス10に順次成膜する構成も採用できる。成膜が終了すると、マザーガラス10に組み合わされたマスク20が取り外される。または、別のマスクを再度組み合わせて成膜工程が繰り返される場合もある。
上記のように成膜処理がなされた後に、基板キャリア100から基板としてのマザーガラス10が剥離される。なお、剥離されたマザーガラス10は、その後、裁断線に沿って裁断されて、最終製品である画像表示部が複数得られる。本実施形態においては、マザーガラス10における画像表示部(ディスプレイ素子領域)に悪影響を与えることなく、かつ短時間で基板キャリア100からマザーガラス10を剥離するように構成されている。以下、具体的な基板剥離装置、基板剥離方法、及び基板剥離工程の説明に先立って、本実施形態に係る基板剥離の概要について説明する。
基板(特にマザーガラス)は、基板剥離時の基板面内において、剥離完了済みエリアと未剥離エリアとの境界領域に生じる基板の屈曲部において、割れが発生することがある。これは、基板撓みによる応力と剥離動作を原因とした基板変形による応力が重なって、応力が局所的に集中するためと推察される。また、画像表示部に対し、吸着パッド120における粘着部材123や剥離ピン341などを突き当てる構成を採用した場合には、高精細な画像表示に悪影響を与える虞がある。また、粘着部材123の表面と基板表面とが平行な状態を保ったまま、粘着部材123から基板を剥離させようとすると、大きな力が必要となり、基板を剥離し難く、基板への負荷も大きくなることが分かっている。更に、実験などにより、基板の重心付近においては、重心から離れた領域と比べて、粘着部材123から基板を剥離し難いことが認められている。
ピン341が採用される場合には、剥離部は剥離ピン341が出没する貫通孔111に相当する。図13では後者の例を示している。上記の境界部は、本実施形態においては、基板が裁断される際の裁断線に対応する。つまり、境界部は、裁断線を含み、裁断線に対して所定の幅を有する領域である。ただし、実施形態における境界部は、2画面以上のディスプレイ素子領域(画像表示部)が設けられる最終製品において、ディスプレイ素子領域間の境界となる部分の場合も含まれる。
、この突出量が最も小さい剥離ピン341は、基板の重心G0と重ならない位置に配された貫通孔(例えば、図13中、Oに示す位置にある貫通孔)を通して基板保持面110xから出没するように設けられているとより好適である。なお、位置Oは、境界部であって、かつ重心G0から最も近い位置に相当する。そして、基板の剥離の際には、基板の外側から略同心円状に内側に向かって剥離が進み、最後に、位置Oにある貫通孔111から出没する剥離ピン341による剥離がなされるようにするとよい。上記の通り、基板の重心G0の付近は、重心G0から離れた領域と比べて剥離し難く、重心G0の付近において、最後に基板を剥離させると、基板への負荷が大きくなってしまう。これに対して、基板の重心G0と重ならない位置Oに設けられた貫通孔111から出没する剥離ピン341により、最後に剥離がなされることで、基板への負荷を抑制することができる。
成膜が完了し、マスクが取り外された基板キャリア100は基板剥離装置の基板剥離室R4に搬送される。図15は実施例1に係る基板剥離装置の概略構成を示す模式的断面図であり、図3(B)に示す剥離機能を兼ね備えた吸着パッド120を備える基板キャリア100が基板剥離室R4に搬送された状態を示している。
図16は実施例2に係る基板剥離装置を構成する剥離ピンユニット350の平面図である。本実施例においては、吸着パッド120と支持具130により基板保持面110xに支持固定されたマザーガラス10を、支持具130を解放した後、剥離ピンによって、吸着パッド120から剥離する構成を採用している。
ッ素ゴム等で形成される。
本実施例においては、剥離ピン341の長さが、配置された位置によって異なる場合の構成を示す。本実施例では、全ての剥離ピン341が基板保持面110xから突出した際に、2つの境界部の交点(図16中、座標(x5,y3)に相当)を中心点として、剥離ピン341の突出量(高さ)が外部領域に向かって略同心円状に漸増するように構成されている。
状態を示している。
上記の通り、内部領域14には外部領域15よりも粘着力の大きな吸着パッド120(粘着部材123)を配置することで、外部領域15の粘着部材123から先に剥離する構成を採用してもよい。この場合にも、外部領域15と内部領域14の境界領域におけるマザーガラス10の屈曲を小さくして、マザーガラス10を破損せずに剥離サイクルタイムを短縮することができる。
次に、本実施例に係る成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成を示し、有機EL表示装置の製造方法を例示する。
800の全体図、図20(B)は1画素の断面構造を表している。
示領域801よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。
Claims (19)
- 複数配された粘着式の吸着パッドにより基板を保持する基板キャリアから前記基板を剥離する基板剥離装置であって、
前記基板キャリアには、保持した前記基板における外周部と、保持した前記基板におけるディスプレイ素子領域の間に対応した境界部と、にそれぞれ沿うように、複数の前記粘着式の吸着パッドと、複数の貫通孔と、が設けられており、
前記複数の貫通孔を通して前記基板キャリアの基板保持面から出没するように設けられた複数の剥離ピンを備え、
前記粘着式の吸着パッドは、粘着部材と、昇降台が降下した状態では前記粘着部材は平板形状を維持し、前記昇降台が上昇すると前記粘着部材を変形させる金属球と、を備えることを特徴とする基板剥離装置。 - 前記境界部は、前記基板が後工程で裁断される裁断線に対応する部位であることを特徴とする請求項1に記載の基板剥離装置。
- 剥離動作中、前記基板保持面から全ての前記剥離ピンが突出した際には、外側に配された前記剥離ピンの方が内側に配された前記剥離ピンよりも、前記基板保持面からの突出量が大きいことを特徴とする請求項1に記載の基板剥離装置。
- 前記剥離ピンの移動速度が異なることで、外側に配された前記剥離ピンの方が内側に配された前記剥離ピンよりも、前記基板保持面からの突出量が大きくなることを特徴とする請求項3に記載の基板剥離装置。
- 前記剥離ピンの移動開始タイミングが異なることで、外側に配された前記剥離ピンの方が内側に配された前記剥離ピンよりも、前記基板保持面からの突出量が大きくなることを特徴とする請求項3に記載の基板剥離装置。
- 前記剥離ピンの長さが異なることで、外側に配された前記剥離ピンの方が内側に配された前記剥離ピンよりも、前記基板保持面からの突出量が大きくなることを特徴とする請求
項3に記載の基板剥離装置。 - 剥離動作中、前記基板保持面から全ての前記剥離ピンが突出した際に、前記基板保持面からの突出量が最も小さい前記剥離ピンは、前記境界部に設けられた前記貫通孔を通して前記基板保持面から出没するように設けられていることを特徴とする請求項3~6のいずれか一つに記載の基板剥離装置。
- 前記基板保持面からの突出量が最も小さい前記剥離ピンは、前記基板の重心と重ならない位置に配された前記貫通孔を通して前記基板保持面から出没するように設けられていることを特徴とする請求項7に記載の基板剥離装置。
- 剥離動作中、前記基板保持面から全ての前記剥離ピンが突出した際においては、全ての前記剥離ピンの先端が、仮想的な円錐面上に位置することを特徴とする請求項1~6のいずれか一つに記載の基板剥離装置。
- 任意の前記粘着式の吸着パッドの両隣の前記貫通孔から突出する第1の剥離ピンと第2の剥離ピンが前記基板保持面から突出した状態においては、前記第1の剥離ピンの前記基板保持面からの突出量と前記第2の剥離ピンの前記基板保持面からの突出量が異なることを特徴とする請求項1~6のいずれか一つに記載の基板剥離装置。
- 複数の前記剥離ピンの移動速度が遅くなるように変化することを特徴とする請求項1~6のいずれか一つに記載の基板剥離装置。
- 外側に配された前記粘着式の吸着パッドの方が内側に配された前記粘着式の吸着パッドよりも吸着力が小さいことを特徴とする請求項1~11のいずれか一つに記載の基板剥離装置。
- 外側に配された前記粘着式の吸着パッドの方が内側に配された前記粘着式の吸着パッドよりも吸着力が大きいことを特徴とする請求項1~11のいずれか一つに記載の基板剥離装置。
- 前記基板キャリアに保持された基板上に薄膜を形成する成膜源と、
請求項1~13のいずれか一つに記載の基板剥離装置と、
を備えることを特徴とする成膜装置。 - 基板を保持するための粘着式の吸着パッドを複数備える基板キャリアであって、
保持した前記基板における外周部と、保持した前記基板におけるディスプレイ素子領域の間に対応した境界部と、にそれぞれ沿うように、複数の前記粘着式の吸着パッドが配されており、
前記粘着式の吸着パッドは、前記基板を剥離する機能を兼ね備え、
前記粘着式の吸着パッドは、粘着部材と、昇降台が降下した状態では前記粘着部材は平板形状を維持し、前記昇降台が上昇すると前記粘着部材を変形させる金属球と、を備えることを特徴とする基板キャリア。 - 複数配された粘着式の吸着パッドにより基板を保持する基板キャリアから前記基板を剥離する基板剥離方法であって、
前記基板における外周部と、前記基板におけるディスプレイ素子領域の間に対応した境界部と、にそれぞれ沿うように前記基板キャリアに設けられた複数の前記粘着式の吸着パッドによって前記基板を保持する工程と、
前記外周部と、前記境界部と、にそれぞれ沿うように前記基板キャリアに設けられた複
数の貫通孔を通して複数の剥離ピンを前記基板キャリアの基板保持面から出没させることによって前記基板を剥離する工程と、
を含み、
前記粘着式の吸着パッドは、粘着部材と、昇降台が降下した状態では前記粘着部材は平板形状を維持し、前記昇降台が上昇すると前記粘着部材を変形させる金属球と、を備えることを特徴とする基板剥離方法。 - 基板キャリアに保持された基板上に薄膜を形成する成膜方法であって、
前記基板における外周部と、前記基板におけるディスプレイ素子領域の間に対応した境界部と、にそれぞれ沿うように、前記基板キャリアに設けられた複数の粘着式の吸着パッドによって前記基板を保持する工程と、
前記基板キャリアに保持された前記基板上に成膜源によって薄膜を形成する工程と、
前記外周部と、前記境界部と、にそれぞれ沿うように前記基板キャリアに設けられた複数の貫通孔を通して複数の剥離ピンを前記基板キャリアの基板保持面から出没させることによって前記基板を剥離する工程と、
を含み、
前記粘着式の吸着パッドは、粘着部材と、昇降台が降下した状態では前記粘着部材は平板形状を維持し、前記昇降台が上昇すると前記粘着部材を変形させる金属球と、を備えることを特徴とする成膜方法。 - 複数配された粘着式の吸着パッドにより基板を保持する基板キャリアから前記基板を剥離する基板剥離方法であって、
前記基板における外周部と、前記基板におけるディスプレイ素子領域の間に対応した境界部と、にそれぞれ沿うように前記基板キャリアに設けられた複数の前記粘着式の吸着パッドによって前記基板を保持する工程と、
前記粘着式の吸着パッドによって前記基板を剥離する工程と、
を含み、
前記粘着式の吸着パッドは、粘着部材と、昇降台が降下した状態では前記粘着部材は平板形状を維持し、前記昇降台が上昇すると前記粘着部材を変形させる金属球と、を備えることを特徴とする基板剥離方法。 - 基板キャリアに保持された基板上に薄膜を形成する成膜方法であって、
前記基板における外周部と、前記基板におけるディスプレイ素子領域の間に対応した境界部と、にそれぞれ沿うように、前記基板キャリアに設けられた複数の粘着式の吸着パッドによって前記基板を保持する工程と、
前記基板キャリアに保持された前記基板上に成膜源によって薄膜を形成する工程と、
前記粘着式の吸着パッドによって前記基板を剥離する工程と、
を含み、
前記粘着式の吸着パッドは、粘着部材と、昇降台が降下した状態では前記粘着部材は平板形状を維持し、前記昇降台が上昇すると前記粘着部材を変形させる金属球と、を備えることを特徴とする成膜方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021071999A JP7684080B2 (ja) | 2021-04-21 | 2021-04-21 | 基板剥離装置、成膜装置、基板キャリア、基板剥離方法、及び、成膜方法 |
| CN202210377944.5A CN115223913A (zh) | 2021-04-21 | 2022-04-12 | 基板剥离装置、成膜装置、基板载台、基板剥离方法及成膜方法 |
| KR1020220046459A KR20220145276A (ko) | 2021-04-21 | 2022-04-14 | 기판 박리 장치, 성막 장치, 기판 캐리어, 기판 박리 방법, 및 성막 방법 |
| KR1020250033169A KR20250040918A (ko) | 2021-04-21 | 2025-03-14 | 기판 박리 장치, 성막 장치, 기판 캐리어, 기판 박리 방법, 및 성막 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021071999A JP7684080B2 (ja) | 2021-04-21 | 2021-04-21 | 基板剥離装置、成膜装置、基板キャリア、基板剥離方法、及び、成膜方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022166648A JP2022166648A (ja) | 2022-11-02 |
| JP2022166648A5 JP2022166648A5 (ja) | 2024-04-17 |
| JP7684080B2 true JP7684080B2 (ja) | 2025-05-27 |
Family
ID=83606087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021071999A Active JP7684080B2 (ja) | 2021-04-21 | 2021-04-21 | 基板剥離装置、成膜装置、基板キャリア、基板剥離方法、及び、成膜方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7684080B2 (ja) |
| KR (2) | KR20220145276A (ja) |
| CN (1) | CN115223913A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2015046517A (ja) | 2013-08-29 | 2015-03-12 | パナソニック株式会社 | 基板の剥離装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2021
- 2021-04-21 JP JP2021071999A patent/JP7684080B2/ja active Active
-
2022
- 2022-04-12 CN CN202210377944.5A patent/CN115223913A/zh active Pending
- 2022-04-14 KR KR1020220046459A patent/KR20220145276A/ko not_active Ceased
-
2025
- 2025-03-14 KR KR1020250033169A patent/KR20250040918A/ko active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2015046517A (ja) | 2013-08-29 | 2015-03-12 | パナソニック株式会社 | 基板の剥離装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20220145276A (ko) | 2022-10-28 |
| JP2022166648A (ja) | 2022-11-02 |
| CN115223913A (zh) | 2022-10-21 |
| KR20250040918A (ko) | 2025-03-25 |
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